「h process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A storage frame into a reference frame memory 18 and coding parameters D, S thereof are determined so that a decoding processing load may be within a permissible range for all the speeds instructable in the double speed/random reproduction in start of coding during an H.264 encoding processing process, and a reference frame memory history table 24 is created and updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

The method for preserving cut vegetables and the method for producing packed cut vegetables comprise each subjecting cut vegetables to wetting process in a solution with dissolved chlorite and hypochlorite, preserving the processed vegetables stuck with the solution for at least 1-24 h, washing the vegetables followed by draining and preserving the vegetables.例文帳に追加

カット野菜を亜塩素酸塩と次亜塩素酸塩を溶解した溶液で接液処理し、その後少なくともこの溶液が付着状態にある処理物を、１〜２４時間保管し、次いで水洗い処理した後、水切りし、この野菜を保存するカット野菜の保存方法及び容器詰めカット野菜の製造方法。 - 特許庁

The WTRU releases the ARQ/H-ARQ process, if an acknowledgement (ACK) message has been received and retransmits the data; and if a non-acknowledgement (NACK) message or no feedback information has been received in a predetermined time period, while incrementing a transmission counter (118) in the WTRU.例文帳に追加

もし、アクノレッジメント（ＡＣＫ）メッセージが受信されたならばＷＲＵはＡＲＱ／Ｈ−ＡＲＱプロセスを解放し、もし、非アクノレッジメント（ＮＡＣＫ）メッセージが受信されたか又は所定時間内にフィードバック情報が受信されないならばデータを再送信して、ＷＴＲＵ内の送信カウンタ（１１８）を増分する。 - 特許庁

If an acknowledgement (ACK) message is received, the WTRU releases the ARQ/H-ARQ process; if a non-acknowledgement (NACK) message is received or the feedback information is not received within a predetermined time, the data are transmitted again and a transmission counter (118) in the WTRU is augmented.例文帳に追加

もし、アクノレッジメント（ＡＣＫ）メッセージが受信されたならばＷＲＵはＡＲＱ／Ｈ−ＡＲＱプロセスを解放し、もし、非アクノレッジメント（ＮＡＣＫ）メッセージが受信されたか又は所定時間内にフィードバック情報が受信されないならばデータを再送信して、ＷＴＲＵ内の送信カウンタ（１１８）を増分する。 - 特許庁

In the process of inserting the hose H into the pipe P, a thrust portion 7 of the seal retainer 1 thrusts a first lug operation portion 9 of the hose clamp 2 to cause axial movement thereof relative to a second lug operation portion 10, and so both lug operation portions 9, 10 are disengaged from each other and the hose clamp 2 is changed into a diameter shrunk condition.例文帳に追加

ホースＨを配管Ｐへ差し込む過程で、シールリテーナ１の押圧部７がホースクランプ２の第１つまみ操作部９を押圧して第２つまみ操作部１０との間で軸方向へ相対移動を生じさせるため、両つまみ操作部９．１０間の係止が解かれ、ホースクランプ２が縮径状態へと移行する。 - 特許庁

In the production process of an organopolysiloxane / polyurea / polyurethane-block copolymer of general formula (1), a compound containing an aminosilane structure of general formula (2) is polymerized with an organosilicon compound of general formula (3): (HO)(R_2SiO)_n-1[H] and at least one diisocyanate of general formula (4): OCN-Y-NCO.例文帳に追加

一般式（１）のオルガノポリシロキサン／ポリ尿素／ポリウレタン−ブロック共重合体の製造法の場合に、一般式（２）の、アミノシラン構造を含む化合物を一般式（３）：（ＨＯ）（Ｒ_２ＳｉＯ）_ｎ−１［Ｈ］で示される珪素有機化合物および一般式（４）：ＯＣＮ−Ｙ−ＮＣＯで示される少なくとも１つのジイソシアネートと重合させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the low reflective substrate, by specifying film-forming rate of the silicon dioxide film to 20 to 100 nm/h in the process of forming a silicon dioxide film by the method of supersaturation precipitation, so as to control the fluorine content in the silicon dioxide film and to form an antireflection film having ≤1.435 of refractive index.例文帳に追加

過飽和析出法による二酸化珪素被膜の形成に当たり、二酸化珪素被膜の成膜速度を２０〜１００ｎｍ／時とすることにより該二酸化珪素被膜中の弗素含有量を調整し、屈折率１．４３５以下の反射防止層を形成する低反射基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a foaming food such as mousse which can be whipped at such a high temperature as 45-65°C, and which can reduce a cooling process so as to improve workability, having good meltability in the mouth and moderate in overrun, not melted even when being left at a room temperature for 1-2 h, and applicable to both acidic foods and neutral foods.例文帳に追加

４５〜６５℃という高温でのホイップが可能となり、冷却工程を短縮でき、作業性が向上し、口溶けがよく、適度なオーバーランを有し、また室温で１〜２時間放置しても融解しない、更には、酸性食品にも中性食品にも適用可能なムースなどの気泡性食品を提供する。 - 特許庁

In an H.264 encoding processing process, at the start of encoding, a storage frame to a reference frame memory 18 and encoding parameters D and S are determined so that a decoding processing load is within an allowable range on entire speed that can be instructed in the double-speed/random reproduction, and a reference frame memory history table 24 is created/updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

In 1954 a JNR C62 steam locomotive ran on Kisogawa Bridge on the Tokaido trunk line at a speed of 129 km/h, which was 'a speed record of steam locomotives on the narrow gauge railroad,' however, this record was made in the process of a series of speed tests to see if an old-type truss bridge called a pin jointed truss could stand high-speed driving in the coming age of electric trains under an atypical situation that the tests were performed on the C62 steam locomotive alone from various limitations. 例文帳に追加

国鉄C62形蒸気機関車は1954年に東海道本線木曽川橋梁上で129km/hという「狭軌鉄道における蒸気機関車の速度記録」を樹立したが、この記録はピン結合トラスと呼ばれる古いタイプのトラス橋が来るべき電車時代に高速運転に耐え得るか否かを調査する目的で行われた、一連の速度試験の過程より得られたもので、さまざまな制約からC62形単機での試験が実施されるという、特殊な状況下で成立したものであった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、導波管２内を伝播するマイクロ波Ｍを磁界面Ｈに設けられた第１および第２のスロットアンテナからマイクロ波導入窓３に導き、表面波Ｓを形成し、表面波Ｓによってチャンバー４内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマＰを生成し、このプラズマＰにより被処理物を処理する。 - 特許庁

In the raw material of the thin film for the vaporization process, a molecular structure contains at least one precursor selected from a group composed of silane compound having Si-H, phosphite, copper (II) complex, copper (I) complex, metal amide compound, metal alkoxide compound, alkyl metal compound, and metal hydride compound, and the water content is ≤ 1 ppm.例文帳に追加

分子構造中にＳｉ−Ｈを有するシラン化合物、亜燐酸エステル、銅(II)錯体、銅（I）錯体、金属アミド化合物、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合物及び金属ハイドライド化合物からなる群から選択される少なくとも１種のプレカーサを含有してなり、水分含有量が１ｐｐｍ以下である気化プロセス用薄膜原料。 - 特許庁

Before the dealkalization of the mixture of the alkaline wastewater containing the water-soluble resin component with some water-insoluble component and the H-type cation exchange resin, the water-insoluble component contained in the water-soluble resin component-containing alkaline wastewater is removed or crushed, and then the resultant wastewater is introduced into the dealkalization process.例文帳に追加

不溶解成分を含む水溶性樹脂成分含有アルカリ廃液にＨ形カチオン交換樹脂を添加混合して脱アルカリ処理するに先立ち、水溶性樹脂成分含有アルカリ廃液に含まれる不溶解成分を除去するか或いは破砕して、不溶解成分を除去した液又は不溶解成分が破砕された液を脱アルカリ工程に導入する。 - 特許庁

Because of a current mirror configuration, a drive section 100 and an output section 101 experience the same variation even if a process, voltage or temperature condition varies, and when the signal level of an input signal INT changes from "H" to "L", MOSFETs 5, 4 do not switch from an off state to an on state earlier while MOSFETs 3, 6 are on.例文帳に追加

駆動部１００と出力部１０１は、カレントミラー構成により、プロセス、電圧、温度条件が変動しても共に同一の変動となるため、入力信号ＩＮＴの信号レベルが“Ｈ”から“Ｌ”に切り替わる際、ＭＯＳＦＥＴ３、６がオンしているときに、ＭＯＳＦＥＴ５、４がオフ状態からオン状態に速く切り替わることはない。 - 特許庁

The residual capacity inside the ignition transformer can be easily filled with a potting material later through residual penetrating intervals indicated between two openings at the start and end of the primary windings 4 and an ignition transformer T shaped like a long rod when being filled together with a firing circuit C in a housing H during a common method process.例文帳に追加

点火変圧器の内側の残りの容積は、１つの共通方法工程においてハウジングＨ内の点火回路Ｃとともに注入されているとき、一次巻き線４と長いロッドの点火変圧器Ｔの始めと終りでの２つの開口との間の示された残りの貫通間隔を通ってポッティング材料により後で容易に充填されることができる。 - 特許庁

Receiving process is controlled so that a first reception period C during which a radio signal may be received from a first radio unit, and a second reception period H during which a radio signal may be received from the second radio unit using a frequency different from a frequency used for the radio signal received from the first radio unit are at least partially overlapped temporally.例文帳に追加

第１の無線装置からの無線信号を受信可能な第１の受信期間Ｃと、前記第１の無線装置からの無線信号とは異なる周波数で、第２の無線装置からの無線信号を受信可能な第２の受信期間Ｈと、の少なくとも一部が時間的に重複するように受信処理を制御する。 - 特許庁

This film deposition method includes a process in which, by FIB assist deposition in which a material having an Si-O-Si bond and an Si-H bond is fed to the surface of a structure, and further, a desired part in the surface fed with the above material is irradiated with a focused ion beam, a silicon oxide film is deposited.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合及びＳｉ−Ｈ結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するＦＩＢアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In order to crystallize the neck part by heating on the occasion of molding a preform, a heating device h is attached to neck part molds 7a and 7b consisting of splits, while the preform neck part made to fit to a core mold 7 is spaced minutely from the core mold to prevent excessive cooling of the preform in the process of crystallization of the neck part.例文帳に追加

プリフォームの成形時にネック部を加熱して結晶化させるために、割型からなるネック部金型７ａ、７ｂに加熱装置ｈを付設するとともに、コア金型７に被着されているプリフォームネック部の結晶化進行中にコア金型から微小間隙を空けることによりプリフォームの過冷却を防止するようにしたこと。 - 特許庁

This woven fabric is obtained by the following process: banana tree trunks 12 are soaked in a mixed liquid comprising water 10, a waste liquor 13, a direct dye 14 and common salt 15 and then boiled well for about 12 h to extract banana fibers, which, in turn, are put to primary dyeing and then made into banana yarns.例文帳に追加

芭蕉の幹１２を、水１０と、廃液１３と、直線染料１４と、食塩１５と、の混合液に浸して１２時間程煮込んで芭蕉の繊維を抽出及び一次染色し、抽出された芭蕉の繊維を芭蕉糸に製造するとともに、抽出された芭蕉の繊維を和紙に製造した後芭蕉紙糸に製造する。 - 特許庁

The sequencer 16 variably controls a speed in a process in which the movable board 4 is vertically moved by the servo motor 12, ascends the movable board 4 at a speed L lower than a preset ascending speed H at the ascending of the movable board 4 during the blade mold is released from a material to be cut after the completion of the cutting, and suppress the power consumption.例文帳に追加

シーケンサ１６は、サーボモータ１２により可動盤４が上下動する行程中の速度を可変に制御し、可動盤４の上昇時、可動盤４を、裁断完了後刃型が被裁断材から離脱するまでの間、予め設定された上昇速度Ｈより遅い速度Ｌで上昇させ、消費電力を抑制する。 - 特許庁

The cellulose acylate film to be formed by the solution casting method is manufactured by the process comprising a casting step of casting a cellulose acylate composition containing a cellulose acylate, a compound (H) which generates an acid by light, a hydroxyaryl group-containing oligomer (P), and a compound (K) which crosslinks by the acid and a photoirradiation step.例文帳に追加

溶液流延方法により形成されるセルロースアシレートフィルムにおいて、セルロースアシレート、光により酸を発生する化合物（Ｈ）、ヒドロキシアリール基を含有するオリゴマー（Ｐ）、及び酸により架橋する化合物（Ｋ）を含有するセルロースアシレート組成物を流延する流延工程と光照射の工程とを含む工程により作製されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁

The method of treating the waste water containing organic matter comprises at least a process of reducing the organic matter and the putrefactive smell incorporated in a waste water-treated solution by producing air bubbles or oxygen bubbles in the waste water H containing organic matter by a bubble producer 10 and simultaneously crushing the bubbles by an ultrasonic generator 12 to produce the waste water-treated solution containing ultrafine bubbles.例文帳に追加

有機物を含有する排水Ｈに、気泡発生装置１０により空気又は酸素の気泡を発生させると同時に、超音波発生装置１２により気泡を圧壊し超微細気泡を含む排水処理液として排水処理液中に含まれる有機物及び腐敗臭を低減する工程を少なくとも含むことを特徴とする有機物含有排水の処理方法。 - 特許庁

The method of forming the fluorinated polyimide multilayer film is implemented by repeating two or more times a process of applying fluorinated polyamide acid containing no C-H bond onto a substrate and firing the fluorinated polyamide acid, wherein the firing is carried out at the maximum temperature of <380°C for ≥1 hr.例文帳に追加

基板上に、Ｃ−Ｈ結合を含まないフッ素化ポリアミド酸を塗布し焼成を行うフッ素化ポリイミド膜製造工程を、２回以上繰り返すことにより、フッ素化ポリイミド多層膜を製造する方法において、該焼成を、最高温度３８０℃未満で行うと共に、焼成時間を１時間以上とすることを特徴とするフッ素化ポリイミド多層膜の製造方法である。 - 特許庁

When polishing a tungsten film and a silicon oxide film 3, a polishing condition is determined so that the predetermined remaining step is below the predetermined remaining difference in level h determined by a pattern density of plugs 8a to 8c at the polishing process and the required predetermined remaining difference in level on the basis of the relationship between the obtained remaining difference in level and the pattern density.例文帳に追加

タングステン膜とシリコン酸化膜３に研磨処理を施す際に、研磨条件を変えることによってあらかじめ求められた残存段差とパターン密度との関係に基づいて、この研磨工程におけるプラグ８ａ〜８ｃのパターン密度と、要求される所定の残存段差とから、この所定の残存段差ｈを超えないように研磨条件が決定される。 - 特許庁

Hydrogen having entered into the titanium alloy in the carburizing treatment process can be removed by subjecting the titanium alloy which has been subjected to the plasma carburizing treatment after solution heat treating and age hardening to the baking treatment comprising keeping the titanium alloy at a temperature of not lower than 200°C to the lower temperature in the carburizing treatment for 30 min to 10 h.例文帳に追加

溶体化及び時効処理後にプラズマ浸炭処理を施したチタン合金を、プラズマ浸炭処理後に１５Ｐａ以下の真空下で、２００℃以上時効処理の下限温度の範囲に３０分から１０時間の範囲の所要時間保持するベーキング処理を実施して、前記浸炭処理過程でチタン合金内に侵入した水素を除去するようにしたのである。 - 特許庁

The method for producing the 2-amino-3-butene-1-ol compound represented by formula (2) (wherein R^1, R^2 and R^3 independently represent each alkyl which may be substituted, aryl which may be substituted or H) includes a process for reacting ammonia with a 2-phthalimide-3-butenol compound obtained from phthalimide and 3-butene-1,2-epoxide.例文帳に追加

フタルイミドと３−ブテン−１，２−エポキシドから得られる２−フタルイミド−３−ブテノール化合物とアンモニアとを反応させる工程を有することを特徴とする式（２）（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ、はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は水素原子を表す。）で示される２−アミノ−３−ブテン−１−オール化合物の製造方法。 - 特許庁

The process for producing a photoresist resin is effected by polymerizing a polymerizable compound in the presence of a solvent to produce a photoresist resin wherein the solvent is continuously or intermittently removed by distillation during the polymerization reaction (the removal rate of the solvent, for example, is preferably 5-44 mass%/h in the case when the initial total amount of the solvent to be used upon starting the polymerization is 100 mass%).例文帳に追加

本発明のフォトレジスト用樹脂の製造方法は、溶媒の存在下で重合性化合物を重合させることにより、フォトレジスト用樹脂を製造するものであって、重合反応中に、溶媒を連続的又は間欠的に留去することを特徴とする（留去速度は、例えば、重合の際に使用される溶媒の初期の総量を１００質量％とした場合に、５〜４４質量％／ｈが好ましい）。 - 特許庁

A WTRU (wireless transmit/receive unit) receives an HS-DSCH (high speed downlink shared channel) transmission only if the WTRU is in a Cell-FACH state, Cell-PCH state or URA-PCH state, and determines based on an H-RNTI (HS-DSCH radio network temporary identifier) associated with the WTRU whether to process the HS-DSCH transmission.例文帳に追加

ＷＴＲＵ（無線送受信ユニット）は、前記ＷＴＲＵが、Ｃｅｌｌ＿ＦＡＣＨ状態、Ｃｅｌｌ＿ＰＣＨ状態またはＵＲＡ＿ＰＣＨ状態にあることを条件に、ＨＳ−ＤＳＣＨ（高速ダウンリンク共有チャネル）伝送を受信し、および前記ＷＴＲＵに関連付けられたＨ−ＲＮＴＩ（ＨＳ−ＤＳＣＨ無線ネットワーク一時識別子）に基づいて前記ＨＳ−ＤＳＣＨ伝送を処理すべきか否かを決定する。 - 特許庁

Sec.172 Literary and Artistic Works 172.1. Literary and artistic works, hereinafter referred to as “works”, are original intellectual creations in the literary and artistic domain protected from the moment of their creation and shall include in particular: (a) Books, pamphlets, articles and other writings; (b) Periodicals and newspapers; (c) Lectures, sermons, addresses, dissertations prepared for oral delivery, whether or not reduced in writing or other material form; (d) Letters; (e) Dramatic or dramatico-musical compositions; choreographic works or entertainment in dumb shows; (f) Musical compositions, with or without words; (g) Works of drawing, painting, architecture, sculpture, engraving, lithography or other works of art; models or designs for works of art; (h) Original ornamental designs or models for articles of manufacture, whether or not registrable as an industrial design, and other works of applied art; (i) Illustrations, maps, plans, sketches, charts and three-dimensional works relative to geography, topography, architecture or science; (j) Drawings or plastic works of a scientific or technical character; (k) Photographic works including works produced by a process analogous to photography; lantern slides; (l) Audiovisual works and cinematographic works and works produced by a process analogous to cinematography or any process for making audio-visual recordings; (m) Pictorial illustrations and advertisements; (n) Computer programs; and (o) Other literary, scholarly, scientific and artistic works.例文帳に追加

第172条 文学的及び美術的著作物 172.1文学的及び美術的著作物(以下「著作物」という)とは，文学及び美術の領域において創作の時から保護される独創的な知的創作物をいい，特に次のものを含む。 (a)書籍，小冊子，論文その他の文書 (b)定期刊行物及び新聞 (c)口頭で行うために準備された講演，説教，演説及び学術論文(書面その他の形式にされるか否かを問わない) (d)書簡 (e)演劇用又は楽劇用の作品；舞踊の作品又は無言劇の演芸 (f)楽曲(歌詞を伴うか否かを問わない) (g)素描，絵画，建築，彫刻，版画，石版画その他の美術作品の著作物；美術作品のための模型又は下絵 (h)製造物品のための独創的な装飾的下絵又は模型(意匠として登録することができるものであるか否かを問わない)及び応用美術のその他の著作物 (i)地理学，地形学，建築学又は科学に関する図解，地図，図面，略図及び模型 (j)科学的又は技術的性質の図面又は模型 (k)写真の著作物(写真に類似する方法により製作された著作物を含む)；幻灯スライド (l)視聴覚著作物及び映画の著作物(映画に類似する方法又は視聴覚記録物を製作する方法により製作された著作物を含む) (m)絵画入りの図解及び広告 (n)コンピュータ・プログラム (o)その他の文学的，学術的，科学的及び美術的著作物 - 特許庁

(i) to correct a clerical error or obvious mistake; or (ii) to remove a lawful ground of objection, whether the objection is raised in the course of examination or re-examination or otherwise; or (iii) for any other purpose; and abe(e) making provision for and in relation to the amendment of an entry in the Register to correct a clerical error or an obvious mistake, or for any other purpose; and (f) making provision for and in relation to the amendment of a patent to correct a clerical error or an obvious mistake; and (g) making provision for and in relation to the preparation, filing and publication of abstracts of complete specifications; and (h) making provision for and in relation to opposition proceedings; and (ha) setting out the formalities checking process for innovation patents including, in particular, the following matters: 例文帳に追加

(i) 誤記又は明白な錯誤を訂正すること，又は (ii) 合法的異論の理由を除去すること。この場合は，異論が審査又は再審査の過程で又はその他でされるか否かを問わない。又は (iii) 前記以外の目的，及び (e) 誤記又は明白な錯誤を訂正するため又はその他の目的で登録簿における記入を補正することについての及びその補正に関連する規定を制定すること，及び (f) 誤記又は明白な錯誤を訂正するために特許を補正することについての及びその補正に関連する規定を制定すること，及び (g) 完全明細書についての要約の作成，提出及び公開についての及びそれらに関連する規定を制定すること，及び (h) 異議申立手続についての及びその手続に関連する規定を制定すること，及び (ha) 革新特許について，次の事項を含め，方式点検方法を設定すること - 特許庁