「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(205ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing semiconductor devices to form IPO capacitors, bipolar transistors and CMOSFETs on a substrate, in which a thermal oxide film of the polycrystal silicon film as a lower side electrode is formed as an insulating layer of the IPO capacitor to reduce the number of manufacturing processes.例文帳に追加

ＩＰＯキャパシタとバイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、下側電極をなす多結晶シリコン膜の熱酸化膜をＩＰＯキャパシタの絶縁層とし、製造工程数を少なくする。 - 特許庁

The fence frame 10 is installed so as to elevate/lower along a guide rail 8 which is stuck to an outer wall part of a building 2 provided so as to be perpendicular or inclined to the ground in the vertical direction and is elevated, lowered and moved by a layer unit according to a construction advance of the building 2.例文帳に追加

それは地面に垂直または傾いて設けられた建築物２の外壁部に上下方向に付着された誘導用レール８に沿って昇降できるように設置されて建築物の工事進捗に合わせて層単位に昇降移動するのである。 - 特許庁

It is suitable to add 0.5%≤H_2O or O_2≤1.5% to partial pressure of raw material, Ar gas to be used for forming a film over the magnetic layer 3 and further to keep the atmosphere pressure at formation of the film to be in the range of 5 mTorr or higher to 30 mTorr or lower.例文帳に追加

磁性層３を成膜する際に用いる原料Ａｒガスの分圧に対して、０．５％以上１．５％以下のＨ_２ＯまたはＯ_２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力を５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好適である。 - 特許庁

Information regarding transfer processing of the communication paths 221 and 222 in the higher layers and the communication bus 211 in the lower layer after route change is held by the respective nodes 41 and 42, so the states of the paths can be changed faster than a conventional method which does not hold the information.例文帳に追加

ルート変更後の上位階層の通信パス２２１，２２２、下位階層の通信パス２１１の転送処理に関する情報を各ノード４１，４２が保持するので、保持しない従来のものと比べて迅速にパスの状態を変更することができる。 - 特許庁

The battens for holding the tiles 1 are synthetic resin battens; a slender main part 2 of the batten is extruded by using a rigid foamed resin material; and extrusion molding makes an elastic resin intermediate layer 3 integrally formed in an intermediate part between front and lower parts on the front side of the main part 2 along a longitudinal direction.例文帳に追加

合成樹脂製桟であって、細長い桟主部２を硬質発泡樹脂材で押出成形され、該桟主部２の正面における上下中間に弾性樹脂中間層３が、長手に沿って押出成形により一体に形成されている、瓦桟１。 - 特許庁

Heating boards 1a, 1b, 1c of ≥3 pieces are disposed in the laminated layer direction by arranging gaps, and a laminated body 90a of a conductor pattern is inserted into the gap of the upper step among the heating boards 1a, 1b, 1c and a laminated body 90b is inserted into the gap of the lower step.例文帳に追加

３枚以上の熱盤１Ａａ，１ｂ，１ｃを隙間を空けて積層方向に配置し、熱盤１Ａａ，１ｂ，１ｃ間の上段の隙間に導体パターンフィルムの積層体９０ａを挿入し、下段の隙間に積層体９０ｂを挿入する。 - 特許庁

To suppress the producing of a level difference in the interlayer insulating film for a lower-layer wiring having a recess produced by dishing, thereby generating the deterioration of accuracy of photolithography upon forming via plugs or short-circuit between the via plugs, in the manufacture of a multi-layered wiring having big-width interconnect lines.例文帳に追加

太幅配線を有する多層配線の製造において、ディッシングにより生じた凹部のある下層配線の上層の層間絶縁膜に段差が生じ、ビアプラグ形成時のフォトリソグラフィ精度低下やビアプラグ間短絡が生じることを抑制する。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

The device is comprised of several layers including a porous support layer below the blotting membrane, a flow distributor above the blotting membrane and a well on the flow distributor to contain the liquid to the desired area and to allow for lower starting volumes of such liquid.例文帳に追加

デバイスは、ブロッティング膜の下にある多孔性支持体と、ブロッティング膜の上にある分流器と、所望の領域で液体を収容し、その液体の始動容積をより低くすることを可能にする、分流器上のウェルとを含む、いくつかの層からなる。 - 特許庁

The strong field drift layer 6 comprises a drift part 6a formed of a plurality of oxidized porous polycrystalline silicon layers formed so as to be overlapped with the lower electrodes 12 and a separation part 6b formed of the polycrystalline silicon layers buried between the drift parts 6a.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、各下部電極１２それぞれに重なる形で形成された複数の酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなるドリフト部６ａと、ドリフト部６ａの間を埋める多結晶シリコン層よりなる分離部６ｂとで構成される。 - 特許庁

A resistance value passing through terminals collecting current in the periphery of the positive or negative electrode plate P200 on the outside is lower than a resistance value of a normal electrode surface having an electrochemical reaction active coating layer having a lattice pattern on the other surface of the electrode plate.例文帳に追加

外側の正極性又は負電極性の電極板Ｐ２００の周辺の電流を集める端子の間に通過する抵抗値は、同電極板の別面に格子紋を有する電化学反応活性塗装層のある正常電極面の抵抗値より低い。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display 10 has a liquid crystal layer 16 held between an upper substrate 14 and a lower substrate 13 and a transmission display region T and a reflection display region R in one dot region.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１０は、上基板１４と下基板１３との間に液晶層１６が挟持され、１つのドット領域内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有する半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module is obtained by bonding a thermoelectric conversion element 1 and an electrode 2 metallurgically via a porous metal layer 6 composed of nickel or silver and having a density ratio of 50-90% (porosity is 50% or lower).例文帳に追加

多孔質金属層６をニッケルもしくは銀からなる密度比：５０〜９０％（気孔率を５０％以下）の多孔質の金属層で構成して、熱電変換素子１と電極２とを多孔質金属層６を介して冶金的に接合して熱電変換モジュールとする。 - 特許庁

The volatile memory includes: a cell transistor having a lower gate dielectric, an intermediate gate dielectric for charge trapping, and an upper gate dielectric, all laminated in order as a gate dielectric; and a transistor for logic, having a single layer of an oxide film as a gate dielectric.例文帳に追加

ゲート誘電体として順次積層された下部ゲート誘電体、電荷トラップのための中間ゲート誘電体、及び上部ゲート誘電体を備えたセルトランジスタと、ゲート誘電体として単一層の酸化膜を備えたロジック用トランジスタとで、揮発性メモリを構成する。 - 特許庁

The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer.例文帳に追加

このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。 - 特許庁

Estrogen is extracted from the sample originating from the living body and converted to pentahalogenated benzyl or pentahalogenated benzoyl derivative and, after the derivative is convertive to a 1-lower alkylpyridinium derivative, this derivative is measured by LC-MS to quantify estrogen in a skin horny layer.例文帳に追加

生体由来試料からエストロゲンを抽出し、そのエストロゲンをペンタハロゲン化ベンジル又はペンタハロゲン化ベンゾイル誘導体化し、それを１−低級アルキルピリジニウム誘導体化した後、ＬＣ−ＭＳで測定することで、皮膚角質層中のエストロゲンを定量する。 - 特許庁

The photomask pair includes a first photomask for use in a fist step and a second photomask for use in a second step subsequent to the first step, wherein a first monitor mark includes a monitor pattern 140 for monitoring element dimensions of a lower layer.例文帳に追加

第１工程において用いられる第１フォトマスクと、該第１工程の後の第２工程において用いられる第２フォトマスクとからなるフォトマスクペアにおいては、第１のモニタマークは、下層の素子寸法をモニタするためのモニタパターン１４０が設けられている。 - 特許庁

To provide an electrode including a structure configured to prevent an intercalation layer from detaching from the electrode and/or a structure, configured to create a region having an intercalation material of lower concentration, and to provide a method of manufacturing the electrode.例文帳に追加

層間層が電極から分離することを防止するように構成された構造、及び／または、より低濃度の層間材料を有する領域を電極上に作製するように構成された構造を含む電極及び該電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrooptical device includes pixel electrodes (9a) each of which is provided for every pixel on the element substrate (10), semiconductor elements (30) provided corresponding to the pixel electrodes and a microlens part (200) provided on a lower layer side of the semiconductor elements and having a plurality of microlenses (210).例文帳に追加

電気光学装置は、素子基板（１０）に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられた半導体素子（３０）と、半導体素子より下層側に設けられており、複数のマイクロレンズ（２１０）を有するマイクロレンズ部（２００）とを備える。 - 特許庁

To improve reliability and a manufacturing yield in multilayer interconnection by forming a wiring groove so that no crown fences are generated around a via hole, and by protecting lower layer wiring from a damage due to the etching of a process for forming the via hole and wiring groove.例文帳に追加

ビアホールの周囲にクラウンフェンスが生じないように配線溝を形成し、且つビアホール及び配線溝を形成する工程のエッチングによるダメージから下層配線を保護して多層配線の信頼性及び製造歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which performs polymer elimination comparatively easily without increasing processor, improves adhesiveness of a bonding pad opening and wire bonding without generating abnormal growth of metal wiring of a lower layer, and improves yield.例文帳に追加

処理装置を増やす事無く、比較的容易にポリマー除去を行い、下層の金属配線の異常成長を発生させることなく、ボンディングパッド開口部の金属膜とワイヤーボンディングの密着性を向上させ、歩留まりを向上させる半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

By using as a raw material powder obtained by heating a liquid solution of an amino-acid complex containing metallic atoms constituting a piezoelectric material with a bismuth layer structure, low-temperature sintering is feasible at a temperature remarkably lower compared with the conventional method, namely at about 900°C.例文帳に追加

ビスマス層状構造の圧電材料を構成する金属元素を含むアミノ酸錯体の溶液を加熱して得られる粉末を原料とすることで、従来の製法に比べて非常に低い温度、すなわち９００℃程度での低温焼結が可能となる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator whose stimulation electrode is not open between an upper face and a lower face of a piezoelectric vibration chip even when a noble metallic layer to enhance the adhesiveness of a surface protection film is partially eliminated and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面保護膜の密着性を高めるための貴金属層を部分的に除去したときでも、圧電振動片の上面部と下面部との間で励振電極がオープン状態になることのない圧電振動子、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, heat treatment (baking) is executed, thereby suppressing crystallization from the zirconium film 51 side in the first piezoelectric precursor film 15a to allow crystallization from the lower electrode 14 layer side, and thus, a first piezoelectric film 15 preferentially oriented to (002) is formed.例文帳に追加

次に、熱処理（焼成）を行うことにより、第１圧電体前駆体膜１５ａにおけるジルコニウム膜５１側から結晶化することを抑え、下部電極層１４側から結晶化させることができ、（００２）に優先配向する第１圧電体膜１５が形成される。 - 特許庁

The wiring structure includes a barrier film formed on a lower structure, a copper conductive film formed on the barrier film and containing copper or a copper alloy, an intermediate film formed on the copper conductive film and containing a copper nitride, and a capping film formed on the intermediate layer.例文帳に追加

配線構造は、下部構造物上に形成されたバリヤ膜と、バリヤ膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含む。 - 特許庁

Each trench comprises an insulation material 612 backing its surface, a conductive material 610 filling up a lower portion of the trench substantially down to a selected level below the upside of the upper layer, and an insulation material substantially filling up the rest of the trench.例文帳に追加

各トレンチはその表面を裏打ちする絶縁材料６１２と、上部層の上部表面の実質的に下方の選択されたレベルにまでその下部を充填する導電性材料６１０と、トレンチの残り部分を実質的に充填する絶縁材料とを含む。 - 特許庁

The anode electrode 22 and cathode electrode 23 on the lower surface of the connection board 2 are disposed adjacent to each other, and a solder resist layer 26 is formed in a trench portion between the electrodes so that the same is not in contact with at least either of the anode electrode and cathode electrode.例文帳に追加

接続板２の下面の、陽極電極２２と陰極電極２３は近接して配置され、これらの電極の間の溝部に、陽極電極と陰極電極の少なくとも一方とは接触しないように半田レジスト層２６を形成する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 50 has a roughened surface 33, which is processed with an etchant having a 2nd copper complex and an organic acid, and the lower- layer conductor circuit 24 and via hole 49 are connected through the roughened surface 33.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板５０は、下層導体回路２４が、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面３３を有しており、下層導体回路２４とバイアホール４９とが粗化面３３を介して接続されてなる。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

In this method of etching by soaking an aluminum foil in an electrolytic solution containing chlorine ions and then applying alternating current to the aluminum foil, the aluminum foil for an electrical double-layer capacitor collector body is manufactured by etching with 60 Hz or lower frequency.例文帳に追加

塩素イオンを含有する電解液中にアルミニウム箔を浸漬し、このアルミニウム箔に交流電流を印加してエッチング処理する方法において、周波数６０Ｈｚ以下でエッチングして電気二重層コンデンサ集電体用アルミニウム箔を製造している。 - 特許庁

A second layer STO film 18b becoming the overlying dielectric film 17b of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure in the vicinity of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the STO film 18a.例文帳に追加

ＳＴＯ膜１８ａの上に、下部電極１２ａ付近がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜で、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ上層誘電体膜１７ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１８ｂを形成する。 - 特許庁

The ink jet rcording paper has a porous ink receiving layer containing polymer-dispersed particles, which reversibly show hydrophilicity at a boundary temperature or lower and hydrophobicity at the boundary temperature or higher, and inorganic fine particles with a mean particle size of 10-200 nm.例文帳に追加

可逆的に境界温度以下で親水性を示し、境界温度以上で疎水性を示す重合体分散粒子と、平均粒径１０〜２００ｎｍの無機微粒子を含有する多孔質なインク受容層を有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14.例文帳に追加

下部電極８及び上部電極１０とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層９とからなる強誘電体キャパシタ２と、層間絶縁膜２５，１４中に設けられる金属配線３３とを備えた強誘電体メモリ１である。 - 特許庁

A first layer STO film 18a becoming the underlying dielectric film 17a of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure on the surface of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the substrate 19.例文帳に追加

基板１９上に、下部電極１２ａの表面上がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ下層誘電体膜１７ａとなる第１層目のＳＴＯ膜１８ａを形成する。 - 特許庁

The lowest layer part 56 of the multistory scaffold 10 is arranged by building and juxtaposing a standard 11 attached with a jack base 17 in the horizontal direction at a predetermined interval, by installing the jack base 17 in a lower end part of a steel pipe column 15 of the standard 11.例文帳に追加

連層足場１０の最下層部５６は、建枠１１の鋼管支柱１５の下端部にジャッキベース１７を装着し、当該ジャッキベース１７が装着される建枠１１を所定の間隔毎に水平方向に建て並べることによって設置される。 - 特許庁

This column and beam joint part has at least one column and beam joint part in a steel rigid frame framework having a displacement angle between yield layers of 1/100 or more and uses a base of column having lower proof stress than the column in a base of column of a column in the lowest layer.例文帳に追加

降伏層間変位角が１／１００以上である鉄骨ラーメン骨組と、エネルギー吸収部材を設置した鉄骨骨組において上記柱梁接合部を少なくとも一つ有し、最下層の柱の柱脚に柱よりも耐力の低い柱脚を用いる。 - 特許庁

(1) The silver halide photographic material contains sensitizing pigment, having at least one oxiazole nucleus inside a molecule, and immediately before applying an application liquid of a silver halide emulsion layer regulated at pH of 6.0 or higher, acid is added in line to set the application liquid of pH of 5.8 or lower.例文帳に追加

（１）分子内にオキサゾール核を少なくとも１つ有する増感色素を含有し、かつｐＨが６．０以上に調整された該ハロゲン化銀乳剤層の塗布液を塗布する直前に、酸をインライン添加して前記塗布液のｐＨを５．８以下にする。 - 特許庁

A Fresnel lens 3 is laminated on the back surface of a diffusing film 1 provided on the surface of the screen through an adhesive, and a reflection layer 5 formed on a base film is laminated on the lens 3 through an adhesive whose refractive index is as lower than the lens 3 as possible.例文帳に追加

スクリーン表面に設けられる拡散フィルム１の裏面に粘着剤を介してフレネルレンズ３が積層され、このフレネルレンズ３にフレネルレンズ３よりできるだけ屈折率の低い粘着剤を介して、ベースフィルム上に成膜された反射層５が積層されている。 - 特許庁

In this case, after a revise bias voltage between the electric charge detection region and the surrounding regions therearound is greater to a degree of completely depleting the region with the lower impurity concentration between the both, the growth of the depletion layer is slow with respect to the increase in the reverse bias voltage.例文帳に追加

この場合、電荷検出領域とその周囲との間の逆バイアス電圧が、両者間の不純物濃度が低い領域を完全空乏化する程度に大きくなった後では、逆バイアス電圧の増大に対する空乏層の伸び方は緩やかになる。 - 特許庁

The disk cartridge includes a case 1 having upper and lower members 2 and 3 disposed facing each other at an interval and a sidewall, in which the disk 5 provided with an annular protruded part 5c near the outer circumference of the information recording layer is rotatably accommodated in the case 1.例文帳に追加

ディスクカートリッジは、所定間隔をあけて対向する上側部材２及び下側部材３と、側壁とを含むケース１を有し、このケース１が情報記録面の外周近傍に環状の突出部５ｃを備えたディスク５を回転可能に収納する。 - 特許庁

In an electrode protecting member 15 provided in an electrode penetrating part of a melting furnace, a glaze layer 15B fixed by applying and sintering a glaze is provided on an outer peripheral face, inner peripheral face and a lower end face of an electrode protecting member main body 15A formed from a flame resistant material.例文帳に追加

溶融炉の電極貫通部に設けられる電極保護部材１５において、耐火物で形成された電極保護部材本体１５Ａの外周面、内周面、下端面に、釉薬を塗布して焼成することにより定着させた釉薬層１５Ｂを設けた。 - 特許庁

In this case, a relay electrode pad RP connected to the coupling electrode pad P of a first chip 12 by a relay wiring 23 is further provided on the pad formation surface of the first chip 12 as a lower surface in such a way that the pad RP is exposed on a second chip 16 as an upper layer.例文帳に追加

このとき、下層になる第１チップ１２のパッド形成面には、中継配線２３によりその連結電極パッドＰと接続された中継電極パッドＲＰが、上層になる第２チップ１６に露出されるかたちでさらに備えられる。 - 特許庁

The ball outlet 16 is provided with a ball aligning projection 17 projected above the ball outlet 16 so that the Pachinko balls in a lower layer preferentially flow out of the ball outlet even when the Pachinko balls are stacked in two or more layers on the downstream surface 10b.例文帳に追加

さらに球流出口１６に、球流出口１６の上方へせり出す球均し突条１７を設けて、パチンコ球が下流面１０ｂ上に２層以上に重なった場合であっても下層のパチンコ球が優先的に球流出口から流れ出させる。 - 特許庁

A moistureproof polyethylene laminated film is obtained by molding a laminated film of which at least one layer is formed by the coextrusion of a polyethylene resin with a density of 0.940 g/cm3 or more and a polyethylene resin having density lower than that of this polyethylene resin by an air cooling inflation method.例文帳に追加

(A) 少なくとも１層が、密度０．９４０ｇ／ｃｍ^3 以上のポリエチレン樹脂と、(B) これよりも密度の低いポリエチレン樹脂を共押出した積層フィルムを空冷インフレーション法によって成形されたことを特徴とする防湿性ポリエチレン積層フィルム。 - 特許庁