「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(213ページ目) - Weblio英語例文検索

A lattice member 8 made of an insulating material, where a number of small blocks 9' opened in the upper and lower directions by a number of crossed block walls 9 are formed is fitted to the inner periphery of the upper end section of the insulating case 3 for embedding the lattice member in the upper section of the curing layer 7 of the insulating resin.例文帳に追加

交錯した多数の区画壁９により上下方向に開放した多数の小区画９′が形成された絶縁材質製の格子部材８を、絶縁ケース３の上端部内周に嵌合して上記格子部材を絶縁樹脂の硬化層７の上部に埋設する。 - 特許庁

The piezoelectric film 16 contains aluminum nitride as a principal component, the lower electrode 15 and the upper electrode 17 contain molybdenum as a principal component, and the vibrating part 121 includes at least a part of an insulating layer 13, bonded to the piezoelectric layered body structure 14, containing silicon nitride as a principal component.例文帳に追加

圧電体膜１６は窒化アルミニウムを主成分とするものであり、下部電極１５および上部電極１７がモリブデンを主成分とするものであり、振動部１２１は圧電積層構造体１４に接合された窒化シリコンを主成分とする絶縁層１３の少なくとも一部を含んでなる。 - 特許庁

In an atmosphere containing nitrogen gas, sputtering is executed using a first target comprising tungsten to nitride the surface part of the silicon nitriding oxide film 103, while a tungsten nitride film 104 which is to be the lower layer part of a gate electrode is deposited on the silicon nitride oxide film 103.例文帳に追加

窒素ガスを含む雰囲気中において、タングステンからなる第１のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、シリコン窒化酸化膜１０３の表面部を窒化すると共に、シリコン窒化酸化膜１０３の上に、ゲート電極の下層部となるタングステン窒化膜１０４を堆積する。 - 特許庁

A vulcanized inner nucleus 19 is held within an injection mold 1 having upper and lower molds 2, 3 so that a spherical shell-shaped gap is provided between the inner nucleus and the inner surface of a mold cavity and an unvulcanized rubber material 21 is injected in the gap to mold a spherical intermediate product wherein an unvulcanized rubber layer 22 is laminated to the inner nucleus 19.例文帳に追加

上型２と下型３を有する射出成形用金型１内に、加硫済みの内核19を、キャビティ内面との間に球殻状空隙をもって保持しつつ、未加硫のゴム材料21を空隙に射出成形して、内核19に未加硫ゴム層22を積層して球状中間品23を形成する。 - 特許庁

The always-on circuit cells 50A (branch connection circuit cells) are connected to the reference voltage main line VSS via the common VSS lower-layer branch lines 71, and the other always-on circuit cells 50 (individual connection circuit cells) are connected to the reference voltage main line VSS by individual connection lines 51.例文帳に追加

常時オンの回路セル５０Ａ（分岐接続回路セル）が、共通のＶＳＳ下層分岐線７１を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続され、他の常時オンの回路セル５０（個別接続回路セル）が、個別の接続線５１によって基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。 - 特許庁

A shield unit 18 where insulating layers 7, 9, and 11 are sandwiched between a lower wiring layer 8 and the inductive element 3, is arranged in a position at which the inductive element 3 intersects a wiring unit 14a connected to the internal end of the inductive element 3 in the direction of thickness.例文帳に追加

下部側配線層８と誘導素子３との間に絶縁樹脂層７，９，１１を挟んで配置されたシールド部１８を、少なくとも誘導素子３と、この誘導素子３の内周側の端部と接続された配線部１４ａとが厚み方向において交差する位置に配置する。 - 特許庁

The container 2 opened at its upper part, to which dried objects 3 composed of tablets or powder and granular material are charged, is stored in a vacuum chamber 1, and the air is slightly leaked to a lower area of a lamination layer of the dried object 3 in the container 2 while keeping the vacuum chamber 1 in a vacuum state.例文帳に追加

錠剤又は粉粒体からなる被乾燥物３が投入された上部開口の容器２を真空室１内に収容し、真空室１内を真空状態に保ちながら前記容器２の被乾燥物３の積層内の下部領域にエアーを僅かにリークさせる。 - 特許庁

To provide a map display device capable of solving such the problem that when POI icons displayed on a map overlap and interfere with each other, the POI icon of facilities displayed on the lower layer is hard to be viewed, and the POI icon of facilities usable at present can not be easily viewed, and thereby the use of the facilities becomes difficult.例文帳に追加

地図上に表示されるＰＯＩアイコンが互いに重なることにより干渉し、現在利用できない施設のＰＯＩアイコンの下層に、現在利用できる施設のＰＯＩアイコンが見にくくなることによって、施設の利用が困難になる点を解決可能な「地図表示装置」とする。 - 特許庁

The method specifies an optimum position of a starting point to which the on-top wire is contacted with a long mesh wire and an initial dewatering curved line on the long mesh wire, and forms a paper layer within upper and lower limits (-7logX+19Y≤Y≤-7logX+21) of the curved line (Y=-alogX+b).例文帳に追加

オントップワイヤーが長網ワイヤーに接する開始点の最適な位置及び長網ワイヤー上での初期脱水曲線を特定し、その初期脱水曲線（Ｙ＝−ａｌｏｇＸ＋ｂ）の上限と下限の範囲内（Ｙ≦−７ｌｏｇＸ＋２１、Ｙ≧−７ｌｏｇＸ＋１９ ）で紙層を形成する。 - 特許庁

In the sprinkler head SP having a plurality of thermosensitive plates 38a, 38b at the lower end of a main body 1 of the head, the thermosensitive plate 38b provided at the undermost layer is formed into a waveform on the cross section, is thick, and has a strength greater than the thermosensitive plate 38a provided above the thermosensitive plate 38b.例文帳に追加

ヘッド本体１の下端に、複数枚の感熱板３８ａ、３８ｂを有するスプリンクラヘッドＳＰにおいて；最下層に設けられた感熱板３８ｂは、断面波形に形成され、板厚が大きく、その上に設けられた感熱板３８ａよりも高い強度を有する。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

In most cases, the lower layer part of the narrow region 11 is also removed, however, the narrow region 11 is not lifted off as far as at least one end of the narrow region 11 is kept as connected to an area of the mask main region which is too wide to be fully undercut.例文帳に追加

通常、狭小領域１１の下層部分もまた除去されるが、狭小領域１１の少なくとも一端側が、完全にはアンダーカットがされない程度に（十分に）広いマスク本体領域に接続されている状態を維持すれば、狭小領域１１はリフトオフされない。 - 特許庁

The end of a second adhesive layer for bonding label base materials going round the circumference of the bottle is provided with a thin adhesive part which is lower in the coating weight of the heat sensitive adhesive than in the other portions adjacent thereto to make the label easier to peel from the thin adhesive part and to normally suppress the label from floating up.例文帳に追加

ボトルの周囲を一周したラベル基材同士を接着する第２接着剤層の端部に、感熱性接着剤の塗工量が、隣接する他の部分よりも少ない薄接着剤部を設け、この薄接着剤部から剥がし易く、かつ平時は浮き上がりを抑制させる。 - 特許庁

The wiring pattern 22 is connected electrically to the fixed electrodes 9a, 9b, 11c, 11d through an opening part 30 and an anchor part 28a for the fixed electrodes, and a lower electrode is connected electrically to the beam structured through the opening part in the upper layer side insulator thin film and the anchor part of the beam structure.例文帳に追加

開口部３０および固定電極のアンカー部２８ａを通して配線パターン２２と固定電極９ａ，９ｂ，１１ｃ，１１ｄが電気的に接続され、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して下部電極と梁構造体とが電気的に接続されている。 - 特許庁

Between a lid body which closes the lower end of the reaction chamber and the holding tool, a heating element unit constituted by enclosing a resistance heat generating wire made of a high-purity carbon material in a quartz plate is provided, and a heat shielding plate which is constituted by enclosing a carbon layer in a quartz plate is provided below the heating element unit.例文帳に追加

反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に、高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下部側に石英板内にカーボン層を封入してなる遮熱板を設ける。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper wiring layer at a lower cost to a semiconductor structure, including a first region including at least one recess and a second region including a plurality of recesses having an aspect ratio different from that of at least one recess.例文帳に追加

少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

In the multilayer capacitor 1, the outermost layer 21 of a connection conductor 4 not mounted on a circuit board 100, or the like, is formed of a film having solder wettability lower than that of a terminal electrode 3, and thereby it can be visually discriminated from the terminal electrode 3 having better solder wettability.例文帳に追加

積層コンデンサ１において、回路基板１００などに実装されない接続導体４の最外層２１は、端子電極３よりもはんだ濡れ性の低い膜によって形成されており、視覚的にもはんだ濡れ性の良い端子電極３と識別することが可能となる。 - 特許庁

An alloy having liquid phase line temperature of 400°C or below and solid phase line temperature of 280°C or above containing no Pb, or an alloy having volumetric ratio of liquid phase at 280°C equal to or lower than 15% is employed in the bonding alloy layer.例文帳に追加

更には、上記接合用金属層として、４００℃以下の液相線温度を有し、２８０℃以上の固相線温度を有するＰｂを含まない合金か、もしくは２８０℃における液相の体積割合が１５％以下であるＰｂを含まない合金を用いている。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2 formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, surrounding the lower region of the anode electrode and with the same potential as that of the anode electrode.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the display device comprises the steps of disposing selectively grown GaN microscopic semiconductor light- emitting elements 11, embedded in a first insulating layer 21 of an epoxy resin except the upper end part and a lower end surface and drawing electrodes 18, 19 at an interval on the upper surface of a base 31, and then fixing the elements.例文帳に追加

選択成長させたＧａＮ系の微小な半導体発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で上端部と下端面を除いて埋め込んで電極１８、１９を引き出したものを基体３１の上面に間隔をあけて配置し固定する。 - 特許庁

An LED element 12 provided with bumps 12a and 12b on the mounting surface is mounted at a predetermined position on the wiring layers 11c and 11d of a substrate 11, and the gap between its lower surface and the upper surface of the substrate 11 is filled with an insulation layer 13 of silicone to bury the bumps 12a and 12b.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁

In the communication system configured by connecting the plurality of terminal devices 20 to a center device 30 over multi-stages, a terminal device 20(3) in which charged power of a solar cell 40 is lacked, calls a route change to a closest lower-layer terminal device 20(8) being routed to the terminal device 20(3) itself.例文帳に追加

センタ装置３０に対して複数の端末装置２０を多段に接続して構成した通信システムにおいて、太陽電池４０の充電量が不足した端末装置２０（３）が、自身に経路設定された直近階層下位の端末装置２０（８）に対して経路変更を促す。 - 特許庁

The second portion 8b of the lower magnetic pole layer has a center portion which defines the throat height, and a lateral portion which is located at both sides in the track width direction, in the center portion and of which the length from one end to the other opposite end on a surface side which faces a recording medium is larger than that of the center section.例文帳に追加

下部磁極層の第２の部分８ｂは、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、中央部分よりも大きい側方部分とを有している。 - 特許庁

This battery 1 is composed such that a vessel 9 (positive electrode can) and a lid body 10 (negative electrode can) are provided; and a corrosion prevention layer 8 is formed inside the vessel 9, and on the lower side relative to a position 11a of a calking part 11 of the vessel 9 where the vessel 9 is set nearest to the lid body 10.例文帳に追加

電池１を、容器９（正極缶）と蓋体１０（負極缶）とが設けられ、かつ、腐食防止層８が、容器９の内側で、容器９のかしめ部１１における容器９と蓋体１０の最も近接する位置１１ａよりも下方に形成された構成とする。 - 特許庁

The top end of a water collecting pipe 9 of which the bottom end communicates with the water permeation layer 7 on the lower side thereof and a raw water supply port 6 disposed on the upper side of the reforming tank 18 are communicated with a raw water path, drain path, a treated water outlet and a regenerated water tank 11 via a selector valve 5.例文帳に追加

該通水層７の下方において下端が連通する集水管９の上端と前記改質槽１８の上部側に設けた原水供給口６を、原水路、排水路、処理水出口および再生水槽１１に切替弁５を介して連通する。 - 特許庁

A reflection layer RS is provided on the lower half of a semi-cylindrical projection body 2a, the values of the adjacent distances d1-d4 between the respective projection bodies 2a are set larger as they go upward, that is, in the +y direction in the screen according to a change in incident angle of projected light PL.例文帳に追加

半円柱形状の突条体２ａの下半分に反射層ＲＳを設け、さらに各突条体２ａ間の隣接間距離ｄ１〜ｄ４の値を、投射光ＰＬの入射角度の変化に応じて、スクリーン上方即ち＋ｙ方向に行くに従って大きくしている。 - 特許庁

This snow removal device for a roof comprises a blade-shaped movable member 2 moving along the upper surface of the roof to cut a layer of snow into upper and lower layers, a drive mechanism 3 for driving the movable member 2, and a control device for controlling the drive mechanism 3 to repeat the movement of the movable member 2 either continuously or intermittently.例文帳に追加

屋根上面に沿って移動して積雪層を上下層に切断するブレード状可動部材と、この可動部材を駆動する駆動機構と、駆動機構を制御し可動部材の移動を連続的又は間欠的に反復させる制御装置とで構成する。 - 特許庁

To obtain a carrier having good electrostatic charge controllability, giving a sufficient quantity of electric charges to a toner, less liable to cause toner spending on the carrier even after long-time use and less liable to reduce the quantity of electric charges or to lower its electrostatic charging ability by incorporating an organosilicon compound having a specified quaternary ammonium salt structure into a coating layer.例文帳に追加

帯電制御性が良好で、充分なトナー帯電量が得られ、且つ長時間使用しても、キャリアへのトナースペントや帯電量能力の低下が少なく、しかもトナー飛散、および地肌汚れを生じることなく、長時間高画質を維持することができるキャリアの提供。 - 特許庁

For approximately 70 seconds immediately after the mounting of the semiconductor wafer W on the susceptor 73, a gas layer is sandwiched between the upper surface of the susceptor 73 and the lower surface of the semiconductor wafer W with the semiconductor wafer W hovering over the upper surface of the susceptor 73.例文帳に追加

このときに、サセプタ７３の上面に半導体ウェハーＷが載置された直後約７０秒間は、サセプタ７３の上面と半導体ウェハーＷの下面との間に気体層が挟み込まれて半導体ウェハーＷがサセプタ７３の上面から浮遊した状態となる。 - 特許庁

The self-aggregate single molecule layer is removed from a lower substrate following the second pattern by bringing the inert etchant into contact with the exposed portion of the IZO or ITO film.例文帳に追加

ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集合単分子層については不活性であるエッチャントと、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触させることにより、第２のパターンにしたがって、下側の基板から除去される。 - 特許庁

Since the iridium has a high adhesiveness to doped-polysilicon and an extremely low adhesiveness to BPSG, the second lower electrode 10 is selectively left only on the connecting layer 9.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜７及び接続層９の上にイリジウムからなる第２の下部電極１０を堆積させることにより、イリジウムはドープドポリシリコンに対し密着性が高く、ＢＰＳＧに対し密着性がきわめて低いから、第２の下部電極１０は、接続層９の上のみに選択的に残る。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode field electron emitting element which is capable of electron emission of a further lower field and can make the forming temperature of the electron emitting part to be low temperature, and in which, moreover the electron emitting part made of carbon is formed surely at the desired portion of the conductive layer.例文帳に追加

より一層低い電界での電子放出が可能であり、電子放出部の形成温度を低温とすることができ、しかも、導電体層の所望の部位に確実に炭素から成る電子放出部が形成された冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first resin pattern 12p having lower adhesiveness to the surface of an unhardened resin sheet than the surface of a first conductive substrate having the conductive surface is formed on the first conductive substrate (10, 11) to form a master substrate for the formation of a second conductive layer.例文帳に追加

表面が導電性である第１の導電性基板（１０，１１）上に、第１の導電性基板の表面よりも未硬化樹脂シートの表面に対して接着性が低い第１の樹脂パターン１２ｐを形成して第２の導電層形成用のマスター基板を形成する。 - 特許庁

In a sealing film 1 that is also used for a cover for solar cells, a transparent resin film 2 and a glass nonwoven cloth 3 are laminated via ethylene-acetic acid vinyl copolymer system adhesive resin layer 4, are melted and integrated at a temperature lower than the crosslinking temperature of the ethylene-acetic avid vinyl copolymer.例文帳に追加

透明樹脂フィルム２とガラス不織布３とが、架橋剤を配合したエチレン−酢酸ビニル共重合体系接着樹脂層４を介して積層され、エチレン−酢酸ビニル共重合体の架橋温度よりも低い温度で融着一体化されてなる太陽電池用カバー材兼用封止膜１。 - 特許庁

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.例文帳に追加

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

To solve problems such that an adhesive layer having a fairly lower glass transition temperature than that of a substrate film, is melted and attaches to a punching machine by a high frictional heat on punching, for inducing frequent exchanges of the punching machine and the increase of washing costs, and decreasing the productivity of a leading frame attached with the composite film.例文帳に追加

基材フィルムよりガラス転移温度が相当低い接着剤層は、打抜き時の高摩擦熱によって打抜き機に溶着され、打抜き機の頻繁な交換、洗浄コストの増加などを招き、複合フィルム付着リードフレームの生産性を著しく低下させる。 - 特許庁

A semiconductor chip 68, a mounting terminal 75 and a ground terminal 76 are provided on one of sides of a substrate 51, the shielding member 85 for covering a lower resin layer 82 is provided on the other side of the substrate 51, and the ground terminal 76 specified at the ground potential is electrically connected with the shielding member 85.例文帳に追加

基板５１の一方の側に半導体チップ６８、実装用端子７５、及びグラウンド端子７６を設け、基板５１の他方の側に下部樹脂層８２を覆うシールド材８５を配設し、グラウンド電位とされたグラウンド端子７６とシールド材８５とを電気的に接続する。 - 特許庁

The regulating force for alignment of a liquid crystal (anchoring energy) in a vertical alignment layer 241 close to a TFT substrate 21 is controlled to be lower in a region corresponding to the slopes 47-1 to 47-4 than in the other region (a region except for the region corresponding to the slopes 47-1 to 47-4).例文帳に追加

ＴＦＴ基板２１側の垂直配向膜２４１における液晶配向規制力（アンカリングエネルギー）が、傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域において、他の領域（傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域以外の領域）と比べて低くなるようにする。 - 特許庁

To obtain a thin, flexible and soft composite tray of a molded pulp product or the like, the tray capable of adapting to a shape of a fruit and being easily manufactured by placing a thin and flat sheet on the tray of the molded pulp product or the like and simply plastering the upper and lower layers by only pressing the thin layer with a protrusive member.例文帳に追加

本発明はパルプモウルド等によるトレーを用い、その上に薄いフラットシートを突起部材で押圧するのみで上下層を簡便に貼着により製造し、かつ薄く柔軟で柔らかい果実の形に順応し易いパルプモウルド等との複合トレーを簡便に得ることを目的とする。 - 特許庁

In the chip-mounting substrates 4 on second or more layers, a joint 5b to a second terminal 11 that is provided on the substrate-mounting surface 10a among chip connection wiring lines 5 formed on the chip-mounting surface 4a is removed from the upper side of the lower-layer chip-mounting substrate 4.例文帳に追加

２層目以上のチップ搭載基材４は、チップ搭載面４ａ上に設けられているチップ接続配線５のうち基材実装面１０ａ上に設けられている第２の端子１１との接続部５ｂを、下層のチップ搭載基材４の上方から外されている。 - 特許庁