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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > first memoryに関連した英語例文

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first memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5590



例文

Continuity states between source terminals and drain terminals of the first and the second nonvolatile memory elements 21, 22 are made different each other (one side: OFF state, the other side: ON state), and information is stored.例文帳に追加

その第1,第2の不揮発性メモリ素子21,22のソース端子とドレイン端子間の導通状態を相異なる状態(一方をOFF状態、他方をON状態)にして情報を記憶させる。 - 特許庁

That output is delayed for one clock by an FF 14 and ORed with a first CPU clock C1 by an OR gate 15, and a second CPU clock C3 supplied to a CPU 11 and a memory 12 is fixed at the logic value 1 and is temporarily stopped.例文帳に追加

それをFF14により1クロック分遅らせ、オアゲート15で第1のCPUクロックC1との論理和をとり、CPU11及びメモリ12に供給される第2のCPUクロックC3は論理値1に固定され、一時停止する。 - 特許庁

The actuator is composed by using a shape-memory alloy, and includes a movable part which generates heat in response to energization and deforms in response to heat generation, and first and second members on which the movable part is fixed.例文帳に追加

アクチュエータは、形状記憶合金を用いて構成され、通電に応答して発熱するとともに該発熱に応じて変形する可動部と、該可動部が固定される第1および第2部材とを備える。 - 特許庁

The music data of a song is read out and reproduced from a memory unit and the performance image data of the song is read out and displayed on a first display unit of a display screen according to the progression of the music.例文帳に追加

記憶手段から楽曲の音楽データを読み出して再生し、また、楽曲の演奏画像データを読み出して、音楽の進行に応じた演奏画像を表示画面の第1の表示部に表示する。 - 特許庁

例文

A barrier metal on the sidewall in the opening of a first plug on a polysilicon plug provided above a memory cell has a film thinner than the barrier metal on the bottom face in the opening of a second plug above the peripheral circuit.例文帳に追加

メモリセル部上に設けられたポリシリコンプラグ上の第1のプラグの開口内バリアメタル側壁膜厚が、周辺回路部上の第2のプラグの開口内バリアメタル底辺膜厚より薄い。 - 特許庁


例文

The memory cell 100 comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 through a second gate insulation layer 12, impurity layers 16 and 18, and first and second sidewall-like control gates 20 and 30.例文帳に追加

メモリセル100は、半導体基板10上に第2ゲート絶縁層12を介して形成されたワードゲート14と、不純物層16,18と、サイドウォール状の第1,第2コントロールゲート20,30とを有する。 - 特許庁

Computer environmental software is stored in a storage memory of a computer environmental portable apparatus 4, when the computer environmental portable apparatus 4 is connected to a certain computer for the first time, it is automatically installed in the computer.例文帳に追加

コンピュータ環境ソフトウェアはコンピュータ環境携帯装置4の記憶メモリに保存され、コンピュータ環境携帯装置4が初めてあるコンピュータに接続された際に、該コンピュータに自動的にインストールされる。 - 特許庁

A recorded information reading circuit 21 stores file information read from the directory area of a recording medium 10 into the prescribed area of a main memory 26, and then starts the processing of the first music.例文帳に追加

記録情報読み出し回路21が記録媒体10のディレクトリ領域より読み出したファイル情報をメインメモリ26の所定領域に格納した後、第1番目の曲の処理を開始する。 - 特許庁

The input and output control part records the user data, first address, and redundant data into the recording position shown by the second address information in the nonvolatile memory as one data set.例文帳に追加

前記入出力制御部は、前記ユーザデータと前記第1アドレスと前記冗長データとを1つのデータセットとして前記不揮発性メモリにおける前記第2アドレス情報で示される記録位置に記録する。 - 特許庁

例文

A first image processing circuit that is a hardware circuit, performs RGB color interpolation processing, resizing and YCC conversion processing on a read image signal and it is then temporarily stored in an internal memory (S32, S34).例文帳に追加

読み出された画像信号は、ハードウェア回路である第一画像処理回路によりRGB色補間処理、リサイズ、YCC変換処理が施された後、内部メモリに一時記憶される(S32、S34)。 - 特許庁

例文

When a first pressing plate 58 made of a shape-memory alloy, a base end part of an arm 44 is pressed by a shape restoration operation of the pressing plate 58 and the lock claw 54 is evacuated from the through-hole 56.例文帳に追加

ロック爪54は、形状記憶合金製の第1押圧板58を加熱すると、その第1押圧板58の形状復帰動作でアーム44の基端部が押され、貫通穴56から退避する。 - 特許庁

Also, when the first image capturing is performed after the fresh data of a patient is input or a count of pages of the image recording is reset the image data saved in the image saving memory is eliminated.例文帳に追加

また、新たな患者データが入力された後、又は画像記録枚数のカウントがリセットされた後の1回目の画像取込み時にも、画像保存用メモリに保存されている画像データを消去する。 - 特許庁

When the information processor is terminated abnormally and then started up, the initialization means writes dirty data stored in the cache area in the volatile memory onto the first external storage.例文帳に追加

初期化手段は前記情報処理装置が異常終了した後に起動されたとき、前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納されたダーティデータを前記第1外部記憶装置に書き込む。 - 特許庁

In an image forming apparatus 1, a CPU 110 stores in an inter-drum delay memory section 320 check data produced through a first image processing circuit 310a to an Nth image processing circuit 310n.例文帳に追加

画像形成装置1において、CPU110は、第1画像処理回路310a〜第N画像処理回路310nを介して生成した検査データを、ドラム間遅延メモリ部320に記憶する。 - 特許庁

A memory 7 stores therein one of a first flag indicating that an authentication operation of the authentication/decryption unit 2 is enabled and a second flag indicating that an authentication operation of the authentication/decryption unit 2 is disabled.例文帳に追加

メモリ7は、認証・復号部2における認証動作を有効とすることを示す第1のフラグと、認証動作を無効とすることを示す第2のフラグとのいずれかのフラグを記憶する。 - 特許庁

A memory control & selector 103 divides image data into a plurality of image blocks, and distributes each image block to a first compression/decompression circuit 105-1 to Nth compression/decompression circuit 105-N.例文帳に追加

メモリ管理&セレクタ103は画像データを複数の画像ブロックに分割し、各画像ブロックを第1圧縮伸張回路105−1から第N圧縮伸張回路105−Nに振り分ける。 - 特許庁

In the memory cell, the width D3 of an active region 140 is limited to be smaller than one of widths D1 and D2 of either of the first layer and the second layer.例文帳に追加

上記メモリセルにおいて、上記相変化材料は、アクティブ領域140の幅D3が、上記第1の層および上記第2の層のいずれかの幅D1、D2の1つより小さく限定されている。 - 特許庁

The RFID tag 1 comprises a first signal processing circuit 22 compliant with ISO 15693, a second signal processing circuit 24 compliant with ISO 14443, and a memory 40 divided into a plurality of banks.例文帳に追加

RFIDタグ1は、ISO15693に準拠した第1信号処理回路22と、ISO14443に準拠した第2信号処理回路24と、複数のバンクに分割されたメモリ40を備える。 - 特許庁

A multiplexer 9 multiplexes two strings of encoding data A and B from a first accumulation memory 4 and encoding data from the video encoder 3, both of which are temporarily stored in the buffer memories 7 and 8.例文帳に追加

多重化器9は、バッファメモリ7及び8にそれぞれ一時記憶されている第1の蓄積メモリ4からの2つの符号化データA及びBと、ビデオ符号化器3からの符号化データとを多重化する。 - 特許庁

A first insulating layer is formed on the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor memory element provided with a connection terminal and a peripheral circuit element are formed, and a hole reaching the connection terminal is formed from the surface.例文帳に追加

接続端子を有する半導体メモリ素子と周辺回路素子とを形成した半導体基板表面上に第1の絶縁層を形成し、表面から接続端子に達する孔を形成する。 - 特許庁

The reference current generating circuit G5 outputs a second reference current for reading out second bit data from the memory cell MC in accordance with the first bit data outputted from the latch circuit G4.例文帳に追加

基準電流生成回路G5は、ラッチ回路G4から出力される第1のビットデータに応じて、メモリセルMCから第2のビットデータを読み出すための第2の基準電流を出力する。 - 特許庁

In the copying operation of the first page, data read by the reading means is converted into recording data and stored in an accumulation buffer, the color component of the read data is checked and the information of the color component is held in memory.例文帳に追加

最初のページのコピー動作を、読取手段で読取ったデータを記録データに変換して蓄積バッファに格納すると共に、読取ったデータの色成分を調べてその情報をメモリに保持する。 - 特許庁

The first agent for forming two bath type shape-memory permanent wave comprises an organic solvent-soluble silicone, a nonionic surfactant and a keratin having20,000 average molecular weight and optionally further comprises a reducing agent.例文帳に追加

可溶性有機溶媒ケイ素と非イオン界面活性剤と平均分子量20,000以下のケラチンを含有する或いは更に還元剤を含有する二浴式形状記憶ウェーブ形成用1剤。 - 特許庁

This apparatus is provided with a pair of memory sub-array, and a control signal generating circuit outputting first and second refresh start signals in order within an operation time of an external refresh command responding to an internal refresh command.例文帳に追加

1対のメモリサブアレイと、内部リフレッシュコマンドに応答して、外部リフレッシュコマンドの動作時間内に第1と第2のリフレッシュ起動信号を順番に出力する制御信号生成回路とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolated insulating film 4 buried in the semiconductor substrate 1, a gate insulating film 2 of a cell part isolated from the element isolated insulating film 4, and a first conductive layer 3.例文帳に追加

半導体基板1と、半導体基板1に埋め込まれた素子分離絶縁膜4と、素子分離絶縁膜4により分離されたセル部ゲート絶縁膜2、第一導電層3を備える。 - 特許庁

When analyzing a sample, before introducing each sample into the detection cell 12, first of all, a frequency (frequency before measurement) f0 corresponding to the same set current is stored similarly in the memory 21.例文帳に追加

試料を分析する際は、各試料を検出セル12に導入する前に、まず、同じ設定電流に対応する周波数(測定前周波数)f0を同様にメモリ21に記憶させておく。 - 特許庁

The digital video recorder is capable of recording data on a selected one of a first recording medium (optical disk 1) and a second recording medium (fixed memory device 5).例文帳に追加

本発明のデジタルビデオレコーダは、第1記録媒体(光ディスク1)および第2記録媒体(固定記憶デバイス5)のうちの選択された記録媒体にデータを記録することができるデジタルビデオレコーダである。 - 特許庁

In a first large size tape cartridge C1 having a large size in the height, a placing part 32 is provided in the raised bottom condition on the internal bottom surface of the body case 1, and a memory element 25 is placed on this placing part 32.例文帳に追加

高さ寸法の大きい第1の大型テープカートリッジC1においては、その本体ケース1の内底面上に載置部32を底上げ状に設け、この載置部32上にメモリ素子25を載置する。 - 特許庁

In this processing, first of all, a bar code standard name is read from a bar code parameter memory (S60), prescribed time is set to a software timer, the indication thereof is started (S61) and the bar code standard name is displayed on a display (S62).例文帳に追加

この処理においては、先ず、バーコードパラメータメモリからバーコード規格名が読込まれ、(S60)、ソフトタイマーに所定時間がセットされてその掲示が開始され(S61)、バーコード規格名がディスプレイに表示される(S62)。 - 特許庁

The second displacement member 37 has a stopper 37a blocking the turn of the first displacement member 32, and the second displacement member 37 is moved to a blocking position and locked after the memory card 21 is loaded.例文帳に追加

第2変位部材37は、第1変位部材32の回動を阻止するストッパ37aを備えており、メモリーカード21が装填された後は、第2変位部材37が阻止位置に移動されてロックされる。 - 特許庁

The amount of drive of the first motor 34 and the second motor 35 are computed by an amount of drive computing section 74 based on the information read out of a seat position memory section 72 in response to the car speed of the motorcycle.例文帳に追加

第1モータ34と第2モータ35の駆動量は自動二輪車の車速に応じて座席位置記憶部72から読み出される情報に基づいて駆動量計算部74で計算される。 - 特許庁

When it is determined whether or not an external storage device 105 connected to a first computer 1001 is readable/writable and it is determined that it is not readable/writable (S1102), identification information about the external storage device 105 is written to a nonvolatile memory (S1103).例文帳に追加

第1の電子計算機1001に接続された外部ストレージデバイス105が読み書き可能かどうかを判断し、不可能と判断されると(S1102)、不揮発性メモリに外部ストレージデバイス105の識別情報を書き込む(S1103)。 - 特許庁

A reference image registration part 40 stores a first subject image by filter switching in a nonvolatile memory 36 beforehand as a reference image the imaging control part 42 when a registration mode is set.例文帳に追加

基準画像登録部40は、登録モードの設定時に、撮像制御部42によりフィルタ切替による第1被写体画像を基準画像として不揮発メモリ36に予め格納している。 - 特許庁

Next the MPU 51 shifts the frequencies f_Lo1 and f_Lo2 of the first and second synthesizers 31 and 32 simultaneously by the same frequency and stores a spurious content level output from the comparator 43, into the memory 52.例文帳に追加

次に、MPU51は、第1及び第2のシンセサイザ31、32の周波数f_Lo1、f_Lo2を、同時に同一周波数だけずらし、比較器43が出力するスプリアス含有レベルをメモリ52に記憶する。 - 特許庁

A selecting means 5 selects an output of a first memory means 2 in motion image photographing and an output for an IP conversion means 4 in still image photographing respectively, and inputs the selected images into a camera signal selecting means 6.例文帳に追加

選択手段5は、動画撮影時は第1のメモリ手段2の出力を、静止画撮影時はIP変換手段4の出力を、それぞれ選択してカメラ信号処理手段6に入力する。 - 特許庁

A thermal assist layer may be incorporated into the memory element to enhance localized heating of the storage layer to aid in the transition of the first region from parallel to antiparallel magnetic orientation during a write operation.例文帳に追加

書込動作中の第1の領域の平行から反平行への磁気配向の遷移を助けるように記憶層の局所的加熱を向上させるために、メモリ素子に熱アシスト層を組み込んでもよい。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric memory comprises a step of forming the moisture diffusion preventive film formed on at least the first interlayer film.例文帳に追加

また、上記強誘電体メモリを製造する方法であって、少なくとも第1層間膜上に、水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法である。 - 特許庁

Compressed data of a first field and compressed data of a second field stored in a local memory 85 are alternately read out, for example, by the 16 lines and are subjected to decompression processing at a codec 87.例文帳に追加

ローカルメモリ85に記憶された第一フィールドの圧縮データと第二フィールドの圧縮データは、例えば16ライン単位で交互に読み出され、コーデック87において伸張処理が施される。 - 特許庁

A holding memory part 502 not only memorizes the game ball winning a first start pocket as a special 1-holding ball but also memorizes the game ball winning a second start pocket as a special 2-holding ball.例文帳に追加

保留記憶部502は、第1始動口に入賞した遊技球を特1保留球として記憶するとともに、第2始動口に入賞した遊技球を特2保留球として記憶する。 - 特許庁

The data retention time can be prolonged by reducing leak current at the memory cell MC by properly setting the first and second potentials VBLP and VBLR, so that an average consumption current for the data retention can be reduced.例文帳に追加

第1の電位VBLP及び第2の電位VBLRを適切に設定することにより、メモリセルMCのリーク電流を抑え、情報保持時間を長くして消費電流を低減可能となる。 - 特許庁

The second memory cell block includes: a plurality of third wiring lines LL3 provided on extensions of the first wiring lines; and a plurality of fourth wiring lines LL4 provided on extensions of the second wiring lines.例文帳に追加

第2メモリセルブロックは、第1配線の延長線上に設けられた複数の第3配線LL3と、第2配線の延長線上に設けられた複数の第4配線LL4と、を有する。 - 特許庁

The continuous data save trigger can be started, and data is stored in the memory within the device as continuous data save without any interruption from the first data save when a new data save trigger is started during data save.例文帳に追加

連続したデータセーブトリガを起動可能とし、データセーブ中に新たなデータセーブトリガが起動した場合は、最初のデータセーブから途切れる事のない連続したデータセーブとして装置内メモリにデータを保存する。 - 特許庁

An internal voltage adjusting circuit 100 of the semiconductor memory device performs processing in first to third periods that is obtained by dividing a period from power on to deactivation of a RESETB (reset bar) signal.例文帳に追加

半導体記憶装置の内部電圧調整回路100は、電源が投入されてからRESETB信号が非活性化されるまでの期間を第1〜第3期間に分けて処理する。 - 特許庁

Before performing the first writing, reading of data from the plurality of memory cells MCs is performed, the read data is stored in the sense amplifier 13, and the data stored in the sense amplifier 13 is overwritten depending on the writing data.例文帳に追加

第1の書き込みを行う前に、複数のメモリセルMCからデータの読み出しを行い、読み出したデータをセンスアンプ13に保持し、書き込みデータに応じてセンスアンプ13が保持するデータを上書きする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2.例文帳に追加

半導体基板1S上に、第1電位障壁膜EB1と電荷蓄積膜ECと第2電位障壁膜EB2からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極MGが形成されている。 - 特許庁

A gate insulation film 18 of the pixel TFT is composed of a tunnel insulation film (a first insulation film) 35 of the non-volatile memory and a second insulation film 37 having larger film thickness than that of the tunnel insulation film 35.例文帳に追加

画素TFTのゲート絶縁膜18を不揮発性メモリのトンネル絶縁膜(第1の絶縁膜)35と、トンネル絶縁膜35よりも膜厚の大きい第2の絶縁膜37によって構成する。 - 特許庁

Then, the output circuit outputs data from the plurality of blocks, first data transmitted fastest from the memory block, in fixed order in synchronization with both edges of a clock.例文帳に追加

上記出力回路は、上記複数メモリブロックのうち最も速くデータが伝えられるメモリブロックからのデータを最初にして上記クロックの両エッジに同期して上記固定順序でシリアルに出力させる。 - 特許庁

The server 18 first determines the characteristics of the mobile telephone 10 such as receiver memory capacity, display size, receiver color depth, receiver program availability and receiver display resolution.例文帳に追加

サーバ(18)は最初に、受信機のメモリ容量やディスプレイのサイズ、受信機の色深度、受信機のプログラムの利用可能性、受信機のディスプレイの解像度等の移動電話(10)の特徴を決定する。 - 特許庁

The compressed record data is stored in an FIFO memory 425 from the data transfer control block 424 through a first dedicated bus IB1 and transferred to a DECU 41 through a second dedicated bus IB2.例文帳に追加

圧縮記録データは、データ転送制御ブロック424から第1の専用バスIB1を介してFIFOメモリ425へ格納され、DECU41へ第2の専用バスIB2を介して転送される。 - 特許庁

例文

The cache processing which a cache processing part performs first searches whether or not there is a requested tag on a cache memory using each index table and a tag table in a step 101 in search processing P1.例文帳に追加

キャッシュ処理部がおこなうキャッシュ処理は、まず、サーチ処理P1で、ステップ101にて各インデックス表とタグ表とを用いてキャッシュメモリ上に要求されたタグがあるかどうかのサーチをおこなう。 - 特許庁




  
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