「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

An unused page management table 32, which manages corresponding chips and blocks 21 of a flash memory 20 for each number of the pages 22 concerned, is prepared, and garbage collection processing is made in a descending order by using the unused page management table 32, from the block 21 of a chip, having larger unused pages 22.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０の未使用ページ２２の数ごとに該当するチップおよびブロック２１を管理できる未使用ページ管理テーブル３２を設け、当該未使用ページ管理テーブル３２により未使用ページ２２の数が多いチップのブロック２１からガベージコレクション処理を行うようにした。 - 特許庁

A number of times of rewriting recording region 13 recording the number of times of rewriting in a data storing region of a flash memory is provided, the number of data previously decided setting an address of data of high ('1') of 1 bit corresponding to one time of rewriting is stored in the number of times of rewriting recording region 13.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ格納領域中に書換え回数を記録する書換え回数記録領域13を設け、同書換え回数記録領域13に、書換え１回と対応させた１ビットのハイ（「１」）のデータをアドレス設定して予め定めたデータ数記憶しておく。 - 特許庁

This controller 100 of a sewing machine is provided with flash memories 12 and 22 for storing various programs for executing control by control means(for example, CPU 11 and 21) for controlling a control object means such as a motor 14 or a control panel 24 and a memory card 3 for storing a program for rewriting.例文帳に追加

モータ１４や操作パネル２４などの制御対象手段の制御を行う制御手段（例えば、ＣＰＵ１１、２１）による制御を実行するための各種のプログラムを記憶するフラッシュメモリ１２、２２と、書換用のプログラムを記憶するメモリカード３と、を備えるミシンの制御装置１００である。 - 特許庁

Code patterns are registered in a code book storage part 604 beforehand by sorting them in order of power, and a fixed parameter presenting a size of code pattern selection range (a value recordable by an analog flash memory 603 or less) and a fluctuation parameter presenting an offset value from the code book starting end in the selection range are prepared.例文帳に追加

コードブック格納部６０４にコードパタンをパワー順にソートして登録しておき、コードパタンの選択範囲の大きさ（アナログフラッシュメモリ６０３で記録できる値以下）を示す固定パラメータと、この選択範囲のコードブック始端からのオフセット量を示す変動パラメータを用意する。 - 特許庁

In the memory control device, a logical address (log) assigned to a physical block and a physical address (next_p) of the physical block to which the logical address (log+1) next to the logical address (log) is assigned are stored in a redundant region of the page 1 in each physical block in a flash EEPROM 12.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ１２内の各物理ブロック内のページ１の冗長領域には、当該物理ブロックに割り当てられた論理アドレス（ｌｏｇ）と、当該論理アドレス（ｌｏｇ）の次の論理アドレス（ｌｏｇ＋１）が割り当てられている物理ブロックの物理アドレス（ｎｅｘｔ＿ｐ）とが格納されている。 - 特許庁

Then in the case of booting the receiver 1, the receiver 1 selects the program guide in a booted time zone among the program guides stored in the flash memory 16 and outputs the selected program guide as a boot picture until a control program is loaded and the system is started.例文帳に追加

そして、装置１のブートの際、フラッシュメモリ１６に記憶されている番組表の中からブートされる時間帯における番組表を選択し、この選択された番組表を、制御プログラムがロードされてシステムが起動されるまでの間、ブート画面として出力する。 - 特許庁

The flash memory device preserves the program voltage of a first high-voltage line during the previous program operation to a second high-voltage line connected to a second mat during a readout operation, and reutilizes it to generate the program voltage of the first high-voltage line during the next program operation.例文帳に追加

以前プログラム動作時に第１高電圧ラインのプログラム電圧を、読み出し動作の間に第２マットと連結される第２高電圧ラインに保存して、次のプログラム動作時に、第１高電圧ラインのプログラム電圧の発生のために再活用するフラッシュメモリ装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which supplies a voltage higher than a voltage from the outside with a low power consumption to semiconductor circuits of a flash memory or the like, and also is arranged so that the voltage to be supplied to the semiconductor circuit does not fluctuate even if the operating state is changed over.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体回路に対して、外部から供給される電圧よりも高電圧の電圧を低消費電力で供給でき、かつ、動作状態が切り替わっても半導体回路に供給される電圧が変動しないようにした半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that data capacitance is great and a long time is required for writing in a case where a data communication transmission rate between devices is low, or the like since write data from an external device are received by a video signal receiving apparatus via a data communication line conventionally and written into a flash memory by an internal CPU.例文帳に追加

従来は外部装置からの書込みデータを映像信号受信装置がデータ通信線を介して受信し、内部のＣＰＵによりフラッシュメモリに書き込むようにしているため、データ容量が大きく、装置間のデータ通信伝送速度が低い場合などは書込みに長時間を要する。 - 特許庁

A state machine 106 for managing the internal state transition reports, when an unauthorized command is received, it to a CPU 101 by use of an interruption signal line 103, whereby unauthorized writing to a flash memory 107 can be detected, and correction of a trouble of software can be facilitated.例文帳に追加

内部での状態遷移を管理するステートマシン１０６が、不正なコマンドを受け付けた際に、割込信号線１０３を使用してＣＰＵ１０１に通知することにより、フラッシュメモリ１０７への不正な書き込みの検出が可能となり、ソフトウエアの不具合の修正が容易になる。 - 特許庁

To obtain a fixed-point observation apparatus which can be installed at any location and can record picked-up images on a removable recording medium, such as a flash memory card, modem card, optical disk, etc., so that the images may be viewed as necessary by loading the recording medium in the monitor, etc., in an office, etc.例文帳に追加

本発明はどんな場所にでも設置することができるとともに、取り込んだ画像を着脱可能なフラッシュメモリカード、モデムカード、光ディスク等の記録媒体に記録して、必要時この記録媒体を事務所等のモニターで見ることができる定点観測装置を得るにある。 - 特許庁

Based on a trimming range specified by a user, trimming image data is generated from image data in the extracted quadrilateral profile and subjected to trapezoidal/barrel distortion correction processing and fading correction processing before being recorded in a flash memory 13.例文帳に追加

そして、ユーザによって指定されたトリミング範囲に基づいて、該抽出した四辺形輪郭内の画像データからトリミング画像データを生成し、該生成されたトリミング画像データに上記した台形・樽型歪補正処理、退色補正処理を施してフラッシュメモリ１３に記録する。 - 特許庁

While the data transmission from the router 20 is stopped, the configuration controller reads the configuration data upgraded from a flash memory and transfers the data to the programmable logic circuit (FPGA) after all data stored in a buffer of the programmable logic circuit (FPGA) are sent out.例文帳に追加

ルータ２０からのデータの送信が停止している間、コンフィグレーションコントロール部は、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）のバッファに蓄えられている全てのデータを送出させた後、フラッシュメモリからアップグレードされたコンフィグレーションデータを読み出して、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）に転送する。 - 特許庁

This microcomputer comprises a fixed oscillating circuit 130 for outputting a clock signal with fixed frequency for generating a writing clock signal for writing data to the flash memory 100, to an external main oscillating circuit 120 for outputting a clock signal for operating the microcomputer.例文帳に追加

マイコンを動作させるためのクロック信号を出力する外付けのメイン発振回路１２０に対し、フラッシュメモリ１００にデータを書き込むための書き込みクロック信号を生成するための周波数が固定されたクロック信号を出力する固定発振回路１３０を備える。 - 特許庁

To smoothly succeed decoding processing from a plurality of syndrome calculation circuits to an error correction circuit when decoding data read out from a flash memory by using the plurality of syndrome calculation circuits arranged in each channel and one error correction circuit to be used with the plurality of syndrome calculation circuits.例文帳に追加

チャンネル毎に設けられた複数個のシンドローム計算回路と共用される1個の誤り訂正回路を用いてフラッシュメモリから読み出されたデータを復号化するときに、複数個のシンドローム計算回路から誤り訂正回路への復号化処理の引継ぎを円滑に行うこと。 - 特許庁

This flash memory comprises a floating gate electrode 3, the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5 provided on the floating gate electrode 3 whose minimum film thickness being ≥5 nm, and a control gate electrode 4 provided on the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5.例文帳に追加

フラッシュメモリは、フローティングゲート電極３と、フローティングゲート電極３上に設けられ、最小膜厚が５ｎｍ以上である膜厚分布を有する多結晶のゲート電極間絶縁膜５と、多結晶のゲート電極間絶縁膜５上に設けられたコントロールゲート電極４とを具備している。 - 特許庁

Thereby, large waveform data can be dealt with without causing performance degradation by avoiding the problem that the loading waiting time increases and use efficiency of a sound generating resource (a sound generating channel) decreases, as the waveform data stored in the flash memory become larger.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリに格納する波形データの大容量化に伴ってロード待ち時間が増大して発音資源（発音チャンネル）の使用効率が低下するという弊害を回避する結果、性能劣化を引き起こすことなく波形データの大容量化に対応することが出来る。 - 特許庁

When the data storage area in the flash memory 4 is rewritten, the masked ROM 5 is mapped and in other cases, the masked ROM 5 is not mapped to facilitate the rewriting of the data storage area and disable the program storage area to be rewritten.例文帳に追加

フラッシュメモリ４内のデータ記憶領域を書き換える場合にマスクＲＯＭ５がマッピングされるようにし、その他の場合はマスクＲＯＭ５がマッピングされないようにすることにより、データ記憶領域の書き換えを容易にし、プログラム記憶領域が書き換えられないようにすることができる。 - 特許庁

When an exclusive card is installed into a card slot 200 in order to set an exclusive mode, a micon for controlling 30 accommodates a set information read in from the exclusive card to a flash memory 32 and is set so that a printer body 100 can be operated only in the exclusive mode at the same time.例文帳に追加

カードスロット２００に、専用モードを設定するための専用カードが装着された場合に、制御用マイコン３０は、フラッシュメモリ３２に当該専用カードから読み込んだ設定情報を格納すると共に、プリンタ本体１００を専用モードでのみ動作するように設定する。 - 特許庁

The data management apparatus used for the flash memory includes an operation determination part which determines operations required for performing the data operation requested by a user program, an operation registration part with which an operation list including the operations determined is registered and an operation processing part which performs the data operation through the registered work.例文帳に追加

ユーザープログラムを通じて要請されたデータ演算に必要な作業を判断する作業判断部と、判断された作業のリストが登録される作業登録部と、登録された作業を通じてデータ演算を行う作業処理部と、を含むフラッシュメモリのデータ管理装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。 - 特許庁

When the comparison part 8b detects matching of the counted value and the counted value of the second counter 8a an address information calculation part 5 inputs address information in the buffer 3 of the compression frame specified by the counted value from an address detection part 8c and calculates the address information on a flash memory 11 of the specified frame.例文帳に追加

比較部8bがそのカウント値と第二のカウンタ8aのカウント値との一致を検出した時、アドレス情報算出部5は、そのカウント値で特定される圧縮フレームのバッファ3でのアドレス情報をアドレス検出部8cから入力し、その特定フレームのフラッシュメモリ11上のアドレス情報を算出する。 - 特許庁

A plurality of DSP (digital signal processors) 1-2, a bus protocol conversion function part 3 connecting data buses of various protocols, and a flash ROM 5 are connected to a data bus 11, and an external storage device 4 including a volatile memory is connected to the bus protocol conversion function part 3 to constitute a DSP card 13.例文帳に追加

複数のＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）１〜２と、種々のプロトコルのデータバスを接続するバスプロトコル変換機能部３と、フラッシュＲＯＭ５がデータバス１１に接続され、揮発性のメモリからなる外部記憶装置４が、バスプロトコル変換機能部３に接続されてDSPカード１３を構成している。 - 特許庁

The control circuit 420 includes a receiving signal processing circuit 422 to acquire an information included in the signal from the receiving circuit 410 and an optical ID signal generating circuit 424 to generate an identification information based on the acquired information and the data stored in the flash memory 430.例文帳に追加

制御回路４２０は、受信回路４１０からの信号に含まれる情報を取得する受信信号処理回路４２２と、取得された情報とフラッシュメモリ４３０に格納されているデータとに基づいて識別情報を生成する光ＩＤ信号生成回路４２４とを含む。 - 特許庁

The mobile communication terminal stores a music file in a storage unit such as a flash memory 114 or the like in the form shown by a dotted line section 207, and converts the file into music data (a dotted line section 205) for outputting by using a converter contained in a controller 112 when the file after arranging is reproduced.例文帳に追加

音楽ファイルを点線部２０７に示す形でフラッシュメモリ１１４等の記憶装置に保存し、アレンジ後の音楽ファイルを再生するときには制御部１１２に内蔵されている変換コンバータを用いて出力用の音楽データ（点線部２０５）に変換する。 - 特許庁

To provide an automatic generating method for a LSI test pattern program which can generate automatically a test pattern program easily when capacity, the number of I/O, and the like are changed, its device, and a LSI test method, in a semiconductor memory such as a DRAM, a SRAM, a FLASH, or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＳＲＡＭやＦＬＡＳＨなどの半導体メモリにおいて、容量やＩ／Ｏ数などが変更されたとき容易にテストパターンプログラムを自動生成できるようにしたＬＳＩテストパターンプログラム自動生成方法およびその装置並びにＬＳＩテスト方法を提供することにある。 - 特許庁

To perform a WL control including a PB, in which data low in rewriting frequency are stored, only when the deviation of an erasure count in a plurality of physical blocks (PB) configuring a flash memory becomes large without setting a ware leveling (WL) control system by a user.例文帳に追加

ユーザがウェアー・レベリング（ＷＬ）制御方式の設定を行う必要がなく、フラッシュメモリを構成する複数個の物理ブロック（ＰＢ）において消去回数の偏りが大きくなったときにだけ、書き換え頻度が低いデータが格納されているＰＢを含めたＷＬ制御が行われるようにする。 - 特許庁

Therefore, in the flash memory device, since a CLE signal, a ALE signal, an RE signal and a WE signal are not necessary, advantages of easy control of an internal circuit, decrease in probability of skew within a chip, improvement in performance and decrease in the number of pins are obtained.例文帳に追加

したがって、前記フラッシュメモリ装置では、ＣＬＥ信号、ＡＬＥ信号、ＲＥ信号及びＷＥ信号が必要ないため、内部回路に対する制御が簡単になり、チップ内部でスキューが発生する可能性が減り、性能が向上し、且つピン数が減るという利点がある。 - 特許庁

An image data memory area 8a in a compact flash (R) 8 stores in advance image data of a mark image being attached data to be attached to image data to be transmitted, and a first composite data registration table 8b stores in advance conditions by each destination for composing the attached data.例文帳に追加

送信すべき画像データに付加すべき付加データであるマーク画像の画像データをコンパクトフラッシュ（登録商標）８内の画像データメモリ領域８ａに予め格納し、付加データを合成するときの宛先毎の条件を第１の合成データ登録テーブル８ｂに予め格納しておく。 - 特許庁

A control part 15 makes a data evacuated into a flash memory 16 when the sensor 13 is brought into a detecting condition and when the data required to be held exists in a RAM 17, and turns a switching circuit 18 on for the first time at a point of time when the evacuation is finished, to electrify the discharge member 10.例文帳に追加

制御部１５は、センサ１３が検出状態となったときに、ＲＡＭ１７中に保持が必要なデータが存在する場合には、そのデータをフラッシュメモリ１６に退避させると共に、その退避が完了した時点で初めてスイッチング回路１８をオンして排出部材１０に通電する。 - 特許庁

A correction function showing a relation between the duty ratio of a drive signal of a VCM 25x which is obtained by fixing a shake correcting lens 11 by the use of a correcting lens fixing device 13, and the voltage level of an output signal of a Hall element 24x is stored in a flash memory 18.例文帳に追加

補正レンズ固定装置１３を用いてブレ補正レンズ１１を固定することにより取得される、ＶＣＭ２５ｘの駆動信号のデューティ比とホール素子２４ｘの出力信号の電圧レベルとの関係を表す補正関数が、フラッシュメモリ１８に記憶されている。 - 特許庁

The data management system includes a file system module which stores first data in a flash memory in units blocks, and a filter layer module which receives second data from the file system module and stores the second data in a PRAM in units sub-blocks.例文帳に追加

本発明の一特徴によるデータ管理システムは、フラッシュメモリ（ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ）においてブロック単位で第１データを保存するファイルシステムモジュールと、該ファイルシステムモジュールから第２データを受信し、サブブロック単位でＰＲＡＭに第２データを保存するフィルタレイヤーモジュールと、を備える。 - 特許庁

An electrification range of the heating resistor 7 is set by a control part on the basis of both distance data of the width direction B from a resistor position reference 53 of the heating resistor 7 to the measurement reference 52 of the thermal head position detecting part 51 that is preliminarily stored in a flash memory, and the position detection data.例文帳に追加

あらかじめフラッシュメモリに記憶されている、発熱抵抗体７の抵抗体位置基準５３からサーマルヘッド位置検知部５１の測定基準５２までの幅方向Ｂの距離データと、位置検出データとに基づいて、制御部にて発熱抵抗体７の通電範囲を設定する。 - 特許庁

To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.例文帳に追加

高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, corruption of the data to be written in the flash memory 100 is prevented by interrupting the writing when it is judged that the writing can not be completed by the charged voltage by the capacitors 80, 81, and by restarting the writing from an interrupted place when power of the battery 10 is restored.例文帳に追加

一方コンデンサ８０、８１の充電電圧では書き込みが完了できないと判断したときは、書き込みを中断し、バッテリ１０が回復したときは、中断したところから書き込みを再開することにより、フラッシュメモリ１００へ書き込まれるデータの破壊を防止することができる。 - 特許庁

When the power supply ability of a power source 40 is down to no more record pictures on a magnetic tape 110, the pictures are recorded in a compact flash (registered trademark) memory 120 and, if the power supply ability of the power source 40 is more down, the pictures are recorded in an EEPROM 32.例文帳に追加

電源４０の電力供給能力が低下して磁気テープ１１０に対する画像の記録ができなくなったら、コンパクトフラッシュ（登録商標）メモリ１２０に画像を記録し、電源４０の電力供給能力が更に低下したら、ＥＥＰＲＯＭ３２に画像を記録する。 - 特許庁

A voltage adjusting circuit 11 adjusts a voltage which is higher between a power supply voltage (Vin) to be supplied from the outside and a charging voltage (C2 voltage) to be charged in a capacitor C2 by the power supply voltage (Vin) to an operating voltage to be supplied to a flash memory system, and outputs it.例文帳に追加

電圧調整回路１１は、外部から供給される電源電圧（Ｖｉｎ）とこの電源電圧（Ｖｉｎ）によってコンデンサＣ２に充電される充電電圧（Ｃ２電圧）のいずれか高い方の電圧をフラッシュメモリシステムに供給する動作電圧に調整して出力する。 - 特許庁

The flash memory system comprises a sector determination circuit 13 which detects a sector of unwritten status out of a plurality of sectors (0)-(3) when receiving a write command from a microprocessor 1, and writes data received from the outside in an unwritten status sector when the sector determination circuit 13 detects the sector of unwritten status.例文帳に追加

マイクロプロセッサ１から書込コマンドを受信すると、複数のセクタ（０）〜（３）の中から未書込状態のセクタを検出するセクタ判定回路１３を設け、そのセクタ判定回路１３が未書込状態のセクタを検出すると、外部から受信したデータを当該セクタに書き込むようにする。 - 特許庁

The low order device 4 is provided with a TS separating/synchronizing circuit 41 for extracting the program data downloaded through the high order device 3 from the specified TS number in the control 104, and a flash memory 42 for storing the program data extracted by the TS separating/synchronizing circuit 41.例文帳に追加

下位装置４は上位装置３を通してダウンロードされたプログラムデータを指定された通信路１０４上のＴＳ番号から抽出するＴＳ分離／合成回路４１と、ＴＳ分離／合成回路４１で抽出されたプログラムデータを保存するフラッシュメモリ４２とを備えている。 - 特許庁

A flash memory 50 is provided beforehand with: boot program areas 51 to 53 in which a plurality of boot programs are stored so that each of the programs can be individually read; and a flag area 54 in which a flag for selecting a latest boot program out of the plurality of boot programs is stored.例文帳に追加

フラッシュメモリ５０には、複数のブートプログラムがそれぞれ個別に読み出し可能に記憶されるブートプログラム領域５１〜５３と、これら複数のブートプログラムのうちの最新のブートプログラムを選択するためのフラグが記憶されるフラグ領域５４とが予め設けられている。 - 特許庁

In a digital camera 1, a CPU first reads out selected panorama picture data from a flash memory to store it in a VRAM when reproducing and display of a panorama picture is selected by depression of a '+' key 17a or a '-' key 17b after designation of the reproducing mode.例文帳に追加

デジタルカメラ１において、ＣＰＵ３６は、再生モードが指定された後、「＋」キー１７ａ、あるいは「−」キー１７ｂが押圧操作されることによりパノラマ画像が再生表示選択されると、先ずフラッシュメモリ３１から選択されたパノラマ画像データを読み出し、ＶＲＡＭ２６に格納する。 - 特許庁

A cap body 20 is allowed to cover the connector (not shown) of the USB flash memory from the left side in figure, a hook 50 is rotated counterclockwise by a cam rotated along with a cylinder 30 disposed in the cap body 20 and a tip locking nib 52 is inserted into the locking hole of the connector, thus preventing the cap from being pulled out.例文帳に追加

図の左側からキャップ本体２０をＵＳＢフラッシュメモリーのコネクタ（図示せず）にかぶせ、キャップ本体２０に介装したシリンダ３０とともに回動するカムによってフック５０を反時計方向に回動させて先端の係止爪５２をコネクタの係止孔に入れ、キャップを抜けなくする。 - 特許庁

The NOR flash memory reading method is used in an embedded Linux operating system to verify cyclic redundancy check values, and then determine whether repeated readout of journaling file system data is continued, based on a threshold of the number of repeated readout operations set for a counter in advance.例文帳に追加

本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 - 特許庁

If the slide member 1 is slid manually via an operating part 1b, a main power supply switch 3 turns on a main power supply of the digital camera, and at the same time, a lower end part 2b of the locking member 2 is inserted into a notch 20a of a small flash memory card 20 to lock the card 20.例文帳に追加

スライド部材１が操作部１ｂを介して手動でスライドされると、主電源スイッチ３がデジタルカメラの主電源を投入すると同時に、ロック部材２の下端部２ｂが小型フラッシュメモリーカード２０の切欠２０ａに填まり込んで当該カード２０をロックする。 - 特許庁