「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(204ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the scattering of flatness or the in-plane dispersion of epitaxial thickness to a specified level or lower when the epitaxially grown layer turns out to be thick, and to completely remove foreign matters produced during the epitaxial growth step without an increase in man-hours or costs.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の厚さが厚くなった場合であっても、平坦度、エピ厚の面内バラツキの低減を一定レベル以下にし、しかもエピタキシャル成長の段階で生成される異物を、製造の工数、コストを増大させることなく完全に除去する。 - 特許庁

The semiconductor device has a capacitance element composed of an upper electrode 33, a dielectric film 32 and a lower electrode 31, and a semiconductor element, and plugs 9 comprising a high melting-point metallic material are formed in connecting holes formed to inter-layer insulating films on the semiconductor element in the semiconductor device.例文帳に追加

上部電極３３、誘電体膜３２、下部電極３１からなる容量素子と半導体素子とを有し、半導体素子上の層間絶縁膜に形成された接続孔内に高融点金属材料からなるプラグ９を設けた半導体装置である。 - 特許庁

An EL aperture part 127a that is a layered part of a lower electrode 504, an organic layer 506 and an upper electrode 508 which constitute the organic EL element 127 is extended to a light non-emitting area 127c other than a light emitting area 127b where homogeneous emitted light is obtained.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１２７を構成する下部電極５０４、有機層５０６、上部電極５０８の積層部分であるＥＬ開口部１２７ａを、均質な発光が得られる発光領域１２７ｂ以外の非発光領域１２７ｃにまで延在させる。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of preventing a withstand voltage from falling where an outer peripheral end of a lower electrode and an upper electrode overlap even when a dielectric layer of a retaining capacitor is made thin, and electronic equipment equipped with the electrooptical device.例文帳に追加

保持容量の誘電体層を薄くした場合でも、下電極の外周端部と上電極とが重なっている部分での耐電圧の低下を防止することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

A multilayer wiring board 11 is provided with an inner layer conductive pattern 13 between three insulating layers 12 composed of a glass-epoxy resin, and also on upper and lower both faces with a surface conductor pattern 14 which is plated with copper on a surface of a copper foil, and further with a through-hole 15.例文帳に追加

多層配線基板１１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる３層の絶縁層１２間に内層導体パターン１３を備えると共に、上下両面に、銅箔の表面に銅メッキを施した表面導体パターン１４を備え、更にスルーホール１５を備える。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

This superjunction semiconductor element is provided with an n high-resistance region 20, around a drift layer 12 consisting of parallel pn layers composed of n drift regions 12a and p partition regions 12b, and concentration ND of the impurities in the high-resistance region 20 is set at 5.62×1017×VDSS-1.36 (cm-3) or lower.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａとｐ仕切り領域１２ｂとの並列ｐｎ層からなるドリフト層１２の周囲に、ｎ^-高抵抗領域２０を設け、そのｎ^-高抵抗領域２０の不純物濃度Ｎ_Dを５．６２×１０^17×Ｖ_DSS^-1.36（ｃｍ^-3）以下とする。 - 特許庁

The solid p-type semiconductor layer 26 is made with a solution in which the ratio of the concentration of the ionic liquid as an additive to the concentration of the Cu compound is equal to or higher than 0.6% and equal to or lower than 12.5% to contain the Cu compound and the ionic liquid.例文帳に追加

この固体ｐ型半導体層２６は、Ｃｕ化合物の濃度に対する添加剤としてのイオン性液体の濃度の割合を０．６％以上１２．５％以下とした溶液を用いＣｕ化合物及びイオン性液体を含んで作製されている。 - 特許庁

The resin coating layer 3 is composed of a thermosetting resin where the temperature during insert molding is lower than the melting point of solder being used for mounting the electronic component 5, and formed by fluidizing the thermosetting resin from one short side to the other short side of the board 4.例文帳に追加

樹脂被覆層３は、インサート成形時の温度が電子部品５の実装に用いられるハンダの溶融温度よりも低い熱可塑性樹脂からなり、熱可塑性樹脂を基板４の一方の短辺側から他方の短辺側に流動させて形成されている。 - 特許庁

To provide a smoke control system improving the possibility of safely evacuating people from a fire by continuously exhausting a smoke amount of a room at an early stage, and delaying a descending time to a lower end position of a smoke layer.例文帳に追加

室内の煙量を早期かつ継続的に排出することにより、煙層の下端位置の低下時間を遅延させ、火災現場から人が安全に避難することができる可能性を高めることができる、煙制御システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the inner part of the lower layer 21 of the second sheet 20 from the one face of the first sheet 10 in the thickness direction, and extend radially in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.例文帳に追加

シール蓋１には、厚み方向において、第１シート１０の一方面から、第２シート２０の下層２１の内部に到達し、前記第１シート１０及び前記第２シート２０の延伸方向において、放射状に伸びる切断線４１が形成される。 - 特許庁

To put it concretely, three measuring routes 36B, 36A and 36C for which a departure point is the center point O of the lower aorta are set, and distances (a), b and c from the center point O to a fat layer surface (inner surface) on the body surface side are observed on the respective measuring routes.例文帳に追加

具体的には、下大動脈の中心点Ｏを出発点とする３つの計測経路３６Ｂ，３６Ａ，３６Ｃが設定され、各計測経路上において中心点Ｏから体表側の脂肪層表面（内面）までの距離ａ，ｂ，ｃが観測される。 - 特許庁

In a tooth-missing area of a gum 4, which is formed inside an alveolar bone 3 formed on the surface layer of the alveolar bone 3 prepared on a lower jawbone 2/upper jawbone, a blood-storing section 10 is prepared for storing simulated blood which flows to the outside, when a cut is made with a scalpel M.例文帳に追加

下顎骨２/上顎骨上に設けられる歯槽骨３、欠歯領域であり、かつ該歯槽骨３の表層部に設けられた歯肉４内に、メスＭが入れられた場合に外部に流れ出す擬似血液が貯留された血液貯留部１０を設ける。 - 特許庁

The middle word regulation creation procedure creates a middle word regulation which arranges a first non-end symbol for the middle word in the left edge, and which arranges a second non-end symbol for the middle word that is a lower layer than the first non-end symbol for the middle word in the right edge.例文帳に追加

中間語規則生成手順は、左辺に第１の中間語用非終端記号を配置すると共に、右辺に第１の中間語用非終端記号よりも下位の階層となる第２の中間語用非終端記号を配置した中間語規則を生成する。 - 特許庁

Porosity of the foams 3 is controlled to be in a range of 75-95% in a lower layer part Pr interposed between a section parallel to the rear face Sr inward by a thickness of 0.1t from the rear face Sr and a section parallel to the rear face Sr inward by a thickness of 0.4t.例文帳に追加

裏面Ｓｒから０．１ｔの厚み分内側で裏面Ｓｒと平行な断面と０．４ｔの厚み分内側で裏面Ｓｒと平行な断面とで挟まれた下層部Ｐｒで、発泡３による空隙率が７５〜９５％の範囲に調整されている。 - 特許庁

In the AC voltage setting mode, the control section 50 obtains the film thickness of the photosensitive layer based on the detection result of a DC voltage measuring circuit 104 at a frequency of once per 1,000 image formations, and sets an AC test current lower as the film thickness is reduced.例文帳に追加

制御部５０は、交流電圧設定モードでは、１０００枚の画像形成に１回の頻度で直流電圧測定回路１０４の検出結果に基づいて感光層の膜厚を求め、膜厚が小さくなるほど交流試験電流を低く設定する。 - 特許庁

A projecting and recessed panel formed by a water impermeable thin plate material having a substantially fixed thickness and having tapered hollow projecting parts 6 formed longitudinally and horizontally at fixed spaces on the lower part is laid on the roof 1, and an interrupting layer formed of concrete 8, soil, sand and gravel is laid thereon.例文帳に追加

ほぼ一定厚の非透水性の薄板材により、下部に一定の間隔で縦横に先細の中空凸部６が形成された凹凸パネル４を屋根１の上に敷設し、その上にコンクリート８や土壌、砂、砂利などからなる遮断層を敷設する。 - 特許庁

To prevent a semiconductor wafer from being easily warped in hardening a sealing film formed of a liquid resin when manufacturing a semiconductor device with an upper surface, side surfaces and an undersurface of a silicon substrate covered with the sealing film formed of an organic resin, a side part protective film and a lower layer protective film.例文帳に追加

シリコン基板の上面、側面および下面を有機樹脂からなる封止膜、側部保護膜および下層保護膜で覆った半導体装置の製造に際し、液状樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハが反りにくいようにする。 - 特許庁

Pieces 41 to 49 of the lower layer piece group 4 are made of a transparent material, and the pieces 41 to 49 are provided with first opaque parts 41a to 49a for covering portions other than true patterns and dummy patterns out of the base of a background panel 3.例文帳に追加

下層ピース群４の各ピース４１ない４９を透明材によって形成し、各ピース４１ないし４９に、下地パネル３の素地のうち、真の絵柄とダミーの絵柄以外の部分を目隠しする第１の不透明部４１ａないし４９ａを設ける。 - 特許庁

A multicast router in a leaf subnet makes the multicast group to be uniquely defined in a MAC (media access control) layer by mapping lower 28 bits (multicast group address), as they are among 32 bits of an IP (internet protocol) multicast address as the hardware multicast address, when receiving multicast packets.例文帳に追加

リーフサブネットのマルチキャストルータがマルチキャストパケットを受信した際の処理として、３２ビットのＩＰマルチキャストアドレスの内、下位２８ビット（マルチキャストグループアドレス）をそのままハードウェアマルチキャストアドレスにマッピングすることにより、ＭＡＣレイヤでマルチキャストグループを一意に確定させる。 - 特許庁

Forming the first insulating film 10 with a material that can be etched selectively against the second insulating film 14 makes the mask of photo-resist unnecessary in removing the first insulating film 10 in through holes 11 on the lower layer metal wiring 2.例文帳に追加

そして第１の絶縁膜１０は第２の絶縁膜１４に対して選択にエッチング可能な材料により形成することでスルーホール１１内の下層金属配線２上の第１の絶縁膜１０を除去する際フォトレジストによるマスクを不要とする。 - 特許庁

On a lower clad layer 112, there are formed an incident waveguide core 101a, an excited light incidence core 101b, an incident side slab waveguide core 103, a plurality of array waveguide cores 105, an emission side slab waveguide core 104 and an emission waveguide core 102.例文帳に追加

下部クラッド層１１２の上に、入射導波路コア１０１ａと、励起光入射コア１０１ｂと、入射側スラブ導波路コア１０３と、複数のアレイ導波路コア１０５と、出射側スラブ導波路コア１０４と、出射導波路コア１０２とが形成されている。 - 特許庁

Refractive indexes of the lower clad layer 12 and the photonic crystal period structure 21 are different from each other, and an occupation rate that is a rate occupied by a low refractive index material in a crystal lattice is large for both of secondary diffraction efficiency and primary diffraction efficiency.例文帳に追加

下部クラッド層１２とフォトニック結晶周期構造体２１の屈折率が異なっており、結晶格子における低屈折率材料が占める割合である占有率が、２次回折効率及び１次回折効率ともに大きい占有率である。 - 特許庁

Since a through hole 36 and a lower layer via hole 46 are filled with the same filling resin 54, a multilayer printed wiring board can be produced inexpensively and since uniform strength can be sustained in the through hole and the via hole, reliability of the multilayer printed wiring board can be enhanced.例文帳に追加

スルーホール３６と下層のバイアホール４６とに同一の充填樹脂５４が充填されてなるので、廉価に構成でき、また、スルーホール内とバイアホール内との強度を均一に保ち得るため、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To lower noise by preventing the backflow of a boundary layer flow in a portion near both side plates of a diffuser to an impeller in a centrifugal fluid machine comprising a diffuser with a blade, particularly a low solidity cascade diffuser LSD.例文帳に追加

羽根付きのディフューザを備えた遠心流体機械，特に小弦節比翼列のディフューザＬＳＤを備えた遠心流体機械において、ディフューザの両側板に近い箇所に生じる境界層流の羽根車への逆流を防止して騒音の低減を図る。 - 特許庁

Successively, after a base layer 9, a mesa-shape emitter region 10, an emitter electrode 12, and a base electrode 11 are formed, an insulating region 4 of dielectric permittivity lower than that of the collector region 6 is formed by oxidizing the above buried region, and a collector electrode 7 is formed.例文帳に追加

つぎに、ベース層９、メサ形状のエミッタ領域１０、エミッタ電極１２およびベース電極１１を形成した後、前記埋め込み領域を酸化させてコレクタ領域６よりも低誘電率の絶縁領域４を形成し、さらにコレクタ電極７を形成する。 - 特許庁

A transistor is constituted on a semiconductor substrate 200, and a drain electrode 125 of the transistor and an EL lower electrode 126 of an organic EL layer 120 are connected electrically, and a source electrode 128 is electrically connected to the semiconductor substrate 200 through an electrode 129 for grounding.例文帳に追加

半導体基板２００にトランジスタを構成し，このトランジスタのドレイン電極１２５と有機ＥＬ層１２０のＥＬ下部電極１２６を電気的に接続し，ソース電極１２８は接地用電極１２９を介して半導体基板２００に電気的に接続する。 - 特許庁

After that, before carrying out the first superconductivity heat treatment, the metal Nb layer is oxidized by being applied with the heat treatment in an atmosphere of a lower temperature than the temperature of superconductivity heat treatment and in the atmosphere wherein oxygen concentration is higher than that of the atmosphere.例文帳に追加

その後、第１回目の超電導化熱処理の前に超電導化熱処理温度より低温で、且つ酸素濃度が大気中の酸素濃度より高い雰囲気で熱処理を施して前記金属Ｎｂ層を酸化させ、しかる後、超電導化熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a substrate exposing method and an aligner by which the warpage and wrinkles or the like of a film-like substrate such as a multi- layer substrate placed on the upper face of a lower frame are eliminated and alignment work with a mask film stuck and fixed at an upper frame is easily and surely performed.例文帳に追加

下枠の上面に載置される多層基板基板等のフィルム状の基板の反りまたは皺等を除き、上枠に被着固定されたマスクアフィルムとのライメント作業を簡単確実にする基板露光方法および露光装置を提供すること。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which is antistatic upon stripping of an adherend having not been subjected to antistatic finish from an adhesive layer and achieves a lower level of contamination to the adherend, an antistatic adhesive sheet using the adhesive composition, and a surface protection film using the adhesive composition.例文帳に追加

粘着剤層および帯電防止されていない被着体の剥離時の帯電防止が図れ、被着体への汚染が低減された粘着剤組成物、ならびにこれを用いた帯電防止性の粘着シート、および表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁

When the Ti film, the Ta film or the Ru film is formed as the orientation control film 3, the surface of the lower shield layer 4 becomes a (111) plane; and when the MgO film is formed as the orientation control film 3, it becomes a (100) plane.例文帳に追加

また、配向制御膜３としてＴｉ膜、Ｔａ膜又はＲｕ膜が形成されている場合、下部シールド層４の表面は（１１１）面となり、配向制御膜３としてＭｇＯ膜が形成されている場合、下部シールド層４の表面は（１００）面となる。 - 特許庁

The stress relaxation grooves 5A are formed at the position at which the cores 2a to 2c are not formed, formed from the upper end face of an overclad layer 3b to the lower end face of an underclad 3a which compose a clad 3, and has a shape having an opening on the side end face 4S of the optical waveguide 1A.例文帳に追加

応力緩和溝５Ａはコア２ａ〜２ｃの非形成位置に形成され、クラッド３を構成するオーバークラッド層３ｂに上端面からアンダークラッド３ａの下端面まで到達し、光導波路１Ａの側端面４Ｓに開口を有した形状である。 - 特許庁

To provide a novel electrophotographic photoreceptor which is high in charge generation efficiency of a charge generation agent compounded in a photosensitive layer and can realize a higher speed of an electrophotographic process or a reduction of an amount of use of the charge generation agent and a lower cost accompanying the same.例文帳に追加

感光層に配合される電荷発生剤の電荷発生効率が高く、電子写真プロセスの高速化、または、電荷発生剤の使用量の低減とそれに伴う低コスト化を実現することができる新規な電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁

A peripheral sacrifice layer 105 of a contact electrode 106 is removed by dry etching through a first opening part 108 with a second opening part 109 stopped up with resist pattern, thereby forming a space 110 partly on a lower electrode 103.例文帳に追加

レジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去し、下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。 - 特許庁

An outermost surface of a semiconductor substrate 11 having one or multiple crystalline layers is covered with a coat film 12 comprised of a material having a pyrolysis temperature lower than that of the outermost layer, and is housed and kept in a wafer container while this state is maintained.例文帳に追加

１又は２以上の結晶層を有する半導体基板１１の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜１２で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。 - 特許庁

In this seismic strengthening method for existing apartment houses arranged parallel to each other, the lower layer parts of the existing apartment houses 1, 1... arranged parallel to each other are connected to each other through horizontal frames 7 for seismic strengthening.例文帳に追加

並列に複数棟立ち並ぶ既存共同住宅建物の耐震補強工法であって、並列に複数棟立ち並ぶ既存共同住宅建物１、１…の下層部の相互間を、水平架構７により連結して耐震補強を行うことを特徴とする。 - 特許庁

Two layer encasing sections are prepared with each separate body of independent sheet of fabric, which are composed of an upper step encasing section formed with an opening portion on top of the body inside, and a lower step encasing section formed with an opening portion in an approximately middle region on one face side or another face side of the body.例文帳に追加

別生地体で一体となった本体内部の上方に開口部を形成した上段収納部と、本体の一面側又は、他面側の略中間部位に開口部を形成した下段収納部との、二層の収納部を各々別体で設けた。 - 特許庁

The method of developing the reclaimed tideland has a sand pile driving step in which a number of sand piles are driven into submarine ground in a reclaimed tideland scheduled area at a depth equal to or lower than a mean low tidal level, and a bulging area of a surface layer of the submarine ground, that occurs due to the driving, is used as the tideland.例文帳に追加

人工干潟予定領域で且つ平均低潮位以下の深さにある海底地盤に砂杭を多数打設し、該打設により生じる海底地盤の表層部の盛り上がりを干潟とする砂杭打設工程を有する人工干潟の造成方法。 - 特許庁

An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.例文帳に追加

ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a PGA type electronic component capable of contributing to an improvement in adhesive strength of a pad with a resin of its lower layer and hence connecting reliability, by enhancing a mounting strength of a pin at the pad, a method for manufacturing it and a semiconductor device.例文帳に追加

ＰＧＡ型電子部品用基板、及びその製造方法に関し、特にビルドアップ基板等のプラスチック性基板の外部接続端子となるピンが該基板の面に多数立設されたＰＧＡ型配線基板において、ピンの取り付け強度を高める技術に関する。 - 特許庁

The impervious plate 11 is fixed to the internal wall section 3 in a state to bring the lower end of the height position deciding section 11d into contact with a throating 8, and a vent space 9 is provided between the starter 5 and the throating 8 to connect the vent space 9 to the vent layer 4.例文帳に追加

そして、遮水板１１が、高さ位置決め部１１ｄの下端を水切り８上に当接させた状態で内壁部３に固定されることで、スタータ５と水切り８との間に通気隙間９が設けられて、通気隙間９と通気層４とが連通する。 - 特許庁

Moreover, since the space 17 is present in the lower part of the defect 16 and light is easy to be locked in the dotted defect 16 , etc., by the difference of the refractive indexes of the main body layer 11 and that of air, the dotted defect 16 becomes a resonator having high performance.例文帳に追加

また、点状欠陥１６の下部には空間１７が存在するため、本体層１１と空気の屈折率の差により、点状欠陥１６において光が閉じこめられ易いこと等により、点状欠陥１６は高い性能を有する共振器となる。 - 特許庁

To solve such a problem that the resin of a lower layer is softened by a heat generated in a flip chip mounting step, in an electrode pad of an interposer substrate that is formed on the external electrode of an electronic device to receive an Au stud bump, for the electrode pad to sag, resulting in connection failure or degradation of reliability.例文帳に追加

電子デバイスの外部電極上に形成されたＡｕスタッドバンプを受けるインターポーザー基板の電極パッドは、フリップチップ実装工程の熱によって下層の樹脂が軟化するため、電極パッドが沈み込み、接続不良や信頼性の低下が発生する。 - 特許庁