「crystallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The polyester comprises having a repeating unit of ethylene terephthalate, wherein the polyester is synthesized by a catalyst containing at least one of aluminum and an aluminium compound together with a phenolic compound, and provides a molded product having a temperature-programmed crystallization temperature of 150-170°C as measured with a differential scanning calorimeter.例文帳に追加

繰返し単位としてエチレンテレフタレートを含有するポリエステルであって、アルミニウムもしくはアルミニウム化合物のうち少なくともいずれか一方と、フェノール系化合物と、を含有する触媒によって合成されるとともに、示差走査型熱量計により測定した、前記ポリエステルから得られた成形体の昇温時結晶化温度が、１５０〜１７０℃の範囲であることを特徴とするポリエステル。 - 特許庁

The method comprises the following process: using an aqueous polyvinyl alcohol solution as a poor solvent, a good solvent solution prepared by dissolving at least a medicament and PLGA in a good solvent comprising a mixture of acetone and ethanol is added to the poor solvent to form the objective PLGA nanoparticles by spherical crystallization technique.例文帳に追加

貧溶媒としてポリビニルアルコール水溶液を用い、アセトンとエタノールの混合液から成る良溶媒中に少なくとも薬物とＰＬＧＡとを溶解させた良溶媒溶液を貧溶媒に加えて、球形晶析法によりＰＬＧＡナノ粒子を形成するナノ粒子形成工程において、良溶媒及び貧溶媒に対するＰＬＧＡの濃度を共に６ｍｇ／ｍＬ以下とする。 - 特許庁

To provide an anti-inflammatory analgesic plaster which contains loxoprofen or an alkali addition salt thereof and a specific amount of malic acid as a pH adjuster so as to dissolve and disperse loxoprofen or the alkali addition salt thereof evenly within an adhesive substrate thereby preventing crystallization of loxoprofen and the alkali addition salt thereof and achieving excellent longtime stability of loxoprofen and the alkali addition salt thereof within an adhesive agent.例文帳に追加

ロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩にｐＨ調整剤として特定量のリンゴ酸を含有しているので、粘着基剤中においてロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩を均一に溶解分散させ、ロキソプロフェン又はそのアルカリ付加塩の結晶化を阻止し、かつ粘着剤中における経時的安定性の優れた消炎鎮痛剤の提供を目的とする。 - 特許庁

To enable to manufacture a grid base board made of Pb-Ca-Sn-Ba group lead alloy with high quality and improved flatness at an expanding process, by improving corrosion resistance by densifying lead by promoting re-crystallization thereof, by continuously squeezing and rolling the lead in a prescribed temperature range, and by reducing residual inside stress.例文帳に追加

この発明は、鉛を連続して押出しさらに所定の温度範囲で圧延加工することによって、再結晶を促進させて緻密化して耐食性を改善し、また内部残留応力を低減することによってエキスパンド加工での平坦化を向上させた高品質のＰｂ−Ｃａ−Ｓｎ−Ｂａ系鉛合金よりなる格子基板を製造できるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a laser irradiation device for emitting laser light having a uniform distribution of energy density on an irradiated surface and a laser irradiating method used for the device and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor film obtained by the crystallization of a semiconductor film or the activation of impurity elements by such a laser irradiating method.例文帳に追加

本発明は、照射面におけるエネルギー密度の分布が均一なレーザ光を形成するためのレーザ照射装置およびそれを用いるレーザ照射方法を提供し、このようなレーザ照射方法により、半導体膜の結晶化や不純物元素の活性化を行って得られた半導体膜を用いて半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Energy band gaps of parts corresponding to both sides of the ridge in the etching stop layer 104 in an area along the light output end surface are smaller than the energy band gap of the part corresponding to just below the ridge in the etching stop layer 104, and larger than the energy band gap of the internal part, which is not subjected to mixed crystallization in the etching stop layer 104.例文帳に追加

光出射端面に沿った領域でエッチングストップ層１０４のうちリッジの両側に相当する部分のエネルギバンドギャップが、光出射端面に沿った領域でエッチングストップ層１０４のうちリッジの直下に相当する部分のエネルギバンドギャップよりも小さく、エッチングストップ層１０４のうち混晶化されていない内部における部分のエネルギバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

Diarsenic trioxide is treated by a treatment method comprising a leaching step of adding water to diarsenic trioxide into slurry, warming the slurry and leaching out arsenic while adding an oxidizing agent to thereby obtain a leachate; a deoxidizing step of removing any oxidizing agent remaining in the leachate to thereby obtain a preparation liquid; and a crystallization step of converting the arsenic in the preparation liquid to a scorodite crystal.例文帳に追加

三酸化二砒素に水を加えスラリーとし、当該スラリーを加温し酸化剤を加えながら砒素を浸出して浸出液を得る浸出工程と、当該浸出液に残留する酸化剤を除去し、調製液を得る脱酸工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とを、有する処理方法により三酸化二砒素を処理する。 - 特許庁

The polyester-based sealing material is made from a polyester consisting mainly of a copolyester, wherein the polyester is such that an unoriented sheet obtained by melt-forming the same has the following properties: modulus is ≤1,500 MPa, crystallization index Xc determined with wide angle X-ray is ≥5%, and haze( in terms of 100μm thickness ) is ≤15%.例文帳に追加

共重合ポリエステルを主たる構成成分とするポリエステルからなり、前記ポリエステルが、これを溶融成形して得られる未延伸シ−トの弾性率が１５００ＭＰａ以下、広角Ｘ線で測定した結晶化指数Ｘｃが５％以上、かつ前記シ−トのヘイズ（１００μｍ換算）が１５％以下であるポリエステルであることを特徴とするポリエステル製シール材。 - 特許庁

The solar cell module is provided having an i-type layer of the microcrystalline silicon film as a photovoltaic layer in a photovoltaic unit 14, the i-type layer has a first region 30 and a second region 32 having a lower crystallization percentage than the first region 30 in the surface, and a tab electrode 22 to a terminal box 24 of the solar cell module 100 is formed overlapping the second region 32.例文帳に追加

光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 - 特許庁

The crystalline polymorphous forms of rifaximin (INN) (rifaximin α and rifaximin β) and a poorly crystalline polymorphous form of rifaximin (rifaximin γ) are obtained by the following crystallization method: hot-dissolving raw material rifaximin in ethanol and crystallizing the resultant product by adding water thereto at a constant temperature, followed by finally drying thereof under controlled conditions until a specific water content is reached in the end product.例文帳に追加

原料リファキシミンをエタノールに熱溶解し、一定の温度での水添加による生成物の結晶化をさせ、最後に最終生成物中の正確な水分含量になるまでコントロールされた条件で乾燥されることで実施される結晶化方法で得られる、リファキシミン（ＩＮＮ）の結晶性多形体（リファキシミンαおよびリファキシミンβ）、および貧結晶性多形体（リファキシミンγ）。 - 特許庁

The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt.例文帳に追加

アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an exhaust emission purifying apparatus that prevents fixing or crystallization of an additive on the perimeter of an injection hole of an additive injection valve or inside an introduction pipe, facilitates to cause the entire spray of the additive to directly come into collision with a mixer, while reducing thermal damage to the additive injection valve, and evenly supplies the additive to an exhaust emission purifying catalyst.例文帳に追加

添加剤噴射弁の噴孔周辺や導入管の内部での添加剤の固着や結晶化を防止することができ、かつ、添加剤噴射弁への熱害を低減しつつ、添加剤の噴霧全体を混合器に直接衝突させることを容易にすることができ、排気浄化触媒へ添加剤を均等に供給することができる排気浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a raw material to be charged into a blast furnace, with which strength and reducibility of an iron ore in charging thereof into the blast furnace can be improved as a result of a higher plastic content in the iron ore compared to that in conventional ones achieved by infiltrating plastic into the iron ore containing crystallization water so as to convert the same into the raw material to be charged into the blast furnace.例文帳に追加

結晶水を含む鉄鉱石を高炉用原料とするためにプラスチックを浸透させるに当たって、鉄鉱石内のプラスチック含有量を従来よりも多く含有させて、その結果、鉄鉱石の高炉装入時の強度と被還元性を向上させることができる高炉装入原料の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By adding a reducing agent to a reaction mixed solution containing 9-fluorenones and subjecting the mixture to a treatment, the hue of obtained 9-fluorenones is improved, and 9-fluorenones can be produced which can be used directly for applications to raw material for electronic materials and intermediates for medicinal and agricultural chemicals, and have a high purity and an improved hue, by a simple distillation only without re-refinement such as crystallization.例文帳に追加

９−フルオレノン類を含む反応混合液に還元剤を添加して処理する事により、得られる９−フルオレノン類の色相が改善され、晶析等の再精製をすることなく単蒸留のみで、電子材料原料、医農薬中間体用途等に直接使用可能な高純度かつ色相が改善された９−フルオレノン類を工業的有利に製造することができる。 - 特許庁

To provide an organic TFT element which has small unevenness in luminance and light emission color in a pixel region by stabilizing function characteristics of the organic TFT element by uniforming the drying speed of an organic semiconductor material solution (organic semiconductor layer) applied to an organic TFT element region and then uniforming the degree of crystallization of the organic semiconductor material solution, and an organic EL display panel using the same.例文帳に追加

有機ＴＦＴ素子領域に塗布された有機半導体材料溶液（有機半導体層）の乾燥速度を均一にすることで有機半導体材料溶液の結晶化の度合いを均一化し、有機ＴＦＴ素子の機能特性を安定させ、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

A billet obtained by melt-molding the crystalline thermoplastic polymer material is forcibly packed at the crystallization temperature of the polymer material into a molding cavity with a small cross-section area from the billet storage cavity of a molding die through a drawing part with a tapered inner peripheral face or a drawing part at least with both sloping inner faces and the molecular chain(crystal) is oriented.例文帳に追加

結晶性の熱可塑性高分子材料を溶融成形したビレットを、成形型のビレット収容キャビティから、内周面がテーパー面とされた絞り部又は少なくとも両側内面が斜面とされた絞り部を通して、横断面の面積が小さい成形キャビティへ上記高分子材料の結晶化温度で圧入充填し、分子鎖（結晶）を配向させる。 - 特許庁

By using a semiconductor material, that has silicon as a main constituent and contains germanium by 0.1-10 atom.% for a first layer, and an amorphous silicon film for a second layer, and then applying laser beams to the lamination or an amorphous semiconductor film made by laminating at least three layers for crystallization, an appropriate semiconductor film is obtained, and a TFT is manufactured by using the semiconductor film.例文帳に追加

シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含有する半導体材料を第１層目、非晶質シリコン膜を第２層目に用い、これらの積層、または３層以上の積層からなる非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化を行うことで、良好な半導体膜が得られ、その半導体膜を利用してＴＦＴを作製する。 - 特許庁

A process for preparation of the solution for crystallization of the esomeprazole sodium salt includes: a process (1) of suspending a potassium salt of esomeprazole in toluene and adding one molar equivalent acid HA as aqueous solution to adjust pH; a process (2) of adding an additional solution made of methanol to a toluene phase; and a process (3) of adding one molar equivalent sodium salt of basic B as aqueous solution.例文帳に追加

以下の工程： ｉ) エソメプラゾールのカリウム塩をトルエンに懸濁し、１モル当量の酸ＨＡを水溶液として添加することによりｐＨを調整する； ii) トルエン相にメタノールからなる追加の溶媒を加える；そして、 iii) 塩基Ｂのナトリウム塩の１モル当量を水溶液として加える、を含むエソメプラゾールのナトリウム塩の結晶化用溶液を調製する方法。 - 特許庁

To provide a crystallization dephsphorizing apparatus having a distributor with which the flow rate distribution of an upward flow is uniformized, a flow rate necessary for fluidizing a crystal seed containing calcium phosphate is obtained when supplying phosphorous-containing waste water to a fluidized bad type reaction crystallizer and the falling down of the crystal seed from an opening part to the bottom of a crystallizer is prevented.例文帳に追加

リン含有排水を流動床式の反応晶析槽に供給するときに、上向流の流速分布にムラがなく、かつ、リン酸カルシウムを含んだ結晶種を流動化させる流速を与えることができると共に、開口部から前記結晶種が反応晶析槽の底部に落下することのないディストリビュータを有する晶析脱リン装置を提供すること。 - 特許庁

By a device and a method for crystallization, the phase shifter 1 is used for crystallizing an amorphous semiconductor film 11 so that the diameters of crystallized grains may become uniform by fixing the distance between the phase shifter 1 and the substrate 2 to be treated by disposing spacers 3 respectively at a plurality of places where no crystallized silicon 7 is produced between the shifter 1 and the substrate 2.例文帳に追加

本発明は、位相シフタ１と被処理基板２との間で、結晶化シリコン７が生成されない複数の箇所にそれぞれスペーサ３を配置して、位相シフタ１と被処理基板２との間の距離を一定にすることにより、非晶質な半導体膜１１を結晶化された粒径が揃うように結晶化処理を行う位相シフタを用いた結晶化装置及び結晶化方法である。 - 特許庁

The molecular chain (crystal) is oriented by press fit filling a melt molded billet of the crystalline thermoplastic polymer material from a billet housing cavity of a molding die into a molding cavity with small cross section area via a throttle section, at the crystallization temperature of said polymer material; wherein the throttle section is tapered in the inner periphery or slanted at least in both inside surfaces.例文帳に追加

結晶性の熱可塑性高分子材料を溶融成形したビレットを、成形型のビレット収容キャビティから、内周面がテーパー面とされた絞り部又は少なくとも両側内面が斜面とされた絞り部を通して、横断面の面積が小さい成形キャビティへ上記高分子材料の結晶化温度で圧入充填し、分子鎖（結晶）を配向させる。 - 特許庁

The LSCO conductive thin film is formed by repeating a process that the composition is applied on a heat resistant substrate and heated in the air, an oxidizing atmosphere or a steam-containing atmosphere until a film having a desirable film thickness is obtained and firing the film at least during heating or after heating in the final process at a temp. equal to or above the crystallization temp.例文帳に追加

このＬＳＣＯ導電性薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するＬＳＣＯ導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a method of producing polyamide without deterioration in quality by partially using the used polyamide which has been wasted in the conventional process, as the newly installing cost is saved low, without change in the production process and provide a method of increasing the crystallization velocity of the polyamide produced from the raw material including the recovered polyamide.例文帳に追加

設備新設等のコストを低く抑え、製造プロセスを変更せずに従来廃棄対象となっていた回収ポリアミドを廃棄することなく原料の一部として再利用して、品質を劣化させることなくポリアミドを製造する方法を提供すること、及び、回収ポリアミドを含む原料から得られたポリアミドの結晶化速度を増加させる方法を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an amorphous silicon film on a substrate; forming a polycrystalline silicon film by crystallization of the amorphous silicon film; injecting ions into the polycrystalline silicon film by using a plasma doping method; and polishing the surface of the polycrystalline silicon film into which the ions are injected.例文帳に追加

本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する工程と、プラズマドーピング法を用いて、前記多結晶シリコン膜にイオンを注入する工程と、前記イオンを注入した前記多結晶シリコン膜の表面を研磨する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In a method for dephosphorizing water containing phosphorus in which phosphorus in the water is converted into MAP by adding a magnesium compound, and MAP is crystallized for dephosphorization, magnesium hydroxide slurry is dissolved by using the dephosphorized water, and water containing magnesium ions in which the concentration of magnesium ions is larger than that of the treated water is supplied to a crystallization dephosphorization process.例文帳に追加

リンを含有した被処理水中のリンを、マグネシウム化合物を添加してＭＡＰを生成させ、晶析脱リンする方法において、脱リン処理された処理水を用いてスラリー状の水酸化マグネシウムを溶解させ、溶解性のマグネシウムイオン濃度が処理水より高まったマグネシウムイオン含有水を、上記晶析脱リン処理工程に供給することを特徴とするリン含有水の脱リン方法。 - 特許庁

An inhibition layer 2 for inhibiting interface crystallization of a recording photoconducting layer laminated between a first electrode 1 and a recording photoconducting layer 3 is formed of an organic film which has insulation property to reverse polarity to charge moving to the first electrode in recording of image information, and has conductivity to charge of the same polarity as the charge moving to the first electrode.例文帳に追加

第１電極１と記録用光導電層３の間に積層された記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層２を、画像情報の記録の際に第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する有機膜により形成する。 - 特許庁

The polyester film is composed of at least two polyesters, comprises a polyester A containing 1-80 mol% of an aliphatic component having a 4C or higher alkylene group and a polyester B mainly constituted of ethylene terephthalate, and has a temperature-rising crystallization temperature of 70-140°C and a haze value of 1-20%.例文帳に追加

本発明のポリエステルフィルムは、少なくとも２種類のポリエステルからなるポリエステルフィルムであって、炭素数４以上のアルキレン基を有する脂肪族成分を１〜８０モル％含有するポリエステルＡと、エチレンテレフタレートを主たる構成成分とするポリエステルＢを含み、かつ昇温結晶化温度が７０℃〜１４０℃で、ヘイズが１〜２０％であることを特徴とするポリエステルフィルムである。 - 特許庁

To provide a polyester resin composition which permits efficient production of a molded item containing very few foreign matters, excellent in transparency and having an appropriate and stable crystallization rate and exhibiting excellent dimensional stability under heat, particularly a heat-resistant hollow molded item, exhibits long-term continuous molding properties excellent enough to cause few mold stains and gives a molded item excellent in flavor-retaining properties.例文帳に追加

異物をほとんど含まず、透明性に優れ、適度で、かつ安定した結晶化速度を持ち、耐熱寸法安定性に優れた成形体、特に耐熱性中空成形体を効率よく生産することができ、また金型を汚すことの少ない長時間連続成形性に優れ、さらに、香味保持性に優れた成形体を与えるポリエステル樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

An injection molded body 11 of amorphous soft magnetic alloy is obtained by injection-molding a molten metal-glass alloy, in which supercooled liquid temperature interval ΔTx represented by equation ΔTx=Tx-Tg (where Tx is initial crystallization temperature and Tg is glass transition temperature) is regulated to ≥20 K, into a cavity 22 of a metal mold 21.例文帳に追加

ΔＴ_x＝Ｔ_x−Ｔ_g（ただしＴ_xは結晶化開始温度、Ｔ_gはガラス遷移温度を示す。）の式で表される過冷却液体の温度間隔ΔＴ_xが２０Ｋ以上である金属ガラス合金の溶湯が、成形金型２１のキャビティ２２に射出されて成形されてなることを特徴とする非晶質軟磁性合金射出成形体１１及びその製造方法を採用する。 - 特許庁

The method for purifying N-vinyl-2-pyrrolidone is a method for purifying N-vinyl-2-pyrrolidone by crystallization and comprises a crystal precipitation process for precipitating crystal from mother liquor composed of N-vinyl-2-pyrrolidone melt and a continuous purification process for supplying the crystal obtained by the crystal precipitation process to a column type purification apparatus and continuously purifying the crystal.例文帳に追加

Ｎ−ビニル−２−ピロリドンを晶析により精製する方法であって、 Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの融液からなる母液から結晶を析出させる結晶析出工程と、前記結晶析出工程において得られた結晶を、塔型の精製装置に供給して連続的に精製する連続精製工程を有することを特徴とするＮ−ビニル−２−ピロリドンの精製方法である。 - 特許庁

To obtain a packaging material which can produce with good efficiency a molded body, especially a heat-resistant hollow molded body having excellent transparency, a speedy and stable crystallization rate, excellent heat-resistant dimensional stability and prevented from fluorescence emission at the time of being irradiated with ultraviolet light and which has excellent long-hour continuous moldability with little mold deposits and moreover which has excellent flavor maintenance.例文帳に追加

透明性に優れ、速やか、かつ安定した結晶化速度を持ち、耐熱寸法安定性に優れ、紫外線照射時に蛍光の発光が防止された成形体、特に耐熱性中空成形体を効率よく生産することができ、また金型を汚すことの少ない長時間連続成形性に優れ、さらに、香味保持性に優れた包装材料を得る。 - 特許庁

An elastic nonwoven fabric which is made of a crystalline resin composition comprising a lowly crystalline polypropylene and a highly crystalline polypropylene is provided, wherein the lowly crystalline polypropylene satisfies the following (a) and (b) and the crystalline resin composition has a crystallization temperature (Tc) of as measured with a differential scanning calorimeter (DSC) 20-100°C, and textile products using the elastic nonwoven fabric are provided.例文帳に追加

低結晶性ポリプロピレン及び高結晶性ポリプロピレンを含有する結晶性樹脂組成物からなる弾性不織布であって、該低結晶性ポリプロピレンが、以下の（ａ）及び（ｂ）を満たし、かつ示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で測定した上記結晶性樹脂組成物の結晶化温度（Ｔｃ）が２０〜１００℃である弾性不織布及びこの弾性不織布を用いた繊維製品である。 - 特許庁

A crude 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate obtained by alkylating and esterifying adamantanone and containing color-developing impurities and/or impurity oligomers is brought into contact with an activated carbon in acetonitrile to remove the color-developing impurities and/or impurity oligomers, and if necessary, the product is subjected to higher purification such as crystallization and distillation.例文帳に追加

例えば、アダマンタノンをアルキル化及びエステル化することによって得られる「発色性不純物及び／又は不純物オリゴマーを含有する粗２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート」をアセトニトリル中で活性炭と接触させることにより上記発色性不純物及び／又は不純物オリゴマーを除去し、さらに必要に応じて晶析や蒸留等の高度の精製を行う。 - 特許庁

This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁

The coating composition for forming an amorphous titanium oxide composite coating film has a crystallization resistance of ≤100 cps and a light transmission of ≥90% in the wavelength range of 400-800 nm in the form of a coating film having a thickness of 400-550 nm and formed on a glass plate having a light transmittance of ≥90%.例文帳に追加

光透過率９０％以上のガラス板上に、厚さ４００〜５５０ｎｍの範囲で塗膜を形成した場合に、４００〜８００ｎｍの波長域における該塗膜の光透過率が９０％以上であって、下記式（ｉ）で得られる耐結晶値が１００ｃｐｓ以下である非晶質酸化チタン複合塗膜形成用コーティング組成物及び該組成物を用いて得られた塗膜。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal ingot, with which the high quality silicon carbide single crystal wafer is manufactured at high yield by using silicon carbide single crystal having ≥40 mm diameter and the plane orientation making a prescribed off angle with {0001} plane as the seed crystal in the growth of silicon carbide single crystal by a sublimation re-crystallization method using the seed crystal, is obtained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶として口径４０ｍｍ以上を有し、｛０００１｝面から所定のオフ角度のついた面方位の炭化珪素単結晶を用いることにより、高品質な炭化珪素単結晶ウェハを高歩留りで製造できる炭化珪素単結晶インゴットを得る。 - 特許庁

The thermoplastic elastomer composition comprises (A) 85-98 mass% syndiotactic 1,2-polybutadiene having ≥70% 1,2-bond content and having 5-50% degree of crystallization and (B) 2-15 mass% styrene-butadiene-styrene and/or styrene-isoprene-styrene block copolymer having 35-45 mass% styrene content, wherein the component (A)+ the component (B)=100 mass%.例文帳に追加

（Ａ）１，２−結合含量が７０％以上、結晶化度が５〜５０％であるシンジオタクチック１，２−ポリブタジエン８５〜９８質量％、及び（Ｂ）スチレン含量が３５〜４５質量％である、スチレン−ブタジエン−スチレン及び／又はスチレン−イソプレン−スチレンのブロック共重合体２〜１５質量％〔但し、（Ａ）＋（Ｂ）＝１００質量％〕を含有する熱可塑性エラストマー組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer composition having a sea-island structure in which an island phase of a plastic with a lower hardness than a crystalline plastic is dispersed in a sea phase composed of the crystalline plastic and having enhanced deformability (stretchability) by preventing crystallization of the crystalline plastic, and to provide moldings excellent in stretch properties obtained by molding the polymer composition.例文帳に追加

結晶性プラスチックスよりなる海相内に、この結晶性プラスチックスよりも低硬度のプラスチックスの島相が分散してなる海島構造を有する高分子組成物であって、結晶性プラスチックスの結晶化を防止して、変形性（伸び性）を高めた高分子組成物と、この高分子組成物を成形してなる伸び特性に優れた成形品を提供する。 - 特許庁

This polyester composition C comprises a non-liquid crystalline polyester A and a copolyester B having mesogenic groups in the main chain, and has a value of ΔTcc defined below of ≤20°C: ΔTcc=|Tcc(A)-Tcc(C)| (wherein Tcc is ascending temperature crystallization temperature (°C)).例文帳に追加

非液晶性ポリエステル（Ａ）と主鎖にメソゲン基を有する共重合ポリエステル（Ｂ）からなるポリエステル組成物（Ｃ）であって、非液晶性ポリエステル（Ａ）とポリエステル組成物（Ｃ）の昇温結晶化温度（以後Ｔｃｃ）の差ΔＴｃｃ（＝|Ｔｃｃ（Ａ）−Ｔｃｃ（Ｃ）|）が２０℃以下であることを特徴とするポリエステル組成物、及び該共重合ポリエステル組成物からなるポリエステルフィルムとその製造方法。 - 特許庁

A flame resistant resin emulsion obtained by blending an inorganic metal hydroxide with water of crystallization, a sulfur and nitrogen compound with a decomposition temperature of 170°C or more and a nonflammable power with an aspect ratio of 10 or more with a synthetic resin emulsion which does not contain a halogen atom or a phosphorus atom is coated on the back side of a polyester fiber-based fabric to be treated and dried.例文帳に追加

ハロゲン原子とリン原子を有しない合成樹脂エマルジョンに、結晶水を有する無機金属水酸化物と、硫黄・窒素化合物と、アスペクト比１０以上の不燃性粉末との３種類の物質が配合されており、前記硫黄・窒素化合物の分解温度が１７０℃である防炎性樹脂エマルジョンを、ポリエステル繊維をベースとする被加工布帛の裏面に塗布・乾燥させて仕上げる。 - 特許庁

The composite nonwoven fabric for patch comprises a polyester film with at least 6 μm of thickness and a fiber web comprising undrawn polyester fibers thermally bonded on at least one side of the film to form the nonwoven fabric layer, wherein the nonwoven fabric layer has not more than 3.0×10^-2(J/cm^2) of heat of crystallization per unit area.例文帳に追加

この目的は、ポリエステルからなる厚さが６μｍを超えるフィルムの少なくとも一方の表面に、未延伸ポリエステル繊維を含む繊維ウェブを熱接着してなる不織布層が形成された貼付剤用複合不織布であって、前記不織布層の単位面積当たりの結晶化熱が３．０×１０^−２（Ｊ／ｃｍ^２）以下とすることによって達成し得る。 - 特許庁

An insulation film is formed on a substrate; an amorphous semiconductor film is formed on the insulation film; a cap film is formed on the amorphous semiconductor film; and the amorphous semiconductor film is irradiated with a laser beam of continuous oscillation or a laser beam having a repetitive frequency of not less than 10 MHz transmitted through the cap film by scanning, and the amorphous semiconductor film is melted before crystallization.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。 - 特許庁

To provide a method which enables simple and quick evaluation of the physical properties of semiconductor material consisting of metal oxide particles or metal sulfide particles, in particular, constitutional component consisting of amount of crystal defects, degree of crystallization and crystalline form type and/or amorphous type, using a nondestructive means and additionally, to provide a physical property evaluating device used for the implementation of these methods.例文帳に追加

金属酸化物粒子又は金属硫化物粒子からなる半導体材料の物性、特に結晶欠陥量、結晶化度及び結晶型及び／又は非結晶型からなる構成成分を簡便且つ迅速に、非破壊な手段で評価し得る方法を提供すること、また、該方法の実施に使用するこれら物性の評価装置を提供すること。 - 特許庁

The polybutylene naphthalene dicarboxylate, whose crystallization temperature while loosing temperature under the DSC method is 70-192°C, contains a dicarboxylic acid component particularly comprising 60-98 mol% of naphthalene dicarboxylic acid and one dicarboxylic acid selected from the group consisting of 2-40 mol% of terephthalic acid and 2-40 mol% of isophthalic acid, the mol% being relative to the total dicarboxylic acid component.例文帳に追加

ＤＳＣ法による降温時の結晶化温度が１７０℃〜１９２℃であるポリブチレンナフタレンジカルボキシレート、特に、全ジカルボン酸成分に対して６０〜９８モル％のナフタレンジカルボン酸と２〜４０モル％のテレフタル酸およびイソフタル酸からなる群から選ばれる少なくとも１種のジカルボン酸とをジカルボン酸成分としてなる、請求項１記載のポリブチレンナフタレンジカルボキシレート。 - 特許庁