「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(209ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

This wiring structure 40 is constituted by a lower wiring 44 formed on a base insulating film 42, an interlayer insulating film 46 formed on the wiring 44, a contact 48 which penetrates the layer 46, an upper wiring 50 connected with the wiring 44 via the contact 48.例文帳に追加

本配線構造４０は、下地絶縁膜４２上に形成された下層配線４４と、下層配線４４上に成膜された層間絶縁膜４６と、層間絶縁膜４６を貫通するコンタクト４８と、コンタクト４８を介して下層配線４４と接続された上層配線５０とを備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Also, a ferrorelectric film 13 is provided on the film 11 via a lower electrode 12 formed of a conductive oxide film, thereby enabling to keep oxygen concentration of a ferroelectric capacitance element layer high and the generation of oxygen missing in the film 13 can be prevented.例文帳に追加

また、水素化窒化シリコン膜１１の上に導電性酸化膜により形成された下部電極１２を介して強誘電体膜１３を設けることにより、強誘電体容量素子層の酸素濃度を高く保つことができ、強誘電体膜１３における酸素欠損の発生を防止できる。 - 特許庁

The first semiconductor layer has a first part and a second part that has a lower specific resistance than the first part and is provided, between the first part and the first primary surface, among the plurality of second semiconductor regions and outside the third semiconductor region.例文帳に追加

前記第１半導体層は、第１部分と、前記第１部分よりも比抵抗が低く、前記第１部分と前記第１主面とのあいだであって、前記複数の第２半導体領域のあいだ、及び前記第３半導体領域の外側に設けられた第２部分と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 3, where a lower electrode 4 and a dielectric layer 5 of the capacitor are formed, first gate insulating films 12 (23) of a first transistor are formed, and a second gate insulating film 14 and a second gate electrode 13 of a second transistor are formed, is prepared.例文帳に追加

まず、キャパシタの下部電極４および誘電体層５が形成され、第１のトランジスタの第１のゲート絶縁膜１２（２３）が形成され、第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜１４および第２のゲート電極１３が形成された半導体基板３を用意する。 - 特許庁

A piezoelectric element 17 formed on the plane of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 includes a piezoelectric member 31, consisting of an upper piezoelectric member 34 and a lower piezoelectric member 35 stacked each other, and an electrode layer 33, 36, 37 for generating an electric field applied to the piezoelectric member 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁

A strong electric field drift layer 6 is composed of drift parts 6a formed of a plurality of oxidized porous polycrystal silicon layers formed at the intersecting parts of lower electrodes 12a and surface electrodes 7, and separation parts 6b formed of polycrystal silicon layers which fill spaces between the drift parts 6a.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、下部電極１２ａと表面電極７とが交差する部位に形成された複数の酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなるドリフト部６ａと、ドリフト部６ａの間を埋める多結晶シリコン層よりなる分離部６ｂとで構成されている。 - 特許庁

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.例文帳に追加

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁

The surface of a laminate is covered with an insulation film; the end of the thermoelectric film that is the lowest lower in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate; and the end of the thermoelectric film that is the highest layer in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate.例文帳に追加

積層体の表面が絶縁膜により覆われ、熱電膜のうちの最下層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出し、熱電膜のうちの最上層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出している。 - 特許庁

The method for producing the soymilk having the improved taste comprises treating soy milk produced from a soybean material with a high-speed centrifugal machine, separating the product into two layers after centrifugation, before removing a float in the upper layer, and collecting only the residual soy milk in the lower layers.例文帳に追加

大豆原料から製造した豆乳を高速遠心分離機にかけ、遠心分離作用後に二層に分離したものの上層の浮遊成分を除去し、下層に残った豆乳のみを分取することを特徴とする呈味改善された豆乳の製造方法である。 - 特許庁

A material 31 having lower wear resistance than the wear-resistant metal layer 22 is packed on the lateral rib 12 to the height approximately equal to that of the surface of the coated block 20, and thereby the blocks having high wear resistance and the blocks having low wear resistance are alternately arranged in the material biting direction.例文帳に追加

横リブ１２の上に、耐磨耗性金属層２２より耐磨耗性が低い材料３１を被覆ブロック２０の表面とほぼ同じ高さに充填することにより、耐摩耗性の高いブロックと耐摩耗性の低いブロックが材料噛み込み方向へ交互に配置される。 - 特許庁

To provide a pasteboard-less label and a method for manufacturing the same that use a laminated layer instead of a pasteboard to eliminate the need for disposing of a separator after being affixed to an object product and to allow a cost to be lower than a conventional label by eliminating the use of the separator.例文帳に追加

台紙となっていた部分をラミネートとして使用するラベルであって貼付対象製品にラベルを貼付後に、セパレートの廃棄処分が不要で、しかも従来に比較しセパレートを使用しない分コスト低減に繋がる台紙なしラベルおよび台紙なしラベルの製造方法を提供する。 - 特許庁

A process for forming the lower layer portion 10 includes a process for forming the first insulating part 12 on a first circuit forming region 110 for forming a circuit and a first region 120 for surrounding the first circuit forming region; and a process for forming the via 11 on the first circuit forming region 110.例文帳に追加

下層部１０を形成する工程は、第１絶縁部１２を、回路を形成するための第１回路形成領域１１０と、第１回路形成領域を取り囲む第１領域１２０とに形成する工程と、ビア１１を第１回路形成領域１１０に形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor which has an active layer formed of an amorphous metal oxide semiconductor as a principal component, an improved TFT characteristic feature even if a TFT is applied with heat treatment at a relatively low temperature of 200°C or lower, a small shift in a threshold value for driving, and high reliability.例文帳に追加

アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層を有し、２００℃以下の比較的低温の熱処理でもＴＦＴ特性が効果的に向上し、駆動時の閾値シフトが小さく、信頼性の高い薄膜トランジスタを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

An adhesive 150 is applied on the inside of a groove portion 146 of the lower surface portion 135B of the module cover 35, and when joined with the joint surface 134A of the module substrate 34, the adhesive 150 gets into the groove portion 146, and a thick adhesive layer by the adhesive 150 at the groove portion 146.例文帳に追加

モジュールカバー３５の下面部１３５Ｂの溝部１４６の内側に接着剤１５０が塗布され、モジュール基板３４の接合面１３４Ａに接合されたときに、接着剤１５０が溝部１４６に入り込み、溝部１４６で接着剤１５０による厚い接着層が形成される。 - 特許庁

The electroplating apparatus 2 includes: a cathode 20 connected to a conductive layer 12; an anode 21 arranged at the lower part of a base material 1 so as to face the other side of the base material 1; and an electroplating liquid feeding part 23 flowing an electroplating liquid L between the other side of the base material 1 and the anode 21.例文帳に追加

電解めっき装置２は、導電層１２に接続される陰極２０と、基材１の他面と対向するように基材１の下方に配置される陽極２１と、基材１の他面と、陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流す電解めっき液供給部２３とを備える。 - 特許庁

A conductive layer 12 is formed which provides continuity between a lower-surface electrode 3 as a bottom portion 2a of a fine hole 2 formed in a surface 10a of a base 10 and an upper-surface electrode 5 arranged on the surface 10a of the base 10 and nearby an upper end of an inner wall portion 2b of the fine hole 2.例文帳に追加

基体１０の表面１０ａに形成された微細穴２の底部２ａとなる下面電極３と、基体１０の表面１０ａであって微細穴２の内壁部２ｂの上端近傍に配置された上面電極５とを導通させる導電層１２を形成する。 - 特許庁

A reinforcing member 3 is inserted between the circuit board 80 and the roof part 21 together with an end part of the flat cable 90, and is locked in an abutting state on the roof part 21 in a position where a terminal arranged on a lower surface of the end part of the flat cable 90 faces to the plated layer 54 and the terminal 82.例文帳に追加

補強部材３は、平型ケーブル９０の端部と共に回路基板８０と屋根部２１との間に挿入され、平型ケーブル９０の端部の下面に設けられた端子がめっき層５４及び端子８２と対向する位置で、屋根部２１に当接した状態で係止される。 - 特許庁

The adhesive layer 4 is formed, for example, by winding an adhesive tape 40 comprising a material melting at a lower temperature than the insulator 3 around the circumference of the insulator 3, winding the outer conductor 5 around the circumference of the adhesive tape 40, and then melting and unifying the adhesive tape 40 by heat treatment.例文帳に追加

接着層４は、例えば、絶縁体３の外周に、該絶縁体３よりも低い温度で溶融する材料からなる接着テープ４０を巻回し、その外周に外部導体５を巻回した後、加熱処理により接着テープ４０を溶融させて一体化することで形成する。 - 特許庁

A Pt electrode film (lower electrode film) 3 is placed on a base board 1 via a TiOX (0≤X≤2) film 11 functioning as an adhesive layer, and the value of the oxygen composition X of TiOX film 11 is successively changed toward the direction of film thickness.例文帳に追加

接着層として機能するＴｉＯ_X（０≦Ｘ≦２）膜１１を介して、Ｐｔ電極膜（下部電極膜）３を基板１上に配設するとともに、ＴｉＯ_X膜１１の酸素組成Ｘの値を、基板１側からＰｔ電極膜（下部電極膜）３側に向かって、膜厚方向に連続的に変化させる。 - 特許庁

To obtain a base sheet for lithography disposed between a substrate and a resist layer so as to give a resist pattern having a rectangular cross-sectional shape without causing phenomena such as trailing and constriction in the lower part of the pattern even if short-wavelength light such as excimer laser light is used as a light source.例文帳に追加

エキシマレーザー光などの短波長光を光源としても、パターン下部に発生する裾引きやくびれなどの現象を起こすことなく、断面形状が矩形のレジストパターンを与えるために、基板とレジスト層との間に施こすリソグラフィー用下地材を提供する。 - 特許庁

The method of forming the buried wire includes steps of etching a wire groove with an opening for exposing a wire 1 on a lower layer, then peeling the residuals 5 on the wire by plasma excitation, and then cleaning the wire-exposed surface by a gaseous organic gas 6 without exposing in the atmosphere.例文帳に追加

下層の配線１を露出させるための開口を伴う配線溝孔エッチング後に、プラズマ励起により配線上の残渣５を剥離処理したのち、大気中に晒すことなく、気体状態の有機系ガス６により配線の露出部表面の清浄化処理を行う。 - 特許庁

To provide a chip-type electric double layer capacitor capable of miniaturizing, weight saving, surface mounting by improving an upper-plate structure, and effectively preventing the problem of leakage of electrolyte, and further, improving a coupling structure of an external terminal and a lower case.例文帳に追加

小型化及び軽量化が可能で、上板構造物を改善して、表面実装が可能で、電解液の液出問題を効果的に防止するチップ型電気二重層キャパシタ、及び、さらに、外部端子と下部ケースの結合構造を改善したチップ型電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

A dummy metal pattern 6 made of a plurality of dummy metals 5 is formed only at an arrangement region of the connection wiring 3 or within a range corresponding to an area near the arrangement region thereof in at least one wiring layer of the upper and lower layers of the connection wiring 3 among the plurality of wiring layers.例文帳に追加

複数のダミーメタル５からなるダミーメタルパターン６を、複数の配線層のうち、接続配線３の上層と下層とのうちの少なくとも何れか１つの配線層において、接続配線３の配置領域及びその近傍と対応する範囲にのみ形成する。 - 特許庁

Reflecting plates (13) are driven in from the vicinity of the upper surface of a subsurface layer (3) to the depth of the lower end of a footing (5) in the outer periphery of a group of structures (4), and wave-dissipating concrete blocks (12) made of concrete blocks such as tetrapods are piled up on the reflecting plates (13) to form a surface-wave bulwark against earthquake.例文帳に追加

構造物（４）群の外側周囲に表層地盤（３）の上表面近くから基礎版（５）下端までの深さに反射板（１３）を打ち込み、反射板（１３）の上にテトラポッドのようなコンクリートブロック製の消波ブロック（１２）を積み重ねて地震表面波防波堤とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device which can suppress an increase in resistance between a contact plug and a lower electrode, and can favorably control the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor, and to provide a ferroelectric memory device obtained by that process.例文帳に追加

コンタクトプラグと下部電極との間の抵抗上昇を抑えるとともに、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法と、これによって得られる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

By irradiating the recording layer 4 of only one area 132 among the plurally divided areas 131 of a medium with both of object light 6 and the reference light 71 selectively from the upper side or lower side of the medium, information is recorded as a hologram.例文帳に追加

物体光６及び参照光７１をともに媒体１３０の複数に分割された領域１３１のうちの１つの領域１３２のみの記録層４に対して、選択的に、媒体の上方あるいは下方から照射することによって情報をホログラムとして記録する。 - 特許庁

In the liquid phase epitaxial growth method by which a semiconductor substrate 14 is vertically stood and is brought into contact with a growth solution 13 to make the epitaxial layer grow on the semiconductor substrate 14, the semiconductor substrate 14 is rotated so as to change places between the upper and the lower sides during growth.例文帳に追加

半導体基板１４を縦置きにして成長溶液１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように回転させる。 - 特許庁

To carry out a highly reliable pinhole inspection over a long period of time by protecting a semiconductive layer from moisture, chemicals, rubbing, or the like in a semiconductive sheet laid on the lower face side of a waterproof sheet in constructing a sheet waterproof structure by an insulating construction method.例文帳に追加

絶縁工法によるシート防水構造の施工に際し、防水シートの下面側に敷設する半導電性シートであって、水分、薬剤、擦れ等から半導電層を保護し、長期に渡って信頼性の高いピンホール検査が可能な半導電性シートを提供する。 - 特許庁

At least a part of a region corresponding to a hollow portion G in a conductive pattern layer 17 is displaceable with respect to a substrate surface by means of an electrostatic actuator including a lower electrode 121, an upper electrode 122 and a drive voltage supplier 19.例文帳に追加

導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９からなる静電アクチュエータによって、基板面に対して変位可能となっているようにする。 - 特許庁

The reflectivity of a source wire is made low so that the source wire 5 does not operate as a reflecting electrode, and a layer 51 is formed of a substance having a lower reflection factor than a pixel electrode 8 on the source wire 5, for example, between adjacent pixel electrodes.例文帳に追加

ソース配線５が反射電極として作用しないように、ソース配線の反射率を低く、ないし画面表示方向へ反射が起こらないように、例えば隣合う画素電極間のソース配線５上に画素電極８よりも低反射率の物質からなる層５１を形成した。 - 特許庁

The resistance change layer RW is made of an amorphous film including N, and includes Si and C as main components, which can reversibly change the resistive state among a plurality of different resistive states by an electrical signal flowing from the upper electrode film TE side to the lower electrode film BE side.例文帳に追加

前記抵抗変化層ＲＷは、前記上部電極膜ＴＥ側から前記下部電極膜ＢＥ側に流れる電気的信号によって、複数の異なる抵抗状態間を可逆的に変化させることが可能なＳｉ，Ｃを主成分とし、Ｎを含むアモルファスの膜からなる。 - 特許庁

At least two or more interfaces are formed by a solution containing a first solvent in which carbon fullerenes are dissolved in a saturated state and a second solvent having lower solubility to the fullerenes than that of the first solvent, and then a two-layer separation state is formed at each interface to deposit the fullerene nanowhiskers.例文帳に追加

炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒で、少なくとも２以上の界面を作り、それぞれの界面において２層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。 - 特許庁

When it is decided that the communication controller is mounted on the music device having the different signal processing form, data transmission to and reception from the communication controller and data transmission to and reception from a music system network are temporarily stopped according to its lower layer.例文帳に追加

異なる信号処理形式の音楽装置に差し換えられて装着されたと判定した場合には、その有する下位層に従っての音楽装置と前記通信用制御装置との間におけるデータ送受信及び音楽システムネットワークへのデータ送受信を一時的に停止する。 - 特許庁

The metal component is formed as a solid solution in the surface layer of alumina particles by subjecting the alumina particles and the metal component to the thermal treatment prior to sintering, so that the metal aluminate crystal phase can be formed by sintering at temperatures lower than ordinary sintering temperature.例文帳に追加

このような加熱処理を焼成前に施すことにより、アルミナ粒子の表層に上記金属成分を固溶させることができるので、一般的な焼成温度よりも低い温度での焼成によって耐熱性に優れる金属アルミネート結晶相を生成させることができる。 - 特許庁

To provide a method for reinforcing an existing manhole, which can construct a reinforcing layer positively having a required reinforcing function on an internal peripheral surface of the manhole, in a shorter construction period and at a lower cost, and minimizes the degree of reduction of an effective internal volume, and to provide a reinforcing steel segment.例文帳に追加

その内壁面側に、所要の補強機能を確実に備えた補強層を、より短い工期と少ない工費で構築出来、有効内容積の縮小度合いも少なくて済む様に構成した、既設マンホールの補強工法及び補強用鋼製セグメントを提供する。 - 特許庁

The resistance change film 11 is arranged in a lower part of a first contact hole 17 formed by penetrating a first interlayer insulation film 16, and the current suppression layer 13 is arranged in an upper part of the first contact hole 17 and in a position facing the resistance change film 11.例文帳に追加

そして、抵抗変化膜１１は、第１の層間絶縁膜１６を貫通して形成された第１のコンタクトホール１７の下部に配置され、電流抑制層１３は第１のコンタクトホール１７の上部で、かつ抵抗変化膜１１に対向する位置に配置されている。 - 特許庁

In forming the sealing film, the metal mask 2 is first formed on the lower surface 1a of the substrate 1, and then the sealing film 9 is formed to cover a first electrode 6, a light emitting layer 7, and a second electrode 8 on the substrate 1 via the opening of the metal mask 2 by the plasma CVD method.例文帳に追加

封止膜の形成時には、まず基板１の下面１ａ上にメタルマスク２を配置し、次にメタルマスク２の開口を介してプラズマＣＶＤ法により基板１上の第１電極６、発光層７及び第２電極８を覆うように封止膜９を形成する。 - 特許庁

The quartz glass 7 is formed by hot forming through providing a quartz powder-coated film layer 8 on the inner wall surface of a container with which the quartz glass 7 contacts when formed by hot forming in a graphite container having a desired shape (comprising an upper plate 4, a cylindrical part 5, and a lower plate 6).例文帳に追加

被加工物である石英ガラス7を所望の形状を有する黒鉛製の容器（上板部4、円筒部5、下板部6で構成）内で熱間成形する際、被加工物が接触する容器の内壁面に、石英粉末からなる被覆層8が設けて石英ガラスの熱間成形を行う。 - 特許庁

To provide a method for operating and back washing a monolithic ceramic membrane, capable of certainly preventing the remaining of a peeled cake layer in cells at the time of back washing, capable of reducing a running cost by reducing an amount of compressed air and dispensing with a water filling process after back washing to reduce the diameter of lower piping.例文帳に追加

逆洗時における剥離ケーキ層のセル内への残留を確実に防止でき、圧縮空気量を減らすことによりランニングコストを低減でき、逆洗後の水張り工程が不要で下部配管径を小さくできるモノリス型セラミック膜の運転・逆洗方法を提供する。 - 特許庁

In a resistor substrate part 12A of the thermal printing head 10, a double-faced stratum 14 is formed at a recess 13b side across a grooved part 13a in the principal plane of the heat dissipating substrate 11, and a powdered matter containing adhesive layer 15 is formed in the lower area of an exothermic part 20 at least at the reverse side.例文帳に追加

サーマルプリントヘッド１０の抵抗体基板部１２Ａでは、両面テープ層１４が、放熱基板１１主面において溝部１３ａを挟んだ凹陥部１３ｂ側に形成され、粉体含有接着層１５がその逆側の少なくとも発熱部２０の下方領域に形成される。 - 特許庁

When a hierarchy movement operation to a lower layer side is carried out in a state (d) with the two adjoining images 102, 103 selected, the images 101 to 103 for three frames, having the two selected images 102, 103 at both ends and having the equal frame intervals are newly displayed (g).例文帳に追加

隣接する２つの画像１０２，１０３が選択された状態（ｄ）で下層側への階層移動操作が行われたら、選択されていた２つの画像１０２，１０３を両端とする、コマ間隔が等間隔の３コマ分の画像１０１〜１０３を新たに表示させる（ｇ）。 - 特許庁