「layer substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(734ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thermal head with heating elements 3 on a glaze layer 2 set on a substrate 1, and connection pads 5 electrically connected to the heating elements 3, the connection pads 5 are divided on a planar basis to a plurality of regions by forming slits 5a at the connection pads 5.例文帳に追加

基板１に設けられたグレーズ層２上に発熱素子３及び該発熱素子３に電気的に接続される接続パッド５を備えたサーマルヘッドにおいて、前記接続パッド５にスリット５ａを設けて接続パッド５を平面的に複数の領域に分割する。 - 特許庁

This thermal adhesive tape fixes electronic parts with an adhesive layer formed on the surface of a paper substrate.例文帳に追加

本発明は、紙基材の表面に設けられた接着層により電子部品を固着する電子部品搬送用熱接着テープであって、接着層が、スチレン系ブロック共重合体、スチレン樹脂及び反応性フェノール樹脂から構成される電子部品搬送用熱接着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of reducing lead time, being formed in the shape that an outer circuit pattern is embedded in an insulating layer unlike a substrate formed by the existing method, and manufacturing a thinner printed circuit board; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

リードタイムを減らすことができ、既存方法で形成された基板とは異って、外層回路パターンが絶縁層に埋め込まれた形状で形成でき、薄板の印刷回路基板を製造することができる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the step for adjusting the gap is not present between the transparent electrode 15 and reflection electrode 14 on the side of a 1st substrate 10, so a part where retardation of the liquid crystal layer 30 is half-and-half at a boundary part of the electrode is eliminated.例文帳に追加

これにより、第１基板１０側において、透明電極１５と反射電極１４との間に、ギャップを調整するための段差が存在しないことから、この電極の境界部分において液晶層３０のリタデーションが中途半端な部分がなくなる。 - 特許庁

A solar cell has an optical semiconductor layer, which is transparent to a visible radiation having a ratio of absorbency of 0.8 or lower at 400 nm or longer and shorter than 800 nm, and a transparent conductive film, on a transparent conductive substrate in this order.例文帳に追加

少なくとも、透明導電性基板上に、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における吸光度が０．８以下の可視光に透明な光半導体層、及び透明導電性電極をこの順に有してなることを特徴とする太陽電池である。 - 特許庁

The seed crystals 3, each having a length necessary for growing the single crystal 10 used for industrial applications are prepared from a substrate 1 on which a ZnO layer 2 is formed, and thus obtained seed crystal 3 is used for growing the single crystal 10 of ZnO.例文帳に追加

ＺｎＯ層２を形成した基材１から、工業用途に使用可能なＺｎＯの単結晶１０の育成に必要な長さを有するＺｎＯの種結晶３を作成し、この種結晶３を用いてＺｎＯの単結晶１０を育成するようにした。 - 特許庁

Thus, growth temperature distribution is generated, when an InGaN light-emitting layer 16 is grown in accordance with the temperature distribution of the substrate 10, and In composition is made small in a part whose temperature is high, and In composition is made large in the part whose temperature is low so that light emission peak wavelength can be changed.例文帳に追加

基板１０の温度分布により、ＩｎＧａＮ発光層１６成長時に成長温度分布が生じ、温度の高い部分ではＩｎの組成が小さく、温度が低い部分ではＩｎの組成が大きくなり発光ピーク波長が変化する。 - 特許庁

Lead wires 130, 132 are connected respectively to the end of the outer circumference and the end of the inner circumference of the conductor 120, and the lead wire 132 connected to the end of the inner circumference is led out to the outer circumference through between the lower layer conductor 122 and the semiconductor substrate 110.例文帳に追加

導体１２０の外周端と内周端のそれぞれには引出線１３０、１３２が接続されており、内周端に接続された引出線１３２は、下層の導体１２２と半導体基板１１０との間を通して外周側に引き出される。 - 特許庁

The heat-releasable sheet comprises a pressure-sensitive adhesive layer containing thermally expanding fine spherical particles on at least one surface of a substrate material, and the fine spherical particles have been subjected to a surface treatment.例文帳に追加

熱剥離型粘着シートは、基材の少なくとも一方の面に、熱膨張性微小球を含有する粘着剤層が設けられた熱剥離型粘着シートであって、熱膨張性微小球が、表面処理された熱膨張性微小球であることを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, since the refractive index of the transparent film 3 is increased, the difference in the refractive index between the transparent film and the laminated organic light-emitting layer is reduced and the total reflection of the light is suppressed when the transparent conductive film 3 is used as a substrate of the organic electroluminescent element.例文帳に追加

また、透明導電膜３の屈折率が大きくなるので、透明導電膜３が、有機エレクトロルミネッセンス素子の基板として用いられたとき、積層された有機発光層との屈折率の差が小さくなり、光の全反射を抑制することができる。 - 特許庁

A protection layer 60 is formed so that a part of a p-type domain 21 may be exposed, being smaller than a contact hole 21 concerned on the upper surface of a semiconductor substrate 10 inside the contact hole 21, and the upper surface of p-type domain 14 for specifically forming a diode.例文帳に追加

コンタクトホール２１の内側の半導体基板１０の上面、具体的にはダイオードを形成するためのＰ型領域１４の上面に、当該コンタクトホール２１よりも小さく、Ｐ型領域２１の一部が露出するように保護層６０を設ける。 - 特許庁

To provide a method capable of efficiently manufacturing an optical disk by which the optical disk wherein satisfactory ruggedness is formed by a stamper on an intermediate layer formed on a substrate without any change in the lapse of time in warpage or the like, and to provide the optical disk manufactured by the method.例文帳に追加

反り等の経時変化がなく、基板上に形成された中間層にスタンパによって良好な凹凸が形成された光ディスクを効率良く製造できる光ディスクの製造方法およびその製造方法で製造される光ディスクを提供する。 - 特許庁

A fine particle string 14 formed of fine particles 13 of a nano meter size is deposited, whereby in manufacturing the nano device, a solution containing the fine particles 13 is brought into contact with the substrate 11 in which a patterning layer 12 with a predetermined film thickness is partially formed.例文帳に追加

ナノメータサイズの微粒子１３からなる微粒子列１４を堆積させることにより、ナノデバイスの作製する際に、所定の膜厚で構成されるパターニング層１２が部分的に形成されてなる基板１１に対して微粒子１３を含む溶液を接触させる。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor substrate 1, a memory cell transistor including a tunnel insulating film 2a, a charge accumulation layer 3, an inter-poly insulating film 5, and a control gate electrode 6 which are laminated in order, a select gate transistor ST, and a high-voltage type peripheral circuit transistor PT.例文帳に追加

半導体基板１と、順に積層されたトンネル絶縁膜２ａ、電荷蓄積層３、インターポリ絶縁膜５、及び制御ゲート電極６を含むメモリセルトランジスタと、選択ゲートトランジスタＳＴと、高電圧型の周辺回路トランジスタＰＴと、を備えている。 - 特許庁

This method for polishing a substrate comprises the steps of first polishing a copper or a copper alloy having a polishing liquid having a pH of 3 or less and a concentration of an oxidizer of a conductor of 1.5 to 10 wt.%, and second polishing a barrier layer with the liquid of the concentration of the oxidizer regulated to 0.01 to 3 wt.%.例文帳に追加

研磨液のｐＨが３以下であり、導体の酸化剤の濃度を第１工程の銅または銅合金の研磨では１．５〜１０重量％、第２工程のバリア層の研磨では０．０１〜３重量％に調整する基板の研磨方法を用いる。 - 特許庁

To provide a permanent pattern forming method which can form a permanent pattern (insulating film, a protective coat of solder resist pattern or the like) in a printed-circuit board field, including a package substrate in high accuracy and efficiency by suppressing the strain of an image focused on a light-sensitivity layer.例文帳に追加

感光層上に結像させる像の歪みを抑制することにより、パッケージ基板を含むプリント配線基板分野における永久パターン（絶縁膜、ソルダーレジストパターンなどの保護膜）を高精細に、かつ、効率よく形成可能な永久パターン形成方法の提供。 - 特許庁

A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

In a method for molding the optical disk substrate or the like, a part of a stamper to be used, that is, an interior and/or a rear surface is constituted of a heat insulation layer made of a heat insulation material having a thermal conductivity of 94 W/m.K of a polyimide, a polyamideimide, ceramics, bismuth or the like.例文帳に追加

光ディスク基板等の成形方法において使用するスタンパの一部、すなわち内部及び／または裏面が、ポリイミド、ポリアミドイミド、セラミクス、ビスマス等の熱伝導率が９４Ｗ／ｍ・Ｋより小さい断熱材料からなる断熱層で構成されている。 - 特許庁

To reduce the variations in thickness of an adhesive layer that accompanies the warping of a semiconductor element, in a semiconductor device wherein a heat dissipation member is adhered to the semiconductor element mounted on a substrate to transfer the heat generated in the semiconductor element to the heat dissipation member to dissipate it.例文帳に追加

基板に実装された半導体素子に放熱部材を接着することにより、半導体素子で発生した熱を放熱部材に伝えて放熱する半導体装置において、半導体素子の反りに伴う接着層の厚みのバラツキを低減する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thick film metal electrode and a method of forming a thick film resist capable of forming a positive-negative inverted resist which has a thickness of 7 μm or more, being excellent in in-plane uniformity, on a circuit element layer formed on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板に形成された回路素子層上に、厚さが７μｍ以上で、かつ面内均一性に優れたポジ−ネガ反転型レジストが形成可能な厚膜金属電極の形成方法、及び厚膜レジストの形成方法を提供する。 - 特許庁

A metal pattern (e.g. terminals) on the outermost surface of an incorporated LSI has a plurality of arbitrary shapes, and at least one connection of the metal pattern and the wiring layer of an incorporating substrate is arranged to deviate from the arrangement of array in order to facilitate withdrawal of incorporated wiring.例文帳に追加

内蔵されたＬＳＩの最表面の金属パターン（端子等）を複数の任意形状とし、内蔵配線の引き出しが容易となるように、金属パターンと内蔵基板の配線層との接続部を少なくとも１つの接続部がアレイ配置から逸れた配置とする。 - 特許庁

A driving panel 100 and a counter panel 200 each having glass substrate are bonded over the entire for excluding the outer peripheral part with a peelable adhesive material 310 in-between and the outer peripheral part is provided with a sealing layer 320 for etching protection to form a conjugate 300.例文帳に追加

各々ガラス基板を有する駆動パネル１００と対向パネル２００とを、剥離可能な接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層３２０を設けて接合体３００を形成する。 - 特許庁

Since the through-holes 3 are formed with the same diameter d_1 on both sides of the photosensitive resin layer 1, the area of adhesion to the substrate 13 of a filter 4 can be sufficiently secured, and the area of an opening per unit area of the through-hole 3 increases.例文帳に追加

貫通口３の直径は、感光性樹脂層１の両側で同じ径ｄ_1に形成されるので、フィルタ４の基板１３への接着面積を十分に確保可能であるとともに、貫通口３の単位面積当たりの開口面積が大きくなる。 - 特許庁

Thereafter, the laminate 20 is clamped under pressure by a rubber roll 24 and a back-up roll 25 heated to 100-180°C and the plastic sheet 6 is allowed to follow the unevenness of the vessels 3 of the veneer 4 through the reactivated adhesive layer 5 and bonded to the substrate to obtain the decorative sheet 1.例文帳に追加

その後、積層体２０を１００〜１８０℃に加熱したゴムロール２４とバックアップロール２５で圧締して再活性させた接着剤層５を介して突き板４の導管３の凹凸にプラスチックシート６を追従させて接着させて化粧板１を得る。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown by selective epitaxial growth on a surface of a substrate 10 appearing on only an opening part T of a part in which an opening part T1 due to the first etching and an opening part T2 due to the second etching intersect, and finally a semiconductor device surface is flattened.例文帳に追加

第１のエッチングによる開口部T１と第２のエッチングによる開口部T２が交差する部分の開口部Tにのみ現れる基板10の表面に、選択エピタキシャル成長により半導体層を成長させ、最後に半導体装置表面を平坦化する。 - 特許庁

To uniformize dispersion of cell gap spacers by maintaining uniformly an electrification charge of a layer of each RGB color of a color filter substrate for a horizontal electric field type to reduce defective display by dispersion ununiformity in a manufacturing process of a color liquid crystal display element of the horizontal electric field type.例文帳に追加

横電界型のカラー液晶表示素子の製造工程において、横電界型用のカラーフィルタ基板のＲＧＢ各色層の帯電電荷を均一に保つことによってセルギャップスペーサの散布を均一化し、散布不均一による表示不良を低減する。 - 特許庁

An active region 2 is formed in a surface layer of a first principal plane 101 of a semiconductor substrate 100, and trenches 3 are formed in a rear face 102 which is a second principal plane, to turn the rear face 102 uneven (concave where trenches are formed and convex where trenches are not formed).例文帳に追加

半導体基板１００の第１主面１０１の表面層に活性領域２を形成し、第２主面の裏面１０２にトレンチ溝３を形成し、裏面１０２を凹凸（トレンチ溝が形成された箇所が凹、形成されない箇所が凸）にする。 - 特許庁

To provide a substrate for growing a GaN-based crystal, which is capable of improving the properties of a GaN-based semiconductor element though tungsten is contained in a material of a mask layer used in a selective growing method and to provide the GaN-based semiconductor element obtained by using the same.例文帳に追加

選択成長法のマスク層材料にタングステンを含みながらも、ＧａＮ系半導体素子の特性を改善し得るＧａＮ系結晶成長用基板を提供することであり、それを用いて形成したＧａＮ系半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a base substrate improved for an electronic device or an optoelectronic device including at least one electrically active organic layer, by way of one avoiding or at least alleviating problems of conventional technologies, as well as an electronic device and its manufacturing method.例文帳に追加

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスのための改良された基体であって、従来技術の問題点を回避するか、または少なくとも低減させる基体、有機デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method with a high yield suppressing a defect at a multi-layered connection position in manufacturing a multi-layer POP structure semiconductor device by multi-layering the semiconductor device in the state of a multiple patterning wiring substrate package, and thereafter cutting it by collective cutting.例文帳に追加

多数個取り配線基板実装パッケージの状態で多層化し、その後、一括切断による個片化をおこなって多層ＰＯＰ構造半導体装置を製造するとき、多層化接続個所での欠陥を抑止した、高歩留りでの製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve the mobility of the carriers present in the Si post 11a, a stress applying layer 21 for giving to the Si post 11a an extending stress in the vertical direction orthogonal to the principal surface of the Si substrate 11 is disposed constitutionally on each side surface of the Si post 11a.例文帳に追加

Ｓｉポスト１１ａでのキャリア移動度を向上させるために、Ｓｉポスト１１ａの各側面には、Ｓｉ基板１１の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層２１が設置されてなる構成となっている。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning the contact holes of a semiconductor substrate, polymer residues inside the via holes after ashing, and an oxide layer on a barrier metal surface, without the use of a halogen gas, which is chemically active or a plasma generating apparatus which is expensive and gives plasma damage to an element.例文帳に追加

半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem of degrading in light extraction efficiency of a nitride semiconductor light-emitting device, which problem is caused by optical reflection or a crushed layer produced in machining a substrate that is hard to process, thereby enhancing the light extraction efficiency of the nitride semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子の光の反射による光の取り出し効率低下や難加工基板の機械的加工法で生ずる破砕層による光の取り出し効率低下の問題解決し、窒化物半導体発光素子の光の取り出し効率を上げること。 - 特許庁

The reflection plate P is provided with a plurality of meandering strip-shaped parts 20 aligned on a substrate 17 in parallel to one another, making the adjacent meandering strip-shaped parts 20 be smoothly and continuously connected, is provide with a light reflection layer 21 formed on these meandering strip-shaped parts 20 and is used for displaying.例文帳に追加

基板１７上に複数の蛇行状帯部２０を平行に配列するとともに、隣接する蛇行状帯部２０間を滑らかに連続に接続し、これら蛇行状帯部２０上に光反射層２１を形成し表示に用いる反射板Ｐ。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is formed on a substrate 11 and provided with a light receiving part 12 in which a light-incident region is defined by a light shielding film 17 and with a light guide layer wherein an incident light is confined, propagated and guided to the light-incident region of the light receiving part 12.例文帳に追加

基板１１に形成され、遮光膜１７で光入射領域が特定された受光部１２を有する固体撮像装置であって、入射した光を閉じ込め伝搬させて受光部１２の光入射領域に導く光案内層を有する。 - 特許庁

To simplify a device construction and a manufacturing process and to conduct a bright and high quality picture display in a reflective and a semitransparent reflective liquid crystal devices adopting an internal reflection mode provided with a reflective electrode, which is functioning also as a reflective plate, on the side of a substrate facing a liquid crystal layer.例文帳に追加

基板の液晶に面する側に反射板を兼ねる反射電極を設けた内面反射方式を採る反射型や半透過反射型の液晶装置において、装置構成及び製造プロセスを単純化し、明るく高品位の画像表示を行う。 - 特許庁

To provide copper alloy foil for a laminate sheet with a small surface roughness which has satisfactory wettability with varnish, and is directly joined with polyimide even without undergoing roughening treatment in a two layer printed circuit board having a resin substrate in which varnish containing polyamic acid is used as the raw material.例文帳に追加

ポリアミック酸を含むワニスを原料として樹脂基板とする２層プリント配線板において、ワニスとのぬれ性が良好で粗化処理を施さずにポリイミドとの直接接合が可能な表面粗さの小さい積層板用の銅合金箔を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal-clad polyimide substrate which is very low in pinhole numbers occurring on the exterior surface of a copper layer to be formed and is high in folding durability when used in a bent portion, due to excellent pinhole characteristics and MIT folding durability of the exterior surface.例文帳に追加

外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れるため、形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高い金属被覆ポリイミド基板を提供する。 - 特許庁

In the plane antenna, a half-wave length dipole radiator element 120 is formed on one surface of a dielectric substrate 110 in a thin conductor strip, and a T-shaped slit conductor foil 170 is laminated on the half-wave length dipole radiator element 110 through an insulating layer.例文帳に追加

半波長ダイポール放射器エレメント１２０を誘電体基板１１０の一方の表面上に薄肉導体ストリップで形成し、半波長ダイポール放射器エレメント１１０に絶縁層を介してＴ字形スリット付き導体箔１７０を積層した平面アンテナ。 - 特許庁

This hydrophilic film is obtained by applying a blended solution of hydrophilic inorganic particles, minute polymer particles dispersed in an aqueous medium, and a reactive organic fluorine compound onto the surface of a substrate resin formed in a film shape, followed by drying to form a coating layer.例文帳に追加

フイルム状に成形した基体樹脂表面に、親水性無機微粒子、水媒体に分散された重合体微粒子、反応性有機フッ素化合物からなる配合液を塗布、乾燥させたコーティング層を設けた親水性フイルムにより上記課題を解決した。 - 特許庁

Accordingly, in each rectangular groove 108a to 108c, the bottom surfaces of rectangular grooves 1080a to 1080c are formed of a flat silicon oxide layer 106a, and the sloping surfaces 102a to 104a are formed in the accurate angle of 45° for the substrate.例文帳に追加

これによって、各矩形溝１０８ａ〜１０８ｃにおいては、その矩形溝底面１０８０ａ〜１０８０ｃが平坦なシリコン酸化層１０６ａによって形成されるとともに、基板に対して正確に４５°の角度を有する斜面１０２ａ〜１０４ａが形成される。 - 特許庁

This fine concave forming method includes forming a concave in a silicon substrate by alternately repeating etching and formation of a side wall protective film, removing the side wall protective film to expose the side wall of the concave, and removing the surface layer of the exposed side wall by etching.例文帳に追加

エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返してケイ素基板に凹部を形成し、前記側壁保護膜を除去して前記凹部の側壁を露出させ、露出した前記側壁の表層をエッチングにより除去する、ことを含む微細凹部形成方法。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

To provide a flexible substrate which is improved for an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer and which solves conventional technical problems or at least reduces such problems, and provide an organic device and its manufacturing method.例文帳に追加

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスのための改良された基体であって、従来技術の問題点を回避するか、または少なくとも低減させる基体、有機デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium has a recording layer which can be recorded/reproduced with information by a laser beam on a transparent substrate having wobbling tracks of the track pitch 1.0 to 1.2 μm, in which the amplitude of the wobbling tracks is ≥35 to ≤60 nm.例文帳に追加

トラックピッチ１．０〜１．２μｍのウォブリングトラックを有する透明基板上に、レーザー光により情報の記録／再生が可能な記録層を有する光学記録媒体において、該ウォブリングトラックの振幅が35nm以上60nm以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁