「crystallization」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compsn. excellent in elongation at a low stress and adhesiveness with a substrate, and having small residual strain and high recovery stress after elongation, by compounding thermoplastic polyurethanes each contg. a polymer polyol unit or a polyether polyol unit and having a specified nitrogen atom content and crystallization enthalpy.例文帳に追加

Ｔ−ダイ型押出機などで溶融押出成形する際に生じるネックイン現象や、インフレーション成形機で溶融成形する際に生じる厚み斑や割れをさらに改善し、基材との接着性に優れたフィルムやシートなどの成形品を、高生産性で製造することができる熱可塑性ポリウレタンを提供する。 - 特許庁

To obtain a polyester resin composition capable of easily molding a lot of molded articles in the state of excellent transparency during a long period and with little grime on a metal mold in sheet molding, bottle molding and so on, and also capable of obtaining blow molded articles having good transparency, excellent heat-resistant dimensional stability and the appropriate crystallization in the mouth stopper part.例文帳に追加

シート成形、ボトル成形等において金型汚れが少なく、長時間、多数の成形品を透明性が優れた状態で容易に成形することができ、そして、透明性のよい、耐熱寸法安定性が優れ、口栓部の結晶化が適正である中空成形品を得ることができるポリエステル樹脂組成物を得る。 - 特許庁

The method for producing electrical insulating paper includes heating and pressing a wet nonwoven fabric, which is a wet nonwoven fabric composed of 40-100 wt.% of an amorphous polyphenylene sulfide fiber and has crystallization calorie before heating and pressing of not less than 5 J/g, at a temperature equal to or higher than a glass transition temperature and equal to or lower than a melting point.例文帳に追加

非晶質ポリフェニレンサルファイド繊維を４０〜１００重量％含む湿式不織布であって、加熱・加圧処理前の湿式不織布の結晶化熱量が５Ｊ／ｇ以上である湿式不織布に、ガラス転移温度以上融点以下の温度で加熱・加圧処理を施すことを特徴とする電気絶縁紙の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical information recording medium has a stage for film-depositing the crystallization promoting layer consisting essentially of at least Ge on a substrate and a stage for providing a phase transition type recording layer consisting essentially of Sb and Te and having a layer of metastable Sb_3Te belonging to a space group Fm3m.例文帳に追加

基板上に少なくともＧｅを主成分とする結晶化促進層を製膜する工程と、Ｓｂ及びＴｅを主成分とし、且つ空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ_３Ｔｅ相を有する相変化型記録層を設ける工程とを有することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a sealing material in which sufficient amount of crystal is deposited in the glass during the heat treatment process for raising the evacuating temperature of a flat display device or the like and at the same time which is excellent in flowability and low heat expansion property (after crystallization), in a sealing material which contains bismuth-based glass powder and refractory filler powder.例文帳に追加

ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、平面表示装置等の排気温度を上昇させるべく、熱処理工程でガラスに十分な量の結晶が析出するとともに、流動性と低熱膨張特性（結晶化後）が良好な封着材料を得ること。 - 特許庁

The foamed injection molded article is obtained by subjecting a resin composition obtained by impregnating a polyacetal copolymer resin having a crystallization time of ≥5 minutes with a fluid in the supercritical state as the blowing agent to injection molding with the use of a mold in which at least part of the surface on the cavity side is composed of a material having a thermal conductivity of ≤5 W/mK.例文帳に追加

結晶化時間が５分以上であるポリアセタール共重合樹脂に超臨界状態の流体を発泡剤として含浸させた樹脂組成物を、キャビティ側表面の少なくとも一部が５Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導率を有する材料からなる金型を用いて射出成形する。 - 特許庁

In an apparatus for the growth of the SiC single crystal by a sublimation re-crystallization method, the whole of the crucible is composed of a 2 or more kinds of materials each having different thermal expansion coefficient and a crucible component material of a seed crystal holding part 4 to which the SiC seed crystal 1 is attached has thermal expansion coefficient substantially smaller than that of another part.例文帳に追加

昇華再結晶法によるSiC単結晶育成装置において、坩堝全体が熱膨張係数の異なる2種類以上の材料から構成され、且つSiC種結晶1が取り付けられる種結晶保持部4の坩堝構成材料が、実質的に他の部分より小さな熱膨張係数を有する。 - 特許庁

In a roof rail of the integrated molding of a polyamide resin composition containing a polyamide 210°C or below in crystallization temperature and 70°C or below in glass transition temperature and glass fibers, the difference between the maximum and minimum of surface gloss at 60°C is 5% or below, and the difference between the maximum and minimum of surface roughness is 0.5 μm or less.例文帳に追加

結晶化温度が２１０℃以下、ガラス転移温度が７０℃以下のポリアミドとガラス繊維を含有するポリアミド樹脂組成物の一体成形品で、表面における６０度表面グロスの最大値と最小値の差が５％以下で、かつ表面粗さの最大値と最小値の差が０．５μｍ以下のルーフレールとする。 - 特許庁

The crystallization apparatus comprises: an optical modulator (1) having a phase level difference with a phase difference substantially different from 180°; an illumination optical system (10) for illuminating the optical modulator; and an image-forming optical system (4) for forming a predetermined light intensity distribution based on light having been phase modulated by the optical modulator.例文帳に追加

１８０度と実質的に異なる位相差の位相段差を有する光変調素子（１）と、光変調素子を照明するための照明光学系（１０）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成するための結像光学系（４）とを備えている。 - 特許庁

After a photosensitive layer comprising selenium or a selenium alloy is formed on the surface of a conductive substrate by vacuum vapor deposition, the photosensitive layer surface is exposed to a supercritical fluid having a critical temperature of 0°C to 90°C at a temperature higher than the glass transition temperature and lower than the crystallization temperature of the photosensitive layer.例文帳に追加

本発明は、真空蒸着により導電性基体の表面にセレンまたはセレン合金よりなる感光層を形成後、該感光層表面を、臨界温度が０℃以上、９０℃以下の超臨界流体に前記感光層のガラス転移温度より高く、且つ結晶化温度より低い温度でさらすことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor thin film contains at least silicon and hydrogen and has the ratio (I_TA/I_TO) of scattering peak intensity I_TA in TA mode to scattering peak intensity I_TO in TO mode obtained by Raman scattering spectrum not larger than 0.35, and a crystallization rate being defined by Raman scattering spectrum not larger than 60%.例文帳に追加

少なくともシリコンおよび水素を含有し、ラマン散乱スペクトルにより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＡの比（Ｉ_ＴＡ／Ｉ_ＴＯ）が0.35以下で、かつ前記ラマン散乱スペクトルによって定義される結晶化率が60％以下である半導体薄膜とする。 - 特許庁

To provide a polyester which maintains high transparency of molded products in carrying out continuous polymerization production on a commercial scale, additionally is easily controled in the crystallization of a bottle mouth plug part when used in a heat-resistant bottle, and further hardly causes whitening in heating on molding when used in sheets for molding.例文帳に追加

本発明の目的は、商業的規模で連続重合生産を行った場合に、成形体の透明性を高く維持した上で、耐熱性のボトルに用いた場合には、口栓部の結晶化コントロールがしやすく、また、成形用シートに用いた場合には、成形での加熱の際に白化しにくいポリエステルを提供すること。 - 特許庁

In crystallizing an amorphous thin film (a-silicon thin film 2), the amorphous thin film is placed in an environment containing a catalyst for promoting crystallization (solution applied layer 3), and then laser light 21 from a laser light source 20 is cast on the amorphous thin film to introduce the catalyst obtained from the environment into the amorphous thin film.例文帳に追加

アモルファス薄膜（ａ−シリコン薄膜２）を結晶化させる際に、結晶化を助長する触媒が含まれる環境下（溶液塗布層３）に該アモルファス薄膜を置いて該アモルファス薄膜に、レーザ光源２０から照射されたレーザ光２１を照射して、前記環境から得られる触媒を前記アモルファス薄膜中に導入する。 - 特許庁

When a basic aqueous reaction liquid containing cesium is heated under stirring to cause crystallization, the objective β-zeolite having a crystallite diameter of ≥40 nm and containing no fluorine in the crystals is obtained, and the β-zeolite has high heat resistance while having the SiO_2/Al_2O_3 molar ratio of 20 to <30.例文帳に追加

セシウムを含んでなる塩基性水反応液を撹拌しながら加熱して結晶化させることにより、結晶子径が４０ｎｍ以上で結晶中にフッ素を含有しないβ型ゼオライトが得られ、ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３モル比が２０以上３０未満でも耐熱性の高いβ型ゼオライトが得られる。 - 特許庁

The tetrafluoroethylene resin material, that is a raw resin material before sintering, is radiated by ionizing radiation with an absorbed dose in the range of 1,000 Gy or below at ordinary temperature in air, whereby only a melting point can be transformed to a low-temperature side without changing a heat of fusion and a heat of crystallization of the raw material.例文帳に追加

四フッ化エチレン樹脂原料、すなわち、焼結前の樹脂原料に対して常温、空気中で１０００Ｇｙ以下の範囲の吸収線量で電離性放射線を照射することにより、原料の融解熱量ならびに結晶化熱量を変えることなく、その融解温度のみを低温側に移動させる。 - 特許庁

To solve such a problem that a silicon active layer of an SOI substrate (SOI layer) is made smaller in thickness than heretofore, following fine structure of transistors, so that, after impurities area introduced into a complete depleted SOI transistor, etc., crystallization of an impurity diffused layer cannot be sufficiently restored even by annealing under heat treatment for example.例文帳に追加

トランジスタの微細化に伴い、ＳＯＩ基板のシリコン活性層（ＳＯＩ層）の厚さが従来よりも薄くなり、完全空乏型ＳＯＩトランジスタ等では、不純物を導入した後、例えば、熱処理によってアニールを行っても、不純物拡散層の結晶状態を充分に回復させることができない。 - 特許庁

The malleable Mg alloy can be manufactured by dispersing the particles of ≤10 μm particle size which are stable in the molten metal of the Mg-base matrix and function as crystallization nuclei at the solidification of the molten metal in amounts of 0.01-10 vol.% in the molten metal of the Mg-base matrix and then casting the molten metal.例文帳に追加

本発明の展伸用Ｍｇ合金を製造する方法は、Ｍｇ基母材の溶湯中に、該Ｍｇ基母材の溶湯中で安定であって該溶湯の凝固時に結晶生成核となる粒径１０μｍ以下の粒子を０．０１〜１０体積％の量で分散させた後に鋳造することを特徴とする。 - 特許庁

The composition contains a first plastic having a crystallizability and a second plastic having a melting point and is made so that, when the temperature of the composition is raised, the temperature range of heat generation region due to the crystallization of the first plastic and the temperature range of heat absorption region due to the melting of the second plastic overlap each other.例文帳に追加

結晶性を有する第１のプラスチックと融点を有する第２のプラスチックとを含有するプラスチック組成物において、当該プラスチック組成物を昇温した場合に、第１のプラスチックの結晶化による発熱領域の温度範囲と第２のプラスチックの融解による吸熱領域の温度範囲とが重複するようにする。 - 特許庁

A molten PTT is extruded in a shape of strand or sheet, quickly cooled and solidified, and then cut in chips, and thereafter crystallized at a suitable temperature and time to produce specific chips, wherein specific chips have a degree of polymerization and crystallization, and a size of fine crystalline, in the suitable range, respectively.例文帳に追加

溶融ＰＴＴをストランド状、あるいはシート状に押出し、急速に冷却固化させた後チップ状にカットし、その後適切な温度、時間にて熱処理して結晶化する特殊なチップの製造法により得た、適切な範囲の重合度、結晶化度、微結晶サイズを有した特殊なチップとする。 - 特許庁

To provide a manufacturing system of a semiconductor device using a laser crystallization method capable of preventing a grain field from being formed in the channel-type region of a TFT, and preventing the movement level of the TFT from being sharply deteriorated, an on-current from being reduced, or an off-current from being increased due to the grain field.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の生産システムの提供を課題とする。 - 特許庁

When an alloy molten metal, which satisfies 1 atom %≤x≤7 atom %, 15 atom %≤y≤20 atom %, 0.2 atom %≤z≤7 atom %, and 0.01 atom %≤u≤7 atom %, is quenched and solidified, it turns into an amorphous state, and shows glass transition at a temperature lower than a crystallization temperature before softening.例文帳に追加

組成比ｘ、ｙ、ｚおよびｕは１原子％≦ｘ≦７原子％、１５原子％≦ｙ≦２０原子％、０．２原子％≦ｚ≦７原子％、および０．０１原子％≦ｕ≦７原子％を満足する上記の合金溶湯を急冷凝固すると、アモルファス状態になるが、結晶化温度よりも低い温度でガラス遷移を示し、軟化する。 - 特許庁

The coating composite for producing an interlayer insulation film contains (A) a silica precursor composed of at least one kind of compound selected from a specified alkoxysilane, its hydrolyzate and polycondensate, and (B) an organic solvent wherein the crystallization index, indicative of the total content of a specified metal at most 1 ppm, is 0.14-0.63.例文帳に追加

（Ａ）特定のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも１種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、（Ｂ）有機溶媒とを含有し、特定の金属の含有量の合計が最大でも１ｐｐｍである結晶化指数が０．１４〜０．６３の層間絶縁膜製造用塗布組成物。 - 特許庁

The aluminum component stuck on a dies T is dissolved with an caustic soda solution in an etching vessel 1 pressurized equal to above the atmospheric pressure, the caustic soda solution in which the concentration of aluminum is increased is crystallized in a crystallization vessel 3 to remove aluminum as aluminum hydroxide and to return the regenerated caustic soda solution to the etching vessel 1 to use again.例文帳に追加

大気圧以上に加圧したエッチング槽１で苛性ソーダ溶液でダイスＴに付着したアルミニウム成分を溶解し、アルミニウムが高濃度になった苛性ソーダ溶液は晶析槽３で晶析処理し、アルミニウムを水酸化アルミニウムとして除去し、再生した苛性ソーダ溶液はエッチング槽１に循環して再使用する。 - 特許庁

In a pixel matrix circuit of an AM-LCD, resistance is reduced by making a lower electrode 114 of holding capacitance contain group 15 elements and catalytic elements which have been used for crystallization, and capacitance is increased by thinning dielectrics of the holding capacitance, without increasing the area for forming a capacitor.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤの画素マトリクス回路において、保持容量の下部電極１１４に１５族に属する元素と結晶化に用いた触媒元素とを含有させて低抵抗化を図り、さらに保持容量の誘電体を薄くすることで、容量を形成する面積を大きくすることなくキャパシティを稼ぐことができる。 - 特許庁

A light reflection plate includes a base substance 2, a resin layer 4 formed on the base substance 2 and including polyester resin whose semi-crystallization time at 160°C is 80 to 120 seconds, a reflective layer 6 formed on the resin layer 4 and comprising silver or silver alloy, and a protective layer 8 formed on the reflective layer 6 and including resin.例文帳に追加

基体２と、前記基体２上に形成され、１６０℃における半結晶化時間が８０〜１２０秒であるポリエステル樹脂を含む樹脂層４と、前記樹脂層４上に形成され、銀または銀合金からなる反射層６と、前記反射層６上に形成され、樹脂を含む保護層８と、を備える光反射板。 - 特許庁

The crystallization apparatus producing a crystalline semiconductor film is equipped with a lighting optical system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that it is reduced to a minimum intensity at a point corresponding to the phase-shifting part of the phase-shifting mask (1).例文帳に追加

位相シフトマスク（１）を照明する照明光学系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

The crystallization device further includes: a correction means for correcting coordinate values of the irradiation position using amounts of position shifts due to thermal expansion that the respective substrates have in common and initial expansion/contraction amounts characteristic of the respective substrates; and a control means for performing correction control over the irradiation position on the substrate stage using the corrected coordinate values of the correction means.例文帳に追加

各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。 - 特許庁

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology.例文帳に追加

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。 - 特許庁

In a method for thermal crystallization treatment, the flange part, the neck part just under the flange part, or both of them of the cup-shaped synthetic resin container of biaxially stretching blow molding with the flange set at the upper end in the shape of an outer brim are irradiated with laser beams, and the irradiated parts are crystallized thermally.例文帳に追加

上端に外鍔状にフランジを周設した２軸延伸ブロー成形の合成樹脂製カップ状容器の前記フランジ部分、フランジ部分直下の頸部、あるいはこれら両者にレーザ光を照射して、この照射部分を熱結晶化することを特徴とする熱結晶化処理方法である。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a rare earth metal silicide film and an amorphous silicon film on an electrode layer; and performing crystallization of the amorphous silicon film by heating the rare earth metal silicide film and the amorphous silicon film with microwave so that it has crystal orientation according to the crystal structure of the rare earth metal silicide film.例文帳に追加

電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

Scorodite is produced through a leaching step of leaching arsenic in a weakly acid region from a nonferrous smelting intermediate product containing arsenic; a liquid regulation step of adding an oxidizing agent to the leachate so as to oxidize the trivalent arsenic to the pentavalent arsenic; and a crystallization step of converting the arsenic in the resultant regulated liquid to scorodite crystal.例文帳に追加

砒素を含む非鉄製錬中間産物から、弱酸性領域で砒素を浸出する浸出工程と、当該浸出液に酸化剤を添加して、３価砒素を５価砒素へ酸化する液調整工程と、当該調整液中の砒素をスコロダイト結晶へ転換する結晶化工程とによりスコロダイトを製造する。 - 特許庁

After a spin on glass material containing silicon and/or silicon compound and organic solvent is applied on a substrate, an amorphous spin on glass film is formed by raising the density of the spin on glass material under the condition that crystallization does not occur in a plasma formed by a gas whose main component is oxygen.例文帳に追加

シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of electric property between a storage electrode and a lower electrode connected to the electrode or the like in the process of annealing for crystallization and oxidation treatment of a capacitor dielectric film and its manufacturing method, in a semiconductor device having a DRAM storage element and its manufacturing method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ型の記憶素子を有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタ誘電体膜の結晶化アニールや酸化処理の工程における蓄積電極とこれに接続される下部電極等との間の電気特性の劣化を防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of stably producing a nonfoamed formed article of a vinyl chloride resin free from defective appearance by directly adding a hydrated gypsum (specifically dihydrate gypsum) to a vinyl chloride resin without converting it to anhydrous gypsum, without requiring wasteful energy cost nor causing foaming or defective forming stemming from water of crystallization.例文帳に追加

含水石膏（特に二水石膏）を無水石膏に転換せずに直接塩化ビニル樹脂に配合し、無駄なエネルギーコストをかけずに且つ結晶水に由来する発泡や成形不良を生じることなく、安定して外観不良のない塩化ビニル樹脂製の非発泡成形体を製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method enabling high purity dipentaerythritol where the content of pentaerythritol is small to be separated by a simple operation such as crystallization from an aqueous solution containing both pentaerythritol and dipentaerythritol and then heating dissolution without needlessly consuming energy e.g. in the addition, recovery, purification and the like of water.例文帳に追加

水の添加、回収、さらには精製など不必要なエネルギーを消費することなく、ペンタエリスリトールとジペンタエリスリトールを含有する水溶液から、晶析した後、加熱溶解するといった、簡単な操作によって、ペンタエリスリトール含有量の低いジペンタエリスリトールを高純度に分離できる方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an improve process for safely producing 4,5-diamino-1-(2'- hydroxyethyl)pyrazole and its acid addition salt by using a necessary minimum amount of an eco-friendly recoverable solvent while dispensing with the separation of many intermediates necessitating high-temperature, low-pressure distillation, crystallization and recrystallization and other expensive operations.例文帳に追加

高温、低圧蒸留、結晶化、再結晶及びその他コストのかかる操作による多くの中間体の単離を省き、環境受容性で回収可能な必要最小限の溶媒を用いて、安全に実施できる4,5-ジアミノ-1-(2’-ヒドロキシエチル)ピラゾール及びその酸付加塩の改良された製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of preparing a plastic liquid crystal cell 10 including a plastic substrate having a transparent electrode film in an amorphous state, a step of bending the plastic liquid crystal cell 10, a step of heating the plastic liquid crystal cell 10 while bending it, and a step of crystallization of the transparent electrode film in the amorphous state.例文帳に追加

アモルファス状態の透明電極膜を有するプラスチック基板を備えたプラスチック液晶セル１０を用意する工程と、プラスチック液晶セル１０を湾曲させる工程と、プラスチック液晶セル１０を湾曲させながら加熱する工程と、アモルファス状態の透明電極膜が結晶化する工程とを備えている。 - 特許庁

Set temperature of cooling water for cooling an absorber 16 and a condenser 13 is determined based on temperature allowance which is a difference between crystal temperature in absorber inlet absorbing solution concentration (temperature to achieve crystallization of the absorbing solution having the concentration) and actual absorber inlet absorbing solution temperature (at each time point during operation).例文帳に追加

吸収器１６および凝縮器１３を冷却する冷却水の設定温度を、吸収器入口吸収液濃度における結晶温度（左記濃度の吸収液が結晶する温度）と、現実の（運転中の各時点での）吸収器入口吸収液温度との差である温度余裕に基づいて定める。 - 特許庁

Impurities-including 1-mthyl N-[N-[3-(2-hydroxy-substituted phenyl)propyl]-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine derivative, in one embodiment, 1-mthyl-N-[N-[3-(2-hydroxy-4-methoxyphenyl)propyl]-L-αaspartyl]-L- phenylalanine, is subjected to the crystallization process whereby the derivative is crystallized.例文帳に追加

不純物を含み、Ｎ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル等のＮ−［Ｎ−［３−（２−ヒドロキシ−４−置換フェニル）プロピル］−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン １−メチルエステル誘導体を晶析工程に付して、当該誘導体を結晶化せしめる。 - 特許庁

After manufacturing a thin film by the thin film manufacturing method based on the CVD method for forming a film on a substrate heated to the decomposition temperature or more of raw material gas by using film formation gas consisting of the raw material gas and reaction gas, crystallization annealing processing is performed at a temperature lower than the film formation temperature of the thin film.例文帳に追加

原料ガスと反応ガスとの成膜ガスを用いて、原料ガスの分解温度以上に加熱された基板上で成膜せしめるＣＶＤ法による薄膜製造方法に従って薄膜を製造した後、さらにこの薄膜の成膜温度よりも低い温度で結晶化アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a bottle body made of a polyethylene terephthalate (PET) resin having an opening cylindrical part with a high heat resistance capable of corresponding to a high temperature to the extent of retort treatment by solving a technical problem that a method for heat crystallization treatment of the opening cylindrical part is to be created to suppress deformation at a high temperature treatment to the extent of the retort treatment.例文帳に追加

レトルト処理程度の高温処理における変形を抑制するための口筒部の熱結晶化処理方法の創出を技術的課題とし、もってレトルト処理程度の高温にも対応可能な高い耐熱性を有する口筒部を有するＰＥＴ系樹脂製壜体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The injection-molded articles are produced from a molding composition comprising (A) 20-98.8 mass% at least one polyester, (B) 1-60 mass% material selected from a group consisting of reinforcing materials and fillers, (C) 0.1-7 mass% crystallization promotor and (E) 0.1-5 mass% lubricant.例文帳に追加

（Ａ）少なくとも１種のポリエステルを２０〜９８．８質量％、（Ｂ）強化材料および充填材料からなる群から選択される材料を１〜６０質量％、（Ｃ）結晶化促進剤を０．１〜７質量％、および（Ｄ）滑剤を０．１〜５質量％を含む成形組成物から製造された射出成形品。 - 特許庁

To provide an organic EL element comprising a material for an organic EL element having a high glass-transition temperature (Tg), which readily forms a stable thin film because of poor crystallization of the molecule and has excellent characteristics such as low-voltage driving and prolonged life when used as a blue light-emitting material for an organic EL element.例文帳に追加

分子が結晶化しにくいため、安定な薄膜を形成しやすく、有機ＥＬ素子用青色発光材料として用いた場合に、低電圧駆動、長寿命化、などの優れた特性を有する、高いガラス転移温度(Ｔｇ)を示す有機ＥＬ素子用材料からなる有機ＥＬ素子を提供することである。 - 特許庁

In an expression (1), ΔHm1 is the area of crystal melting peak when differential scanning calormetry is performed by raising the temperature of the insulator from 30 to 300°C at a temperature rise rate of 10°C/min, and ΔHc1 is the area of crystallization peak.例文帳に追加

重量結晶比率指数＝（ΔＨｍ１−ΔＨｃ１）／１１９．９・・・（１）（１）式においてΔＨｍ１は、絶縁体を昇温速度１０℃／ｍｉｎで３０℃から３００℃まで温度を上昇させて示差走査熱量を測定した際の結晶融解ピークの面積であり、ΔＨｃ１は結晶化ピークの面積である。 - 特許庁

The method for producing 5-iodo-2-methylbenzoic acid comprises two steps of an iodination reaction step for iodizing 2-methylbenzoic acid under reaction conditions in which β type zeolite, acetic acid, acetic anhydride, iodine, and at least one oxidizing agent selected from iodic acid and periodic acid exist together and a refining step comprising sublimation, distillation, crystallization or a combination thereof as essential steps.例文帳に追加

β型ゼオライト、酢酸、無水酢酸、ヨウ素、及びヨウ素酸と過ヨウ素酸からなる酸化剤の少なくとも一方とが共に存在する反応条件下でヨウ素化するヨウ素化反応工程と、昇華、蒸留、晶析、又はそれらを組み合わせた精製工程の二つを必須工程とする製造方法を用いる。 - 特許庁