「flash process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In a NAND flash memory, in particular, a first bit error which has occurred in the data reading process of a source page during a copyback operation is detected.例文帳に追加

特にＮＡＮＤフラッシュメモリ装置において、コピーバック動作時ソースページのデータを読み取る過程で発生した第１のビットのエラーを検出できる。 - 特許庁

Capacitance elements (C1, C2) are connected with storage nodes (SN, /SN), by utilizing a process for fabricating the floating gate (FG) and the control gate (CG) of a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのフローティングゲート（ＦＧ）およびコントロールゲート（ＣＧ）を製造する工程を利用して、容量素子（Ｃ１，Ｃ２）を、記憶ノード（ＳＮ，／ＳＮ）に接続する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY REWRITING OF FLASH MEMORY, PROGRAM FOR PERFORMING EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD AND INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法、メモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラムおよび情報記録媒体 - 特許庁

Every time a data update process including the process of replacing a block serving as the smallest unit for the deletion of data is performed, information about a reserved block address showing a block for writing update data during the next block replacement process is stored and written in the management information of the flash memory.例文帳に追加

データ消去最小単位であるブロックの交替処理を含むデータ更新処理を実行するごとに、次回のブロック交替処理において更新データを書き込むブロックを示す予約ブロックアドレスの情報を、フラッシュメモリの管理情報内に格納して書き込む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an NAND flash element, which reduces a plug forming process by overall etching and secures a process margin by reduction in thickness of an etching layer at the time of drain contact formation.例文帳に追加

全面エッチングによるプラグ形成工程を減らすことができ、ドレインコンタクト形成時にエッチング層の厚さ減少による工程マージンを確保することが可能なＮＡＮＤフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a floating gate of a flash-memory device capable of perfectly eliminating the influence on a moat and EFH, simplifying the manufacturing process, and solving the wafer stress by a nitride film, to effectively enhance the coupling ratio of the flash-memory device.例文帳に追加

モウト及びEFHに対する効果を完全に除去するうえ、工程の単純化及び窒化膜によるウェーハストレスを解決し、フラッシュメモリ素子のカップリング比を効果的に向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

In order to correct the distortion such as a warping of a flange firmly connected by the regular caulking process, the flange is held between upper and lower metals and pressed to be subjected to flash molding.例文帳に追加

本かしめ工程により強固に連結されたフランジのそりなどの歪みを矯正するため、フランジを上下の金属で挟んで加圧し平押し成型を行う。 - 特許庁

In the process of this aging treatment, the stacked CSP 2 in the area 12 to be inspected is selected, and the flash memory 4 is inspected by the inspection circuit forming area 11.例文帳に追加

このエージング工程中に被検査領域１２内にあるスタックドＣＳＰ２が選択され、そのフラッシュメモリ４が検査回路形成領域１１によって検査される。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device capable of improving the resistance of select lines and capable of simplifying a manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a circuit from being more damaged by finding the abnormality of a circuit early on a capacitor charging process, as for a camera equipped with an electronic flash device.例文帳に追加

ストロボ装置を備えたカメラに関し、コンデンサへの充電過程において、回路の異常をはやく見つけることにより、それ以上回路に損傷を与ることを防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

A condenser is introduced into the gas-phase process to slightly increase the pressure of the effluent before the reactor effluent is cooled and sent to a flash drum.例文帳に追加

反応器排出液が冷却されてフラッシュドラムに供給される前にこの排出液の圧力をわずかに上げるために、圧縮器が気相プロセスに導入される。 - 特許庁

To prevent data preserved inside a flash memory from being stolen, corrected or changed by randomly combining the data and making the data of a non-transmission restoration process useless.例文帳に追加

データをランダムに組合せて、非透過還原プロセスのデータを役に立たないものにし、フラッシュメモリー内に保存したデータが盗難、訂正、変更されることを防止する。 - 特許庁

To provide a production process of an injection molding die able of easily producing a nest which does not generate step, flash, core-line or the like to a resin molding equipped with an undercut part.例文帳に追加

アンダーカット部を備える樹脂成形体に段差、バリ、コアライン等を生じさせることのない入れ子を容易に製造できる金型の製造方法を提供する。 - 特許庁

Whenever a data state is changed in the data write/erase process of the flash memory section 11, the data state/block state of the section 12 are successively changed.例文帳に追加

フラッシュメモリ部１１のデータ書き込み／消去処理においてデータ状態が変化する毎に、ブロック状態保持部１２のデータ状態／ブロック状態を順次変化させる。 - 特許庁

White blemish correction information is recorded in a flash memory 20d of a digital camera 1 determined to have a correctable white blemish in an inspection process.例文帳に追加

検査工程で補正可能な白キズが発生するとされたデジタルカメラ１のフラッシュメモリ２０ｄには、白キズを補正するための白キズ補正情報が記録されている。 - 特許庁

To provide a process for producing a polytetrafluoroethylene-containing powder which inhibits clogging of the airstream pipe of a flash dryer and can stably produce the polytetrafluoroethylene-containing powder.例文帳に追加

気流乾燥機の気流管の閉塞を抑え、安定してポリテトラフルオロエチレン含有粉体を製造できるポリテトラフルオロエチレン含有粉体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Meanwhile, the processor 10 reads a group of instructions about the OS from a flash memory 14 and executes them concurrently in time with the execution of the preparatory process by the processor 11.例文帳に追加

一方、プロセッサ１０は、プロセッサ１１による準備処理の実行と時間的に並行して、フラッシュメモリ１４からＯＳに関する命令群を読み出して実行する。 - 特許庁

In the second nonvolatile memory 5, when data are written in a flash memory 4, the process is recorded in an auxiliary region 10, and an entry table 6 and an address conversion table 7 are updated.例文帳に追加

第２の不揮発性メモリ５には、フラッシュメモリ４へのデータの書込みの際に補助領域１０にその経過を記録して、エントリテーブル６、アドレス変換テーブル７を更新する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which high reliability can be attained by preventing defective sidewall in an MONOS type flash memory cell, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリセルにおける側壁不良を防止し高信頼性が得られる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The firmware-on-flash which it is desired to validate is set by means of a parameter sector or the like and loaded to an external RAM 7 and the CPU of control logic 4 executes a process.例文帳に追加

そして、有効にしたいファームオンフラッシュをパラメータセクタなどによって設定し、外部ＲＡＭ７にロードしてコントロールロジック４のＣＰＵが処理を実行する。 - 特許庁

This printer 1 has a basic boot program executing a basic boot process in time of power supply, and two W boot programs executing a start process after execution of the basic boot program inside a flash ROM 11 as a boot program for starting.例文帳に追加

プリンタ１は、フラッシュＲＯＭ１１内に起動用のブートプログラムとして、電源投入時の基本ブート処理を実行する基本ブートプログラムと、基本ブートプログラムの実行後に起動処理を実行する２つのＷブートプログラムと、を備えている。 - 特許庁

The page mode flash memory or floating gate memory device includes a page buffer 11 based on constant current bit latch which can perform efficiently program process, program verification, read-out and erasure verification process during page mode operation.例文帳に追加

本発明のページ・モード・フラッシュ・メモリーあるいはフローティング・ゲート・メモリー・デバイスは、ページ・モード動作中に効率よくプログラム・プロセス、プログラム検証、読出し及び消去検証プロセスを可能にする定電流ビット・ラッチに基づくページ・バッファ11を含む。 - 特許庁

In this flash memory control method, the flash memory 20 incorporated in the digital camera 1 is separated into the ROM area 22 and the RAM area 24 and is controlled by a memory controller 40, and the application software with which the information device can process previously picked-up image data is stored in the ROM area 22.例文帳に追加

デジタルカメラ１に内蔵されたフラッシュメモリー２０を、メモリーコントローラー４０によってＲＯＭ領域２２とＲＡＭ領域２４に区画して制御するとともに、ＲＯＭ領域２２には予め撮像した画像データを情報機器側で扱うためのアプリケーションソフトを格納しておく。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein an increase in thickness of an oxide film in a dielectric film can be restrained in a heat treatment process for compensating etching damage after an etching process for forming a stack gate is performed.例文帳に追加

スタックゲートを形成するためのエッチング工程を行った後、エッチング損傷を補償するための熱処理工程で誘電体膜内の酸化膜の厚さ増加を抑制することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とＲＴＯ工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The ROM or Flash memory contains instruction sets 614, 624, 634, and 644 that cause the microcontroller to provide a designated task of device management, information management, memory management and process management.例文帳に追加

ＲＯＭまたはフラッシュメモリは、デバイス管理、インフォメーション管理、メモリ管理、および、プロセス管理の指定されたタスクをマイクロコントローラに提供させる、命令のセット６１４、６２４、６３４、６４４を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies.例文帳に追加

ＳＴＩ工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。 - 特許庁

When an icon 'SAVE' on a memory control icon selection picture is selected, a series of solution process expressions are transferred and stored to an ALG memory 18a built in a flash memory (EEPROM) 18.例文帳に追加

メモリ制御のアイコン選択画面で[SAVE]を選択すると演算過程データメモリ17cに記憶された一連の求解過程式がフラッシュメモリ(EEPROM)18に確保されるALGメモリ18aに転送記憶されて保存される。 - 特許庁

Furthermore, with the completion of the preparatory process the processor 10 changes a location from which it obtains the group of instructions about the OS from the flash memory 14 to the DRAM 13 and continuously executes the OS.例文帳に追加

さらに、プロセッサ１０は、準備処理の完了に応じてＯＳに関する命令群の取得先をフラッシュメモリ１４からＤＲＡＭ１３に切り替えてＯＳを継続的に実行する。 - 特許庁

To provide a voltage generator for a flash memory device in which low voltage detection and regulation can be performed accurately without being affected by the change of a process or power source voltage.例文帳に追加

温度、工程または電源電圧の変化にも影響を受けなく正確に低電圧検出及びレギュレーションすることが可能なフラッシュメモリ装置用電圧生成器を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPU 11 sets, through a strobe-area setting process, strobe area information indicating combinations of the strobe areas to which strobe signals are applied at the same time, and stores this information in a flash memory 14.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、ストローブエリア設定処理によって、同じタイミングでストローブ信号を印加するストローブエリアの組み合わせを示すストローブエリア情報を設定してフラッシュメモリ１４に記憶させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing toner to be used for electrophotographic image-forming device using flash fixing process can reduce malodor by incorporating a substance having photocatalytic characteristics in a toner composition containing a binder resin and a colorant and the like and oxidizing a malodorous gas by the above substance activated by flash light emitted at the time of a fixing process.例文帳に追加

フラッシュ定着方式の電子写真式画像形成装置に用いるトナーにおいて、結着樹脂と着色剤等を有するトナー組成物に、光触媒の性質を有する物質を含有させることにより、定着時にフラッシュ光で活性化した光触媒反応によって臭気の元となるガスを酸化させ定着臭を低減できるようにした静電荷現像用トナーである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the source contact formation method of a flash memory element which is excellent in metallic wiring and contact resistance for preventing the deterioration of element characteristics although a following heat treatment process is carried out.例文帳に追加

金属配線およびコンタクト抵抗に優れると同時に、後続の熱処理工程が行われても素子特性の低下を防止することを可能とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic charge image developing toner using a flash fixing process capable of reducing occurrence of malodor without being restricted in selection of material such as a binder resin and additives and without impairing good image quality.例文帳に追加

フラッシュ定着方式のトナーにおいて、結着樹脂や添加物等の材料選択に制約をうけることが無く、良好な画像品質を保ちながら、不快臭気の発生を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition which maintains excellent drop impact resistance, and further hardly causes the occurrence of solder flash even when a semiconductor component is mounted on a circuit board through a second-time reflow process.例文帳に追加

優れた耐落下衝撃性を維持しつつ、再リフローにより半導体部品を回路基板に実装する場合であっても、はんだフラッシュを起こり難くすることができる熱硬化性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory device improving a margin in a photo process, preventing defects in pattern, and preventing defects such as photo mask collapse by decreasing aspect ratio of photo mask.例文帳に追加

フォト工程のマージンを向上させること、パターン不良を防止すること、及びフォトマスクのアスペクト比を減らしてフォトマスク崩壊などの不良を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.例文帳に追加

周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the flash light emitting device, a process wherein charging is carried out by a charging circuit for a prescribed unit time and the charging is interrupted to make a voltage monitor detect the voltage is repeated till the voltage reaches the threshold voltage V1.例文帳に追加

充電回路に所定の単位時間充電させ、充電を中断させて、電圧モニタに電圧検知を行なわせるプロセスを、しきい値電圧Ｖ１に達するまで繰り返し行なう。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁