「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

The high frequency multichip module board 1 comprises a high frequency signal line 3 for connecting a chip formed on the upper surface of a dielectric substrate 2, a ground conductor layer 4, a signal terminal 31 for mounting on a mother board 5, and a ground terminal 41 formed on the lower surface of the dielectric substrate 2.例文帳に追加

高周波用マルチチップモジュール基板１は、誘電体基板２の上面にチップ接続用の高周波用信号ライン３、下面に接地導体層４、親基板５への実装用の信号端子３１、接地端子４１を備える。 - 特許庁

Since the vertical continuity portions 4 and 5 are formed in the openings 2 and 3 of the base plate 1, bubbles, etc. can be prevented from entering the openings 2 and 3 of the base plate 1 when forming the lower-layer interconnection 42 by electrolytic plating.例文帳に追加

この場合、ベース板１の開口部２、３内には上下導通部４、５が形成されているため、下層配線４２を電解メッキにより形成するとき、ベース板１の開口部２、３内に気泡などが全く入り込まないようにすることができる。 - 特許庁

In the analysis of a target substance using a light-transmitting substrate and a metal for inducing plasmon resonance, a low refractive index layer with an opening portion is used, which forms an interface with the substrate, and which has a lower refractive index than the substrate.例文帳に追加

本発明は、光透過性の基板と、プラズモン共鳴を誘発する金属と、を用いた標的物質の分析において、基板と界面を形成し、基板よりも屈折率が低く、開口部が存在する低屈折率層を設けたことに関する。 - 特許庁

The second coil 12b belatedly wound is positioned in the valley between the first and second coil 12a, 12b in the lower layer bridged between the first and second slot regions on the border Rbd between the first and second slot regions.例文帳に追加

第１スロット領域と第２スロット領域の境界部Ｒbdでは、遅れて巻き付けられる第２コイル１２ｂが第１スロット領域と第２スロット領域にまたがる下層の第２コイル１２ｂと第１コイル１２ａとの間の谷間に位置している。 - 特許庁

When the resistance value of the conductive glass 24a is equal to or lower than a predetermined value, and the temperature of the liquid crystal layer 21 becomes a suitable temperature which is equal to or above the threshold, control by the heating control section 34a is stopped, and heat generation by the conductive glass 24a is stopped.例文帳に追加

そして、導電性ガラス２４ａの抵抗値が所定値以下となり、液晶層２１の温度が閾値以上の適温状態となれば、発熱制御部３４ａによる制御を停止し、導電性ガラス２４ａによる発熱を停止する。 - 特許庁

An insulating fin 10 includes a conductive layer 14 for mounting electronic components, which is formed on the upper surface of an insulating substrate 12 made of ceramic; and a fin base portion 18 and a plurality of heat radiating fins 16, which are formed on the lower surface of the insulating substrate 12.例文帳に追加

絶縁フィン１０は、セラミックス製の絶縁基板１２の上面に形成された電子部品搭載用の導体層１４と、絶縁基板１２の下の面に形成されたフィンベース部１８と複数の放熱フィン１６とを備えている。 - 特許庁

In the residence opening sections (51u, 51d) communicating with the outside air are formed at the upper end section (24u) and lower end section 24d of a roof-side air flowing layer 24 and the opening sections (51u, 51d) are closed with a vapor- permeable member 61 through which only steam is passed.例文帳に追加

また、屋根側空気流通層２４の上端部２４ｕおよび下端部２４ｄに外気と連通する開口部（５１ｕ,５１ｄ）を設け、当該開口部（５１ｕ,５１ｄ）を水蒸気のみを通す透湿部材６１で塞いだ構成とした。 - 特許庁

When a natural oxide film 5 and the like, which are undesirably formed on the surface of a lower conductive layer 4 exposed through the bottom of a connection hole 7, are cleaned by a discharge plasma treatment using inert gas, the temperature of a substrate stage is controlled to a temperature of 100°C or higher.例文帳に追加

接続孔７底部に露出する下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理により清浄化するに際し、基板ステージ温度を１００℃以上に制御する。 - 特許庁

The formation of a molten salt layer which is an insulator formed by the solidification of the molten salt 6 on the inner face of the bath 10 is prevented by maintaining the temperature of the portion of the inner face member 15 brought into contact with the molten salt 6 not lower than the melting point of the molten salt 6.例文帳に追加

内面部材１５の溶融塩６に接する部分の温度を溶融塩６の融点以上に保つことによって、ハース１０の内面に溶融塩６が凝固して形成される、絶縁体である溶融塩層の生成を防止する。 - 特許庁

The operating section 30 comprises a first conductive body 30a, and a second conductive body 30b disposed at a lower face side of the first conductive body 30a and opposed to the first conductive body 30a across an electric insulation layer 42.例文帳に追加

この操作部３０は、第１の導電体３０ａと、この第１の導電体３０ａの下面側には電気絶縁層４２を間において該第１の導電体３０ａと対向する第２の導電体３０ｂとから構成されている。 - 特許庁

The layer of high-speed air stream is generated above an opening part 10 of an upper cover 5 where an atomizing nozzle 9 for jetting the release agent to the split surface of the metal mold enters and leaves, and the release agent mist 12 coming from a lower side is sucked together with the air stream.例文帳に追加

金型の分割面に離型剤を噴射する噴霧ノズル９が出入りする上部カバー５の開口部１０の上方に、高速の気流の層を作り、下方から上がってくる離型剤ミスト１２をこの気流に乗せて吸引する。 - 特許庁

A drying temperature shall be 110°C or higher and 170°C or lower, a solid concentration of the ink for the catalyst layer 8.5 mass% or more and 15 mass% or less and a distance between a top end of a nozzle and a surface of the intermediate supporting body 55 mm or more and 90 mm or less.例文帳に追加

乾燥温度は１１０℃以上１７０℃以下、触媒層用インクの固形分濃度は８．５質量％以上１５質量％以下、ノズル先端と中間保持体表面との距離は５５ｍｍ以上９０ｍｍ以下に設定される。 - 特許庁

A remaining region 10 of hot water is formed in a lower layer region of the water storing means, and a suction port of a pump device and an outlet of a hot-water supply pipe are arranged in the hot-water remaining region to supply hot water to a roof and perform boiler circulation operation simultaneously.例文帳に追加

貯水手段の下層領域に温水の滞留区域１０を形成する一方、ポンプ装置の吸い上げ口と給湯配管の出口を温水滞留区域内に配置し、屋根への温水供給とボイラ循環操作を同時に行う。 - 特許庁

The respective wires 3 in the upper tier wound around the wires 3 in the first tier F1 in the form of the multiple layer are stabilized without cutting in between the element wires 3a of the wires in the lower tier, and the alignment winding of the wires 3 with respect to the body 2a is achieved advantageously in terms of cost.例文帳に追加

第一段目Ｆ１のワイヤ３に多層的に巻回される上段の各ワイヤ３が下段のワイヤの素線３ａ間に食い込むことなく安定し、胴体２ａに対するワイヤ３の整列巻きがコスト的に有利に実現する。 - 特許庁

In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region.例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層１８は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのｐ型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。 - 特許庁

The antireflection function element is produced by forming a periodical structure 2 having a smaller period than the wavelength of the incident light on the surface of a base material 3 and then an additional layer 4 having a lower refractive index than the refractive index of the base material on the periodical structure.例文帳に追加

基材３の表面に入射光の波長より小さい周期の周期構造２を設けるとともに、その周期構造上に、基材の屈折率より小さい屈折率を持つ付加層４を設けて反射防止機能素子を構成する。 - 特許庁

An optical waveguide substrate 13 comprises a ridge part 15 formed on the surface of a ferroelectric layer 3 made of ferroelectric material and step parts 25A, 25B which are provided on both sides of the ridge part 15 and lower than the ridge part.例文帳に追加

光導波路基板１３は、強誘電性材料からなる強誘電体層３の表面に形成されているリッジ部１５と、このリッジ部１５の両側にそれぞれ設けられており、リッジ部よりも低い段差部２５Ａ、２５Ｂとを備える。 - 特許庁

Then, an opening 12d is formed on the ONO film 12, and arsenic ions are implanted from the formed opening 12d to the semiconductor substrate 11 to form an n-type diffusion layer 14 at the lower part of each opening 12d of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１２に開口部を１２ｄを形成し、形成した開口部１２ｄから半導体基板１１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１１の各開口部１２ｄの下側部分にｎ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

According to this method, the width of a groove 5 and that of a groove 6 are different whereby a depth of the groove 5 to be etched until the same arrives at the lower layer wiring 3 can be shallower than before.例文帳に追加

これにより、溝５と溝６の幅が異なっているために、これらを形成する際のエッチングレートが異なったものとなっても、溝５を下層配線３に到達させるまでにエッチングしなければならない深さは従来と比べて浅くできる。 - 特許庁

Since the photoelectric conversion film 4 of the multilayer structure is formed on the lower electrode 9 of the TFT board 3, the effect of the substrate on the polycrystal layer 21 in the photoelectric conversion film 4 is reduced to offer the photoelectric conversion film 4 having homogeneous and fine properties.例文帳に追加

ＴＦＴ基板３の下部電極９上に光電変換膜４を多層に形成したことで、光電変換膜４の多結晶質層21に及ぼす下地の影響を低減し、均一で良好な性状の光電変換膜４を得る。 - 特許庁

After a lower electrode 21 of the electrostatic capacitor and second layer wiring 22 are formed at the same time on a first interlayer insulating film 17, an opening 34 is formed in a second interlayer insulating film 24 deposited on the first interlayer insulating film 17.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１７上に静電容量素子の下部電極２１と第２層配線２２とを同時に形成した後、第１層間絶縁膜１７上に堆積した第２層間絶縁膜２４に開口部３４を形成する。 - 特許庁

The invention provides a secure transfer of registry information and setting information of consumer details over the communication network and also provide a light weight security with better performance in comparison to the lower layer chip level security provided by 2G, 3G or 4G applications.例文帳に追加

通信ネットワーク上で、消費者の詳細な登録情報及び設定情報を安全に転送し、２Ｇ、３Ｇ又は４Ｇ向けのアプリケーションによって得られる下位層のチップレベルのセキュリティより性能が優れた軽量セキュリティを提供する。 - 特許庁

In the communication system, a communication control part of a printer has a filtering function and selectively transmits specification data defined by information about an address range among pieces of data received from the outside to a task located in a lower layer.例文帳に追加

本発明が適用された通信システムでは、プリンタ装置の通信制御部が、フィルタリング機能を有し、外部から受信したデータのうち、アドレス範囲の情報で定義づけられた特定データを選択的に、下層に位置するタスクに伝送する。 - 特許庁

A piezoelectric element 7 is directly formed by anodically bonding the vibrating plate 6 formed of glass to the passage substrate 1 with pressure generation chambers 2 and nozzle openings 3, and by sequentially stacking a lower electrode 9a, a piezoelectric layer 8 and an upper electrode 9b thereon.例文帳に追加

圧力発生室２およびノズル開口３を有する流路基板１にガラス製の振動板６を陽極接合し、その上に下電極９ａ、圧電層８、上電極９ｂを順次積層することで、圧電素子７を直接形成する。 - 特許庁

A cover layer formed of a material whose adhesion is lower than the sealing resin such as a release agent is provided on at least the recrystallization region of the conductive wire 6, and thus the breakage of the conductive wire 6 in temperature change is prevented.例文帳に追加

導電ワイヤ６の少なくとも再結晶領域上には、離型剤等の封止樹脂より粘着性の低い材料で形成された被覆層を備えることにより、温度変化における導電ワイヤ６の破断を防止することができる。 - 特許庁

The polyester film includes a charge preventive layer containing a quaternary ammonium salt formed on at least one surface of a laminated film constituted of at least three or more polyester layers containing particles in both outermost layers, and internal haze is 0.6% or lower.例文帳に追加

両最外層に粒子を含有する、少なくとも３層以上のポリエステル層からなる積層フィルムの少なくとも片面に、４級アンモニア塩を含む帯電防止層を有し、内部ヘーズが０．６％以下であることを特徴とするポリエステルフィルム。 - 特許庁

The auxiliary wiring line 70 is a line which is formed by a conductive material with resistivity lower than the second electrode 62 and electrically connected to the second electrode 62, and includes a part which overlaps with the contact hole CH of the second insulating layer 42.例文帳に追加

補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a dual damascene wiring capable of etching a wiring groove while protecting a lower layer wiring and keeping the shape of a via hole good without using an etching stopper in the case of etching the wiring groove.例文帳に追加

配線溝エッチング時に、エッチングストッパ層を用いず、下層配線を保護しつつ、かつビア孔形状を良好に保って、配線溝のエッチングを行なえる、デュアルダマシン配線を有する半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, an aperture is formed to the ONO film 102, and an arsenic ion is injected to the semiconductor substrate 101 from the formed aperture in order to form an n-type diffusing layer 104 to the lower part of each aperture of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１０２に開口部を形成し、形成した開口部から半導体基板１０１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１０１の各開口部の下側部分にｎ型拡散層１０４を形成する。 - 特許庁

An embedded silicon oxide film of a SOI substrate is used as the lower clad 102 and the core 103 is formed by processing the silicon layer of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の埋め込みシリコン酸化膜を下部クラッド１０２として使用し、このＳＯＩ基板のシリコン層を加工することによってコア１０３を形成し、ＳＯＩ基板の表面にシリコン酸化膜を堆積することによって上部クラッド１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a metallic material having an outermost surface layer composed of a thick and stable nickel fluoride film having excellent corrosion resistance, and to provide a method for producing a metallic material by which the nickel fluoride film can be formed at a lower temperature.例文帳に追加

耐食性に優れ、かつ厚膜で安定なフッ化ニッケル膜からなる最表面層を有する金属材料を提供すること、および前記フッ化ニッケル膜をより低温で形成できる金属材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The first organic layer 16A is preferably composed of a material of a lower melting point than that of the auxiliary electrode 14, and is preferably composed of a sublimating material, namely, a material which sublimates by a laser beam irradiation.例文帳に追加

第１の有機層１６Ａは、補助電極１４よりも低融点の材料により構成されていることが好ましく、また、昇華性材料、すなわち、レーザ光の照射により昇華する材料により構成されていることが好ましい。 - 特許庁

The heat shrinkable tube 6 is shaped along the outer surface of the fiber reinforced resin layer 5, and its heat shrinking temperature is lower than the curing temperature of the resin with which the fiber bunched layers are impregnated and within the precuring temperature of the resin.例文帳に追加

熱収縮チューブ６は、繊維強化樹脂層５の外表面に沿った形状に形成されるとともに、その熱収縮温度が繊維束層に含浸されている樹脂の硬化温度より低く、かつ、樹脂のプリキュア温度の範囲内である。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers including a resonator structure including an active layer, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107, which are formed through the resonator structure, are laminated on an inclined substrate 101.例文帳に追加

傾斜基板１０１上に活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７を含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁

Since the volume resistivity of the dielectric layer 4 is 10^14 Ω cm or lower at the temperature of heating, a high chucking force can be obtained by the Johnsen-Rahbeck effect, resulting in obtaining a sufficiently large chucking force even if the electrodes are not of the previous shape.例文帳に追加

誘電層４の体積抵抗率を加熱する温度で１０^14Ωcm以下としたので、ジョンセンラーベック効果により高吸着力を得ることができ、その結果電極が従来の面状でなくとも充分大きな吸着力を得ることができる。 - 特許庁

In the adhesive sheet for semiconductor processing having an adhesive layer (2) on at least one surface of a base film (1), the base film contains polyethylene having a density of 0.915 g/cm^3 or lower.例文帳に追加

基材フィルム（１）の少なくとも片面に粘着剤層（２）を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ^3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。 - 特許庁

On this occasion, oxygen concentration of the second electrode 12 is made to be changed in the film thickness direction, and the oxygen concentration in the vicinity of interface between the second electrode 12 and the functional layer 110 is made to be lower than the average oxygen concentration in the second electrode 12.例文帳に追加

この際、第２の電極１２の酸素濃度を膜厚方向で変化させ、第２の電極１２と機能層１１０との界面付近の酸素濃度が、第２の電極１２における平均の酸素濃度よりも低くなるようにする。 - 特許庁

The antenna device includes: two radiating elements; a via for grounding the tip of one radiation conductor to the ground of a lower layer; a ground conductor for connecting the respective radiation elements at roots via a resistor; and a feeder to each radiation element.例文帳に追加

アンテナ装置は、２つの放射素子と、一方の放射導体の先端を下層のグランドに接地するビアと、各放射素子をその根元部分で抵抗を介してそれぞれ接続するグランド導体と、各放射導体への給電線で構成される。 - 特許庁

Cementation heat treatment is applied to a retainer matrix material 7 comprising carbon steel or cemented steel and the hard film having higher hardness than a cementation cured layer is formed on the outer front surface at a lower temperature than the temperature corresponding to annealing temperature of the cementation heat treatment.例文帳に追加

炭素鋼もしくは浸炭鋼からなる保持器母材７に浸炭熱処理を施し、浸炭熱処理の焼戻し温度に相当する温度より低い温度下で、最表面に浸炭硬化層よりも高硬度の硬質膜を形成する。 - 特許庁

Here, the stopper film 46 is constituted by SiCN film low in a modulus of light reflecting, furthermore, a process of forming anti reflective coating in a lower layer of the photoresist film 51 becomes unnecessary by making the photoresist film 51 functioned as the anti reflective coating at the time of exposure.例文帳に追加

ここで、ストッパ膜４６を光反射率の低いＳｉＣＮ膜によって構成し、フォトレジスト膜５１を露光する際の反射防止膜として機能させることにより、フォトレジスト膜５１の下層に反射防止膜を形成する工程が不要となる。 - 特許庁

The bent section 7 functions as a choke to control the injection amount of the resin flowing to the top of the lead frame 2, and this causes the increase of the resin flowing from the lower part of the lead frame 2 the portion designed for the formation of the insulating layer 11 directly under the heat spreader 6.例文帳に追加

その際、フレーム加工部７は、リードフレーム上部に流れようとする樹脂の注入量を規制する絞り部として機能し、リードフレーム下部からヒートスプレッダ６直下の絶縁層１１の形成部分に流れ込む樹脂の量が増大する。 - 特許庁

This cleaning device for the probe is equipped with a substrate having a rough surface; and a surface layer formed to cover the rough surface in the state of tracing the rough surface in order to provide a polished surface of the probe, and having lower hardness than that of the needle tip of the probe.例文帳に追加

プローブのためのクリーニング装置は、粗面を有する基板と、前記プローブのための研磨面を提供すべく前記粗面に倣って該粗面を覆って形成され、前記プローブの針先の硬度よりも低い硬度を有する表面層とを備える。 - 特許庁

To improve the voltage-resistance of a composite insulator comprising a core 1 composed of a glass fiber reinforced resin, metal parts respectively attached to the upper and lower end of the core, and insulation layer 4 of polymer applied to the outside of the core.例文帳に追加

ガラス繊維強化樹脂よりなる芯材１と、この芯材１の上端及び下端に装着された金具２、３と、芯材１の外周に被覆された高分子材料の絶縁被覆部４とからなる複合碍管の、耐電圧特性を向上させる。 - 特許庁

Since the COM port 1011 is occupied during data communication, an inbound COM port DLL1013 that directly accesses a device driver at a lower layer of the COM port 1011 is used to allow interaction of control signals during communication.例文帳に追加

データ通信中はＣＯＭポート１０１１が占有されているので、ＣＯＭポート１０１１の下位レイヤのデバイスドライバに直接アクセスするインバンドＣＯＭポートＤＬＬ１０１３を利用することにより通信中の制御信号のやり取りを可能とする。 - 特許庁

In the thermal conduction layer, the thin film including materials of a thermal conductivity relatively lower rather than the thin film including the materials of the highest temperature conductivity among a plurality of materials is arranged between the thin films including the materials of the high temperature conductivity.例文帳に追加

そして、熱伝導層内において、高熱伝導率の材料からなる薄膜の間には、複数の材料のうち最も高熱伝導率の材料からなる薄膜よりも相対的に低熱伝導率の材料からなる薄膜を配置する。 - 特許庁