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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > lower- layerの意味・解説 > lower- layerに関連した英語例文

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

An optimum encoding mode number/division bit depth/lower layer encoding mode number encoding unit 77 encodes an encoding mode number if the bit depth conversion processing is not performed, and encodes the encoding mode number and an optimum division bit depth Δ if the bit depth conversion processing is performed.例文帳に追加

最適符号化モード番号・分割ビット深度・下位階層符号化モード番号符号化部77は、ビット深度変換処理を行わない場合、符号化モード番号を符号化し、ビット深度変換処理を行う場合、符号化モード番号と最適分割ビット深度Δとを符号化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a positive electrode for a nonaqueous electrolyte battery which can fully demonstrate the merit of a wet process with a lower production cost and obtains the LiCoO_2 layer of ab axis orientation without using an expensive base material like SrTiO_3.例文帳に追加

SrTiO_3のような高価な基材を用いることなく、ab軸配向性のLiCoO_2層を得ることができ、より製造コストの低い製造方法である湿式法のメリットを充分に発揮させることができる非水電解質電池用正極の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the combustion chamber structure of the compression ignition internal combustion engine, an insulating layer which has lower thermal conductivity than other positions is provided on at least one of a sidewall of a cavity provided on a top surface of a piston and a wall surface of a cylinder head commanding a squish area.例文帳に追加

本発明は、圧縮着火式内燃機関の燃焼室構造において、ピストンの頂面に設けられるキャビティの側壁とスキッシュエリアに望むシリンダヘッドの壁面との少なくとも一方に、他の部位より熱伝導率が低い断熱層が設けられるようにした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer which comprises an epitaxial layer with a desired resistance rate and a silicon wafer with a still lower resistance rate than a conventional one, which improves electrical characteristics of elements, and which suppresses autodoping during epitaxial growth more easily than before.例文帳に追加

所望の抵抗率のエピタキシャル層と従来より更に低抵抗率なシリコンウエーハからなり、素子の電気的特性の向上を実現できる、エピタキシャル成長中のオートドープを従来に比べて容易に抑制できるシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an epitaxial wafer with high gettering capability by increasing BMD density more than before which has an epitaxial layer grown on a P-type silicon single-crystal wafer with a high dopant concentration and a low resistivity of 0.02 Ω cm or lower.例文帳に追加

ドーパント濃度が高く、0.02Ω・cm以下のような低い抵抗率を有するP型のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハであって、従来よりもBMD密度を増大させることにより、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁


例文

The gallium reaction suppressing layer is made of a material having lower reactivity with gallium in the liquid metal than the base material, and by preventing reaction between gallium in the liquid metal and copper to constitute the base material, rise in the melting point of the liquid metal due to the reaction is suppressed.例文帳に追加

ガリウム反応抑止層は、母材よりも前記液体金属中のガリウムとの反応性が低い材料からなり、液体金属中のガリウムと母材を構成する銅との反応を阻むことにより、当該反応に起因する液体金属の融点の上昇を抑止する。 - 特許庁

The plant fiber body is the kenaf fibers Kf with an average fiber length of 0.1-20 mm, which are dispersed in an asphalt layer formed from the asphalt mixture, or a kenaf fiber mesh sheet Ks which is interposed between two upper and lower asphalt layers formed from the formed from the asphalt mixture.例文帳に追加

前記植物繊維体は、アスファルト混合物から形成されるアスファルト層内に分散された平均繊維長0.1〜20mmのケナフ繊維Kf、若しくはアスファルト混合物から形成される上下2層のアスファルト層間に介在されるケナフ繊維製のメッシュシートKsである。 - 特許庁

The solid electrolyte layer 3 included in this battery 100 includes: an outer peripheral region 3t including an outer peripheral edge; and an inner region 3r surrounded by the outer peripheral region 3t, Li ion conductivity in the outer peripheral region 3t is lower than Li ion conductivity in the inner region 3r.例文帳に追加

この電池100に備わる固体電解質層3は、その外周縁部を含む外周領域3tと、外周領域3tに囲まれる内方領域3rとを備え、外周領域3tにおけるLiイオン伝導度は、内方領域3rにおけるLiイオン伝導度よりも低い。 - 特許庁

The ladder type thin film bulk wave resonator filter is provided with two series FBAR 10 and two parallel FBAR 11 each comprising a thin film bulk wave resonator (FBAR) having a lower electrode 25, upper electrodes 24, 27 and a piezoelectric layer held between them.例文帳に追加

はしご型の薄膜バルク波共振子フィルタは、それぞれ下部電極25と上部電極24,27とこれらに挟まれた圧電層とを有する薄膜バルク波共振子(FBAR)よりなる2つの直列FBAR10および2つの並列FBAR11を備えている。 - 特許庁

例文

To provide a BSRO (barium-containing strontium ruthenate) electrode favorable for a lower electrode layer of PZT (lead zirconate titanate) thin film, a method of manufacturing the same, a piezoelectric element equipped with the same, an ink jet recording head equipped with the piezoelectric element, and a thin film capacitor.例文帳に追加

PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系の薄膜の下部電極層として有望な、BSRO(バリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム)電極、該電極の製造方法ならびに該電極を備えた、圧電体素子、この圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドおよび薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

例文

A photoresist film 5 is applied by photolithography to a laminate Josephson junction element base composed of a lower electrode 1 formed on a substrate 7, a insulation layer 3 formed thereon and an upper electrode 2 formed thereon, except a Josephson junction forming portion, thus performing a masking process.例文帳に追加

基板7上に下部電極1が形成され、その上に絶縁層3が形成され、さらにその上に上部電極2が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜5を塗布してマスキング処理を行う。 - 特許庁

To provide a resin tank welding member capable of clearing more stringent regulation and reducing its production cost by forming the resin-made tank welding member of a single layer material of a polyamide/poly-olefin resin composition having the penetration resistance lower than that of a conventional resin.例文帳に追加

従来の低透過性樹脂より更に低透過性を有するポリアミド/ポリオレフィン系樹脂組成物の単層材で樹脂タンク溶着部材を成形することにより、従来の規制より更に厳しい規制をクリアでき、その生産コストを低減できる樹脂タンク溶着部材を提供すること。 - 特許庁

The slit 41 closed by the lower electrode layer 2 and the upper electrode 3 makes a cavity 5, a part of which is filled with a static capacitance medium 6, thereby the common electrode 22 and the opposite electrodes 32 and 33 are immersed in the static capacitance medium 6.例文帳に追加

そして、下部電極層2と上部電極層3とにより閉塞されたスリット41をキャビティ5として、そこにはその容積の一部を占めるように静電容量媒体6が注入され、これにより共通電極22及び対向電極32,33が静電容量媒体6に浸漬されている。 - 特許庁

A first oxide film 2 having high resistance and a second oxide film 3 as the first electrode having resistance lower than that of the first oxide film 2 are laminated between the base 1 and the function layer 4.例文帳に追加

基体1と機能層4との間に、高抵抗の第一の酸化物膜2と第一の酸化物膜2よりも抵抗の低い前記第一電極としての第二の酸化物膜3とを積層形成してなり、第一,第二の酸化物膜2,3は同一材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor ceramic element 5 containing barium titanium oxide as a main component and a nickel element of 0.2 mol% or lower (excluding 0 mol%), and an outer electrode layer 7 are laminated alternaterly with each other and an outer electrode 9 connected to the inner electrode 7 is formed.例文帳に追加

チタン酸バリウムを主成分し、ニッケル元素を0.2mol%以下(ただし、0mol%は除く)含有する半導体セラミックからなる半導体セラミック層5と、内部電極層7とを交互に重ね合わせ、内部電極層7と電気的に接続するように外部電極9を形成する。 - 特許庁

A top plate body 10 is formed by laminating a translucent surface layer member 20 made of a resin on a lower member 30 made of a resin by two-color injection molding and fixed on a key base body 40 made of wood to constitute a key structure 100.例文帳に追加

上板体10は、2色射出成形により、樹脂製の下側部材30の上に半透明の樹脂製の表層部材20が積層された状態に形成されて成り、木製の鍵ベース体40の上に上板体10が固定されて鍵構造体100が構成される。 - 特許庁

The stress releasing layers may be configured of a plastically deformable metal material such as indium (In) or an In-Ag alloy, and the upper and lower sides thereof may be sandwiched by an alloying prevention layer made of a completely unalloyable metal with indium (In), e.g., aluminum (Al).例文帳に追加

応力緩和層を、インジウム(In)あるいはIn−Ag合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム(In)と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム(Al)よりなる合金化防止層で挟んでもよい。 - 特許庁

To provide an electrode 10 whose heat resisting adhesion between a polarizable porous sheet 12 and a collector 11 is strong, its internal resistance is low, its continuous production is easy, and the high capacitance can be secured with the internal resistance lower than the customary when using it in the electric double layer capacitor.例文帳に追加

分極性多孔質シート12と集電体11との耐熱接着性が高く、内部抵抗が低く、連続生産が容易で、且つ電気二重層キャパシタに用いた場合に、従来以上の低内部抵抗で高電気容量を確保し得る電極10を提供する。 - 特許庁

The nonreversible circuit element 1 roughly consists of a metal case (a metal upper case 4 and a metal lower case 8), a permanent magnet 9, a center electrode assembly 13 and a multi-layer substrate 30 having a resistive element and a capacitor element for matching built-in and from which terminal electrodes 14, 15, 16 project.例文帳に追加

非可逆回路素子1は、概略、金属ケース(金属製上側ケース4及び金属製下側ケース8)と、永久磁石9と、中心電極組立体13と、抵抗素子と整合用コンデンサ素子を内蔵し、端子電極14,15,16が突出している多層基板30からなる。 - 特許庁

A multi-layer film wherein a silicon nitride film 5 which is formed by plasma chemical vapor-phase method in an atmosphere comprising hydrogen-contained gas molecules and silicon nitride-oxide films 4 and 6 having a refractive index lower than the silicon nitride film are laminated is formed as a protective film 20 for supplying a silicon substrate with hydrogen.例文帳に追加

水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜5と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜4,6とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜20として形成する。 - 特許庁

The golf ball satisfying this condition is produced by constructing a core of a plurality of layers, for example, and setting a complex elastic modulus of the core center to a value lower than that of the outermost layer, or adjusting a complex elastic modulus of the cover to a higher value.例文帳に追加

2.22≦(fc/fn)≦2.45 上記条件を満足するゴルフボールは例えばコアを複数層に構成し、そのコア中心の複素弾性率を最外層の複素弾性率よりも小さい値にすることにより、またカバーの複素弾性率を高い値に調整することで達成できる。 - 特許庁

In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material.例文帳に追加

この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間C_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Rが堆積速度Sより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。 - 特許庁

Otherwise, the gate insulating film is a multilayer and the layer whose dielectric constant is lower among the layers forming a laminate is formed thicker than other region near the ridge.例文帳に追加

チャネルの形成される領域が稜を持つ電界効果トランジスターに於いて、稜の近傍に於いてはゲート絶縁膜が他の領域よりも厚く形成されている、ないしゲート絶縁膜は積層であり、積層を形成する層の内で誘電率の低い層が稜の近傍に於いて他の領域よりも厚く形成されている。 - 特許庁

To provide a method of measuring a dielectric constant by suppressing deterioration of a non-load Q value in particular, even when thickness is 50 μm or less by measuring the dielectric constant of a dielectric thin layer arranging a conductor on upper and lower faces at high precision and to provide a both-end open type half wavelength resonator.例文帳に追加

上下面に導体が配置された誘電体薄層の誘電定数を高い精度で測定でき、特に厚さが50μm以下となっても無負荷Q値の低下を抑制する誘電定数測定方法および両端開放形半波長共振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

A hydrous oxide film such as a boehmite film and a bialite film is deposited on a surface of the aluminum alloy plate for the hot blow molding using an aluminum alloy, preferably 5,000 series or 6,000 series aluminum alloy, or further an aluminum hydroxide film is deposited on a lower layer.例文帳に追加

5000系あるいは6000系アルミニウム合金を好適とするアルミニウム合金を用いた熱間ブロー成形用アルミニウム合金板の表面に、ベーマイト皮膜やバイアライト皮膜のような水和酸化物皮膜、あるいは更に、下層に水酸化アルミニウム皮膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

This green rust roof tile is characterized by rusting the surface of copper or a copper alloy spread at least on the surface part of a press forming roof tile using cement as main raw material through a metal material layer having melting temperature lower than the melting temperature of copper or copper alloy and excellent weather resistance.例文帳に追加

セメントを主原料とするプレス成形瓦の少なくとも表面部分に銅若しくは銅合金の溶融温度より低い溶融温度で対候性に優れた金属材料層を介在させて張設した銅若しくは銅合金の表面を発錆させたことを特徴とするものである。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a contact or via plug made of a material W which can be less influenced by a lower layer of a barrier metal film, even when the barrier metal film in the contact or via plug is formed to be thin, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

Wを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。 - 特許庁

A lower electrode 14 formed of a conductive member with light blocking effects against electromagnetic waves for collecting electric charge generated in a semiconductor layer 6 is extended to form a light resistant area on an electromagnetic wave irradiation surface on a part containing a connection with a TFT switch 4 of the signal line 3.例文帳に追加

電磁波に対して遮光性を有する導電性部材により形成され、半導体層6で発生した電荷を収集する下部電極14を延伸させて、信号配線3のTFTスイッチ4との接続部を含む一部分の電磁波の照射面側に遮光部を形成する。 - 特許庁

A light absorbing film 5a is formed so as to be superposed on the lower layer side of the pixel transistor 30, and on the light absorbing film 5a, an aperture 5b is formed on a position overlapped to a gap area 9s sandwiched between adjoining light reflective pixel electrodes 9a.例文帳に追加

画素トランジスター30に対して下層側で重なるように光吸収膜5aが形成され、かかる光吸収膜5aにおいて、隣り合う光反射性画素電極9aにより挟まれた隙間領域9sと重なる位置には開口部5bが形成されている。 - 特許庁

The trench isolation insulating film 4 is embedded through the SOI layer 3 in a central portion and reaches an oxide film 2 to form a completely isolated structure, and has a merged isolated structure which forms a partially isolated structure by containing the SOI layers 3 at its lower parts at both edges thereof.例文帳に追加

トレンチ分離絶縁膜4は、中央部分においてはSOI層3を貫通して埋め込み酸化膜2に達して完全分離構造となり、両端縁部においては、その下部にSOI層3を有して部分分離構造となった併合分離構造を有している。 - 特許庁

The developing device 21 has: a developing roller 11 disposed at the lower part of the image forming apparatus 100 with respect to the rotary shaft center T of the photoreceptor 41 and arranged to be opposed to the photoreceptive layer 41b so as to supply toner; and a housing 5 in which the developing roller 11 and a regulating blade 12 are held.例文帳に追加

この現像器21は、感光体41の回転軸心Tに対して画像形成装置100の下方に配設されて、感光層41bに対向配置されトナーを供給する現像ローラ11と、現像ローラ11と規制ブレード12とを保持する筐体5とを有する。 - 特許庁

The adhesive processing sheet is provided with an adhesive layer on one surface of a support body which is not lower than 15N/mm^2 and not greater than 250N/mm^2 in bending modulus when a slender sheet with a width of 20mm is bent at 3.0mm of a radius of curvature.例文帳に追加

加工用粘着シートは、支持体の一方の面に粘着剤層を有する加工用粘着シートであって、この支持体は、幅20mmの細長いシートを曲率半径3.0mmで曲げた時の曲げ弾性率が15N/mm^2以上、250N/mm^2以下である。 - 特許庁

The sectional shape of the stirring blade vertically mounted in a plurality of stages on a hollow rod used for deep layer mixing method are formed so that the lateral lengths of both the upper and lower surfaces are varied to each other, and the stirring blade is mounted on the rod without an angle of attack to the rotating direction thereof.例文帳に追加

深層混合処理工法に使用する中空ロッドに上下に複数段取付ける攪拌翼の断面形状をその上下両面の幅方向の長さが異なる形状とし、かつ該攪拌翼をその回転方向に対して迎え角なしに上記ロッドに取付ける。 - 特許庁

To reduce fixed charges in a gate insulating film and to lower the film forming temperature of a semiconductor polycrystalline film by a direct growing method in order to achieve a bottom gate structure TFT using a directly grown polycrystalline silicon film for a channel layer in order to obtain a display panel with an excellent display performance at a low cost.例文帳に追加

表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。 - 特許庁

The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.例文帳に追加

回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜20を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴13内で、有機塗布膜20表面が第2配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜20を残す。 - 特許庁

To provide a hierarchical data display program, a hierarchical data display method, and a hierarchical data display device, wherein a narrow display region is effectively utilized so that the relationship between data and hierarchical relationship are easily obtained and the data in a lower layer are developed at the same time for finding a target data with ease.例文帳に追加

本発明は、狭い表示領域を有効活用し、データ間の関係や階層関係を容易に把握し、下層のデータを複数同時に展開して目的のデータを見つけ易い階層データ表示プログラム,階層データ表示方法,階層データ表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrode pattern 11 and the second light-transmitting electrode pattern 12.例文帳に追加

また、第1の透光性電極パターン11および第2の透光性電極パターン12の下層側には、膜厚が5nmで屈折率が2.30のニオブ酸化膜、および膜厚が55nmで屈折率が1.45のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁

The water cleaning apparatus for cleaning water is equipped with assembly of carriers carrying one of photocatalysts or photosensitizing dyes, a carrier support structure for supporting the assembly of carriers so that the lower side contacts with a layer of air, and a water sprinkling means for sprinkling water over the assembly of carriers.例文帳に追加

従来の水を浄化する水浄化装置にかわって、光触媒または光増感色素の一方を担持した担体の集合と、前記担体の集合を下方に空気の層を接する様に支持する担体支持構造と、水を前記担体の集合に散布する水散布装置と、を備えた、ものとした。 - 特許庁

The food packaging stretch film for hand wrapping has at least one layer containing 95-99 wt.% linear low-density polyethylene having a density of 0.920 g/cm3 or lower and 1-5 wt.% antifogging agent, has a whole thickness of at most 11 μm, and is formed by a T-die.例文帳に追加

少なくとも1層の密度0.920g/cm^3以下の直鎖状低密度ポリエチレン95〜99重量%と防曇剤1〜5重量%とを含有する層を有する、フィルムの総厚みが11μm以下である、Tダイで成形される手巻き用食品包装ストレッチフィルム。 - 特許庁

To provide a roll papers in which the tail seal part of a roll is easy to peel and the tail seal part is smoothly peeled without tearing the sheet of a lower layer at the time of peeling it in the roll papers such as toilet paper with a tail seal, and paste for the tail seal used therefor.例文帳に追加

テールシールを有するトイレットペーパー等のロール状ペーパー類においてロールのテールシール部分が剥がし易く、かつテールシール部分の剥がしの際に下層のシートまで破れることなく円滑に剥がしができるロール状ペーパー類およびそれに使用するテールシール用糊を提供する。 - 特許庁

To provide a method in which a target layer-recovering yield can be improved by providing an opening also in the lower part in addition to the upper part of a container and bringing the discharge closed to face discharge without carrying out conventional one point suction.例文帳に追加

このような従来の課題を解決するものであり、容器の上部に加え下部にも開口部を設ける、および、少なくとも1つ以上の穴を設けることで、従来の一点吸引ではなく、面排出に近づけることで、目的層回収率を向上することができる方法を提供すること。 - 特許庁

A main menu composed of plural main operation items is displayed by operating the menu key 25 of a remote controller 13, and in the case that a prescribed main operation item is selected by a menu selection key 24, a sub menu composed of sub operation items provided in the lower layer is displayed.例文帳に追加

リモコン13のメニューキー25を操作することによって複数の主操作項目からなる主メニューを表示するとともに、メニュー選択キー24によって所定の主操作項目が選択された場合に、その下層にある副操作項目からなる副メニューを表示可能とする。 - 特許庁

Subsequently, the upper resist (4) remaining on the part compressed by the mold matrix (5) is removed, the lower resist (3) is selectively removed, the substrate (1) and the metal layer (2) are separated by Ni electroforming, and the residual resists (3) and (4) on an Ni electroforming plate are removed to manufacture a high aspect ratio stamper.例文帳に追加

次に、型母材(5)により圧縮された部分に残留する上層レジスト(4)を除去し、選択的に下層レジスト(3)を除去し、Ni電鋳し、基板(1)と、金属層(2)と、を離型し、Ni電鋳プレート上の残留レジスト(3、4)を除去し、高アスペクト比スタンパを製造する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor epitaxial wafer is a semiconductor epitaxial wafer for light-receiving element for receiving electromagnetic waves of a wavelength of 1.8 μm or longer and 3.0 μm or shorter, and the centerline mean roughness Ra measured in the range of a length of 50 to 200 μm on the uppermost surface of the epitaxial layer of the semiconductor epitaxial wafer is 6 nm or lower.例文帳に追加

また、半導体エピタキシャルウェハは、波長が1.8μm以上3.0μm以下の電磁波を受信する受光素子用の半導体エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル層の最表面で、長さ50〜200μmの範囲において測定した中心線平均粗さRaが6nm以下である。 - 特許庁

An oil surface dividing apparatus 10 is fitted to the electric frier F to divide an upper layer including the height position of an oil surface S in an oil tank 4 into a feeding area R1 and a cooking area R2, and to form a moving path Q between the lower end of a dividing part 11 and the bottom of the oil tank 4.例文帳に追加

電気フライヤーFに油面区画器具10を取着して、油槽4における油面Sの高さ位置を含む上層部を投入領域R1と調理領域R2とに区画すると共に、区画部11の下端と油槽4底部との間に移動通路Qを形成する。 - 特許庁

A low friction layer 46 having a lower coefficient of friction than that of the base body 44 is provided on the upper part of the surface of the upstream side of the base body 44 by coating so that the pressure of the base body 44 to the photosensitive drum 1 in the unit deforming quantity is different between plural transfer members of the image forming part.例文帳に追加

複数の画像形成部の転写部材間で、基体44の感光ドラム1に対する単位変形量における押圧力が異なるように、基体44の上流側の面の上部に、基体44よりも摩擦係数の小さい低摩擦層46をコーティングにより設けた。 - 特許庁

The rugged interface part 12 whose interface between the light guide plate upper part 11 and the light guide plate lower part 13 becomes an irregular reflection layer to enhance irregular reflection efficiency of light incident on the light guide plate 10, thereby forming uniform surface light emission and improving luminance.例文帳に追加

導光板上部11および導光板下部13との界面が凹凸形状である凹凸界面部12が乱反射層となり、導光板10に入射した光の乱反射効率を高め、均一な面発光を形成し、かつ輝度を向上することができる。 - 特許庁

To provide a composition for an organic anti-reflection film which can prevent reflection in the lower film layer of a photoresist film in a process for forming hyperfine patterns in a semiconductor producing process, to provide a method for producing the composition and to provide a method for forming organic anti-reflection film patterns by using the composition.例文帳に追加

半導体製造工程中の超微細パターン形成工程において、フォトレジスト膜の下部膜層での反射が防げる有機反射防止膜用組成物及びその製造方法と前記組成物を用いる有機反射防止膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第2ウェルは、第1ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第1ウェルよりも不純物濃度が低い第1導電型の領域である。 - 特許庁

例文

The integrated discrete-time model 44 includes, as its lower layer physical model, a suction system discrete time model 70, a combustion system discrete time model 72, a discharge system discrete time model 74, a fuel system discrete time model 76, a translation rotational system discrete time model 78, and an engine performance model 80.例文帳に追加

統合離散的時間モデル44は、その下位階層物理モデルとして、吸気系離散的時間モデル70、燃焼系離散的時間モデル72、排気系離散的時間モデル74、燃料系離散的時間モデル76、並進回転系離散的時間モデル78、エンジン性能モデル80を有する。 - 特許庁




  
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