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layer substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39496件
In a thermosensitive recording material wherein a thermosensitive recording layer containing a diazonium salt and a coupler developing the diazonium salt in reaction therewith in heating is provided on a substrate, the coupler is a compound expressed by a general formula 1 or 2.例文帳に追加
支持体上に、ジアゾニウム塩と、該ジアゾニウム塩と熱時反応して、該ジアゾニウム塩を発色させるカプラーとを含有する感熱記録層を設けた感熱記録材料において、前記カプラーが下記一般式(1)または一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁
The electrophotographic light transmitting recording material 3 has a toner accepting layer 2 containing a thermoplastic resin, a N-substituted fatty acid amide having 130 to 190°C melting point and a fatty acid or fatty acid derivative having 50 to 130°C melting point on a transparent substrate 1.例文帳に追加
透明基材1上に、熱可塑性樹脂、融点130〜190℃のN-置換脂肪酸アミドおよび融点50〜130℃の脂肪酸あるいは脂肪酸誘導体を含有するトナー受容層2を有することを特徴とする電子写真用光透過性被記録材3。 - 特許庁
In the rotary application device, the light transmission layer is formed by rotatively applying a UV curing resin on the sputtered film 2 and irradiating the applied film of the UV curing resin with UV from a UV light source 61 via an optical fiber 62 and a lens 63 from the rear surface side of the transparent substrate 1.例文帳に追加
この回転塗布装置では、スパッタ膜2上に紫外線硬化樹脂を回転塗布するとともに、紫外線光源61からの紫外線を、光ファイバー62およびレンズ63を介して、透明基板1の裏面側から紫外線硬化樹脂の塗布膜に照射して光透過層を形成する。 - 特許庁
To provide a method of enhancing the manufacturing yield and manufacturing efficiency of an ultra thin semiconductor device, by enhancing the separation precision of a semiconductor device formed on a substrate via a peeling layer and reducing the damages or the like of the semiconductor device in the separation process.例文帳に追加
基板上に剥離層を介して形成された半導体素子の分離精度を高めると共に、分離工程における半導体素子のダメージ等を低減することによって、超薄型半導体素子の製造歩留りや製造効率を高めることができる方法を提供する。 - 特許庁
Thus, in the vertical semiconductor device such as a Schottky diode or a MOSFET which is formed by use of an epitaxial growing layer on the SiC substrate 10, the leakage failure disappears as caused by coincidence of the direction of the dislocation column DSL with the direction of the step STP.例文帳に追加
これにより、SiC基板10上のエピタキシャル成長層を用いて形成されるショットキーダイオード、MOSFETなどの縦型半導体装置において、転位列DSLの方向と、ステップSTPの方向とが一致していることに起因するリーク不良がなくなる。 - 特許庁
To provide a photoelectric converter with which efficiency of a reaction gas in the forming process of a semiconductor film having a crystal structure is improved, a crystalline semiconductor film improved in a crystal quality is formed on an inexpensive substrate and that crystalline semiconductor film is made into photoelectric converting layer.例文帳に追加
結晶構造を有する半導体膜の形成過程における反応ガスの利用効率を向上させ、安価な基板上に結晶品質の優れた結晶質半導体膜を形成し、その結晶質半導体膜を光電変換層とする光電変換装置を得ることを目的とする。 - 特許庁
This fibrous material is laminated with a magnetic material layer consisting of the magnetic powder and a resin binder on one side surface of the fibrous substrate, wherein the magnetic material powder is a mixture of ferrite-based magnetic powder showing isotropy and a samarium-iron-nitrogen-based magnetic material powder.例文帳に追加
繊維基材の片面に、磁性体粉末と樹脂バインダーからなる磁性体層が積層された繊維素材であって、該磁性体粉末が等方性を示すフェライト系磁性体粉末およびサマリウム−鉄−窒素系磁性体粉末の混合物であることを特徴とする磁性繊維素材である。 - 特許庁
At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加
多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁
In the inkjet recording sheet having on a substrate a porous layer containing inorganic fine particles and a hydrophilic binder, the inorganic fine particle is a mixture of a vapor phase method silica and hydrophobic silica obtained by treating the vapor phase method silica with a hydrophobic group.例文帳に追加
支持体上に無機微粒子及び親水性バインダーを含有する多孔質層を有するインクジェット記録用紙において、該無機微粒子が気相法シリカと該気相法シリカに疎水基を処理した疎水性シリカの混合物であることを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁
In this method of recording the ink jet image, the image is recorded on the ink recording material having on a substrate the color material receiving layer having polymer particulates and a hydrophilic binder, by using a water-based ink composition which contains an oil-soluble dye and has the polymer particulates dispersed.例文帳に追加
支持体上にポリマー微粒子と親水性バインダーを有する色材受容層を設けたインク記録材料に、油溶性染料を含有するポリマー微粒子が分散された水性インク組成物を用いて画像記録することを特徴とするインクジェット画像記録方法。 - 特許庁
A semiconductor electrode consists of a conductive substrate having a semiconductor layer deposited thereon.例文帳に追加
少なくとも、導電性基体上に、半導体を含有する半導体層を有する半導体電極において、前記半導体層が、その表面に、色素及び電荷移動制御分子を順次担持させて形成された色素担持部及び電荷移動制御分子担持部を有することを特徴とする半導体電極である。 - 特許庁
The release sheet has an exfoliation layer formed by using a thermoplastic resin composition containing a resin mixture comprising (A) 25-93 mass% a crystalline polyolefin resin, and (B) 75-7 mass% an amorphous polyolefin resin at least on one side of the substrate.例文帳に追加
基材の少なくとも一方の面に、(A)結晶性ポリオレフィン樹脂25〜93質量%および(B)非結晶性ポリオレフィン樹脂75〜7質量%からなる樹脂混合物を含む熱可塑性樹脂組成物を用いて形成された剥離層を有することを特徴とする離型シート。 - 特許庁
The adhesive composition is characterized by uniformly dispersing a carbon nano material and an electroconductive polymer in an adhesive, and the adhesive sheet is characterized by disposing an adhesive layer comprising the adhesive composition on one side or both sides of a substrate sheet.例文帳に追加
粘着剤中に、カーボンナノ材料及び導電性ポリマーが均一に分散されていることを特徴とする粘着剤組成物、及び、その粘着剤組成物からなる粘着剤層が基材シートの片面又は両面に設けられていることを特徴とする粘着シート。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a multilayer printed-circuit board remarkably reducing mandays by laminating a substrate layer by a collective lamination by the multilayer printed-circuit board with a built-in chip such as an active element and a passive element while electrically connecting a section between layers.例文帳に追加
能動素子および受動素子などのチップが内蔵される多層プリント回路基板で一括積層によって基板層を積層すると同時に、層間を電気的に接続させることにより、工数を画期的に減らすことが可能な多層プリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a p-type punching layer 4, connecting the source region of an LDMOSFET and a source back electrode 36 formed on the back of a substrate 1 electrically, is formed of a heavily doped low-resistance p-type polysilicon film or a low-resistance metal film.例文帳に追加
LDMOSFETのソース領域と基板1の裏面に形成されたソース裏面電極36とを電気的に接続するp型打ち抜き層4を不純物を高濃度でドープした低抵抗のp型多結晶シリコン膜もしくは低抵抗の金属膜から形成する。 - 特許庁
Further, an interlayer insulating film 7 is formed on a surface of the n^--type substrate 1, and through contact holes 7a and 7b, a cathode electrode 8 is electrically connected to the n^+-type doped Poly-Si 5 and an anode electrode 9 is electrically connected to the p^+-type impurity layer 2.例文帳に追加
また、n^-型基板1の表面に、層間絶縁膜7を形成し、コンタクトホール7a、7bを通じて、n^+型ドープトPoly−Si5と電気的に接続されるようにカソード電極8を備えると共に、p^+型不純物層2と電気的に接続されるようにアノード電極9を備える。 - 特許庁
For example, even when notches 21 are formed in the cut portion of the substrate 2 by subjecting the semiconductor device to a multiple chamfering, the cracks 22 generated from the notches 21 are so checked by the reinforcing portion 4 as to be able to prevent the cracks 22 from extending to the thin-film circuit layer 3.例文帳に追加
例えば半導体装置を多面取りによって基板2の切断部分にノッチ21が形成された場合であっても、当該ノッチ21から亀裂22が補強部4によって食い止められるので、亀裂22が薄膜回路層3にまで拡大するのを防ぐことができる。 - 特許庁
To provide a transparent impurity capturing film with a low refractive index to a transparent substrate of a side of emitting light from an organic EL layer in an organic EL display device with a top emission structure in order to suppress the occurrence and growth of dark spots not emitting light and to take out light efficiently.例文帳に追加
トップエミッション構造の有機EL表示装置において、有機EL層からの発光を外部に放出する側の透明基板に、非発光部であるダークスポットの発生及び成長を抑制するともに、光を効率よく取り出すための低屈折率透明捕捉膜を提供すること。 - 特許庁
When the protective film is deposited, by setting substrate bias to be in the range of ≥0 V and <80 V by a negative voltage and setting an atmospheric gas pressure during film formation to be in the range of 5 Pa-10 Pa as needed further, the deposition of the boundary mixing layer 15 is suppressed or prevented.例文帳に追加
保護膜を形成する際に、基板バイアスを負電圧で0V以上80V未満の範囲に設定し、さらに必要に応じて成膜中の雰囲気ガス圧力を5Pa〜10Paの範囲に設定することにより、界面混合層15の形成を抑制あるいは防止する。 - 特許庁
The high-density multilayer optical integrated circuit element includes a plurality of layered light guides stacked on a substrate by way of a cladding layer, wherein light introduced into an arbitrary layered light guide among the plurality of layered light guides is propagated to at least one layered light guide formed on or under the arbitrary layered light guide.例文帳に追加
基板上にクラッド層を介して積層された複数層の光導波路を有し、前記複数層の光導波路のうち任意の層の光導波路に導入された光がこの層の上層または下層に形成された少なくとも一つの層に伝播するように構成した。 - 特許庁
The portion having the unnecessary coating film at the end of the photoreceptor 8 formed with the coating film of the photosensitive layer on the surface of a conductive substrate is immersed into a removal solvent tank 2 filled with a removal solvent 10 for the coating film containing granular contact removal members 9 up to a specified liquid level.例文帳に追加
導電性基体の表面に感光層の塗膜を形成した感光体8端部の不要な塗膜を有する部分を、粒状の接触除去部材9を入れた塗膜の除去用溶剤10を一定液面まで満たした除去溶剤槽2に浸漬する。 - 特許庁
The liquid crystal device is constituted such that spacers 15 are arranged on only a display region 90A where a TFT element or the like is not formed on a substrate 10 between substrates 10, 20 holding a liquid crystal layer 50 and a relatively flat surface is disposed and the spacing between the substrates 10, 20 is retained via the spacer 15.例文帳に追加
液晶層50を挟持する基板10,20間において、基板10上にTFT素子等が形成されず、比較的平坦な面を備える表示領域90Aにのみペーサー15を配設し、このスペーサー15を介して基板10,20間の間隔を保持する構成とする。 - 特許庁
To provide a gas barrier property lamination layer for an image display element hardly causing electrode peeling and a breakdown of a lamination part even if practical bending and temperature history are given and maintaining an excellent gas barrier property; and to provide an organic electroluminescent (EL) element having an excellent durability and using a substrate for an image display element.例文帳に追加
実用的な屈曲や温度履歴を与えても電極剥がれや積層部の破壊が起こりにくく、かつ優れたガスバリア性を維持できる画像表示素子用のガスバリア性積層基板、および画像表示素子用基板を用いた耐久性に優れた有機EL素子の提供。 - 特許庁
The area of multi-chip device is reduced, and the height is also lowered through face-to-face connection of semiconductor elements by forming a stepped portion which is almost equal to a half of substrate thickness to the circumferential edge of the semiconductor element, and also by forming a conductive layer for extending the wires within the semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子の周縁部に基板厚さの約半分の段差を形成し、半導体素子内の配線を延設する導電層を形成して、半導体素子同士を対面接続することによって、マルチチップデバイスの面積小さくそして高さを低く纏めることができる。 - 特許庁
The wiring substrate having a conductive layer within which inorganic particles having an average diameter of 2 μm or less are scattered is obtained by the application of the copper paste, containing copper powder, an organic vehicle and ceramic particles having a diameter of 100 nm or less and which are not made to be vitrified by sintering, to a ceramic green sheet and by the baking thereof.例文帳に追加
銅粉末と、有機ビヒクルと、平均粒径100nm以下であって焼結によってガラス化しないセラミック粒子とを含有する銅ペーストをセラミックグリーンシートに塗布して焼成し、平均粒径2μm以下の無機物が厚み内に分散された導体層を有する配線基板を得る。 - 特許庁
The thermal inkjet recording material has the thermal inkjet recording layer mainly comprising a reactant and a co-reactant reacting with the reactant by heating to form a coloring body, a water-absorbing and oil- absorbing pigment, a cationic resin and an adhesive on at least one face of the substrate.例文帳に追加
本発明は、支持体の少なくとも一方の面に、反応体および該反応体と加熱時反応して着色体を形成する共反応体、吸水吸油性顔料、カチオン性樹脂、接着剤を主として含有する感熱インクジェット記録層を有する感熱インクジェット記録材料である。 - 特許庁
This tape delivery device 12 comprises a supporting means 18 for supporting a separating tape PT having an adhesive layer A on one face of a substrate sheet BS, a delivery means 19 for delivering the separating tape PT, and a control means 23 for controlling the supporting means 18 and/or the delivery means 19.例文帳に追加
テープ繰出装置12は、基材シートBSの一方の面に接着剤層Aを備えた剥離用テープPTを支持する支持手段18と、剥離用テープPTを繰り出す繰出手段19と、支持手段18及び/又は繰出手段19を制御する制御手段23とを備えている。 - 特許庁
Moreover, in the color liquid crystal display element of which the liquid crystal layer is held between the two substrates for the liquid crystal display element, at least one of the substrates for the liquid crystal display element is the substrate for the liquid crystal display element obtained by this invention.例文帳に追加
また、本発明は、2枚の液晶表示素子用基板により液晶層を挟持したカラー液晶表示素子において、少なくとも一方の液晶表示素子用基板が、上記本発明の液晶表示素子用基板であることを特徴とする、カラー液晶表示素子を提供した。 - 特許庁
In this latent image forming device, an image carrier 1 provided with a photoconductive and ferroelectric body layer 1b provided with photoconductivity and ferroelectric property on a conductive substrate 1a and polarized in one direction beforehand and a selective exposure means 3 radiating a light beam selectively on the image carrier 1 are provided.例文帳に追加
潜像形成装置は、導電性基体1a上に、光導電性及び強誘電性を有し、予め一方向に分極配向された光導電性強誘電体層1bを設けた像担持体1と、像担持体1に選択的に光線を照射する選択露光手段3とを備える。 - 特許庁
To provide a wiring board where a high conductive circuit pattern is formed on a substrate without need of generation of a private mask and a complicated process and the conductor layer of the conductive circuit pattern can sufficiently be formed, and to provide a manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加
専用マスクの作成や複雑な工程を必要とすることなく、基板上に高度な導電性の回路パターンが形成され、また、導電性の回路パターンの導体層を良好に形成することができる配線基板および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a substrate processing method capable of giving a high quality-polished surface where a metal layer is efficiently removed and the generation of defects in polishing such as a metal residue, dishing, and erosion are suppressed in manufacturing a semiconductor device formed of wiring materials such as metals of copper, copper alloy and the like.例文帳に追加
銅または銅合金等の金属を配線材料とする半導体装置の製造において、金属層が効率的に除去され、かつ金属残り、ディッシング、エロージョン等の研磨不良の発生が抑制された高品位の被研磨面を与えることができる、基板処理方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a thin film solar cell includes a step of forming a photoelectric conversion layer 230 on a substrate 200 using a plasma CVD method by introducing a reactive gas into a reaction chamber 100 and applying a high frequency to an RF electrode 120 to generate plasma.例文帳に追加
この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室100内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極120に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマCVD法を用いて基板200に光電変換層230を形成する工程を備える。 - 特許庁
Though the water repellent material layer is not applied on the lower end surface 7g of the nozzle part 7, specula finishing is applied to facilitate the position adjustment of the nozzle part 7 to a substrate P and to hardly deposit a resist relatively and to easily clean even if the resist is deposited.例文帳に追加
ノズル部7の下端面7gには撥水性材料層は設けられていないが、鏡面加工が施されており、ノズル部7の基板Pに対する位置調整を容易にするとともに、比較的レジストが付着しにくく、また付着しても比較的容易に洗浄できる。 - 特許庁
The optical path deflecting substrate 20b includes an optical path deflection part 26 with a prism-like sectional shape which comprises: a V-shaped sectional projection extending with a light reflective slope 261 being toward light incident side; and a translucent material layer 22 filled in a recessed part surrounded by the optical path deflection part 26.例文帳に追加
光路偏向用基板20bは、光入射側に光反射性の斜面261を向けて延在する断面V字状突起からなる断面プリズム形状の光路偏向部26と、光路偏向部26で囲まれた凹部内に充填された透光性材料層22とを備えている。 - 特許庁
To relieve irregularities at a portion directly above a via hole, to improve the flushness and smoothness between the surface of a plated layer on a substrate surface and the surface of plating metal inside the via hole (the portion directly above the via hole), and to reliably package parts directly above via-on-via and the via hole.例文帳に追加
ビアホール直上部分の凹凸を緩和し、基板表面のめっき層の表面とビアホール内部(ビアホール直上部分)のめっき金属の表面との面一、平滑性を改善し、ビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装することを確実に可能にすること。 - 特許庁
In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加
Si基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、p型ウエル102に固定電位を与えるp+型ウエルコンタクト領域105を素子分離層101の中に設け、p+型ウエルコンタクト領域105とp型ウエルとの間に容量109を設ける。 - 特許庁
A magnetic recording film is film-deposited on a substrate, then a highly hard carbon film containing no hydrogen is formed by e.g. an FCA (Filtered Cathodic Arc) method, then the highly hard carbon film is immediately transferred into a hydrogenation chamber still in the vacuum and the surface of the highly hard carbon film is subjected to hydrogenation treatment to form a hydrogen-containing surface layer.例文帳に追加
基板上に磁気記録膜を成膜し、次に、水素を含まない高硬質炭素膜を、例えばFCA法で形成後、直ちに真空中のまま、水素化チャンバー中に移動させて、その高硬質炭素膜の表面を水素化処理して、水素含有表面層を形成する。 - 特許庁
For instance, an adjustment of the phase is performed so that phase shift of the reflection light eliminates between the regions by forming the phase adjustment layer 33 on the glass substrate 4a, and an adjustment of the phase is performed so that phase shift generated by an objective lens of an optical pickup is canceled.例文帳に追加
このように、ガラス基板4a上に位相調整層33を形成することにより、例えば各領域間での反射光の位相ずれがなくなるような位相の調整や、光ピックアップの対物レンズによって生じる位相ずれをキャンセルするような位相の調整を行うことができる。 - 特許庁
On an SOI substrate 64, elements such as MISFETs are provided in the element-forming region R1, and a trench element isolation 68 is formed reaching the insulation layer 62 penetrating the main-surface silicon layers 63 in the element isolation region R2.例文帳に追加
SOI基板64のうちで、素子形成領域R1に位置する部分にはMISFETなどの素子が設けられており、素子分離領域R2に位置する部分には主面側シリコン層63を貫通して絶縁層62に到達するトレンチ素子分離68が設けられている。 - 特許庁
In the platemaking method for the lithographic printing plate, an image is formed by a process that a composition containing a crosslinking agent for a primary amine polymer is printed on a lithographic printing original plate having at least one layer containing the primary amine polymer on a substrate, by using an inkjet method.例文帳に追加
支持体上に少なくとも1層の1級アミンポリマーを含有する層を有する平版印刷原版上にインクジェット方式を用いて1級アミンポリマーに対する架橋剤を含む組成物を印字して像を形成させることを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁
A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.例文帳に追加
半導体基板1の上に形成された下側金属膜2と、下側金属膜2の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属2から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜5と、バリア層5の上に形成された上側金属膜6とを含む。 - 特許庁
The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加
MOSキャパシタは、P型シリコン基板1の上面部に形成されたN型拡散領域2を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜3を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜3の上に形成されたゲート電極4を上部電極としている。 - 特許庁
The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.例文帳に追加
スイッチング用トランジスタ13は、半導体基板11上に第2導電型のソース領域13Sおよびドレイン領域13Dを形成し、ソース領域13Sとドレイン領域13Dの間の領域上に絶縁層12aを介してゲート電極13Gを形成して構成する。 - 特許庁
The active matrix substrate 61 has: a reflection electrode 30 having a flattened surface; a second insulating film 32 arranged on the reflection electrode 30 and having a flattened surface; and an alignment layer 33 arranged on the second insulating film 32 and composed of an oblique vapor deposition film.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板61は、表面が平坦化された反射電極30と、反射電極30上に配置され且つ表面が平坦化された第2の絶縁膜32と、第2の絶縁膜32上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜33とを有する。 - 特許庁
On the substrate, a plurality of electrodes 401 opposing the conductive layer of the planar member 104 are installed and arranged such that the working direction of line of electric force generated by a voltage applied to the plurality of electrodes becomes nearly the same as the displaced face direction of the planar member.例文帳に追加
板状部材104の導電体層と対向して複数の電極401を基板上に設け、複数の電極に印加される電圧により発生する電気力線の作用方向が、板状部材の変位面方向とほぼ同等となるように、複数の電極を配置する。 - 特許庁
In the transmission type liquid crystal device, a pixel electrode 9 consisting of a structural birefringent body provided with a light reflection body 9a arranged in a stripe-shape with a pitch shorter than the wavelength of light made incident to a liquid crystal layer 50 is formed at a TFT array substrate 10 of a visual confirmation side.例文帳に追加
本発明の透過型液晶装置は、視認側のTFTアレイ基板10に、液晶層50に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された光反射体9aを具備する構造複屈折体からなる画素電極9が形成されている。 - 特許庁
The light controlling layer may be formed almost all over the back face of the substrate from the side where a light source 6 such as a cold cathode tube or the like is disposed to the other side, in particular, may be continuously formed almost all over the region where the display part is formed, or may be formed only in the region corresponding to the display part.例文帳に追加
調光層は、冷陰極管等の光源6のある側から他の側へと基板の裏面の略全面、特に、表示部が形成されている領域の略全域に渡って連続的に形成されていてもよいし、表示部に対応する部分のみに形成されていてもよい。 - 特許庁
In the manufacturing method for the magnetic disk wherein a metal thin film type magnetic layer and a hard protective film are formed on a disk substrate 1, a transfer body coated with a lubricant is brought into contact with the hard protective film just after the hard protective film is deposited in a vacuum to transfer the lubricant to the surface of the hard protective film.例文帳に追加
ディスク基体1上に金属薄膜型磁性層、硬質保護膜を形成した磁気ディスクの製造方法において、潤滑剤を塗布した転写体を成膜直後の硬質保護膜と真空中で接触させて、硬質保護膜表面に潤滑剤を転写させる。 - 特許庁
The thermal type element having a structure of forming a bridge of a thin layer on a cavity 30 provided in a substrate 20, includes: a function member whose size is changed with a temperature; and a size increase and decrease member 60 whose size is changed with a temperature so as to absorb the size change of the function member.例文帳に追加
基板20に設けた空洞30上に薄層を架橋する構造の熱型素子は、温度によって寸法が変化する機能部材と、機能部材の寸法の変化を吸収するように、温度によって寸法が変化する寸法増減部材60と、を備えている。 - 特許庁
A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加
C面からなる第1の平面領域11aと半極性面からなる第2の平面領域11bとC面からなる第3の平面領域11cとを主面に有するn型GaN基板11上にレーザ構造を形成するGaN系半導体層12を成長させる。 - 特許庁
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