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layer substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39496



例文

Using a second substrate 100, the polycrystalline silicon TFT being an active element of a driving circuits 14 and 16 and a layer 140 to be transferred including a second electrode wiring group connected to the polycrystalline silicon TFT are formed and a part to be a terminal is exposed to form a second electrode exposure part 141.例文帳に追加

第2の基板100を用いて、駆動回路14,16の能動素子である多結晶シリコンTFTと、それに接続された第2の電極配線群を含む被転写層140を形成し、端子となる部分を露出させて第2の電極露出部141とする。 - 特許庁

The package substrate has a shape in which bottomed-holes having a plurality of shapes are formed and the interlayer connections are made in a plurality of layer, and also has a structure that the connections are made after a conductive process with only a single process of plating or with thick nonelectrolyte plating or with conductive paste.例文帳に追加

複数形状を有する非貫通孔の形状で、少なくとも、その層間接続方法が多段と成る形状を有し、且つその接続方法が導電化後、一回のめっき、或いは、厚付け無電解めっきや導電ペーストにより接続された構造を有するパッケージ基板。 - 特許庁

In addition, even when stress is added to an exposed part of the electrode body 60 constituting the pad 60P at the mounting onto an external substrate, since the electrode body 60 except for the exposed part is protected by the first insulating layer 50, cracks or the like are less likely generated to the electrode body 60.例文帳に追加

また、パッド60Pを構成する電極体60の露出部分に対して、外部基板への実装の際に応力が加わっても、該電極体60は露出部分以外は第1絶縁層50により保護が図られるので、電極体60にクラック等が生じ難い。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.例文帳に追加

基板12のビアホール20に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層13、下部電極15、圧電体薄膜16および上部電極17がこの順に積層された圧電積層構造体14を備える。 - 特許庁

例文

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するN型拡散層に接触するまで、SOI基板のN型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するN型の領域を形成する。 - 特許庁


例文

A light-shieldable film 12 is provided on an optical film 15 such as a half-tone phase shift layer formed on one principal plane of an optically transparent substrate 11, and the light-shieldable film 12 is configured by sequentially laminating a first light-shieldable film 13 and a second light-shieldable film 14.例文帳に追加

光学的に透明な基板11の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜15上に遮光性膜12が設けられており、この遮光性膜12が第1の遮光性膜13と第2の遮光性膜14を順次積層させて構成されている。 - 特許庁

To obtain a base sheet for lithography giving a resist pattern having a rectangular cross-sectional shape without causing phenomena such as trailing and constriction in the lower part of the pattern even if short-wavelength light such as excimer laser light is used as a light source when the base sheet is disposed between a substrate and a resist layer.例文帳に追加

基板とレジスト層との間に設けることで、エキシマレーザー光などの短波長光を光源としても、パターン下部に発生する裾引きやくびれなどの現象を起こすことなく、断面形状が矩形のレジストパターンを与えるリソグラフィー用下地材を提供する。 - 特許庁

To provide a surface protection tape having a small wafer warpage caused by the thermal shrinkage of a substrate layer by heating, little adhesion with an adsorbing stand for heating, almost without developing dimples and showing good accuracy of wafer finished thickness after grinding, and a method for producing a semiconductor chip by using the surface protection tape.例文帳に追加

加熱による基材層の熱収縮によるウェハ反りが小さく、加熱吸着台への接着が少なく、ディンプルの発生が殆どなく、また研削後のウェハ仕上げ厚み精度が良好な表面保護テープおよびその表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming an organic thin film transistor is characterized in that a channel layer is formed in a range from 3 μm to 200 μm from the end part of an organic semiconductor film that is deposited by supplying and coating a coating solution comprising an organic semiconductor material onto a substrate to dry it.例文帳に追加

有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより成膜される有機半導体膜の端部より3μm以上、200μm以下の範囲にチャネル層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの形成方法。 - 特許庁

例文

To provide an exposure device for exposing efficiently different kinds of color filter patterns with one exposure line, in the exposure device for pattern-exposing the color filter patterns for imposition on a treated substrate formed with a photosensitive layer, and to provide an exposure method for the different kinds of patterns.例文帳に追加

面付け用のカラーフィルタパターンを感光層が形成された処理基板にパターン露光するインラインの露光装置において、1台の露光ラインで効率良く異種のカラーフィルタパターンを露光できる露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第1巨大磁気抵抗効果素子20と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板11上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜20を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の(100)面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造21が形成される。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern.例文帳に追加

GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、GaN系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料(特に、シリコン窒化物)からなるマスク層2を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてGaN系結晶成長用基板を得る。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device using plastic substrates securing a sufficient short circuit preventing function between electrodes without damaging productivity and development to a large substrate and without damaging the forming property of an alignment layer in its manufacturing stage and stress resistive reliability and the like.例文帳に追加

プラスチック基板を用いた液晶表示素子において、生産性、大型基板への展開性を損なうことなく、また、作製工程における配向膜の形成性、耐応力信頼性等を損なうことなく、充分な電極間ショート防止機能を確保した液晶表示素子の提供。 - 特許庁

To solve the problem in which a solder enters the inside along an outside electrode, an internal electrode led out from the inside and a gold plating layer formed on the surface of an upper electrode, due to solder creeping up on the surface of the outer electrode formed on the end face of a base substrate in a reflow step.例文帳に追加

リフロー工程で、半田がベース基板の端面に形成した外部電極表面を這い上がることで、外部電極と、内部から導出した内部電極、上部電極の表面に形成した金メッキ層を伝わって半田が内部に入る問題を解決することにある。 - 特許庁

The thin-film electrode is manufactured by forming a conductive thin film on a (100) orientation plane in a single crystal state having cleavage properties as in the cleavage surface of natural mica, bonding the conductive thin film to the substrate via a polymer adhesive layer, and separating the (100) orientation plane.例文帳に追加

天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の(100)配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記(100)配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。 - 特許庁

Columnar spacers SP1 are fixed in prescribed positions by forming the columnar spacers on the common electrode ITO2 and on a transparent protective film OC2 where the common electrode does not exist at the color filter substrate SUB2 and coating the columnar spacers on the common electrode with an alignment layer.例文帳に追加

カラーフィルタ基板SUB2に有する共通電極ITO2上、および共通電極の存在しない透明保護膜OC2上に柱状スペーサSP1を形成し、共通電極上の柱状スペーサを配向膜で被覆することにより、柱状スペーサを所定位置に固定した。 - 特許庁

To ensure stable cell performance by enabling it to perform satisfactory diffusion of gases necessary for the reaction, while retaining mechanical strength for the electrode, and in particular, by forming a carbon layer which has a smooth surface, regardless of unevenness of the electrode substrate and has an improved uniform water repellency.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れたカーボン層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

A lenticular lens sheet 120 of the present invention has second and fourth scatter preventive layers 123 and 122 laminated integrally on both surfaces of a second glass substrate 121 and the fourth scatter preventive layer provided on an incidence side is provided with a lenticular lens portion 122a to solve the problem.例文帳に追加

本発明によるレンチキュラーレンズシート120は、第2のガラス基板121の両面に、第2及び第4の飛散防止層123,122を一体的に積層し、入射側に設けられた第4の飛散防止層122にレンチキュラーレンズ部122aを設けることにより課題を解決した。 - 特許庁

The color filter used for the liquid crystal display element driven by the electric field in a direction parallel to the substrate is characterized in that the color filter has two or more colored layers and the thickness of the colored layer having the lowest transmittance is thicker than the thickness of any other colored layers.例文帳に追加

基板に平行な向きの電界で駆動される液晶表示素子に用いられるカラーフィルターにおいて、2色以上の着色層を有し、かつ透過率の最も低い着色層の膜厚が、他の着色層の膜厚よりも厚いことを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁

To provide a copper alloy foil for a laminate sheet with a small surface roughness which has satisfactory wettability with varnish, and can directly be joined with polyimide even without undergoing roughening treatment in a two layer printed circuit board having a resin substrate in which varnish containing a polyamic acid is used as the raw material.例文帳に追加

ポリアミック酸を含むワニスを原料として樹脂基板とする2層プリント配線板において、ワニスとのぬれ性が良好で粗化処理を施さずにポリイミドとの直接接合が可能な表面粗さの小さい積層板用の銅合金箔を提供すること。 - 特許庁

The high dissipation is maintained by the inorganic insulating film 2 having high heat conductivity, and a difference in coefficient of linear expansion between the metal substrate 1 and the inorganic insulating film 2 is alleviated by the intermediate layer 4 to prevent the inorganic insulating film 2 from being cracked due to a thermal shock.例文帳に追加

高い熱伝導率を有する無機絶縁膜2によって、高い放熱性を維持することができると共に、中間膜4によって金属基板1と無機絶縁膜2の線膨張係数の差が緩和され、無機絶縁膜2に熱衝撃でクラックが発生することを防止することができる。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板SUBとゲート電極層GEとの間のゲート絶縁膜GIは、第1のシリコン酸化膜OX1と、第1のシリコン窒化膜NI1と、第2のシリコン酸化膜OX2と、第2のシリコン窒化膜NI2と、第3のシリコン酸化膜OX3とからなっている。 - 特許庁

The decorative sheet has on a substrate 1 a polyurethane resin layer 2 containing a reaction product of a resin (resin A) having a polycarbonate skeleton, a polyurethane skeleton, and hydroxy groups, a polyol resin (resin B) other than the resin A, and a polyisocyanate curing agent (curing agent C) as a main component.例文帳に追加

基材1上に、ポリカーボネート骨格及びポリウレタン骨格を含有し且つ水酸基を含有する樹脂(樹脂A)と、該樹脂A以外のポリオール樹脂(樹脂B)と、ポリイソシアネート硬化剤(硬化剤C)との反応生成物を主成分とするポリウレタン系樹脂層2を有する化粧シートである。 - 特許庁

In the method for producing the flexible substrate, a polyimide film is used as the plastic film, and the barrier layer and the copper layers are film forming-formed in turn after the polyimide film is dried at a temperature of 50-200°C in a vacuum of10^-2 Torr or below.例文帳に追加

また、プラスチックフィルムとしてポリイミドフィルムを用いるとともに、このポリイミドフィルムを、1×10^-2Torr以下の真空下にて50℃以上、200℃以下で乾燥させた後に、上記バリア層と上記銅層とを順に成膜形成するフレキシブル基材の製造方法とした。 - 特許庁

In view of compatibility with a DVD and a CD, the thicknesses of the glass substrate, the plastic sheet, and the adhesive layer are defined so that a thickness of combining the turntable with an optical information recording medium is 0.6 mm when the thickness of the optical information recording medium (thin flexible optical disk) is 0.1 mm.例文帳に追加

また、DVDやCDとの互換性を考慮して、光情報記録媒体(薄型フレキシブル光ディスク)の厚さが0.1mmであった場合に、ターンテーブルと光情報記録媒体を併せた厚さが、0.6mmとなるように、ガラス基材とプラスチックシートと接着層の厚さが規定される。 - 特許庁

The photoreceptor has a photosensitive layer essentially made of amorphous silicon laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上に、主として非晶質珪素からなる感光層を積層してなるものであって、感光体の表面の表面自由エネルギー(γ)の値がγ≦55mN/mの範囲内にあり、表面の表面自由エネルギー(γ)の水素結合力成分(γ^h)の値がγ^h≦15mN/mの範囲内にある電子写真用感光体。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical recording method which has ≥2 layers of optical recording layers and can solve the problems of uneven thicknesses, air bubbles, etc., of an intermediate layer arising in consequence of the outer peripheral build-ups, flashes, etc., of a disk substrate.例文帳に追加

2層以上の光学記録層を有する光学記録媒体の製造方法において、ディスク基板の外周隆起やバリなどに起因して発生する中間層の厚みムラや気泡などの問題を解決することができる光学記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal plate 2, an insulating layer 3, and an electrode 4 are pressure-bonded before both the surfaces of a substrate are subjected to resist patterning, thus manufacturing an electrode pattern and the groove of the periphery of the metal plate 2 simultaneously by etching, and then performing cutting along the groove or punching for dividing into a plurality of pieces.例文帳に追加

また、金属板2と絶縁層3と電極4を圧着後、基板両面のレジストパターニングを行って、エッチングにより電極パターンと同時に金属板2の周縁部の溝を作製し、その後、溝に沿った切削加工又は打ち抜き加工をし複数個に分割する。 - 特許庁

To provide a polishing composition and a polishing method suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate, a semiconductor component such as an inter-layer insulating film, and a recording medium component and an optical component, capable of flattening a surface of a polishing object and speeding-up a polishing speed.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨(CMP)に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrooptical device in which a stain, unevenness and the like are not generated on an image by leaving an alignment layer on a substrate with even thickness and selectively in a needed position, and to provide the electrooptical device and a projection type display device using this electrooptical device.例文帳に追加

基板上に配向膜を均等な厚さで、かつ、必要な箇所に選択的に残すことにより、画像にシミやムラなどが発生しない電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

Then a plasma is generated by subjecting a reaction gas to ECR excitation by forming a prescribed magnetic field in the generating chamber 2 by means of an exciting coil 15, while microwaves are introduced into the chamber 2 and FeN layer is etched by guiding the plasma to the substrate K.例文帳に追加

基板Kの温度を90℃以上にした状態で、導波管12から生成室2内へマイクロ波を導入するとともに、励磁コイル15にて生成室2内に所定の磁界を形成して、反応ガスをECR励起してプラズマを生成し、これを基板K上へ導き、FeN層をエッチングする。 - 特許庁

Both the tapered section of the nozzle and the bore having the vertical wall are formed from one side of a semiconductor layer so that the tapered section and the bore are aligned with each other, even when an array of nozzles are formed across the whole of a die and a plurality of dies are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。 - 特許庁

The lithographic printing plate material has on a hydrophilic substrate an image forming layer which contains a core/shell structure particulate having a shell and a core of which the softening point is lower by 40°C or more than that of the shell, a blocked isocyanate compound and a hydrophilic resin having a group capable of reacting with isocyanate.例文帳に追加

親水性支持体上に、シェルと軟化点が該シェルより40℃以上低いコアを有するコア/シェル構造微粒子、ブロック化イソシアネート化合物、イソシアネートと反応可能な基を有する親水性樹脂を含有する画像形成層を有することを特徴とする平版印刷版材料。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板1に多層配線50を形成する方法であって、コンタクトホールH内に第1プラグ電極13を形成した後、この第1プラグ電極13の上面と接触するようにILD11上に第1アルミ配線17を形成する。 - 特許庁

To obtain an electrophotographic photoreceptor excellent in strength characteristics and electrical characteristics by heating a specified coating fluid for an electrophotographic photoreceptor at a specified temperature, coating the top of an electrically conductive substrate with the coating fluid and curing the coating fluid by heating to form a resin layer containing a siloxane resin.例文帳に追加

樹脂層塗布液の加熱を行うに当たり、反応性基を有する電荷輸送性化合物の分解を抑制しながらシロキサン系樹脂の架橋反応を十分に行って強度特性及び電気的特性に優れる電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁

Since directors 25a of constituent molecules 25 of a retardation layer 11 are made to be forward-parallel to an alignment direction 9a of liquid crystal molecules 9 in the in-plane of a substrate surface in at least a transmission display part D, light leakage in black display is reduced even when viewed from an oblique direction.例文帳に追加

位相差層11の構成分子25のダイレクタ25aが、少なくとも透過表示部Dにおいて基板平面における面内で液晶分子9の配向方向9aと順平行であることとしたので、斜め方向で見ても黒表示で光漏れが少なくなる。 - 特許庁

This resin-sealed type semiconductor device has a chip-mounted substrate 10, on which a semiconductor chip 1 is mounted across an adhesive layer 2, a metal thin wire 5 which connects the electrode pad 1a of the semiconductor chip 1 and a top-surface side wire 3a, and sealing resin 9 for sealing the semiconductor chip 1, etc.例文帳に追加

半導体チップ1を接着剤層2を挟んで搭載するチップ搭載用基板10と、半導体チップ1の電極パッド1aと上面側配線3aとを接続する金属細線5と、半導体チップ1などを封止するための封止樹脂9とを備えている。 - 特許庁

A low-concentration region 25 kept in contact with the active layer 22, an intermediate region 24, a drain region 23d, an intermediate region 24, and a low-concentration region 25 are arranged in the substrate 2 in this sequence in the direction of a line extending from the gate electrode 29 to the drain electrode 28.例文帳に追加

また、基板2内において、ゲート電極29からドレイン電極28に向かう方向に、活性層22に接する低濃度領域25と、中間領域24と、ドレイン領域23dと、中間領域24と、低濃度領域25とがこの順に配置されている。 - 特許庁

To suppress rocking or scattering caused by the rapid descending change of a coating liquid entering in a hollow part when the lower end part of a cylindrical substrate leaves the surface of the coating liquid and to allow a uniform coating film layer to be coated and formed.例文帳に追加

円筒状基体の下端部が塗布液面から離脱する時に、中空部に浸入した塗布液の急激な下降変化に伴う揺動や飛散の誘発を抑制でき、均一な塗布膜層を塗布形成することができる電子写真用感光体の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a fluorine-containing alcohol suitable for producing an information-recording medium installed with a recording layer capable of writing in/reading out information with a laser on a base substrate (an optical disc such as a CD-R, DVD-R, etc.), and substantially free from an impurity.例文帳に追加

基板上にレーザーによる情報の書き込み及び/又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体(CD−R、DVD−R等の光ディスクなど)等の製造に好適な、不純物を実質的に含まない含フッ素アルコールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an ionizing radiation curable resin layer which has a high smoothness, has no strain and can be enhanced in the adhesion with a film substrate.例文帳に追加

電離放射線硬化型樹脂を用いて形成した、平滑性が高く、歪みがなく、フィルム基材との密着性のよい電離放射線硬化型樹脂層の形成方法と、これをハードコート層及び/又は防眩層として有する光学フィルム、及びそれらを用いた画像表示装置を提供することにある。 - 特許庁

A recess 12 of a predetermined depth, having an acute angle step Ea, is formed in a substrate 11, a resist film is formed having an open annular pattern RP passing through the acute angle step, an annular wiring conductor 16 and an annular insulating layer are formed alternately, to form a helical wiring conductor.例文帳に追加

鋭角段差部Eaを備える所定深さのくぼみ12を基板11に形成し、この鋭角段差部を通る環状パターンRPを開口したレジスト膜を形成し、環状配線導体16と環状絶縁層とを交互に形成してヘリカル状の配線導体を形成する。 - 特許庁

In the mounting method and the mounting device ZD, a mounting substrate 3 in which a plurality of switching elements 32 for each of the micro vibrators 10 one-to-one are arrayed is pressure-bonded on the side of the piezoelectric vibrator PE where the electrode layer 2 having anisotropic conductive characteristics is formed, while aligning.例文帳に追加

実装方法および実装デバイスZDは、圧電振動子PEの、異方導電特性を有する電極層2を形成した側に、個々の微小振動体10に1対1で対応する複数のスイッチング素子32を配列した実装基板3を、位置合わせしながら圧着する。 - 特許庁

The semiconductor optical function element comprises an SiC substrate 1, an Al_z1Ga_1-z1N/GaN lower DBR mirror 5, a GaN core layer 6, an Al_Z1Ga_1-z1N/GaN upper DBR mirror 7 and a heater 12 made of Cr.例文帳に追加

SiC基板1と、該基板1上に基板1より延長して形成された、Al_z1Ga_1−z1N/GaN下部DBRミラー5、GaNコア層6およびAl_z1Ga_1−z1N/GaN上部DBRミラー7とからなるミラー部8と、Crからなるヒーター12とにより構成する。 - 特許庁

The laminate is composed by laminating a decorative sheet 2 on one side, and a chartaceous sheet 4 on the other side, of a ligneous substrate 3; wherein the chartaceous sheet 4 comprises two tissue papers 41 and 43 of a basis weight of 25 to 40 g/m^2 and being bonded through an extrusion coating layer 42 of a thermoplastic synthetic resin.例文帳に追加

木質系基材3の一方の面に化粧シート2を積層し、他方の面に、2枚の秤量25〜40g/m^2の薄葉紙41、43を熱可塑性合成樹脂の押出しコート層42を介して接着してなる紙質系シート4を積層した構成とする。 - 特許庁

The flexible substrate 100 comprises: a base material 20 having an inorganic glass 10, and resin layers 11, 11' disposed on both the sides of the inorganic glass 10 respectively; and an inorganic thin film 12 disposed on the side of the resin layer 11 on which the inorganic glass 10 is not disposed.例文帳に追加

本発明の可撓性基板100は、無機ガラス10と、無機ガラス10の両側それぞれに配置された樹脂層11,11’とを備える基材20と、一方の該樹脂層11の無機ガラス10が配置されていない側に配置された無機薄膜12とを備える。 - 特許庁

A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.例文帳に追加

GaAs基板1の上に第1メサ部2aおよび第2メサ部2bを形成し、開口部13,14を有するレジストパターン15を形成し、レジストパターン15をマスクとして半導体層2を所定の深さまでエッチングし、リセス16とアライメントマーク用凹部17を形成する。 - 特許庁

So, when used as the electrode substrate for a fuel cell, the surface contact to another layer on an interface becomes possible when laminated, reducing the contact resistance and heat loss on the interface, for wide and even distribution of gas, causing more efficient catalytic reaction.例文帳に追加

従って、燃料電池用電極基材として用いると、積層したときに界面において他の層と面接触が可能になり、界面での接触抵抗や熱損失を小さくでき、ガスを均一に広範囲に配流することができるため、さらに効率的に触媒反応を起こし得るものである。 - 特許庁

例文

The density of the Basal Plane dislocation in the semiconductor substrate 101 is set to 10^4cm^-2 or more, and the density of Basal Plane dislocation in the section faced to the gate electrode 113 on the surface of the semiconductor layer 102 is set to 10^3cm^-2 or less.例文帳に追加

半導体基板101におけるBasal Plane転位の密度は10^4cm^−2以上であり、半導体層102の表面のうちゲート電極113に対向する部分におけるBasal Plane転位の密度は10^3cm^−2以下である。 - 特許庁




  
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