「layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(739ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive film is constituted by laminating a layer comprising a conductive resin composition on at least one surface of a substrate film.例文帳に追加

本発明の導電性フイルムは、（A）導電性繊維状フィラー、（B）導電性樹脂、および（C）非導電性の有機または無機のマトリックスからなる組成物であって、該組成物の組成が下記を満足する導電性樹脂組成物層を基材フイルムの少なくとも片面に積層してなることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a charging member for electrophotography having a covering layer on a conductive substrate, whose surface has no minute projections and nonuniform resistance, which ensures satisfactory image formation, and in which a viscosity change with time is less even when it is used as a coating liquid.例文帳に追加

導電性支持体上に被覆層を有する電子写真用帯電部材において、表面に微小突起物や抵抗ムラがなく、良好な画像形成を与えることができ、塗工液として用いた際にも、経時粘度変化が少ない電子写真用帯電部材を提供することである。 - 特許庁

In this conductive film pattern forming method, a conducting film pattern P is formed continuous but with a change in width by a liquid droplet ejection method on a microgap type or swelling type receptor layer 2 formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に設けられた微小空隙型もしくは膨潤型の受容層２に液滴吐出法で、連続した幅の異なる部分を有する導電膜パターンＰを形成するに際して、一の幅のパターン１００を形成する工程と、一の幅のパターン１００を乾燥する工程とを備えている。 - 特許庁

Carbon in the graphite substrate 22 is melted into the molten Fe-Si alloy 12, and SiC to which the molten carbon and Si in the molten Fe-Si alloy 12 combine deposits on the basis of the SiC seed crystal 21, whereby a SiC single crystal growth layer 13 grows.例文帳に追加

グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。 - 特許庁

To improve productivity by improving the adhesiveness of a resist by subjecting an Au layer of an Au/Cr corrosion resistant film formed on a substrate before resist coating to a short-lasting surface modification treatment using ozonized water, in a process for producing a quartz crystal device.例文帳に追加

水晶デバイスを製造する工程において、レジスト塗布前の基板上に形成されたＡｕ／Ｃｒ耐蝕膜のＡｕ層を短時間のオゾン水により表面の改質処理を施すことで、レジストの付着性を向上させることにより、生産性を向上させる。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

An SiO2 film 8 is formed on the substrate where the source and drain electrodes 6 and 7 are formed, the part between the source and drain electrodes 6 and 7 is opened, the n-type GaAs layer 5 is etched through the opening to form a recess groove 13, and a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

このソース電極６ドレイン電極７を形成した基板にＳｉＯ_2膜８を形成した後、ソース電極６とドレイン電極７の間を開口し、その開口を通してｎ型ＧａＡｓ層５をエッチングしてリセス溝１３を形成し、ゲート電極９を配設している。 - 特許庁

This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.例文帳に追加

絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

Line like irregularities obliquely crossing a tracking direction for recording information at ≥45° angle are formed on a non-magnetic substrate of the perpendicular magnetic recording medium by a texture working method or the like and the soft magnetic backing layer is film-deposited while a magnetic field parallel to a direction nearly orthogonal to the track direction is applied.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の非磁性基体上に、情報を記録するトラック方向と４５度以上の角度で斜交する筋状の凹凸をテクスチャ加工法等により形成し、トラック方向と略直交する方向に平行な磁場を印加しながら軟磁性裏打ち層を成膜する。 - 特許庁

Surface layers of thermoplastic resin such as polycarbonate, polymethylmethacrylate, or the like are laminated, this surface layer is heated, a stamper in which a desired uneven pattern is formed is pressed, the pattern is transferred, and a substrate for vertical magnetic recording medium is made.例文帳に追加

アルミやガラス等の支持基板（支持層）上に、ポリカーボネートやポリメタクリル酸メチル等の熱可塑性樹脂の表面層を積層し、この表面層を加熱して所望の凹凸パターンを形成済みのスタンパを押し付けてそのパターンを転写させて垂直磁気記録媒体用基板とした。 - 特許庁

To enhance an appearance performance and also reduce a manufacturing cost in an automotive interior trim and its manufacturing process of wholly or partially employing a laminated structure including a foamed resin substrate, and a top layer and a resin rib integrated on its front and rear surface side respectively.例文帳に追加

発泡樹脂基材とその表裏面側にそれぞれ一体化されるトップ層及び樹脂リブとからなる積層構造体を全体、あるいは一部に採用した自動車用内装部品並びにその製造方法において、外観性能を高め、かつ製作コストを低減化する。 - 特許庁

In an electromechanical conversion device 10, a plurality of electromechanical conversion elements 2, which include a first electrode 3 and a second electrode 6 that are provided so as to face each other via an insulator 7, are formed on an insulating layer 5 formed on one surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。 - 特許庁

The magnetic recording layer is preferably formed within 24 hr after the heat-treatment, the heating temperature in the heat-treatment is preferably lower than the glass transition temperature of the substrate by at least 20°C and the heating time in the heat-treatment is preferably ≤50 hr.例文帳に追加

支持基板の加熱処理後２４時間以内に磁気記録層を形成すること、支持基板の加熱処理における加熱温度を支持基板のガラス転移温度より少なくとも２０℃低く設定すること及び支持基板の加熱処理における加熱時間を５０時間以下に設定することが望ましい。 - 特許庁

This substrate 10 with a built-in capacitor comprises: a base material 11 having a required thickness; and a pair of conductors (penetrating electrodes) 12, 13 formed so as to penetrate the base material at required patterns in the direction of the thickness of the base material 11 and oppositely arranged through an insulating layer 14.例文帳に追加

キャパシタ内蔵基板１０は、所要の厚さを有した基材１１と、基材１１の厚さ方向にそれぞれ所要のパターン形状で貫通形成され、かつ絶縁層１４を介在させて対向配置された１対の導体（貫通電極）１２，１３とを備える。 - 特許庁

In the technique, after forming a Ni-Pt alloy film on a semiconductor substrate 1, a first heat treatment having a heat-treatment temperature of 210-310°C is performed by a heater heating apparatus as to form a Pt addition Ni silicide layer 33 of (PtNi)_2Si phase by making a Ni-Pt alloy film react on Si.例文帳に追加

半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。 - 特許庁

The heat sensitive recording material is provided on a substrate with a recording layer containing a diazonum salt compound and a coupling constituent while barbituric acid derivative, shown by general formula (I) and/or another bartituric acid derivative shown by general formula (II) are contained as the coupling constituent.例文帳に追加

支持体上に、ジアゾニウム塩化合物とカップリング成分とを含有する記録層を有し、カップリング成分として下記一般式（Ｉ）で表されるバルビツール酸誘導体、及び／又は下記一般式（II）で表されるバルビツール酸誘導体を含有する感熱記録材料である。 - 特許庁

The method advances etching of a film to be etched by positioning a substrate (S) having laminated structure in which the film to be etched (F) is formed on a base layer (Z) in a space between a first electrode and a second electrode, and introducing etching gas into the space and generating a plasma.例文帳に追加

本方法では、被エッチング膜（Ｆ）が下地層（Ｚ）上に形成された積層構造を持つ基板（Ｓ）を第１電極及び第２電極間の空間に位置させ、該空間内にエッチングガスを導入するとともにプラズマを発生させることで、前記被エッチング膜のエッチングを進行させる。 - 特許庁

To provide a non-halogen and inflammable admixture of protection ink which has sufficient inflammability and used for an insulating protection layer of a printed circuit board or the like such as membrane switch, in which a bonding force is high for a substrate film and the sliding property and insulation property are never lowered.例文帳に追加

メンブレンスイッチなどのプリント配線板等の絶縁保護層に用いられる保護インク混和物において、基材フィルムに対して接着力が高く、耐摺動性や絶縁性の低下がなく、ノンハロゲンで、十分な難燃性を有する難燃性の保護インク混和物を得ることにある。 - 特許庁

To provide a reversibly heat-discolorable ultraviolet light-curable ink composition which can form a reversibly heat-discolorable layer having good color changeability and strong adhesiveness to a substrate and exhibits ink performances comprising the excellent dispersion stability of a microcapsule pigment and excellent printing suitability, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

良好な色変化と基材に対して強固な接着性を有する可逆熱変色層を形成でき、しかも、マイクロカプセル顔料の分散安定性や印刷適正に優れたインキ性能を示す可逆熱変色性紫外線硬化型インキ組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel electrode is formed on the organic film in the display area and connected to the thin film transistor, an organic film blocking member 199 is forme din the peripheral area of the substrate in the same layer with the pixel electrode, and a sealing material 310 enclosing the pixel electrode is provided on the organic film in the peripheral area.例文帳に追加

画素電極は、表示領域の有機膜上に形成され、薄膜トランジスタと接続され、画素電極と同一層の基板の周辺領域に有機膜遮断部材１９９が形成され、周辺領域の有機膜上に、画素電極を取り囲む封止材３１０を備えている。 - 特許庁

To provide an ultrasonic vibrator whose process of separately providing a metal electrode on the substrate side is eliminated, which selects ceramics for which processing at high temperature is required as a material of a vibrating membrane or a sacrifice layer in manufacture, and whose flexibility is raised in a manufacturing process.例文帳に追加

製造において、基板側に金属性の電極を別度設ける工程を省くことが可能である上に、高温での処理が必要であるセラミックスを振動膜又は犠牲層の材料として選択でき、製造工程において自由度が高まる超音波振動子を提供する。 - 特許庁

Also, a hard coat film having a blushing angle of 30° or higher in a bending test using a mandrel of 2 mm diameter is obtained by laminating the hard coat layer having a Martens hardness of 350 N/mm^2 or higher on a resin substrate film having a Martens hardness of 90 N/mm^2 or higher.例文帳に追加

また、マルテンス硬度が９０Ｎ／ｍｍ^2以上である樹脂基材フィルム上に、マルテンス硬度が３５０Ｎ／ｍｍ^2以上であるハードコート層を積層し、直径２ｍｍのマンドレルを用いた折り曲げ試験における白化角度が３０°以上であるハードコートフィルムとする。 - 特許庁

A connector main body 22 is formed with a member having a thermal expansion coefficient almost equal to that of a substrate constituting a connecting object 30, plural semiconductor devices are installed on the surface of the connector main body 22, and a wiring pattern and a common wiring layer to be connected to these semiconductor devices are installed.例文帳に追加

コネクタ本体２２を接続対象物３０を構成する基板と熱膨張係数が略等しい部材で形成し、コネクタ本体２２の表面に複数の半導体装置を設け、これらの半導体装置に接続される配線パターンおよび共通配線層を設ける。 - 特許庁

After forming vias 108 and wiring trenches 109 in an insulation film on a semiconductor substrate 100, a second Ru barrier metal film 110 and a copper seed layer 111 are deposited in this order to the bottoms and the walls of the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜にビアホール１０８及び配線用溝１０９を形成した後、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれの底部及び壁面に、Ｒｕ膜からなる第２のバリアメタル膜１１０、及び銅シード層１１１を順次堆積する。 - 特許庁

This temperature-keeping sheet is obtained by laminating a heat insulating layer such as a thin membrane of a metal or metal oxide formed by any one or a multiple number of silver, aluminum, titanium and nickel as the metal and aluminum oxide, silicon oxide, etc., as the oxide on a sheet-formed substrate of a plastic, paper, etc.例文帳に追加

保温シートとして、プラスチック、紙等のシート状の基材に、金属である、銀、アルミニウム、チタン、ニッケルや酸化物である酸化アルミニウム、酸化珪素等のいずれかもしくは複数により形成されてなる金属または金属酸化物の薄膜等の断熱層を積層する。 - 特許庁

Since the surface coating layer remaining on the substrate has high lyophobic property and a portion where the coating is removed has relatively high lyophilic property, a composition containing a conductive material is selectively deposited in a portion where the coating is removed, and thereby a desired wiring pattern can be obtained.例文帳に追加

基板上に残留する表面被覆層は疎液性が高く、一方、被覆が除去された部分は相対的に親液性が高いので、被覆が除去された部分に選択的に導電性材料含有組成物を付着させることができ、所望の配線パターンを得ることができる。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a film of the Ru-Al intermetallic compound composed essentially of B2 superlattice which is deposited using the above Ru-Al intermetallic compound target is used as at least one layer of a base film which is formed between a Co-based magnetic film and a nonmagnetic substrate.例文帳に追加

また、上述したＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットで成膜した実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

To provide an electronic substrate capable of preventing the increase of connection resistance in a configuration wherein upper and lower conductive patterns wired through an inter-layer insulating film are connected by connection wiring after being formed, and reduing a process cycle time when manufacturing this configuration.例文帳に追加

層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。 - 特許庁

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

This is an electro-optical device having pixels arranged in matrix, and has a substrate or an insulation film which has a flat surface buried with a light shading material in the grooves formed on the light shading layer to shade the incident light to the electro-optical device.例文帳に追加

電気光学装置は、マトリクス状の画素要素が設けられた電気光学装置であって、電気光学装置に入射する光を遮光する遮光層の形状に形成された溝に遮光材料が埋め込まれ、該遮光材料が埋め込まれた表面は平坦である基板又は絶縁膜を有する。 - 特許庁

In the self-adhesive film obtained by laminating an adhesive layer containing a carboxylic acid-unmodified thermoplastic elastomer, a carboxylic acid-modified thermoplastic elastomer, a plasticizer and a crosslinking agent to a substrate film surface, a high temperature-reactive crosslinking agent and a low temperature-reactive crosslinking agent are combinedly used as the crosslinking agent.例文帳に追加

基材フィルム表面に、カルボン酸未変性熱可塑性エラストマー、カルボン酸変性熱可塑性エラストマー、可塑剤、及び架橋剤を含有する粘着剤層が積層されて成る自己粘着性フィルムにおいて、架橋剤として高温反応性架橋剤と低温反応性架橋剤とを併用する。 - 特許庁

A solution of a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound having a degree of polymerization of <20 is coated on a substrate layer and then the polyvalent metal salt of the unsaturated carboxylic acid compound is irradiated with electron beams in the presence of a solvent to manufacture the gas barrier film.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩に溶媒の存在下で電子線を照射することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法に関する。 - 特許庁

The pressure sensitive adhesive layer is obtained by coating the pressure sensitive adhesive composition comprising a radiation curable acrylic compound and a carboxyl group-containing acrylic compound which is an ester form having a structure obtained by bonding an epoxide (meth)acrylate having a hydroxy group to a polycarboxylic acid through an ester on a substrate and curing the composition.例文帳に追加

放射線硬化性アクリル化合物と、ヒドロキシ基を有するエポキシド（メタ）アクリレートと多価カルボン酸とがエステルにより結合された構造を有するエステル体であるカルボキシル基含有アクリル化合物とを含む感圧接着剤組成物を基体に塗布し硬化する。 - 特許庁

To provide a water-borne coating agent having excellent low temperature film-forming ability without using a film-forming aid comprising an organic solvent, excellent in adhesiveness to a substrate, a polyester film in particular, and capable of forming a coating layer excellent in heat resistance, water resistance, solvent resistance, transparency, etc.例文帳に追加

有機溶剤からなる造膜助剤を使用せずとも、優れた低温造膜性を有し、基材とりわけポリエステルフィルムに対する密着性に優れ、かつ耐熱性、耐水性、耐溶剤性、透明性等に優れたコーティング層を形成可能な水性コーティング剤を提供すること。 - 特許庁

The intermediate layer (6) includes both modules connected in series, and the first formed body (4) of the both formed bodies is formed by at least a part of the insulating substrate and the second formed body (5) is formed by at least a part of the arc extinguishing medium.例文帳に追加

中間層(6) は直列に接続された両方のモジュールを含み、両方の成形体のうちの第一の成形体(4) は電気的に絶縁する基体の少なくとも一部により形成されかつ第二成形体(5) は消弧媒体の少なくとも一部により形成される。 - 特許庁

The double-sided self-adhesive sheet to be used for fixing a liquid crystal display module unit and a backlight unit in a liquid crystal display is provided, being characterized by having at least one hot-peelable self-adhesive layer containing thermally expandable microballoons and having no substrate.例文帳に追加

本発明の両面粘着シートは、液晶表示装置における液晶表示モジュールユニットとバックライトユニットの固定に用いる両面粘着シートであって、熱膨張性微小球を含有する熱剥離粘着層を少なくとも１層有し、且つ、基材を有しないことを特徴としている。 - 特許庁

The npn bipolar transistor 30 is formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and among its base area (P-wel 14b), the p-type diffusion layer 16b is formed on a joint to join with a collector area in such manner that the impurity concentration of the above area is locally elevated.例文帳に追加

こうした半導体基板１１の表面に、上記ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３０を形成し、そのベース領域（Ｐウェル１４ｂ）のうち、コレクタ領域と接合する接合部に同領域の不純物濃度を局所的に高く設定するかたちでＰ型拡散層１６ｂを形成する。 - 特許庁

In the method, after a liquid 3 composed of component elements of the compound is uniformly deposited on a substrate 2, a liquid or gas 5 composed of other component elements of the compound is contacted with on a liquid-deposited layer 4 to grow crystals.例文帳に追加

基板２上に化合物の構成元素からなる液体３を均一に付着した後、該液体の付着層４に化合物の他の構成元素からなる液体または気体５を接触させて結晶を成長させることを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。 - 特許庁

The light-collecting sheet (optical sheet) 14 of the invention has an irregularity 14C forming a light-collecting layer and a substrate 14B supporting it.例文帳に追加

本発明に係る集光シート（光学シート）１４は、集光層を形成する凹凸部１４Ｃとこれを支持する基材１４Ｂとを有し、基材１４Ｂが、凹凸部１４Ｃを支持する第１シート基材２１と、この第１シート基材２１に接着材料層２０を挟んで対向する第２シート基材２２とで構成される。 - 特許庁

In a piezoelectric thin-film filter 1 including four piezoelectric thin-film resonators R11-R14, a filter section 11 for providing the filter function of the piezoelectric thin-film filter 1 is bonded to a flat base substrate 13 for supporting the filter section 11 mechanically via a bonding layer 12.例文帳に追加

４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜フィルタ１のフィルタ機能を提供するフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。 - 特許庁

Even if an oscillating circuit, etc., provided in the circuit-element-forming region of the silicon substrate 11 crosses with the re-wiring 20, generation of crosstalks is prevented by the grounding electric potential layer 16, and restriction by the placement of the re-wiring 20 is prevented.例文帳に追加

そして、シリコン基板１１の回路素子形成領域内に設けられた発振回路等と再配線２０とがクロスしても、接地電位層１６によりクロストークが発生しないようにすることができ、ひいては再配線２０の配置に制約を受けないようにすることができる。 - 特許庁

An ink acceptor layer 3 comprising a resin composition to which ultrafine particles having ≤120 nm average particle diameter of primary particles have been added is formed on a transparent substrate 1 and patternwise exposed and ink 8 is imparted from an ink jet head 7 to parts 6 to be colored to form colored parts 9.例文帳に追加

透明基板１上に、一次粒子の平均粒径が１２０ｎｍ以下の超微粒子を添加した樹脂組成物からなるインク受容層３を形成し、該インク受容層３をパターン露光した後、被着色部６にインクジェットヘッド７よりインク８を付与して着色部９を形成する。 - 特許庁

A photodetector includes a silicon oxide layer whose thickness od 3 to 10 nm formed on a first conductive silicon substrate, a first conductivity-type depletion blocking region formed just under the silicon oxide film, and a second conductivity-type charge accumulation region formed under the depletion blocking region.例文帳に追加

本発明の受光素子は、第１導電型のシリコン基板上に形成された厚さ３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜と、この直下に形成された第１導電型の空乏化阻止領域と、空乏化阻止領域の下方に形成された第２導電型の電荷蓄積領域とを有する。 - 特許庁

Electron beams are radiated on an Au-Sn alloy as a first target while an electron beam vapor deposition apparatus is maintained in a vacuum state, a first alloy layer 3a of the thickness d1 (for example, d1 = 1 μm) is deposited on an AlN substrate 1, and the first electron beam radiation is completed.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置を真空に保持した状態で第１のターゲットであるＡｕ−Ｓｎ合金に電子ビームを放射してＡｌＮ基板１上に厚さｄ１（例えばｄ１＝１μｍ）の第１次合金層３ａを被着させて第１の電子ビーム放射を終了する。 - 特許庁