「bottom aspect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method of the invention in one aspect allows for optimum deposition at the bottom of a high aspect ratio frame during a high pressure step and increased deposition on the sidewalls of the feature during at least a low pressure step.例文帳に追加

一局面での本発明の方法は、高圧ステップ中の高アスペクト比フィーチャ下部での最適な堆積と、少なくとも低圧ステップ中のフィーチャ側壁での増加した堆積を可能にする。 - 特許庁

To prevent a part of a face or a head in an image from being missing when displaying a static image having an aspect ratio of 4:3 or 3:2 with its top and bottom cut off on a full screen of a monitor having an aspect ratio of 16:9.例文帳に追加

アスペクト比が１６：９のモニターの全画面で、縦横比４：３又は３：２の静止画像を上下切り取って表示する際に、画像の顔や頭が欠けて表示されるのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device analyzer which can accurately analyze a minute structure at the bottom of a hole having a large aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比の大きなホール底部の微細構造を的確に解析することを可能とする半導体デバイス解析装置を提供すること。 - 特許庁

To deposit Ni particles, used as catalyst particles for forming carbon nanotubes, on substantially only the bottom of a groove structure having a high aspect ratio, e.g. on only the bottom of a via hole of a semiconductor wiring.例文帳に追加

カーボンナノチューブを形成するための触媒パーティクルとなるＮｉパーティクルを、高アスペクト比の溝構造において実質的に底部のみ、例えば半導体配線のビア孔の底部のみにパーティクルを堆積する。 - 特許庁

At this time, the barrier film is deposited at the wiring groove bottom 110a and the opening 112 without depositing at the connection hole bottom 108a having a large aspect ratio.例文帳に追加

このとき、アスペクト比が大きい接続孔底部１０８ａに堆積させることなく、配線溝底部１１０ａ及び開口部１１２上にバリア膜を堆積させる。 - 特許庁

The silanol 37 is introduced until a first concave section 5a formed in a substrate 1 whose aspect rate is a predetermined value or more can be filled, and the silanol is introduced from the bottom section to intermediate section in a second concave section 5b whose aspect rate is less than a predetermined value.例文帳に追加

シラノール３７を、基板１に設けられたアスペクト比が所定の値以上である第１の凹部５ａ内を満たすまで導入するとともにアスペクト比が所定の値未満である第２の凹部５ｂ内にその底部から中間部まで導入する。 - 特許庁

The defensive aspect can be seen by the way moats were dug down, steeply to a point at the bottom making it shaped like a "V," being accompanied with abatis called Sakamogi, which are kind of stakes with sharpened tops directed outwards, along its sidelines. 例文帳に追加

断面が深くV字形に掘削された環濠やその周辺に逆茂木（さかもぎ）と称されるような先を尖らせた杭を埋め込んでいる様子から集落の防御的性格があったことが窺える。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a micro column having columnar objects whose diameters are uniform from the top to the bottom and that are high aspect even when the interval between the columnar objects is narrow.例文帳に追加

柱状体の直径が頂部から底部にかけて均一であり、かつ柱状体の間隔が狭い場合でも高アスペクトな柱状体を有するマイクロカラムを提供する。 - 特許庁

A nucleation layer is formed not on a side wall of a via but on the bottom of the via, in the method of filling the plug having the high aspect ratio.例文帳に追加

高アスペクト比を有するプラグを充填する本発明の方法においては、核形成層を、バイアの側壁上ではなく、バイアの底に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having metal oxide formed having a uniform composition distribution in a film-thickness direction even at the bottom of a recessed portion with a large aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比が大きい凹部の底部においても膜厚方向の組成分布が均一な金属酸化物が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

FORMING METHOD OF UPPER MAGNETIC POLE LAYER OF THIN FILM MAGNETIC HEAD, FORMING METHOD OF FINE BLOCK PATTERN OF HIGH ASPECT RATIO ON BOTTOM OF STEP ON SURFACE HAVING STEPS, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド - 特許庁

A pillar-shaped crystal particulate has an aspect ratio of 1.5 or more, a major diameter of 10 nm to 100 μm, a sharp projection on its top and a flat bottom.例文帳に追加

アスペクト比が１．５以上で、長径が１０ｎｍ乃至１００μｍの範囲にあり、そして頂部に先鋭な突起を有し、底部が平面をなす柱状水晶微粒子、およびこの柱状水晶微粒子からなる水晶微粉末。 - 特許庁

To provide the bottom portion structure of a dome-shaped refuse disposal plant equipped with sufficient water barrier function and advantageous from such an aspect that stabilization treatment is performed in an internal closed space.例文帳に追加

十分な遮水機能を備え、内部の閉塞空間でごみの安定化処理を行なう上で有利なドーム型ごみ処分場の底部構造を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device 3 has an upper surface with large aspect furnished by a first material 11, and a recess part having a bottom 17 furnished by a second material 13.例文帳に追加

半導体装置３は、第１の材料１１によって提供されるアスペクトの大きい、第２の材料１３によって提供される底１７を有する凹部とを備えている。 - 特許庁

The projections have a shape having a circular lateral cross section, including a cone and a cylinder, and have an aspect ratio of not less than 3, as a ratio of the projection height to an outer diameter of not more than 3 μm of the projection bottom.例文帳に追加

その突起は、形状が円錐体及び円柱体を含む横断面丸形であり、突起底面の３μｍ以下の外径に対する突起高さの比であるアスペクト比が３以上である。 - 特許庁

To perform film formation with a high bottom coverage by ionized sputtering, even on a hole having a high aspect ratio, and to simplify inside and outside structures of a sputtering chamber.例文帳に追加

イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。 - 特許庁

Owing to such cleaning step, the trench 3 can be reliably cleaned and removed of foreign materials including a protection film 4 to the bottom though the trench 3 having an aspect ratio of 5 and over is formed.例文帳に追加

そして、このような洗浄工程を行えることから、アスペクト比が５以上のトレンチ３を形成しても、確実にトレンチ３の底部まで保護膜４を含む異物の洗浄除去を行うことができる。 - 特許庁

A fine uneven structure 10 having a plurality of conical shape parts which have a height of 300 nm or less, and an aspect ratio of the height with respect to a bottom face of one or more, is formed on the incident face 2A and the emission face 2B.例文帳に追加

入射面２Ａ及び出射面２Ｂには、高さが３００ｎｍ以下であり、かつ、底面に対する高さのアスペクト比が１以上である複数の円錐形状部を有する微細凹凸構造体１０が形成されている。 - 特許庁

To reliably and effectively bury a plated metal of copper and the like in the inner part of a via, which has a high aspect ratio and a deep embedding depth, without generating a defect such as a void in the inner part while promoting a bottom up growth.例文帳に追加

アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。 - 特許庁

To provide an electromagnetic cooker composed taking into consideration a safety aspect in the case where a cooking pan is disposed at a position outside a predetermined heating area or warpage of the bottom of the cooking pan exceeds an allowable range.例文帳に追加

調理鍋が所定の加熱エリアから外れた位置に置かれていたり、調理鍋底の反りが許容範囲を超えている場合における安全面に配慮した電磁調理器を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste causing neither pattern bottom thickening nor pattern meandering, free of lowering of the sensitivity and capable of reliably improving light exposure margin, in order to form a pattern having high definition and a high aspect ratio.例文帳に追加

高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成するために、パターンの底部太りやパターンの蛇行、感光性ペーストの感度低下がなく、露光量マージンを確実に向上できる感光性ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film, which can form a reaction film in a satisfactory bottom-coverage rate even on a substrate with a groove of a high aspect ratio and a hole and even on a substrate with a low heat-resistance such as a resin substrate, regardless of material of the substrate.例文帳に追加

アスペクト比の高い溝、及びホールを有する基板に基板の材質を問わず、例えば樹脂基板のような耐熱性の低い基板にボトムカバレッジ率よく反応膜を成膜できる堆積膜形成法を提供すること。 - 特許庁

Further, the aspect ratio between the axial direction and the radial direction of old γ grains in the surface layer part from the surface of the bottom part in the screw to at least 50 μm is ≥2, and further, the hardness of the same part is ≥460 Hv.例文帳に追加

また、ねじ底部の表面から少なくても５０μｍまでの表層部の旧γ粒の軸方向と半径方向のアスペクト比が２以上であり、また、同部の硬さがＨｖ４６０以上である。 - 特許庁

To provide a screen having a projection surface of which the top, bottom, right and left are easily covered with a black mask in spite of software of all aspect ratios and in spite of the presence or absence of captions in projecting videos by a video projector.例文帳に追加

映像投影機にて映像を投影する際、あらゆるアスペクト比のソフトであっても又、字幕の有無にもかかわらず簡単に上下左右を黒色マスクで覆われた投影面を持つスクリーンを提供する。 - 特許庁

Even though the connection hole 4 has a high aspect ratio, film formation with the low-temperature process is allowed by using the conductive material 7, instead of forming the second electrode 6 up to a bottom portion of the connection hole 4.例文帳に追加

接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 - 特許庁

An incidence angle of the light is an angle in which a bottom surface of a concave portion of the concavo-convex structure 5 is not directly irradiated with the light and is set to a larger angle value than a reference angle determined by an aspect ratio of the concave portion.例文帳に追加

光の入射角は、凹凸構造５の凹部の底面に光が直接当たらない角度であり、凹部のアスペクト比から決定される基準角度よりも大きい値に設定される。 - 特許庁

To prevent etching action from stopping at the bottom of a recess in a silicon oxide film when forming the recess having a high aspect ratio on the silicon oxide film by etching the silicon oxide film formed on a silicon nitride film with etching gas including fluorocarbon gas.例文帳に追加

シリコン窒化膜の上に形成されたシリコン酸化膜に対してフルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行なって、シリコン酸化膜にアスペクト比が高い凹部を形成する際に、シリコン酸化膜における凹部の底部に対するエッチングがストップしないようにする。 - 特許庁

To solve the problem wherein it is necessary to immerse the hand in a liquid in work for attaching a testpiece to the bottom of a liquid tank in the state that the liquid tank is filled with the liquid but symptoms non-preferable from an aspect of health are produced on the hand according to the circumstances by the liquid.例文帳に追加

液槽中に液体を充填した状態で試験片を液槽の底部に取付ける作業は、液体中に手を浸入させる必要があるが、液体によっては手に健康上好ましくない症状が発生する場合があるがこの点を解決する。 - 特許庁

The antireflection fine structure comprises, for example, a great number of conical fine projections 1 having a bottom diameter D of 50 to 380 nm and an aspect ratio (H/D) of 1 to 10 arranged in a pitch P of 50 to 380 nm, wherein the contact angle of the surfaces of the fine projections 1 with water is controlled to <90°.例文帳に追加

例えば、底面径Ｄが５０〜３８０ｎｍであって、アスペクト比（Ｈ／Ｄ）が１〜１０の無数の円錐状微細突起１が５０〜３８０ｎｍのピッチＰで配置されて成る反射防止微細構造において、上記微細突起１の表面における水滴に対する接触角が９０°未満となるようにする。 - 特許庁

In a measurement of a micro high-aspect-ratio pattern using an elongated probe, when the probe sticks to a sidewall of the pattern, touch of the probe and the sidewall is detected and contact force between the probe and an object is temporarily increased so that the probe reaches the bottom of the sidewall.例文帳に追加

細長探針を用いた微細な高アスペクト比パターンの測定において、探針がパターンの側壁に吸着された場合、探針のパターン側壁への吸着を検知し、探針−試料間の接触力を一時的に増加させることによって、探針を側壁の底まで到達させる。 - 特許庁

A high-directivity particle beam composed of Ni particles 1 with particle diameters made uniform by classification is irradiated in a high vacuum toward a groove structure 2 having a high aspect ratio as the object to be irradiated; thus, the Ni particles are deposited on substantially only the bottom 3 of the groove structure.例文帳に追加

高真空下において、分級により粒径を揃えたＮｉパーティクル１からなる高指向性のパーティクルビームを被照射対象である高アスペクト比の溝構造２に照射し、実質的に溝構造の底部３のみにＮｉパーティクル１を堆積させる。 - 特許庁

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.例文帳に追加

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In another aspect, the invention is a system comprising: a lid body having a lid cap and a side wall with a ventilation means for the ventilated vertical overpack having the chamber for receiving spent nuclear fuel; and the ventilated vertical overpack having a cylindrical body including lower ventilation ducts and a bottom, and a chamber formed by the body and the bottom adapted for receiving the canister of spent nuclear fuel.例文帳に追加

別の態様では、本発明は、使用済み核燃料を受け入れるためのチャンバを有する通気垂直オーバーパック用の、蓋キャップと通気手段付きの側壁とを有する蓋本体と、下部通気ダクト付き円筒状本体、底部、及び本体と底部とで形成され使用済み核燃料のキャニスターを受け入れることができるようになっているチャンバを有する通気垂直オーバーパックと、を備えたシステムである。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that there is a higher possibility of causing a dead pixel, a dropout, and a fall to a part of identification codes when a force is applied from the outside as a ratio (so-called aspect ratio) of a height to a bottom area of a dot when overgrazing the dot in order to improve visibility in the identification code that is marked on the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置上にマーキングされた識別コードは、視認性を向上させるためにドット部を重ね塗りすると、ドット部の高さと底面積の比（いわゆるアスペクト比）が高くなるにつれて、外部から力が加わった時に識別コードの一部にドット欠けや脱落や倒れが起きる可能性が高くなる。 - 特許庁

In another aspect, the system is provided with a main body having the cavity for receiving a canister, an inlet ventilation duct forming a passage from the surrounding air intake to the outlet to the cavity, and at least one support body for supporting the canister in the cavity so that the bottom of the canister comes lower than the top of the outlet.例文帳に追加

別の面において、キャニスタを受け入れるキャビティを有する本体と、周囲空気入口からキャビティ内への出口までの通路を形成する入口換気ダクトと、キャニスタの底面が出口の頂部よりも下方となるようにキャニスタをキャビティ内に支持する少なくとも１つの支持体とを備えるシステムである。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing generation of a spike and conduction failure by fully covering a sidewall surface and bottom surface of a hole with target material in forming the target material as a barrier layer and an Al layer or the like especially on the hole with a high aspect ratio formed on a semiconductor substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁