「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(201ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor chip 20 is adhered by an adhesive material 22 at the almost center of the insulation layer 14, and an electrode provided on the lower surface of the semiconductor chip 20 and the other end of the wiring 16 are connected by a wire 24 by wire bonding.例文帳に追加

絶縁層１４の略中央には、半導体チップ２０が接着剤２２により接着されており、半導体チップ２０の下面に設けられた電極と配線１６の他方の端部とはワイヤボンディングによりワイヤ２４により接続されている。 - 特許庁

To provide a technique contributing to an improvement of power supply efficiency to an upper layer semiconductor chip, reduction of power supply noise interference between upper and lower semiconductor chips, attainment of the low power supply noise, and high speed operation of a laminated semiconductor device (CoC).例文帳に追加

上層の半導体チップへの給電効率の向上と上下の半導体チップ間の電源ノイズ干渉の低減を可能とし、低電源ノイズを実現し、積層半導体装置（ＣｏＣ）の高速化に寄与する技術を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of unevenness in luminance of display by uniformly applying an alignment layer between both of a higher region and a lower region forming a level difference, in an electrooptical apparatus having the level difference in an effective display region.例文帳に追加

有効表示領域内に段差を有する構造の電気光学装置において、その段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に塗布し、表示の輝度にムラが発生するのを防止する。 - 特許庁

The optical device 1 has one or a plurality of self light-emitting elements 100, formed on a substrate 2 so as to interpose at least a light emitting layer between the lower electrode 3 and upper electrode 6, as one pixel 10.例文帳に追加

光デバイス１は、基板２上に形成された、下部電極３と上部電極６間に少なくとも発光層を含む成膜層５を狭持した自発光素子１００を一画素１０として、当該自発光素子１００を一つ又は複数個備える。 - 特許庁

To provide an array ultrasonic probe which includes three or more acoustic matching layers, the uppermost acoustic matching layer among them having a low attenuation rate, excellent dicing workability, heat resistance, and adhesiveness to upper and lower layers, and a proper acoustic impedance.例文帳に追加

３層以上の音響整合層のうち、低減衰率でダイシング加工性、耐熱性、上下層との接着性に優れ、かつ適切な音響インピーダンスを有する最上層の音響整合層を備えたアレイ式超音波プローブを提供する。 - 特許庁

An electromagnetic field entered to the dielectric layer 6 in a direction opposite to the aperture antenna 4 from the tri-plate feeder 2 is reflected in the lower face ground conductor 3 and the metallic wall 7, reciprocally propagated and the undesired parallel plate mode is suppressed during the reciprocal propagation.例文帳に追加

トリプレート給電線路２から開口アンテナ４と反対方向の誘電体層６へ入力された電磁界は下面グランド導体板3と金属壁７で反射し、往復伝搬する間に不要なパラレルプレートモードが抑圧される。 - 特許庁

To solve the problem that when a capacitor has a lower electrode made of TiN or Ti and a dielectric layer containing a dielectric of composite oxide consisting principally of Zr, Al and O, deterioration reaction occurs to the dielectric and then the capacitor decreases in electrostatic capacity.例文帳に追加

下部電極の材料がTiNまたはTiであり、かつ誘電体層がZrとAlとOとを主成分とする複合酸化物の誘電体を含む層であるキャパシターの場合、誘電体に変質反応に生じ、キャパシターの静電容量が低下する。 - 特許庁

To provide a planting base for rooftop greening, lighter in weight than conventional one, and comprising a base layer having lower alkalinity pH and excellent in a balance between water retainability and drainage, and to provide a planting structure for rooftop greening using the planting base for rooftop greening.例文帳に追加

従来に比べて軽量で、低アルカリ度のｐＨを有するとともに、保水性と排水性のバランスに優れた基盤層から構成される屋上緑化用植栽基盤及び屋上緑化用植栽構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure capable of preventing the surface of a gate electrode from becoming lower than that of a semiconductor layer even if cleaning treatment comprising oxidation treatment and oxide film removal treatment is performed after gate electrode formation.例文帳に追加

ゲート電極の形成後に酸化処理および酸化膜除去処理からなる洗浄処理が行われても、ゲート電極の表面が半導体層の表面よりも下がるのを防止することができる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The cosmetic layer is superposed on the sheet-shaped base material such as cardboard via, for example, acrylic resin-based or urethane resin-based alcohol-swellable resin adhesive swelling by lower alcohol (solvent) used for slurrying the powder cosmetic.例文帳に追加

厚紙等のシート状の基材上に、粉体化粧品のスラリー化に用いる低級アルコール（溶剤）によって膨潤する、例えばアクリル樹脂系またはウレタン樹脂系のアルコール膨潤性樹脂接着剤層を介して化粧品層を積層する。 - 特許庁

The structure is characterized by extending the lower electrode of the upward light emission type organic light-emitting diode from a source/drain metal layer of a thin film transistor up to the upward light emission type organic light-emitting diode pixel area.例文帳に追加

その構造の特徴は、上方向発光型の有機発光ダイオードの下電極が、薄膜トランジスタのソース／ドレイン金属層より上方向発光型の有機発光ダイオード画素領域まで延伸されるようにして形成されたことにある。 - 特許庁

To improve display quality in a liquid crystal display device which comprises an upper electrode and a lower electrode formed via an insulation layer and has an opening part for transmitting an electric field for driving liquid crystal molecules, formed on the upper electrode.例文帳に追加

絶縁層を介して形成された上部電極と下部電極を有し、前記上部電極に液晶分子を駆動するための電界を通す開口部を形成する液晶表示装置において、表示品質を向上することである。 - 特許庁

The layer 3 is preferably constituted of thermally fusing short fibers one synthetic fiber of which has the melting point relatively lower than that of the other synthetic fiber and at least the surface of one synthetic fiber is melted and bonded to the other synthetic fiber at the contact positions.例文帳に追加

なお、濾過繊維層３は、一方の合成繊維を他方の合成繊維よりも相対的に低融点であって加熱により少なくともその表面が溶融し接触箇所で接着される熱融着性短単繊維で構成するのが好ましい。 - 特許庁

This piezoelectric element 86 is provided with a piezoelectric film 82 made of a piezoelectric material, and lower and upper electrodes 83 and 84 disposed on the base 20 side of the piezoelectric film 82 and the side face of an overcoat layer 21 side to apply voltages.例文帳に追加

この圧電素子８６は、圧電材料からなる圧電膜８２と、該圧電膜８２の基台２０側およびオーバーコート層２１側の側面に備えられた電圧印加用の下部電極８３および上部電極８４とによって構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device which can suppress an increase in resistance between a contact plug and a lower electrode, and can favorably control the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

コンタクトプラグと下部電極との間の抵抗上昇を抑えることができ、さらには、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second capacitor 240 is similarly built-in the multilayer structure, so that opposing areas of a second lower electrode 241 and a second upper electrode 242 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become areas different from the prescribed area.例文帳に追加

第２コンデンサ２４０は、同じく多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第２下部電極２４１と第２上部電極２４２との対向面積が所定面積とは異なる面積となるように形成されている。 - 特許庁

A conductive via-hole 5 penetrating the upper surface (main surface) and the lower surface (back surface) of an insulator layer of each circuit board is connected with a metal wiring pattern 7 at the main surface side, and a solder plate formation region 8 is formed at the metal wiring pattern 7.例文帳に追加

個別の回路基板の、絶縁体層の上面（主面）と下面（裏面）とを貫通する導電ビア５が、主面側において金属配線パターン７と接続し、その金属配線パターン７上にはんだめっき形成領域８を形成する。 - 特許庁

An N-type first semiconductor layer 12 is formed on an inner surface of a first recess part 11c of an N-type semiconductor substrate 11 so as to generate a second recess part 51a being smaller than the first recess part; and has a lower first impurity concentration than that of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型第１半導体層１２はＮ型半導体基板１１の第１凹部１１ｃの内面にそれより小さい第２凹部５１ａを生じるように形成され、半導体基板１１より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁

The aluminum nitride substrate is heated and oxidized, in an atmosphere in which the partial pressure of oxygen is 10^-4 atmosphere or lower, preferably at 1,150 to 1,500°C for five hours and longer, to form an aluminum oxide layer of about 3 to 15 μm in thickness, from the surface.例文帳に追加

窒化アルミニウム基板を、酸素分圧が１０^−４気圧以下である雰囲気中で、好ましくは１１５０〜１５００℃で５時間以上加熱して酸化することにより表面から３〜１５μｍ程度の厚さの酸化アルミニウム層を形成する。 - 特許庁

A wire 13 is embedded in advance in a dumb rubber 5 adjacent to an adhesive 4 to adhere and fix a window glass 1 to a vehicle body 2, a terminal end part 13a is pulled outside a cabin across an adhesive layer 4, and covered with a lower molding 11.例文帳に追加

ウインドガラス１を車体２に接着固定している接着剤４に隣接するダムラバー５に予めワイヤ１３を埋設し、端末部１３ａを接着剤層４を横切らせた上で車室外側に引き出し、ロアモール１１で覆っておく。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 12, 12 are arranged, having a gap along two end edges facing each other of the lower surface of a chip-type thermistor element assembly 11 formed of a hexahedron, and an upper surface insulating layer 14 is arranged on the whole upper surface of the thermistor element assembly 11.例文帳に追加

６面体からなるチップ状サーミスタ素体１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて一対の端子電極１２，１２が設けられ、サーミスタ素体１１の上面全体に上面絶縁層１４とが設けられる。 - 特許庁

An opposite plane surface 40B is separated from the oxidant electrode 12 and uses a material with high thermal resistance, and thus its temperature becomes lower than that of the plane surface 40A at the side of an oxidant electrode 12, resulting in a temperature difference in the thickness direction of the heat insulation layer 40.例文帳に追加

反対側の面４０Ｂは、酸化剤極１２から離れており、かつ材料の熱抵抗率が高いので、その温度は酸化剤極１２側の面４０Ａよりも低くなり、断熱層４０の厚み方向に温度差が生じる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 4, an organic polysilcon film 5, and a second interlayer insulating film 6 composed of a material different from that of the first interlayer insulating film 4 are formed in this order on a diffusion prevention film 3 formed on a lower layer interconnect line 2.例文帳に追加

下層配線２上に形成された拡散防止膜３の上に、第１の層間絶縁膜４、有機ポリシリコン膜５、および、第１の層間絶縁膜４とは異なる材料からなる第２の層間絶縁膜６をこの順に形成する。 - 特許庁

Upper and lower flat plates 16, 17 having substantially identical dimensions and shape are laid in layer and a coil 11 is contained in the U-shaped recess 15 of a coil base 10 defined by side wall parts 18 forming a gap of a specified interval.例文帳に追加

寸法形状の略等しい上部平板１６と下部平板１７を重ね合わせ、その間に所定間隔の隙間を作る様に側壁部１８が挟まったコ字状のコイルベース１０のコの字を形成する窪み１５にコイル１１を収納する。 - 特許庁

Subsequently a light shield is formed by depositing a light absorbing antireflective coating material in the gaps so as to reduce the transmission of incident light through the gaps toward active elements in the lower layer.例文帳に追加

本実施形態は、次に、ギャップ領域内に光吸収性の反射防止コーティング材料を析出させて、ギャップ領域を通って下層の能動素子へ向かう入射光の透過が低減するように、光シールドを形成することを詳述する。 - 特許庁

An upper part 17A of a lip stick bulk 17 filled in a molding container 2 is solely and rapidly cooled by an upper cooling part 15 and the lower part 17B of the lip stick bulk 17 is slowly cooled with an air layer 16.例文帳に追加

成形容器２内に充填された口紅バルク１７の上側部分１７Ａのみを上側冷却部１５により冷却して速く温度を下げると共に、口紅バルク１７の下側部分１７Ｂの温度を空気層部１６により徐々に低下させる。 - 特許庁

A single crystal MgO(001) substrate 11 is prepared, an epitaxial Fe(001) lower electrode (first electrode) 17 by a thickness of 50 nm is grown on a MgO(001) seed layer 15 at a room temperature, and then, annealing is performed in ultra-high vacuum at 350°C.例文帳に追加

単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空において、３５０℃でアニールを行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a lithographic printing plate for cutting a bundle of stacked bundles satisfactorily in a manufacturing method for manufacturing a package of the stacked bundle in which a membrane face (a photosensitive layer side) of the lithographic printing plate is arranged on a lower side.例文帳に追加

平版印刷版の膜面（感光層側）が下側に配置された積層束の包装体を製造する製造方法において、積層束の束断裁を良好に行うことのできる平版印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a cushioning molded pulp fiber product composed of a pulp fiber layer having respectively specific thickness, specific gravity and density by placing an adjusting reservoir having a prescribed capacity around a lower mold and a sliding face formed on the outer circumference of the upper mold and closely contacting with the inner wall of the adjusting reservoir in the wet forming of pulp fiber.例文帳に追加

パルプ繊維から湿式法により成形品を製造するに当たり、成形品のパルプ繊維層の厚み、比重、密度などの物理条件が一定範囲以下に制約され、用途の多様化に対応できないことを解消する。 - 特許庁

The display plate 10 is constituted by disposing a display layer 13 on the upper face of a permeable substrate 11 and disposing a plurality of V-shaped projections 11a or V-shaped recessed grooves arranged about a light source 15 formed on the lower face 11b of the permeable substrate 11.例文帳に追加

透過性基板１１の上面に表示層１３を設け、透過性基板１１の下面１１ｂに光源１５を中心にして形成した複数並んだＶ字形突起１１ａ又はＶ字形凹溝を設けて表示板１０を構成する。 - 特許庁

To provide a column structure capable of preventing stress concentration of a connection portion, obtaining high strength and good deforming characteristics and allowing connection from a steel pipe or a steel framed reinforced concrete column to a reinforced concrete column at a lower layer of a high-rise building.例文帳に追加

接続部分の応力集中を防ぎ、高い強度と良好な変形特性が得られ、高層建造物の下層で鋼管または鉄骨鉄筋コンクリート柱から鉄筋コンクリート柱への接続が可能な柱構造を提供する。 - 特許庁

Further, so as to obtain a desired film thickness by measuring the thickness of the adhesive layer with a non-contact optical sensor, it is preferred to adjust the number of revolutions of the chuck for fixing an object to be transferred and a distance between the chuck upper part and the chuck lower part.例文帳に追加

また、接着剤の層の厚みを計測するための非接触式光センサによって所望膜厚になるように、被転写体固定用チャックの回転数と、及びチャック上部、チャック下部間の距離を調整することが望ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device capable of reducing displacement between a lower electrode or a pixel separation insulating film and an organic layer, and to provide the display device capable of restraining short circuit on a connection hole and improving an opening ratio.例文帳に追加

下部電極または画素分離絶縁膜と有機層との位置ズレを小さくすることが可能な表示装置の製造方法、および、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

In a copper-clad laminate, where copper coil whose one side is subjected to roughening treatment is applied to one side or both the sides of an insulation base, a metal layer having a melting point lower than that of zinc is formed on the copper foil surface, that is subjected to roughening treatment.例文帳に追加

絶縁性基材の片面または両面に、その一面が粗化処理された銅箔が貼付されてなる銅張積層板において、亜鉛よりも低い融点を有する金属層が粗化処理された銅箔面に形成されている。 - 特許庁

In a power element 1 of a pressure control valve, an annular solder sealing part formed by sandwiching a diaphragm 5 between flange-like outer peripheral edges of the lower housing 7 and caulking a caulking part 2a of the upper housing 2 is made airtight by a solder layer 8.例文帳に追加

圧力制御弁のパワーエレメント１において、ロアハウジング７の鍔状外周縁部にダイヤフラム５を挟んでアッパーハウジング２のかしめ部２ａをかしめ加工することで形成される環状のはんだ封止部をはんだ層８で気密にする。 - 特許庁

The optical waveguide structure 9 has the optical waveguide 90 having a core layer 93 comprising the core portions 94 and clad portions 95 lower in refractive index than the core portions 94, and conductive layers provided on both sides of the optical waveguide 90.例文帳に追加

本発明の光導波路構造体９は、コア部９４と、該コア部９４より屈折率が低いクラッド部９５とを備えるコア層９３とを有する光導波路９０と、該光導波路９０の両面に設けられた導体層とを有する。 - 特許庁

In this internal chill cylinder liner 2, a plurality of narrow projections 3 are formed on the outer peripheral surface 22 of the liner, and a coating 5 formed of a ceramic thermally sprayed layer is formed on the outer peripheral surface 22 of the liner starting at the intermediate portion 25 to the lower end 24 of the liner.例文帳に追加

鋳ぐるみ用のシリンダライナ２において、ライナ外周面２２に括れた形状の突起３を複数形成するとともに、セラミックセラミック溶射層からなる皮膜５をライナ中間部２５からライナ下端２４までのライナ外周面２２に形成した。 - 特許庁

The image forming material comprises an image forming layer, which is provided on a hydrophilic substrate, contains core/shell structure particulates which comprises a chemically active shell and a core with a softening point lower by 40°C than that of the chemically active shell, and a hydrophilic polymer.例文帳に追加

親水性支持体上に、化学的活性シェルと軟化点が該化学的活性シェルより４０℃低いコアを有するコア／シェル構造微粒子及び親水性ポリマーを含有する画像形成層を有することを特徴とする画像形成材料。 - 特許庁

By having a resist pattern over a tapered part further formed on a capacitor body structure and dry etching performed, the terminal portion of the capacitor body structure, constituted by stacking a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode, in this order, is made into a tapered form.例文帳に追加

そしてさらに、キャパシタ構造体の上にテーパ上のレジストパターンを形成してドライエッチングを行うことにより、下部電極、誘電体層及び上部電極を順に積層してなるキャパシタ構造体の端部をテーパ状に形成する。 - 特許庁

The lower end of a pellicle frame 4 disposed so as to enclose a pattern 3 formed on the top of a reticle 2 is joined to the top of the reticle 2 with an adhesive layer 6 and a pellicle film 8 is joined to the upper end of the pellicle frame 4.例文帳に追加

レチクル２の上面に形成されたパターン３を囲うように配置されたペリクル枠４の下端面が接着剤層６によりレチクル２の上面と接合されており、ペリクル枠４の上端面にはペリクル膜８が接合されている。 - 特許庁

A relay part 62a of the data line 6a passes through the lower layer side of the scanning line 3a and a capacity line 3b in the intersection part of the wiring, and the relay part 62a is composed of a high melting point metal such as chrome, tantalum and molybdenum-tungsten.例文帳に追加

配線の交差部では、データ線６ａの中継部分６２ａが走査線３ａおよび容量線３ｂの下層側を通り、かつ、この中継部分６２ａは、クロム、タンタル、モリブデン−タングステンなどといった高融点金属から構成されている。 - 特許庁

In the method for producing the foamed laminate having the uneven pattern on the surface of the thermoplastic elastomer sheet layer, the mold in which the uneven pattern is formed on the molding surface at least on the side contacting the elastomer sheet layer is used, and the foamed laminated sheet before thermoforming is heated so that the surface temperature of the polyolefin sheet layer is lower than that of the elastomer sheet layer.例文帳に追加

両最外層にポリオレフィン系発泡シート層および熱可塑性エラストマーシート層をそれぞれ有する発泡積層シートを真空成形して、熱可塑性エラストマーシート層の表面に凹凸模様を付した発泡積層体を製造する方法において、少なくとも熱可塑性エラストマーシート層が接する側の金型の成形面に凹凸模様を付した金型を使用し、かつ真空成形前の発泡積層シートの加熱において、ポリオレフィン系発泡シート層の表面温度が熱可塑性エラストマーシート層の表面温度よりも低くなるように加熱する。 - 特許庁

The antireflection film is formed by successively laminating at least 3 layers of a hard coat layer (A), a high refractive index layer (B) having a refractive index of ≤1.64 and a C layer having a refractive index lower than that of the B layer and of ≤1.37 in this order on at least one side of a base material film.例文帳に追加

本発明の反射防止フィルムは、基材フィルムの少なくとも片面に、ハードコート層（Ａ）、屈折率が１．６４以下である高屈折率層（Ｂ）および、屈折率がＢ層より低く、かつ１．３７以下であるＣ層の少なくとも３層が、この順に順次積層されている反射防止フィルムであって、該反射防止フィルムの該Ｃ層の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５μm〜１．５μmであり、該反射防止フィルム全体のヘイズが１．６〜３０．０％であり、かつ波長４００〜７００ｎｍにおける表面反射スペクトルが次の３条件を全て満たす。 - 特許庁

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.例文帳に追加

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The ceramic multilayer substrate 10 comprises a laminate 11 constituted of a plurality of ceramic layers 11A including a glass layer A; a thick film resistor 12 which is provided between the upper and lower ceramic layers 11A and includes glass B; and diffusion preventing layers 13, 14 which are provided between the thick film resistor 12 and the upper and lower ceramic layers 11A, and have glass C as the main ingredient.例文帳に追加

本発明のセラミック多層基板１０は、ガラスＡを含む複数のセラミック層１１Ａからなる積層体１１と、上下のセラミック層１１Ａの層間に設けられ且つガラスＢを含む厚膜抵抗体１２と、厚膜抵抗体１２と上下のセラミック層１１Ａとの間に設けられ且つガラスＣを主成分とする拡散防止層１３、１４と、を有する。 - 特許庁