「bulk memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Digital delay buffers are provided to both a high-speed processing and small capacity memory portion, and a low-speed processing and bulk memory portion.例文帳に追加

デジタル遅延バッファが、高速処理・小容量メモリ部及び低速処理・大容量メモリ部双方に提供される。 - 特許庁

The device includes a step to drive a bulk in which the memory cell is formed by a bulk voltage, a step to detect whether the bulk voltage has reached a target voltage or not, and a step to terminate the drive of the bulk after a specified period when it is detected that the bulk voltage has reached the target voltage.例文帳に追加

メモリセルが形成されているバルクをバルク電圧で駆動するステップと、バルク電圧が目標電圧に到達したかどうかを検出するステップと、バルク電圧が目標電圧に到達したと検出された場合、一定時間後にバルクの駆動を終了するステップとを含む。 - 特許庁

To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加

特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁

To obtain an image input/output device which outputs an image without including a bulk memory in an engine unit.例文帳に追加

エンジンユニット内に大量のメモリを持たずに画像を出力する画像入出力装置を得る。 - 特許庁

When data in a file format are recorded on the bulk-erasable nonvolatile memory, a file 21 of an arbitrary size is recorded in an unrecorded area in the memory.例文帳に追加

一括消去型不揮発性メモリへファイル形式のデータを記録する場合、任意のサイズのファイル（２１）をメモリ内の未記録領域に記録する。 - 特許庁

The parameter data multiplexing apparatus 1 does not require any bulk memory, thereby achieving space reduction and cost reduction.例文帳に追加

パラメータデータ多重化装置１は、大容量のメモリを必要としないため、省スペースおよび省コストを図ることができる。 - 特許庁

In a bulk superconductor including a short cylindrical superconducting bulk body and a surrounding belt of a shape memory alloy which surrounds and pressurizes the circumferential surface of the superconducting bulk body, the surrounding belt pressurizes the superconducting bulk body by recovering the shape, after surrounding the superconducting bulk body.例文帳に追加

上記課題を解決するために、短筒状の超電導バルク体と、前記超電導バルク体の側周面を加圧囲繞する形状記憶合金の囲繞ベルトとからなるバルク超電導体であって、前記囲繞ベルトは、超電導バルク体を囲繞した後に、形状回復処理をすることで超電導バルク体を加圧するようにしたバルク超電導体を提供する。 - 特許庁

A one-bit memory cell MC is constituted of one transistor having a floating bulk region electrically isolated from the other elements.例文帳に追加

１ビットのメモリセルＭＣが他から電気的に分離されたフローティングのバルク領域を持つ一つのトランジスタにより構成される。 - 特許庁

To provide communication equipment and a communication system in which a name corresponding to telephone number data can be displayed even without mounting a bulk memory.例文帳に追加

大容量のメモリを搭載しなくとも電話番号データに対応する氏名を表示可能な通信装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

By this setup, a bulk region can be kept always at a certain voltage independently of the position of memory cells without increasing a cell array in area.例文帳に追加

セルアレーの面積を増加せずに、メモリセルの位置に関係なく均一にバルク領域の電圧を一定に維持することができる。 - 特許庁

To provide a Pachinko machine capable of displaying the content of a plurality of operating indications to a single piece of music without requiring a bulk memory.例文帳に追加

大容量のメモリを必要しなくとも、一つの音楽に対して複数の操作指示の内容を表示できるパチンコ機を提供する。 - 特許庁

The one recording medium (primary recording medium) 46 is a high-speed accessible and rewritable flash memory, and the other recording medium (secondary recording medium) 48 is an inexpensive, bulk and non-rewritable write-once-memory.例文帳に追加

一方の記録媒体（一次記録媒体）４６は、高速アクセスできる書換可能なフラッシュメモリであり、他方の記録媒体（二次記録媒体）４８は、安価で大容量の書換不能なライトワンスメモリとする。 - 特許庁

The turn buckle is provided with female screw hole 5, 6 at both ends, and a turn bulk body 4 is made of a shape memory alloy and has a shape memory effect in the longitudinal direction of a member.例文帳に追加

両端部に雌ねじ孔５，６を備えたターンバックルにおいて、ターンバクル本体４は、形状記憶合金製で部材長手方向に形状記憶効果が付与されたターンバックル本体４とされている。 - 特許庁

In the nonvolatile memory 111, the delay amount set to the delay correction part 108 and the line number of the communicating party are stored for each bulk communication.例文帳に追加

不揮発性メモリ１１１には、遅延補正部１０８に設定された遅延量及びその通信相手の回線番号がバルク通信ごとに蓄積される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a memory on an SOI structure and a logic circuit on a bulk substrate, and permitting easy and inexpensive manufacture, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＩ構造上にメモリ、バルク基板上にロジック回路を備え、低コストで容易に製造可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.例文帳に追加

この集積回路はまた、バルクＩＣに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ（１Ｔ−ＤＲＡＭ）セル２１２を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with which a memory cell using a thyristor can be obtained without a need of a special process while an inexpensive bulk semiconductor substrate is used.例文帳に追加

安価なバルク半導体基板を用いながらも、特別なプロセスを要さずにサイリスタを用いたメモリセルを得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To freely construct a color image processing system which is simplified and inexpensive, without requiring a bulk memory for absorbing deviations in the imaging times of the color components.例文帳に追加

各色成分の作像時間のずれを吸収するための大容量のメモリを必要とせずに、容易、かつ、安価なカラー画像処理システムを自在に構築すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which a defect such as word line-bit line connection, word line-bulk connection, word line-word line connection, or the like can be relieved.例文帳に追加

ワードライン−ビットライン連結、ワードライン−バルク連結及びワードライン−ワードライン連結等のような欠陥を救済できる不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory cell which can be adapted to multiple specifications by altering at least one of metal and contact layers, while the bulk of a diffusion layer, etc. are fixed.例文帳に追加

拡散層等のバルクが固定であってメタル層、コンタクト層の少なくとも何れか１層を変更して複数の仕様に対応可能なメモリセルを提供すること。 - 特許庁

To use a hard disk without being conscious of capacity of the hard disk when a user uses the hard disk as a memory box area and further, to accomplish a memory box function even in an apparatus which does not incorporates a bulk hard disk.例文帳に追加

ユーザがハードディスクをメモリボックス領域として使用するに際して、ハードディスクの容量を意識せずに使用することができ、さらに大容量のハードディスクが内蔵されていない装置においてもメモリボックス機能を実現する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加

第１または第２論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁

The external radio communication device 31 includes a bulk recording device (such as a hard disk, for example) 32 and a radio communication part communicable with the radio communication part of the memory card 21, and data transmitted from the digital camera 1 can be stored in the bulk recording device.例文帳に追加

この外部の無線通信デバイス３１は大容量の記録デバイス（例えばハードディスク）３２と、メモリカード２１の無線通信部と通信可能な無線通信部とを有しており、デジタルカメラ２１から送信されるデータを前述の大容量の記録デバイスに蓄積することが可能である。 - 特許庁

This device comprises a monocrystal substrate having an almost flat surface, a first surface region on the flat surface having a silicon on insulator region, a second surface region on the flat surface which is a monocrystal bulk region, an embeded logic device which is formed in the silicon on insulator region, an embedded memory device which is formed in the monocrystal bulk region, and a trench in the bulk monocrystal region.例文帳に追加

ほぼ平坦な面を有する単結晶基板と、シリコン・オン・インシュレータ領域を有する、平坦面上の第１の面領域と、単結晶バルク領域である、平坦面上の第２の面領域と、シリコン・オン・インシュレータ領域内に形成された埋込み論理デバイスと、単結晶バルク領域内に形成された埋込みメモリ・デバイスと、バルク単結晶領域内のトレンチとを備える。 - 特許庁

To form an image at high speed with high productivity by efficiently transferring image data to a primary storage device while using a bulk secondary storage device for an image memory.例文帳に追加

画像メモリーに大容量な２次記憶装置を用い、１次記憶装置に対する画像データの転送を効率的におこない、高速で生産性の高い画像形成がおこなうこと。 - 特許庁

A drive 16 drives a user change disk 4 and the user change disk 4 freely inputs/outputs the recorded contents in the bulk memory 11 via the drive 16.例文帳に追加

駆動装置１６はユーザー交替用ディスク４を駆動し、ユーザー交替用ディスク４は駆動装置１６を介して大容量メモリ１１内の記録内容を入出力自在になされる。 - 特許庁

To provide a test circuit and method in which an A/D converter mounted on a small-sized integrated circuit, which has neither a D/A converter nor a bulk memory, can be tested with small numbers of pins.例文帳に追加

少ないピン数で、Ｄ／Ａ変換器及び大容量メモリを有しない小型集積回路上に実装されたＡ／Ｄ変換器のテストが可能なテスト回路及び方法を提供する。 - 特許庁

The received contents are recorded in a bulk memory 11 via a program selector 8 and an encoder 9 or the like by FIFO (First-In First-Out) method on the basis of the control of a system controller 10.例文帳に追加

受信内容はプログラムセレクタ８や、エンコーダ９を介して大容量メモリ１１において、システムコントローラ１０の制御に基づきＦＩＦＯ（先入れ先出し）方式で記録される。 - 特許庁

To provide a method and system for providing a textual representation of a voice message, which is applicable to a mobile apparatus and does not require a bulk memory or power consumption, to the mobile device.例文帳に追加

モバイル装置に適用可能な、大容量のメモリや電力消費を必要としない、音声メッセージのテキスト表示をモバイル装置へ提供する方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

To make it possible to save waveform data of an arbitrary period as to an inputted music data by eliminating the need for bulk memory even when the waveform data are generated by software.例文帳に追加

ソフトウェアによって波形データを生成する場合でも、膨大なメモリ容量を必要とすることなく、入力した曲データにおいて任意の期間の波形データを保存できるようにする。 - 特許庁

The received contents are recorded in a bulk memory 11 via a program selector 8 and an encoder 9 or the like by first-in and first-out (FIFO) based on the control of a system controller 10.例文帳に追加

受信内容はプログラムセレクタ８や、エンコーダ９を介して大容量メモリ１１において、システムコントローラ１０の制御に基づきＦＩＦＯ（先入れ先出し）方式で記録される。 - 特許庁

In the case of a bulk USB memory, for example, log information, history information, user setting, or the like is output and in the case of a two-dimensional bar code, only the body configuration information and error information items are output.例文帳に追加

例えば、大容量のＵＳＢメモリの場合、ログ情報、履歴情報、ユーザ設定などが出力され、２次元バーコードの場合、本体の構成情報とエラー情報のみが出力される。 - 特許庁

A memory element obtained by anodizing a bulk aluminum plate or an aluminum thin film formed by sputtering or evaporation coating, in a solution of oxalic acid or sulfuric acid, especially exhibits excellent characteristics as a non-polar type.例文帳に追加

バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。 - 特許庁

To provide an optical pickup device and optical memory drive unit, which can smoothly perform focusing of the laser beam to a desired layer with a simple configuration also when using a bulk type recording medium.例文帳に追加

バルク型の記録媒体を用いる場合にも、簡単な構成により円滑に、レーザ光を所望のレイヤーにフォーカス合わせすることができる光ピックアップ装置および光メモリドライブ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a negative voltage generation circuit of a semiconductor memory device which generates a second negative voltage impressed to a source of a transistor after a first negative voltage impressed to the bulk of the transistor reaches a target level.例文帳に追加

本発明は、トランジスタのバルクに印加される第１の負電圧がターゲットレベルに到達した後、トランジスタのソースに印加される第２の負電圧を生成する半導体メモリ装置の負電圧生成回路を提供する。 - 特許庁

The memory cell 50A, 50B comprises electric charges compensating circuits 56A, 56B constituted of inverters respectively, and the electric compensating circuits 56A, 56B comprise P channel TFT 562, 566 which can be formed respectively on bulk transistors.例文帳に追加

メモリセル５０Ａ，５０Ｂは、それぞれインバータで構成される電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂを含み、電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂは、それぞれバルクトランジスタの上層に形成可能なＰチャネルＴＦＴ５６２，５６６を含む。 - 特許庁

The memory cells 50A, 50B include electric charges compensation circuit 56A, 56B constituted respectively of inverters, the electric charges compensation circuits 56A, 56B include P channel TFTs 562, 566 which can be formed on upper layers of bulk transistors respectively.例文帳に追加

メモリセル５０Ａ，５０Ｂは、それぞれインバータで構成される電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂを含み、電荷補填回路５６Ａ，５６Ｂは、それぞれバルクトランジスタの上層に形成可能なＰチャネルＴＦＴ５６２，５６６を含む。 - 特許庁

A main control part 30 updates the image data held in the display memory 60 with the other image data stored in the bulk storage part 40 in accordance with time and successively displays the image data on the display part 20 while updating them.例文帳に追加

メイン制御部３０は、時間に応じて大容量記憶部４０に格納された他の画像データでもって表示メモリ６０に保持される画像データを更新し、画像表示部２０に順次更新して表示する。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

The method of erasing data in a flash memory device includes a step of generating wordline bias voltages which are different from one another, an erasing step of applying the wordline bias voltages which are different from one another to a plurality of wordlines and applying an erasing voltage Vera to the bulk region of memory cells, and a step of verifying erased states.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置の消去方法は、互いに異なるワードラインバイアス電圧を生成する段階と、前記互いに異なるワードラインバイアス電圧を前記複数のワードラインに印加し、消去電圧Ｖｅｒａをメモリセルのバルク領域に印加する消去段階と、消去状態を検証する段階とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device having an SRAM consisting of a plurality of memory cells 50, path gate transistors Q5, Q6 constituting each memory cell 50 are each a bulk transistor (directly formed on a silicon substrate), and the other transistors Q1-Q4 are each an SOI transistor (formed on an Si layer of an SOI structure partially formed on the silicon substrate).例文帳に追加

複数のメモリセル５０からなるＳＲＡＭを有する半導体装置であって、メモリセル５０を構成するパスゲートトランジスタＱ５，Ｑ６は（シリコン基板に直接形成された）バルクトランジスタであり、それ以外のトランジスタＱ１〜Ｑ４は（シリコン基板に部分的に形成されたＳＯＩ構造のＳｉ層に形成された）ＳＯＩトランジスタである。 - 特許庁

In the image forming apparatus equipped with an image display part 20 for displaying image data, among a plurality of image data stored in a bulk storage part 40, image data are read and held in a display memory 60 in the state of being displayed on the image display part 20.例文帳に追加

画像データを表示する画像表示部２０を備えた画像形成装置であって、大容量記憶部４０に格納された複数の画像データのうちの画像データが読み出され、画像表示部２０に表示される状態で表示メモリ６０に保持される。 - 特許庁

A delay amount measured by a delay measurement part A108 or the past delay amount of the same line number stored in a nonvolatile memory 111 is set to a delay correction part 109 and delay generated between two B channels at the time of bulk communication is corrected.例文帳に追加

遅延補正部１０９には、遅延測定部Ａ１０８が測定した遅延量又は不揮発性メモリ１１１に蓄積されている同一回線番号の過去の遅延量、が設定され、バルク通信時における２つのＢチャネル間に生ずる遅延を補正する。 - 特許庁

Before stored information is read from the memory transistors, the control circuit applies voltage for rejecting temporarily RTS occurrence cause electrons (B) existing in a RTS depending region (A) consisting of boundaries 37A, 37C and a bulk 37B of the gate insulation film and voltage for catching temporarily the RTS occurrence cause electrons in the RTS depending region to selection terminals of the memory transistors.例文帳に追加

制御回路は、メモリトランジスタから記憶情報を読み出す前に、界面（３７Ａ、３７Ｃ）とゲート絶縁膜のバルク（３７Ｂ）からなるＲＴＳ依存領域（Ａ）に存在するＲＴＳ発生要因電子（Ｂ）を一時的に排除するための電圧、又はＲＴＳ依存領域にＲＴＳ発生要因電子を一時的に捕獲するための電圧を、メモリトランジスタの選択端子に印加する。 - 特許庁

This circuit is a track-and-hold circuit comprising a MOS transistor switch 3, a hold-capacitor 4, a constant voltage circuit 6 provided with a MOS transistor 3, obtaining an optimum point from a substrate potential and a distortion characteristics, storing it in a memory, and biasing a bulk potential of a MOS transistor with the constant voltage through DAC.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタスイッチ３と、ホールドキャパシタ４と、ＭＯＳトランジスタスイッチ３を備え基板電位と歪特性から最適点を求めメモリに記憶させ、ＤＡＣを介して、ＭＯＳトランジスタのバルク電位を、一定の電圧でバイアスする定電圧回路６とを含んでなるトラックアンドホールド回路。 - 特許庁