「flash process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of fabricating a flash memory device with which reliability of the device can be improved by preventing an increase in a thickness of tunnel oxide films due to a wall oxidization process.例文帳に追加

本発明は、ウォール酸化工程によるトンネル酸化膜の厚さ増加を防止することができるため、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

During the production process, the end part against the applied width direction of the unsaturated polyester to one piece of separate film on which the glass fiber substrate is arranged and an inside surface of a guide plate of the glass fiber substrate are installed at a flash state.例文帳に追加

その製造工程においてガラス繊維基材を配置する１枚のセパレートフィルムへの不飽和ポリエステル組成物の塗布幅方向に対する端部とガラス繊維基材誘導板の内面とが面位置に設置される。 - 特許庁

In the manufacturing process of semiconductor memories, a semiconductor maker forms a management block 105 for recording a management table capable of managing the addresses of optionally generated initial failure blocks 103 en block on a flash memory.例文帳に追加

半導体メモリメーカがその製造工程において、任意に発生する初期不良ブロック１０３のアドレスを一括管理できる管理テーブルを記録する管理ブロック１０５をフラッシュメモリ１０１上に作成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell by which a phenomenon of forming a trench corner site to be thin in thickness by a side wall oxidation process and an active area of a desired critical size.例文帳に追加

側壁酸化工程によってトレンチコーナ部位が薄く形成される現象を防止するとともに、所望の臨界寸法だけの活性領域を確保することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a flash controller by which an accurate main emitted light quantity is calculated for the indicated value of a main emitted light quantity even in the case that photometry fails, preliminary light emission is executed again and it is done over again in a process.例文帳に追加

測光が失敗して、再度予備発光を行ったり、途中からやり直したりした場合であっても、本発光量指示値に対して、正確な本発光量を算出可能な閃光制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition friction stir welding process that compensates for the production of flash and general thinning of material along the joint line as well as a relatively smooth transition from the non-weld regions to the welded region.例文帳に追加

フラッシュの生成、および溶接線に沿って材料が概して薄くなることを補償し、溶接されない領域から溶接された領域に比較的滑らかに移行する堆積摩擦攪拌溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.例文帳に追加

既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁

To provide a flash memory and a method of manufacturing the same, wherein a process is simplified and problems which may occur during progress of the process are prevented, by securing common source characteristics of the same Rs (sheet resistance) or lower without advancing a field oxide etch step when advancing an RCS (Recessed Common Source) process.例文帳に追加

ＲＣＳ（Ｒｅｃｅｓｓｅｄ Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ）工程を進行するとき、フィールドオキサイドエッチングステップ（Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈ ｓｔｅｐ）を進行せずに、同一のＲｓ（面抵抗）以下の共通ソース特性を確保することで、工程を単純化するとともに、工程進行中に発生しうる問題を防止できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an arrangement for suppressing occurrence of malfunction in the machining process as much as possible when a transistor provided with a memory cell area and a peripheral circuit area, such as a NAND flash, and having an LDD structure in the peripheral circuit area is fabricated; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュ等のメモリセル領域および周辺回路領域を備え、周辺回路領域にＬＤＤ構造を有するトランジスタを形成する場合に、加工工程で不具合が発生するのを極力抑制することができる構成を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加

スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the clarifying apparatus 3 of water or hot water, flash mode treatment for sterilizing only a water system circulation section by sequential control or process control, sterilization mode treatment or bacteriostasis mode treatment of the whole apparatus or cleaning mode treatment in which a rinsing process using no medicament is further added after sterilization and washing is provided.例文帳に追加

水又は湯の浄化装置３において、シーケンシャルコントロールやプロセスコントロールによって水系循環部のみを殺菌するフラッシュモード処理、装置全体の殺菌モード処理又は静菌モード処理、あるいは滅菌、洗浄後にさらに薬剤を含まないすすぎ工程を追加したクリーニングモードを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To efficiently obtain polyarylene sulfide (PAS) in which a volatile component is reduced and a chlorine content in recovery by a quench method is ≤1,000 ppm, and that in recovery by a flash process is ≤2,000 ppm, while a molecular weight is controlled.例文帳に追加

分子量を制御しながら、揮発性成分を低減しかつクエンチ法での回収では塩素含有量１０００ｐｐｍ以下、フラッシュ法での回収では２０００ｐｐｍ以下のＰＡＳを効率的に得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.例文帳に追加

絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a self-alignment floating gate in a flash memory cell by which the occurrence of mote is prevented and the spacing of a floating gate formed by a following process can be minimized.例文帳に追加

トレンチ絶縁膜にモウトが発生することを防止し且つ後続の工程によって形成されるフローティングゲートのスペーシングを最小化することが可能なフラッシュメモリセルの自己整列フローティングゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

A RAM transfer process unit 12 reads a program in a block to be protected within the Flash module 20 before responding to access from the CPU core 30, and transfers the program to a Protect-RAM 11 which is the same size as each block.例文帳に追加

ＲＡＭ転送処理部１２は、Ｆｌａｓｈモジュール２０内の保護対象ブロックのプログラムをＣＰＵコア３０からのアクセスに応じる前に読み出して、各ブロックと同一サイズのＰｒｏｔｅｃｔ−ＲＡＭ１１に転送する。 - 特許庁

In the process for producing the polytetrafluoroethylene-containing powder by adding a coagulant to an aqueous dispersion containing polyterafluoroethylene, coagulating the solid content in the aqueous dispersion to form a slurry, dehydrating this slurry to a wet powder, and drying the wet powder in a flash dryer 10, the water content of the wet powder discharged from the flash dryer 10 is rendered to ≤40 mass%.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレンを含有する水性分散液に凝固剤を添加して、水性分散液中の固形分を凝固させてスラリーとし、これを脱水して得られる湿粉を、気流乾燥機１０にて乾燥するポリテトラフルオロエチレン含有粉体の製造方法において、気流乾燥機１０から排出される湿粉中の水分率を、４０質量％以下にする。 - 特許庁

According to the detected result, a supply control part 20 determines the light emitted amount for an equalization process for each pixel and provides data, by which each pixel is made to flash in the determined light emitted amount to the organic EL panel 4 via an input processing part 1.例文帳に追加

そして、供給制御部２０において検出結果に応じて、各画素についての均一化処理の発光量を決定し、各画素に決定した発光量で発光させるデータを入力処理部１を介し有機ＥＬパネル４に供給する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of reducing a load in a process of a controller or an exchange between a flash memory and the controller, achieving a simplification of the controller and an improvement of the performance, and further materializing a new function which has not been achieved up to this time.例文帳に追加

コントローラの処理の負荷やフラッシュメモリとコントローラ間のやり取りを低減でき、コントローラの簡略化や性能の向上を実現でき、さらに、今まで得なし得なかった新しい機能を実現することが可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element for improving element mass production capability, and for preventing the excessive shift of a threshold voltage in an E/W cycling(Erase/Write cycling) and bake process, and for improving the reliability of the element.例文帳に追加

素子量産能力を向上させることができ、Ｅ／Ｗサイクリング(Erase/Write cycling)及びベーク工程の際にしきい値電圧の過度なシフトを防止することができて素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid detergent composition having a high flash point so as to be excellent in terms of handling safety, and capable of effectively removing flux adhered in a production process for a semiconductor printed board.例文帳に追加

半導体プリント基板の製造工程において付着するフラックスを高度に除去できる洗浄剤組成物に関するものであり、更に、引火点が高い特徴を有する取り扱い安全性の観点に優れた液体洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a page buffer of a flash memory device capable of reducing program time, reducing the area of the device by omitting a data transmission circuit required for a data transmission process and lowering power consumption, and its program operation control method.例文帳に追加

プログラム時間を減らすことができ、データ伝送過程に必要なデータ伝送回路を省略して素子の面積を減らすことができるうえ、消費電力を低めることができる、フラッシュメモリ素子のページバッファおよびそのプログラム動作制御方法の提供。 - 特許庁

Unique identification information in a manufacturing process is added to ASIC required to realize a function required as the card reader and a program and management information associated with the identification information of the ASIC are stored in the flash memory of the microcomputer.例文帳に追加

カードリーダとして要求される機能を実現するために必要なＡＳＩＣに、製造過程において固有の識別情報を付加し、マイコンのフラッシュメモリにプログラムと前記ＡＳＩＣの識別情報に関連付けられた管理情報を格納する。 - 特許庁

To obtain a flash welding machine that decides the state of equipment in the preceding process on the basis of a distance between workpieces to be welded at a weld starting position, that performs maintenance support based on this decision, and that has the ability to automatically monitor welding quality.例文帳に追加

溶接工程開始位置の被溶接材間の距離に基づいて、前工程の装置の状態を判定し、これ基づいて保守支援を行うとともに、溶接品質の監視を自動的に行うことができるフラッシュ溶接機を得る。 - 特許庁

To provide a circuit for clamping a word-line voltage which can generate a pumping voltage of a potential being stable even for variation of power source voltage in a process in which power source voltage is pumped for not only a flash memory cell but an element driven by a high voltage.例文帳に追加

フラッシュメモリセルだけでなく、高電圧によって駆動される素子のために電源電圧をポンピングする過程において電源電圧の変化にも安定した電位のポンピング電圧を発生させ得るワードライン電圧クランピング回路を提供すること。 - 特許庁

The method includes a process of cleaning by immersing a material to be treated by using a detergent composition containing an aromatic hydrocarbon as a main component having a boiling point of 200-350°C and a flash point of 70°C or higher, and a process of immersing and rinsing the material to be cleaned after immersing into hydrofluorocarbon or hydrofluoroether.例文帳に追加

被処理物を、沸点が２００〜３５０℃で且つ引火点が７０℃以上である芳香族炭化水素を主成分とする洗浄剤組成物を用いて浸漬洗浄する工程と、該浸漬洗浄後の被洗浄物を、ハイドロフルオロカーボン又はハイドロフルオロエーテルに浸漬してすすぎを行う工程とを含むことを特徴とする洗浄方法である。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide compositions for abrasion which is applicable to the process of forming a floating gate in a flash memory, and suitable for a CMP process in which a protrusion on a polysilicon film is flattened and polishing is stopped before exposing a ground.例文帳に追加

フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地を露出する前に研磨を停止するＣＭＰ工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。 - 特許庁

To provide a production method with which mechanical characteristic is improved, no flash removal mark is present in a forged product, and manpower is saved in the process using a cylindrical material having a surface layer on a side surface thereof, and which is suitable for improving yield of the product against a forging material.例文帳に追加

機械的特性が向上し、また、鍛造製品にバリ取り痕が無く、側面に表面層を有する円柱状素材を用いて工程を省力化し、鍛造用素材に対する材料の歩留り向上に適した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compact, large capacity and inexpensive memory device without needing any driving body for a rotation system and a transfer system or the like such as an optical disk and a hard disk and also without needing any complicated and expensive manufacturing process for a semiconductor memory represented by a flash memory.例文帳に追加

光ディスクやハードディスクのような回転系や移動系などの駆動体が不要で、かつフラッシュメモリに代表される半導体メモリのような煩雑で高価な製造工程が不要になるような、小型で大容量でしかも安価なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management device capable of properly restoring memory abnormality to a normal state even if the memory abnormality is caused by power off or the like when performing a process for writing, overwriting, deletion or the like of data on a nonvolatile memory such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの不揮発性メモリに対してデータの書き込み、上書き、削除などの処理を行っている際に、パワーオフなどによってメモリ異常が発生した場合でも、これを正常な状態に的確に復旧することが可能なメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

That is, without designing again from its initial process all the layouts of the terminal disposals of the chip to be an object, the respective pad portions 31 can be so provided arbitrarily that their positions become the shortest ones to respective input/output terminals 21 of a flash memory chip 2.例文帳に追加

つまり、対象となるチップの端子配置に対して最初の工程からの全レイアウトの設計をやり直すことなく、フラッシュメモリチップ２の各入出力端子２１に対して最短位置となるように、各パッド部３１を任意に配置することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-walled resin molded product having a thin-walled part uniform in thickness, enabling integral molding, making a manufacturing process simple and a manufacturing time short, reducing a manufacturing cost and eliminating the occurrence of strain, a weldline, flash, a hole and the like in the molded product.例文帳に追加

一体成形が可能であり製造工程が簡素で製造時間が短く、製造費が低廉であって、成形品にひずみ、ウェルドライン、バリ、孔等の発生が無く薄肉部が均一な厚みを有する薄肉部を有する樹脂成形品を提供する。 - 特許庁

To provide a gate cutting device capable of perfectly eliminating the occurrence of flash in a gate part cutting process without lowering the degree of freedom in the design of the gate part in an injection-molded product of high precision such as a lamp being the constituent part of an HDD device.例文帳に追加

ＨＤＤ装置の構成部品であるランプなどの高精度の射出成形品において、そのゲート部の設計の自由度を低下させることなく、ゲート部の切断工程におけるバリ発生を完全になくすことのできるゲートカット装置を提供する。 - 特許庁

In the information recording/reproducing device, when a caption registering process is started, an OSD display for editing is carried out, and when reproduction is temporarily stopped in a scene selecting operation when the title to be edited is reproduced, scene information including an elapsed time of a temporarily stopped reproduction is stored in a flash memory (S5).例文帳に追加

字幕を登録する処理が開始されると、編集用のＯＳＤ表示を行い、編集するタイトルを再生させているときにシーン選択操作で再生が一時停止されると、一時停止再生経過時間を含むシーン情報をフラッシュメモリに格納する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The arithmetic operation part holds a plurality of judgement expressions respectively set for every flashing device constituting the flashing device group, and determines whether or not the preliminary light emitting process is performed again from the result of photometry by the flash light photometry part based on the judgement expression corresponding to the flashing device to be controlled.例文帳に追加

演算部は、閃光装置群を構成する各閃光装置毎にそれぞれ設定された複数の判定式を保持し、被制御閃光装置に対応する判定式に基づいて閃光測光部の測光結果から予備発光プロセスを再度実行するか否かを決定する。 - 特許庁

A getter scattering preventing mechanism 21 is provided in a hole part as magnetic resistance at a shield part of an inner magnetic shield body 50, for preventing a getter 60 emitted by a getter flash process from passing the hole part of the inner magnetic shield body 50 and reaching a color selecting mechanism 30 positioned inside.例文帳に追加

内部磁気シールド体５０のシールド部に設けられた磁気抵抗としての孔部にゲッタ飛散防止機構２１を設け、ゲッタフラッシュ工程によって放出されるゲッタ６０が内部磁気シールド体５０の孔部を通過して、内部の色選別機構３０に到達するのを防止する。 - 特許庁

As a result, the reference light source device for high temperature high-speed radiation thermometers can be provided, which performs radiation temperature measurement of the surface temperature of the silicon wafer processed by a flash lamp anneal method (FLA) under development as a next-generation wafer heat treatment process, and a laser anneal method (LA).例文帳に追加

次世代ウエハ熱処理工程として開発中のフラッシュランプアニール法（ＦＬＡ）やレーザーアニール法（ＬＡ）において処理されるシリコンウエハの表面温度を放射温度計測するための高温高速放射温度計用参照光源装置を提供することが可能である。 - 特許庁

The CPU 7 performs image processing with the contents set by the operation switches, while storing respective image data before the processing for the specific process about raw image data recorded in a DRAM 5, converts it into a set storage format and stores it on a compact flash card 8.例文帳に追加

ＣＰＵ７はＤＲＡＭ５に記録された生画像データに対し、特定の処理については処理前に画像データをそれぞれＤＲＡＭ５に保存しつつ操作スイッチにより設定された内容で画像処理を行い、設定された保存形式に変換してコンパクトフラッシュカード８へ保存する。 - 特許庁

To provide a decorative sheet without generating flash at the time of cutting process and having an improved surface damaging property comparable with the conventional decorative sheet of polyvinyl chloride.例文帳に追加

一般的なポリプロピレンや軟質ポリプロピレンの抱える表面傷付き性と切削時のバリ発生と言う問題点を解決するためになされたもので有り、従来の塩化ビニル製の化粧シートに匹敵する若しくはそれを上回る表面傷付き性を持ち、切削加工時にバリの発生しない化粧シートを提供する。 - 特許庁