「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(216ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

A light shielding pattern 54 having a plurality of arrayed polygonal light shielding portions 53 and a light transmitting portion 55 of a resolution limit or lower disposed at the center of the array is formed in the light transmitting region of a photomask, as a unit light shielding pattern for forming a projection 56 for alignment control in a photosensitive composition layer.例文帳に追加

感光性組成物層に配向制御用突起５６を形成するための単位の遮光パターンとして、フォトマスクの光透過領域中に、多角形状の遮光部５３が複数個配列され、その配列の中心部に解像限界以下の光透過部５５を有する遮光パターン５４を形成する。 - 特許庁

To enhance the inspection efficiency and precision of a flaw by simply and readily detecting the flaws in the lower layer of the respective layers of a substrate, even when the flaws formed in the previous manufacturing process have been detected in the inspection of flaws in the respective layers of the substrate, in a flaw inspection system and a flaw inspection method.例文帳に追加

欠陥検査システムおよび方法において、基板の各レイヤーでの欠陥検査で、それより下層レイヤー、すなわち前の製造工程で形成された欠陥が検出される場合でも、下層レイヤーの欠陥を簡素かつ容易に除去し、欠陥検査の効率、精度を向上することができるようにする。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

The electrooptic device has on a TFT array substrate (10), a pixel electrode (9a), a TFT (30) connected thereto, upper light blacking layers (300, 6a) covering at least a channel area of the TFT from upside, and a lower light blocking layer (11a) covering the at least the channel area of the TFT from downside.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

Between the brazing material jointing the base material consisting of the titan and the titan alloy and the jointing face of the base material, a metal material having a lower melting point and higher electric conductivity than the brazing material is interposed or a material wherein the metal material having the same low melting point and high electric conductivity is attached in a layer state.例文帳に追加

チタン又はチタン合金から成る母材を接合するロウ材と当該母材の接合面との間に、前記ロウ材よりも低融点で高導電率の金属材料を介在せしめるか、或いはまた、同低融点・高導電率金属を前記ロウ材の表面に層着したものを用いた。 - 特許庁

By using the high-resolution photosensitive polyimide for an insulating film for the upper and the lower electrodes of the superconducting tunnel junction element, forming via holes in the insulating layer is accomplished only by a lithography process, and as compared to the insulating film formation using a vacuum process based on prior arts, a high cost is reduced and the process steps are greatly simplified.例文帳に追加

高解像感光性ポリイミドを超伝導トンネル接合素子の上部及び下部電極の絶縁膜として用いることにより、絶縁層へのビアホール加工がリソグラフィ工程のみで達成され、従来の真空プロセスを用いる絶縁膜形成に比べて、多大なコストが軽減され、大幅に工程を簡略化できる。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor, composed of a capacitor element having a solid electrolyte layer, outer electrodes and an exterior covering resin with the exterior covering resin having a modulus of bending elasticity of 1,200-1,400 kg/mm2 and a thermal expansion coefficient of 0.8-1.7×10-5/°C at glass transition temperature or lower.例文帳に追加

固体電解質層を形成したコンデンサ素子と外部電極および外装樹脂からなる固体電解コンデンサにおいて、上記外装樹脂の曲げ弾性率が１２００〜１４００ｋｇ／ｍｍ^２で、かつガラス転移温度以下での熱膨張係数が０．８〜１．７×１０^−５／℃であることを特徴としている。 - 特許庁

A recording layer 10 where the recording marks are formed is constituted as a collection body constituted of recording materials 13 thermally modified by irradiation of a laser beam 20 and having fine diameters smaller than those of the recording marks and the boundary parts of the recording materials 13 are partitioned by using a partitioning material 14 having thermal conductivity lower than that of the recording material.例文帳に追加

記録マークを形成する記録層１０の構成を、レーザ光２０の照射により熱変性し、前記記録マークより小径でかつ微細な記録材１３の集合体として、かつこの記録材１３の境界は前記記録材より低熱伝導率の仕切材１４により仕切られていることを特徴とした。 - 特許庁

(1) The write-once optical recording medium has a recording layer having at least an oxide of Bi and an oxide of M (M is at least one element selected from Mg, Al, Zn, Li, Si, Hf, Sn, Y, B) as main components on a substrate, and the content of oxygen of the oxides is lower than that of stoichiometric composition.例文帳に追加

（１）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物とＭ（Ｍは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｙ、Ｂの中から選ばれた少なくとも一種の元素）の酸化物を主成分とする記録層を備え、該酸化物の酸素含有量が化学量論組成よりも少ないことを特徴とする追記型光記録媒体。 - 特許庁

To provide a development roller that sets a development bias lower as the resistance of the entire development roller is decreased, thereby preventing a leak, and that minimizes a change in roller characteristics resulting from wear of an outermost layer, thereby preventing a change in image quality with time, and to provide an image forming apparatus having the roller.例文帳に追加

現像ローラ全体としての抵抗を低抵抗にすることに伴って現像バイアスを低く設定してリークが発生しないようにすると共に、最外層の磨耗によるローラ特性変化を最小限に抑えて経時で画質の変化が生じないようにした現像ローラ並びにそれを有する現像装置を提供する。 - 特許庁

The reflectivity of the source wiring is made as low as possible so that the source wiring 5 does not function as a reflecting electrode, or, for example, a layer 51 of a substance having a reflectivity lower than that of pixel electrodes 8 is formed on the source wiring 5 between the pixel electrodes adjacent to each other in order not to cause reflection in the direction of the display screen.例文帳に追加

ソース配線５が反射電極として作用しないように、ソース配線の反射率を低く、ないし画面表示方向へ反射が起こらないように、例えば隣合う画素電極間のソース配線５上に画素電極８よりも低反射率の物質からなる層５１を形成した。 - 特許庁

A counter electrode 305 is oppositely arranged below the lower face of the long-length substrate 303 to form a plating layer, an electroconductive member 304 for suppressing film deposition is oppositely arranged above the upper face of the long-length substrate 303, and the electric potential of the electrically conductive member 304 and that of the long-length substrate 303 are made almost equal.例文帳に追加

この長尺基板３０３の下面には、対向電極３０５を対向配置して鍍金層を形成するが、長尺基板３０３の上面には膜析出抑制用の導電部材３０４を対向配置し、該導電部材３０４と長尺基板３０３の電位をほぼ等しくしている。 - 特許庁

In the case virgin materials and a scrap material as the materials to be melted are melted in a stacked form inside a melting furnace, the virgin material of a specified element(s) is located at the lower region of the melting raw material layer in the melting furnace in a form of being filled into the hollow scrap material (such as a pipe material).例文帳に追加

バージン原料及びスクラップ材を、被溶解原料として、溶解炉内に積層した形態で溶解させる場合において、特定元素のバージン原料については、中空状のスクラップ材（パイプ材等）に充填させた形態で、溶解炉内における被溶解原料層の下部領域に位置させておく。 - 特許庁

To provide an optical wiring board that has an effective multi-channel cross connection structure, by installing input optical wiring and output optical wiring of N channels in two upper and lower layers regardless of the number of channels and by connecting one-to-one optical wires with layers made to differ from each other in the respective places of an inter-layer transition part.例文帳に追加

Ｎチャンネルの入力光配線と出力光配線とをチャンネル数に依存せずに上下２層に敷設し、層間移行部の夫々の個所において１対１の光配線同士で層を違えて接続し、有効な多チャンネルのクロスコネクト構造を有する光配線基板を提供する。 - 特許庁

The first substrate 10 is provided with pixel electrodes 15, each of which is formed in an area surrounded by scanning lines 3a and data lines 6a and transition electrodes 60, each of which is formed in a layer located upper than the scanning lines 3a and the data lines 6a and lower than the pixel electrode 15 and generates a potential difference from the pixel electrode 15.例文帳に追加

第一基板１０には、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれた領域にそれぞれ設けられる画素電極１５と、走査線３ａ及びデータ線６ａよりも上層かつ画素電極１５よりも下層に設けられ、画素電極１５との間に電位差を生じる転移電極６０と、が設けられる。 - 特許庁

A traverse-mode adjustment layer 22 is configured to have lower reflectivity to the wavelength λ_1(>λ_y) in an area (low-reflection area α) opposed to an outer edge area of a light emitting area 13A than in an area (high-reflection area β) opposed to a center area of the light emitting area 13A.例文帳に追加

横モード調整層２２は、発光領域１３Ａの外縁領域との対向領域（低反射エリアα）における波長λ_１（＞λｙ）の反射率が発光領域１３Ａの中央領域との対向領域（高反射エリアβ）における波長λ_１の反射率よりも低くなるように構成されている。 - 特許庁

The water cleaning method for cleaning water prepares the assembly of carriers carrying one of the photocatalysts or the photosensitizing dye, and has a carrier support process for supporting the assembly of carriers so that the lower side contacts with the layer of air, and a water sprinkling process for sprinkling water over the assembly of carriers.例文帳に追加

また、従来の水を浄化する水浄化方法にかわって、光触媒または光増感色素の一方を担持した担体の集合を用意し、前記担体の集合を下方に空気の層を接する様に支持する担体支持工程と、水を前記担体の集合に散布する水散布工程と、を備えた、ものとした。 - 特許庁

A flexible pressure contacting element 6 pressure contacts the workpiece to the lower side of a vacuum chamber 8 by the pressure difference generated between the product side half chamber 10 of the vacuum chamber 8 and a pressure side half chamber 9, and exposes the workpiece to the heating action having the welding temperature or higher or the heat curing temperature or higher of the adhesion layer in the laminator.例文帳に追加

真空チャンバ８の製品側ハーフチャンバ１０と加圧側ハーフチャンバ９との間に生じる圧力差によってフレキシブル圧接体６は加工物を真空チャンバの下側面に圧接し、ラミネータにおいて加工物を接着層の溶着温度以上または熱硬化温度以上の加熱作用下にさらす。 - 特許庁

The semiconductor device includes a chip 12 rectangular in plan view provided on a mounting region on a substrate 10, a liquid resin layer 15 provided on the lower portion and side surface of the chip 12, and a plurality of dams 16 formed on the substrate 10 so as to be along the side surface of the chip 12.例文帳に追加

基板１０上の実装領域に設けられた平面視矩形状チップ１２と、前記平面視矩形状チップ１２の下部及び側面に設けられた液状樹脂層１５と、前記平面視矩形状チップ１２の側面に沿うように基板１０上に形成された複数のダム１６と、を備える。 - 特許庁

Turning back to this case, as shown in the description of the claimed invention, the numerical limitation may merely suggest the upper and lower thicknesses of the polyethylene resin layer, for the person skilled in the art to readily implement the claimed invention with effective resistance and workability which are the common objectives in both inventions. 例文帳に追加

本事例に戻ると、請求項に係る発明の明細書に示されている通り、数値限定は、当業者が両発明の共通の目的である有効な耐性と加工性をもって、請求項に係る発明を容易に実施できるポリエチレン樹脂層の上限の厚さと下限の厚さを提示しているにすぎない。 - 特許庁

In the seismic isolator 1, which is disposed on a foundation for a building skeleton and in which the laminated rubbers 2 by the alternate- layer structure of the rubber and a steel plate are disposed among upper-lower flange plates 3 and 3, restraining members 10 restraining the relative displacement of the flange plates 3 and 3 are installed detachably among the flange plates 3 and 3.例文帳に追加

建物躯体の基礎に配設され、上下のフランジプレート３、３間にゴムと鋼板の互層構造による積層ゴム２を配設した免震装置１において、前記上下のフランジプレート３、３の相対的な変位を拘束する拘束部材１０をフランジプレート３、３間に取り外し可能に取り付けた。 - 特許庁

To provide a structure, capable of increasing the latitude of design and making both the increase of display area and the miniaturization of a liquid crystal device compatible with each other by adopting a structure of an upper/lower conductive part, capable of narrowing the width of a peripheral part of a display region without being affected by the patterning accuracy of alignment layer.例文帳に追加

配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁

A self-illumination type key top unit comprises plural transparent key tops 11 each having a character printed layer on a lower surface, clicks 13 connected to each other which make clicking action when an upper surface is pushed, key tops 11, and transparent releasable adhesive layers 15 formed between the key top 11 and the click.13.例文帳に追加

本発明の自照式キートップユニットは、下面に文字印刷層を設けた複数の透明のキートップ１１と、上面が押されたときクリック動作をする互いに連結されたクリック１３と、前記キートップと前記クリックの間に形成した透明な離型粘着層１５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The nickel plating films 3 consist of an electroless plating film 4 formed on the base metal surface of the heat resistant member 1 made of the composite material and an electroplating film 5 formed on its surface and consist of the constitution in which the electroless plating film 4 of the lower layer infiltrates and intrudes into porous portions 6 existing on the base metal surface.例文帳に追加

ニッケルめっき皮膜３は、複合材料製耐熱部材１の母材表面に形成した無電解めっき皮膜４と、その表面に形成した電気めっき皮膜５とからなり、下層の無電解めっき皮膜４が母材表面に存在するポーラス部６に含浸して入り込んだ構成とする。 - 特許庁

In the light modulator, a window 6 where a buffer layer 4 is removed is disposed on one phase shift optical waveguide 3a; and a phase adjusting section 7 comprising a substance having a lower refractive index than that of a substance constituting the optical waveguide 3 is disposed in at least a partial region on the phase shift optical waveguide 3a in the window 6.例文帳に追加

一方の位相シフト光導波路３ａ上において、バッファ層４を除去した窓部６が配置され、光導波路３を形成する物質よりも屈折率の低い物質からなる位相調整部７が、窓部６における位相シフト光導波路３ａ上の少なくとも一部の領域に配置されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for an optical waveguide which can prevent the peeling of the optical waveguide from a base material over a long period under a condition of high temperature and high humidity or the like by being used as a material of a lower part clad layer of the optical waveguide to ease the shrinkage stress occurring in the formation of the optical wavequide.例文帳に追加

光導波路の下部クラッド層の材料として用いることにより、光導波路の形成時に発生する収縮応力を緩和して、高温高湿等の条件下でも長期に亘って基材からの光導波路の剥離を防止することのできる光導波路用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.例文帳に追加

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁

The lower wet film is at least one except the uppermost layer in double coating films such as (1) a double coating film prepared by forming a topcoating solid coating film on an intermediate coating film and (2) a double coating film prepared by forming an intermediate coating film on a chipping primer and forming a topcoating solid coating film on the intermediate coating film.例文帳に追加

下層側塗膜は、（１）中塗り塗膜上に上塗りソリッド塗膜を形成した複層塗膜、（２）チッピングプライマー上に中塗り塗膜を形成し、さらに、中塗り塗膜上に上塗りソリッド塗膜を形成した複層塗膜、等の複層塗膜における最上層以外の少なくとも一層の塗膜である。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a metallic foil-laminated plate, which dispenses with punching, can offer a connecting structure for conductively connecting wiring layers together in a simple process and can lower the dielectric constant of an insulating layer, the metallic foil-laminated plate which can be obtained by the manufacturing method, and a wiring board using the same.例文帳に追加

穴開け加工の必要がなく、簡易な工程で配線層間を導電接続するための接続構造が得られ、しかも絶縁層の低誘電率化が図れる金属箔積層板の製造方法、及びその製造方法で得られる金属箔積層板、並びにこれを用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

This burglar preventing element 1 is provided with a lower-side conducting route 2 consisting of a coil and an upper-side conducting route 3 consisting of a coil, which are wound in the reverse direction, overlap in at least one overlapped area, and with an additional dielectric layer 4 at the overlapped area.例文帳に追加

防犯エレメント１は、巻線からなる下側導通経路２及び巻線からなる上側導通経路３を備え、これら２つの導通経路が逆方向に巻回され、少なくとも１つの重複領域において重複し、２つの導通経路の重複領域に追加の誘電体層４を備えている。 - 特許庁

A water jacket 15 on the lower layer side has a cooling water inflow port 20 formed at each cylinder and a passage (a horizontal passage) 21 for an exclusive use classified by a cylinder is formed in a manner to run from each inflow port 20 through a gap between an exhaust port 11 and an intake port 12 and elongated in a direction extending approximately orthogonally to a cylinder row direction.例文帳に追加

下層側ウォータジャケット１５には、各気筒毎に冷却水の流入口２０が形成されており、各流入口２０からは排気ポート１１と吸気ポート１２との間を通り、気筒列方向に対してほぼ直交する方向に延伸された気筒別の専用流路（横流れ流路）２１が形成されている。 - 特許庁

To provide a releasing film which has an excellent heat resistance and dimensional stability and can be produced at a lower cost, an active energy ray-curable film obtained by forming and hardening an active energy ray-curable composition layer using the same film as a releasing film and an optical disk formed by using the active energy ray-curable film.例文帳に追加

耐熱性や寸法安定性等に優れ、低コスト化に応えられる離型フィルムと同フィルムを用いて活性エネルギー線硬化性組成物層を形成し、硬化させて得られる活性エネルギー線硬化フィルム、及び該活性エネルギー線硬化フィルムを用いて形成された光ディスクを提供すること。 - 特許庁

The density and the flow rate of a liq. passing there are detected, the density of a lower layer liq. 13 being extracted by a specified quantity is stored as a reference density, and if an input density lowers below a predetermined value from the reference density or the integrated value of the extraction quantity exceeds a target value, an interface detection signal is outputted.例文帳に追加

そして、通過する液の密度と流量を検出し、下層液13の所定量抜き出し時の密度を基準密度として記憶し、入力される密度が基準密度より予め定めた設定値以上低下するか、あるいは抜き出し量の積算値が目標値を超えると、界面検出信号を出力する。 - 特許庁

The speaker unit is arranged in a backrest part of the seat, an output surface of the speaker unit is fixed backward to a seat back board, a sound absorbing member is arranged on a lower surface of facing on the opposite side of the seat back board and between the sound absorbing member and the seat back board is filled with a cushion member having an air layer.例文帳に追加

シートの背もたれ部内にスピーカユニットを配するとともに、シートバックボードに前記スピーカユニットの出力面を後方に向けて固定し、前記シートバックボードと反対側の表皮下面に吸音性部材を配置し、該吸音性部材とシートバックボードの間を、空気層を備えたクッション材で満している。 - 特許庁

A controller 8 for a step-up chopper 7 operates as follows: when charging of the electric double layer capacitor 5 is started, the controller charges it to a final charging voltage value that is higher than a rated voltage and lower than the rated voltage + an IR drop voltage on constant power or constant current; and the controller thereafter carries out constant-voltage control at the rated voltage.例文帳に追加

昇圧チョッパ７の制御装置８は、電気二重層キャパシタ５の充電開始時には定電力または定電流で定格電圧よりも高く、定格電圧＋ＩＲドロップ電圧よりも低い最終充電電圧値まで充電し、その後は定格電圧による一定電圧制御を行う。 - 特許庁

A polyimide film which has glass transition temperature of ≥300°C or favorably of ≥350°C, favorably whose linear expansion coefficient at 50°C to 300°C is -5 ppm to +15 ppm, and also favorably which has a large current ignitionability of which the performance standard degree is 3 or lower is used at an insulating layer 5 between a cathode 3 and gate electrode 2.例文帳に追加

ガラス転移温度が３００℃以上、好ましくは３５０℃以上であり、さらに好ましくは５０℃〜３００℃の線膨張係数が−５〜＋１５ｐｐｍであり、なおさらに好ましくは大電流アーク着火性が性能水準等級３以下であるポリイミドフィルムをカソード３／ゲート電極２間の絶縁層５に用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of at least reducing warpage of a substrate by suppressing a temperature change on upper and lower surfaces of the substrate due to heat generation in using the semiconductor device, and accordingly capable of effectively suppressing fatigue failure of a solder layer joining the substrate and a semiconductor package.例文帳に追加

半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In storing topologies in each of a plurality of services in an overlay network constructed on an upper layer of a router network (lower network) including a plurality of nodes, the network topology design apparatus 10 calculates a resource utilization amount to be consumed in each service and preferentially stores service having a larger resource utilization amount.例文帳に追加

複数のノードを備えるルータ網（下位網）の上位のレイヤに構築されるオーバーレイネットワークにおいて、複数のサービスごとのトポロジを収容する際に、ネットワークトポロジ設計装置１０は、各サービスごとに消費するリソース利用量を算出し、リソース利用量の大きいサービスを優先的に収容する。 - 特許庁

This cooling method is accomplished by a first cooling process of cooling the steam turbine until the steam turbine temperature reaches a designated temperature after the stop of the steam turbine and a second cooling process of removing a second thermal insulation layer 14 and further cooling the steam turbine when the steam turbine temperature becomes a designated value or lower.例文帳に追加

蒸気タービン停止後、蒸気タービン温度が所定温度になるまで該蒸気タービンの冷却を行う第１の冷却工程と、前記蒸気タービン温度が所定値以下になった時に、第２の保温層１４を取り外して更に前記蒸気タービンの冷却を行う第２の冷却工程とによって達成される。 - 特許庁

This method hardens resin mortar by heating and compression, after filling the resin mortar of a thermosetting resin in the upper part, by filling a water retentive material in the lower layer of the shallow plastic vessel.例文帳に追加

浅いプラスチック製容器の下層に保水部を設け、上方に樹脂モルタル層を有するものであって、保水部の上面の高さに排水孔を設けたもの、及び浅いプラスチック製容器の下層に保水材を充填し、上方に熱硬化性樹脂の樹脂モルタルを充填した後、加熱、圧縮し樹脂モルタルを硬化させる方法。 - 特許庁

To provide a forming method for a semiconductor which can shorten an operation time and lower manufacture cost by greatly decreasing the defect density of structure defects in the semiconductor layer, especially the density of penetration dislocation, without requiring complicated processes.例文帳に追加

煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させることができるようにして、作業時間の短縮化を図ることができるとともに、製造コストを低減することのできる半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁