「crystallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

When the tape-like wire 7 traveling in the core tube 4 passes through a rapidly heating region A in the heat treatment furnace 5, the calcined film of the intermediate layer on the substrate is rabidly heated by a radiation heater 6a, and when it passes through a crystallization temperature region B, the intermediate layer on the substrate is crystallized by radiation heaters 6b, 6c, and 6d.例文帳に追加

炉心管４内を走行するテープ状線材７は、熱処理炉５内の急速加熱領域Ａを通過する際に輻射加熱器６ａにより基板上の中間層の仮焼膜が急速加熱され、結晶化温度領域Ｂを通過する際に輻射加熱器６ｂ、６ｃおよび６ｄにより基板上の中間層が結晶化される。 - 特許庁

The polyester resin composition comprises a copolyester resin containing terephthalic acid as a main dicarboxylic acid component and containing ethylene glycol and spiro glycol as main diol components and having ≤4J/g heating value in crystallization when temperature is lowered, which is measured by using a differential scanning calorimeter (DSC) and ≥90°C glass transition temperature.例文帳に追加

テレフタル酸を主たるジカルボン酸成分とし、エチレングリコールおよびスピログリコールを主たるジオール成分とする共重合ポリエステル樹脂であって、示差型走査熱量計（ＤＳＣ）で測定した降温時結晶化発熱量が４Ｊ／ｇ以下であり、かつガラス転移温度が９０℃以上である共重合ポリエステル樹脂からなることを特徴とするポリエステル樹脂組成物。 - 特許庁

The method for granulating a color developing agent has a step for preparing a powdery color developing agent containing water of crystallization as starting material, a step for warming the powdery starting material, a step for applying pressure to the powdery starting material and a step for cooling the material granulated by the warming and the application of pressure.例文帳に追加

結晶水を含む発色現像主薬粉体を原材料として用意する工程、前記粉体原材料を加温する工程、前記粉体原材料を加圧する工程、前記各工程によって加温、加圧されて造粒された材料を冷却する工程とを具備することを特徴とする発色現像主薬の造粒方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加

短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The base material for a disk roll is a platy shaped article for obtaining a disk material of a disk roll which is formed by inserting a plurality of ring-like disk materials into a rotary shaft to form a transportation surface by the peripheral surfaces of the disk materials and contains an inorganic fiber having a crystallization temperature of 800-900°C, a filler and a clay.例文帳に追加

回転軸にリング状のディスク材を複数枚嵌挿させ、前記ディスク材の外周面により搬送面を形成してなるディスクロールの前記ディスク材を得るための板状の成形体であって、結晶化温度が８００〜９００℃である無機繊維と、充填材と、粘土とを含有することを特徴とするディスクロール用基材。 - 特許庁

The laser crystallization apparatus is equipped with a movable stage which supports a substrate where a semiconductor layer is formed, a distribution device 36 which distributes laser light to a plurality of optical paths 33 and 34 on a time-division basis, and optical devices 37 and 38 which converge laser light beams passing through the respective optical paths to irradiate the semiconductor layer of the substrate supported with the stage.例文帳に追加

レーザ結晶化装置は、半導体層が形成された基板を支持する可動のステージと、レーザ光を時分割で複数の光路３３，３４に振り分ける装置３６と、各光路を通るレーザ光を集光してステージに支持された基板の半導体層に照射する光学装置３７，３８とを備えた構成とする。 - 特許庁

Manufacturing processes of the multilayer board comprises a process for applying an electrode paste on the surface of a green sheet containing a crystallized glass with the viscosity before crystallization of ≤10 6.0 Pa.s in order to form electrodes, a process for forming a laminated compression body by laminating and compressing the green sheet on which the electrode paste is applied, and a process for sintering the laminated compression body.例文帳に追加

結晶化前の粘度が１０^6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層基板を製造する。 - 特許庁

To obtain a packaging material which is excellent in transparency, has an appropriate, stable crystallization rate, exhibits excellent heat-resistant dimensional stability, can efficiently give a molded item inhibited from emission of fluorescence under ultraviolet irradiation, particularly a heat-resistant blow-molded item, and exhibits a long-term continuous molding property excellent enough hardly to cause mold stains and an excellent flavor-retaining property.例文帳に追加

透明性に優れ、適度で、かつ安定した結晶化速度を持ち、耐熱寸法安定性に優れ、紫外線照射時に蛍光の発光が防止された成形体、特に耐熱性中空成形体を効率よく生産することができ、また金型を汚すことの少ない長時間連続成形性に優れ、さらに、香味保持性に優れた包装材料を得る。 - 特許庁

In a preferred mode, the polybutylene terephthalate has 170-195°C temperature fall crystallization temperature measured at 20°C/min temperature fall rate with a differential scanning calorimeter, ≤10 μeq/g terminal vinyl group concentration and ≤10% solution haze measured by dissolving 2.7 g of the polybutylene terephthalate in 20 mL of a mixed solvent of phenol/tetrachloroethane (3/2 weight ratio).例文帳に追加

本発明の好ましい態様においては、示差走査熱量計で降温速度２０℃／ｍｉｎにて測定した降温結晶化温度が１７０〜１９５℃、末端ビニル基濃度が１０μｅｑ／ｇ以下、フェノール／テトラクロロエタン混合溶媒（重量比３／２）２０ｍＬにポリブチレンテレフタレート２．７ｇを溶解させて測定した際の溶液ヘイズが１０％以下である。 - 特許庁

In the method for producing the olefin resin foam by extrusion foaming with the use of a combustible gas as the blowing gas, after the temperature of the central part of the foam after foaming falls to the crystallization temperature of a gas permeation modifier added or lower, the foam is perforated in the thickness direction from its surface.例文帳に追加

発泡剤として可燃性ガスを用いた押出発泡による発泡体の製造において、発泡後の発泡体中心部温度が、添加されているガス透過調整剤の結晶化温度以下に降下した後、発泡体の表面から厚み方向に穿孔を施すことを特徴とするオレフィン系樹脂発泡体の製造方法。 - 特許庁

In a metal nanowire single crystallization device 1 in the figure, data about current density where the metal nanowire 4 generates the electromigration is input to a supply current set part 9 in advance, and then data about a cross-section or the like of the metal nanowire 4 to which the current is supplied actually is additionally input to acquire a supply current amount.例文帳に追加

図中の金属ナノワイヤー単結晶化装置１においては、供給電流設定部９に予め金属ナノワイヤー４がエレクトロマイグレーションを生じる電流密度を求めたデータを入力しておき、更に実際に電流を供給する金属ナノワイヤー４の断面積等のデータを入力して、供給電流量を求めておく。 - 特許庁

The method comprises providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing the plasma into contact with the amorphous silicon layer 114, and performing a crystallization process to convert the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114'.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

This method for producing the diglycosylated gallic acid derivative comprises performing a condensation reaction of gallic acid, a gallic acid ester or a gallic acid salt with an acetylated monosaccharide, disaccharide or oligosaccharide while distilling off acetic acid produced as a byproduct, and after the completion of the reaction, isolating the obtained diglycosylated gallic acid derivative by crystallization.例文帳に追加

没食子酸、没食子酸エステル、又は没食子酸の塩と、アセチル化された単糖類、二糖類、又はオリゴ糖類とを、副生する酢酸を反応系外へ留去しながら縮合反応を行い、反応終了後、得られたジグリコシル化没食子酸誘導体を晶析により単離することを特徴とするジグリコシル化没食子酸誘導体の製造方法。 - 特許庁

By a method having (a) a step for depositing an amorphous film on a substrate by supplying a precursor solution that is a film precursor dissolved in a supercritical fluid into a deposition chamber, and (b) a step for heat-treating the amorphous film under a heat-treating atmospheric gas at a temperature that is lower than its crystallization temperature, the amorphous film is formed on the substrate.例文帳に追加

（ａ）膜前駆体を超臨界流体に溶解させた前駆体溶液を成膜チャンバ内に供給して、基板上にアモルファス膜を成膜する工程と、（ｂ）熱処理雰囲気ガス下、前記アモルファス膜をその結晶化温度より低い温度で熱処理する工程とを有する方法により、基板上にアモルファス膜を形成する。 - 特許庁

The heat-resistance resin is obtained by subjecting to a crystallization treatment a film comprising 70-30 wt.% of a polyarylketone resin having a crystal melting peak temperature of at least 260°C and 30-70 wt.% of a non- crystalline polyetherimide resin and has a maximum crystal grain size of at most 0.3 μm as observed by a transmission electron microscope.例文帳に追加

結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂７０〜３０重量％と非晶性ポリエーテルイミド樹脂３０〜７０重量％とからなるフィルムを結晶化処理したフィルムであって、透過型電子顕微鏡で観察した際に、最大結晶粒径が０．３μｍ以下であることを特徴とする耐熱性フィルム。 - 特許庁

When a temperature difference ΔT between temperature Tr of a concentrated solution detected by a temperature sensor 22 and crystallization temperature Tc of the concentrated solution estimated from the concentration of the concentrated absorption solution detected by a concentration sensor 21 falls within a predetermined temperature difference, an opening of a heating amount control valve 20 is reduced by a predetermined amount, e.g. 20%.例文帳に追加

温度センサ２２が検出した濃吸収液の温度Ｔｒと、濃度センサ２１が検出した濃吸収液の濃度から求めたその濃吸収液の結晶化温度Ｔｃとの温度差ΔＴが所定の温度差以内となったときに、加熱量制御弁２０の開度を所定量、例えば２０％だけ減少させるようにした。 - 特許庁

This polyester-based hot melt hollow conjugate short fiber is a side by side type conjugate fiber constituted by a polyester having ethylene terephthalate main recurring unit and a low melting point polyester having 20-80°C glass transition temperature, 90-130°C crystallization temperature and 130-180°C melting point, and has a continuous hollow part having 10-30% void rate in fiber axis direction.例文帳に追加

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートであるポリエステルと、ガラス転移点２０〜８０℃、結晶化温度９０〜１３０℃、融点１３０〜１８０℃である低融点ポリエステルとで構成されたサイドバイサイド型複合繊維であって、繊維軸方向に連続する中空部を有し、中空率が１０〜３０％であるポリエステル系熱接着性中空複合短繊維。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

A method for refining a chloroacetophenone isomer mixture containing 70-98 wt.% of p-chloroacetophenone to obtain the p- chloroacetophenone ≥99% in purity comprises the step of subjecting the isomer mixture to crystallization in the presence of a solvent to obtain the p- chloroacetophenone.例文帳に追加

パラクロロアセトフェノンの含有量が７０〜９８％であるクロロアセトフェノンの異性体混合物を精製することにより、純度が９９％以上であるパラクロロアセトフェノンを得るクロロアセトフェノンの精製方法において、クロロアセトフェノンの異性体混合物を溶媒の存在下に晶析しパラクロロアセトフェノンを得る晶析工程を有する、クロロアセトフェノンの精製方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the reproduced all-solid battery includes a crystallization process of forming a reproduced solid electrolyte layer by crystallizing amorphous Li ion conductive sulfur glass by heating a solid electrolyte layer before reproduction which includes the amorphous Li ion conductive sulfur glass.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを含む再生前固体電解質層を加熱することにより、上記アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを結晶化し、再生化固体電解質層を形成する結晶化工程を有することを特徴とする再生化全固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

A noncrystalline semiconductor film is formed on an insulated surface, it is crystallized by heating after the metal element to promote the crystallization is added to the noncrystalline semiconductor film, a laser light of a continuous wave oscillation is irradiated to the crystallized semiconductor film , and an upper portion of the crystalline semiconductor film irradiated by the laser is removed.例文帳に追加

本発明は、絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザを照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

With the crystallization method, a first amorphous silicon film 6 is deposited on an oxide film 4, that is deposited for improving viscosity having a glass substrate 2 and for preventing contamination by approximately 10-300 Å, and then a silane (SiH4) or disilane (Si2H6) gas is allowed to flow to form a silicon crystal nucleus 8 on the first amorphous silicon film 6.例文帳に追加

結晶化方法は、ガラス基板２との粘着性向上及び汚染防止用として蒸着する酸化膜４上に第１非晶質シリコン膜６を約１０〜３００Å程度蒸着後シラン（ＳｉＨ４）或いはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスをフローしてシリコン結晶核８を第１非晶質シリコン膜６上に形成させる。 - 特許庁

To provide a composition containing a UV absorbent precursor, not causing image defects due to the crystallization of the precursor even when held in a high temperature environment and excellent in storage stability and to provide an image forming method by which an image free from image defects such as irregular color can stably be formed using the composition.例文帳に追加

高温環境下に保持された場合でも、紫外線吸収剤前駆体の結晶化による画像欠陥を伴うことがなく、保存安定性に優れた、紫外線吸収剤前駆体を含有する組成物、及び該組成物を用いて、色ムラ等の画像欠陥のない画像を安定に形成しうる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the optically active 3-aminopiperidine derivative or its salt comprises forming an oxime of an optically active 3- oxopiperidine derivative or its salt, collecting a diastereomeric isomer mixture obtained by a reduction of the oxime group, separating both isomers by distributing the both isomers unevenly into a filtrate and crystal by a crystallization, and then removing its protecting group.例文帳に追加

光学活性３−オキソピペリジン誘導体又はその塩をオキシム化、オキシム基の還元によりジアステレオ異性体混合物として取得後、晶析によって両異性体を濾液と結晶にそれぞれ偏在させることで両異性体を分離し、保護基の除去を行うことにより光学活性３−アミノピペリジン誘導体又はその塩を製造する。 - 特許庁

The polyester composition comprises polyester chips comprising ethylene terephthalate as the main repeating unit and 0.1-5,000 ppm of polyester fines having the same composition as the above polyester chips and the composition shows 170-195°C of a crystallization temperature (Tc1') measured by a differential scanning calorimeter (DSC) upon temperature rising of the fines.例文帳に追加

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレ−トであるポリエステルのチップと、前記ポリエステルのチップと同一組成のポリエステルのファイン０．１〜５０００ｐｐｍとからなるポリエステル組成物であって、ＤＳＣ（示差走査熱量計）で測定した前記ファインの昇温時結晶化温度（Ｔｃ１’）が１７０〜１９５℃の範囲であることを特徴とするポリエステル組成物。 - 特許庁

The multilayer substrate comprises at least two kinds of insulation layer of crystallized glass ceramics laid in layer wherein the crystallization point of crystallized glass contained in a first insulation layer is lower than the softening point of crystallized glass contained in a second insulation layer and difference of thermal expansion coefficient between the first and second insulation layers is preferably 2×10^-6/°C or less.例文帳に追加

結晶化ガラスセラミックスからなる少なくとも２種の絶縁層の積層体からなり、第１絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第２絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とし、前記第１及び第２絶縁層の熱膨張係数の差が、２×１０^−６／℃以下であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a rare earth metal complex having high solubility, low crystallinity, crystallization temperature higher than room temperature, and light resistance, and attaining high security level independent of ink solvent, binder, medium used, and usage environment; and to provide a rare earth metal complex fluorescing both as a solid and in a solution, and an ink composition utilizing the same.例文帳に追加

高い溶解度、低い結晶性、室温より高い結晶化温度、および耐光性を有し、インク溶剤、バインダー、使用媒体、および使用環境を選ばずに高いセキュリティレベルを実現しうる希土類金属錯体を提供するとともに、固体でも溶液中でも蛍光を発することができる希土類金属錯体及びそれを用いたインク組成物を提供する。 - 特許庁

A heat resistant and impact resistant container is formed by stretch-forming of a thermoplastic polyester wherein a crystallization degree of the thermoplastic polyester of a bottom portion of the container is not less than 15% and the bottom central portion is substantially transparent and further has a clear diffraction peak in a surface index (010) by means of a X-ray diffraction.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステルの延伸成形で形成された容器であって、容器底部の熱可塑性ポリエステルの結晶化度が１５％以上であり、且つ容器底部中心が実質上透明でしかもＸ線回折で面指数（０１０）に明確な回折ピークを有することを特徴とする耐熱性及び耐衝撃性に優れた容器。 - 特許庁

To provide a non-halogenic, lactate-based resin composition which can be used for the housings, parts and the like of electric and electronic fields, requiring high flame retardancy, more highly considers environments than existing materials, can shorten molding cycles, because crystallization is promoted, and gives molded articles having excellent heat resistance, and to provide a molded article.例文帳に追加

高い難燃性を要望される電気、電子分野の筐体や部品等に使用できる非ハロゲン系樹脂組成であり、既存の材料と比較して環境配慮が高く、また結晶化が促進されるので成形サイクルが短縮できると共に得られた成形品の耐熱性に優れた乳酸系樹脂組成物および成形品を提供する。 - 特許庁

To obtain a good filtration property and crystalls of uniform grain size in the method for evaporation and crystallization, a slightly water-soluble organic compound is dissolved in a slightly water-soluble organic solvent and the obtained solution is supplied to water having temperature not lower than the temperature at which the organic solvent is boiled, and not higher than the temperature at which the organic compound is solidified while water is agitated.例文帳に追加

水難溶性の有機化合物を水難溶性の有機溶媒に溶解させた液を有機溶媒が沸騰する温度以上且つ有機化合物が固化する温度以下の水に攪拌下に供給し、有機溶媒を蒸発させて有機化合物を晶析する蒸発晶析方法において、濾過性が良好で、粒径が均一な結晶を得ること。 - 特許庁

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium.例文帳に追加

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。 - 特許庁

Moreover, while the feasibility of adopting this procedure remains uncertain under current circumstances, the publicized information in the patent application (the application was rejected for reasons of easy conception) suggests that HCB concentration can be reduced to 200ppm or less by controlling the TCPA crystallization temperature to a certain level even without conducting the recrystallization refinement of TCPA. 例文帳に追加

また、現状における採用可能性については明らかでないものの、ＴＣＰＡの晶析温度を一定の温度にコントロールすることにより、ＴＣＰＡの再結晶精製を行わなくともやはり 200ppm程度以下の達成が可能であることが、出願公開情報（当該出願は容易想到理由で拒絶査定）から示唆されている。 - 経済産業省

A transparent container or a member thereof is made of an amorphous polyethylene terephthalate (A-PET), a polybutylene terephthalate or their copolymer as a main component, and a character or a pattern is formed by partially heating a sheet or a molding in an opaque state to accelerate crystallization for forming an opaque part.例文帳に追加

非晶性ポリエチレンテレフタレート（Ａ−ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート又はそれらの共重合体を主成分とする透明容器又はその部材であって、透明状態にあるシート又は成形物を部分加熱し、結晶化を促進させることにより不透明な部分を形成して文字又は模様を入れる透明容器の模様入れ方法及びその金型。 - 特許庁

Scorodite is produced through a leaching step of leaching arsenic from a nonferrous smelting intermediate product containing a copper-arsenic compound in its intermetallic compound form in the presence of a sulfurizing agent and an oxidizing agent; a liquid regulation step of adding an oxidizing agent to the leachate so as to oxidize the trivalent arsenic to the pentavalent arsenic; and a crystallization step of converting the arsenic in the resultant regulated liquid to scorodite crystal.例文帳に追加

金属間化合物形態の銅砒素化合物を含む非鉄製錬中間産物から、硫化剤と酸化剤の共存下で砒素を浸出する浸出工程と、当該浸出液に酸化剤を添加して、３価砒素を５価砒素へ酸化する液調整工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とによりスコロダイトを製造する。 - 特許庁

In a next crystallization step, the intensity of the laser light 50 is optically modulated, so that a cyclic light and dark pattern can be projected onto the region R, the first division region D in the upper left of the substrate 0 is irradiated with the modulated pattern, the identical region D is again irradiated with the pattern so as not to overlap therewith at least once by shifting the region R.例文帳に追加

次の結晶化工程では、照射領域Ｒに周期的な明暗のパタンを投影可能な様にレーザ光５０の強度を光学変調して、基板０の左上にある最初の分割領域Ｄを照射し、更に少なくとも一回該明暗のパタンが重複しない様に照射領域Ｒをずらして同一の分割領域Ｄを再度照射する。 - 特許庁

This polyamide resin composition contains a polyamide resin (A) obtained from xylylenediamine and sebacic acid, and a polyamide 66 (B), wherein the melting point of the polyamide 66 (B) is higher by more than 50°C than that of the polyamide resin (A), and further the temperature difference between the crystallization temperature of the polyamide resin (A) and that of the polyamide 66 (B) is 50°C or lower.例文帳に追加

キシリレンジアミンとセバシン酸とから得られるポリアミド樹脂（Ａ）とポリアミド６６（Ｂ）を含有してなるポリアミド樹脂組成物であって、 ポリアミド６６（Ｂ）の融点がポリアミド樹脂（Ａ）の融点より５０℃を超えて高く、かつ、ポリアミド樹脂（Ａ）の結晶化温度とポリアミド６６（Ｂ）の結晶化温度の温度差が５０℃以下であることを特徴とするポリアミド樹脂組成物による。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.例文帳に追加

本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method for producing electrical insulating paper includes: heating and pressurizing a wet type nonwoven fabric comprising 60-100 wt.% of an amorphous polyphenylene sulfide fiber that has a heat quantity of crystallization by a DSC measurement of ≥10 J/g and a dry-heat shrinkage percentage at 140°C×30 minutes of ≤35% at the glass transition temperature of the amorphous polyphenylene sulfide or above and the melting point or below.例文帳に追加

ＤＳＣ測定による結晶化熱量が１０Ｊ／ｇ以上であり、かつ、１４０℃×３０分の乾熱収縮率が３５％以下である非晶質ポリフェニレンサルファイド繊維を６０〜１００重量％含む湿式不織布を、該非晶質ポリフェニレンサルファイドのガラス転移温度以上融点以下の温度で加熱・加圧処理を施すことを特徴とする電気絶縁紙の製造方法。 - 特許庁

This alloy can be produced by heating an amorphous alloy ingot at a prescribed temperature-rise rate and allowing, in a state of supercooled liquid before crystallization, at least one or more elements among boron, carbon, oxygen, nitrogen, and fluorine to penetrate through the surface to precipitate a high melting point compound with an amorphous-alloy-forming element in the inner part of the alloy and resultantly strengthen the alloy.例文帳に追加

この合金は、非晶質合金塊を一定昇温速度で加熱し、結晶化する前の過冷却液体状態において、表面よりほう素、炭素、酸素、窒素、ふっ素の少なくとも１種以上を浸透させて非晶質合金を形成する元素との高融点化合物を合金内部に析出させることにより合金を強化することにより製造できる。 - 特許庁

This polyester resin consists of a dicarboxylic acid component consisting mainly of terephthalic acid and a diol component having ≥50 mol% 1,6-hexane diol is characterized by having melting point of 100 to 150°C, containing 0.01 to 5.0 mass% polyolefin as a crystal-nucleating agent and having a DSC curve obtained by the DSC, showing its crystallization by decreasing temperature and satisfying following formula (1).例文帳に追加

テレフタル酸を主成分とするジカルボン酸成分と、１，６−ヘキサンジオールを５０モル％以上とするジオール成分とからなるポリエステルであって、融点が１００〜１５０℃、結晶核剤としてポリオレフィンを０．０１〜５．０質量％含有し、かつＤＳＣより求めた降温結晶化を示すＤＳＣ曲線が下記式（１）を満足することを特徴とするポリエステル樹脂。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the length direction of a crystal particle size that composes semiconductor thin films 3 (3A and 3B) comprising a polycrystalline silicon thin film formed by laser crystallization is aligned along the running direction of a carrier that runs in a channel region 4 of a P- and N-type MOS transistors 23 and 24 of a CMOS transistor 25 composing an inverter.例文帳に追加

開示されている薄膜トランジスタは、レーザ結晶化により形成された多結晶シリコン薄膜から成る半導体薄膜３（３Ａ、３Ｂ）を構成している結晶粒子サイズの長さ方向は、インバータを構成しているＣＭＯＳトランジスタ２５のＰ型ＭＯＳトランジスタ２３及びＮ型ＭＯＳトランジスタ２４のチャネル領域４を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by using the manufacturing method, in which a laser crystallization method is used that is capable of preventing the formation of grain boundaries in a TFT channel formation region, and capable of preventing conspicuous drops in TFT mobility, reduction in an on-current and increases in an off-current, that are caused by the grain boundaries.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In the method for producing high-purity terephthalic acid, having a slurrying process, dissolution process, reduction process, crystallization process, separation process, cleaning process and drying process, cleaning waste fluid after cleaning discharged in the cleaning process is kept in a state at ≥120°C and ≤200°C and used as a water solvent in the slurrying process to produce high-purity terephthalic acid.例文帳に追加

スラリー化工程、溶解工程、還元工程、晶析工程、分離工程、洗浄工程、及び乾燥工程を有する高純度テレフタル酸の製造方法において、上記洗浄工程で排出される洗浄後の洗浄排液を、１２０℃以上、２００℃以下の状態を維持させて、上記スラリー化工程の水溶媒として使用して、高純度テレフタル酸を製造する。 - 特許庁

To provide a method of controlling a conformation of polycrystalline silicon formed when a polycrystalline silicon thin film is produced by the SLS crystallization method and a polycrystalline silicone thin film made by the method, and also to provide a TFT having an excellent characteristics free from the dependence of the TFT characteristics on the direction of an active channel, by making use of the polycrystalline silicon thin film produced by the above method.例文帳に追加

ＳＬＳ結晶化法で多結晶シリコン薄膜を製造する場合製造される多結晶シリコンの形状を制御する方法及びこれを利用して製造された多結晶シリコン薄膜の提供並びに、上記製造された多結晶シリコン薄膜を用いてアクティブチャネル方向によるＴＦＴ特性の依存性がない優秀な特性を有するＴＦＴを提供する。 - 特許庁

A method for forming a PLZT ferroelectric thin film comprises the following procedure: a heat-resistant substrate is coated with the above composition followed by heating in air, an oxidative atmosphere or hydrous vapor atmosphere, this practice is repeated until a film of desired thickness is afforded, and during or after heating at least in the final step, the film is baked at the crystallization temperature or higher.例文帳に追加

このＰＬＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するＰＬＺＴ強誘電体薄膜の形成方法。 - 特許庁