「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(218ページ目) - Weblio英語例文検索

The single side lamination wiring board 11 comprises a resin or metallic core substrate 12 having a first major surface 13 and a second major surface 14 and exhibiting a flexural modulus not lower than 10 GPa over the entire temperature region of 150°C-200°C, and a build-up layer 18 formed only on the first major surface 13.例文帳に追加

本発明の片面積層配線基板１１は、第１主面１３及び第２主面１４を有し、１５０℃以上２００℃以下の温度域全般において曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上である樹脂製または金属製のコア基板１２と、第１主面１３上にのみ形成されたビルドアップ層１８とを備える。 - 特許庁

In a counter substrate 10 of the transflective liquid crystal device 100, the color filter 241 for the transmissive display with a wide chromaticity region is formed on a transmissive display region 100c of the lower layer side of a counter electrode 21 and the color filter 242 for the reflective display with a narrow chromaticity region is formed on a reflective display region 100b thereof.例文帳に追加

半透過反射型液晶装置１００の対向基板１０では、対向電極２１の下層側のうち、透過表示領域１００ｃには色度域の広い透過表示用カラーフィルタ２４１を形成し、反射表示領域１００ｂには色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ２４２を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.例文帳に追加

圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁

The molding device constituted by interposing a metallic layer 3 consisting of metal having a melting point lower than the melting point of the resin 7 for molding substrates between the opposite surfaces of the metal mold 10 and the stamper 1 arranged in the prescribed position within the metal mold 10 for transferring ruggedness to the optical disk substrate is used in a molding process step for the optical disks.例文帳に追加

光ディスクの成形工程において、金型１０と、光ディスク基板に凹凸を転写するために金型１０内の所定位置に配置されたスタンパ１との対向面間に、基板成形用樹脂７の融点より低融点の金属からなる金属層３を介在させた成形装置を用いる。 - 特許庁

To provide a method for operating a smelting reduction furnace with which chromium-containing molten metal is produced by arranging tuyeres for blowing high temperature oxygen-enriched air into a filling layer of carbon- base solid reducing agent in at least the upper and the lower two-steps, and injecting powdery and granular metallic oxide-containing raw material from at least the upper step of the tuyere.例文帳に追加

炭素系固体還元剤の充填層に高温の酸素富化空気を吹き込む羽口を少なくとも上下二段に設け、該羽口の少なくとも上段から粉粒状の金属酸化物含有原料を吹き込み、含クロム溶融金属を製造する溶融還元炉の操業方法に関する。 - 特許庁

Herein, when the mold 10 is registered, the projection 13 preformed to the lower mold 12 is pressed to the end part of the skin 4 to form a slit 4b to the end part of the skin 4, the unnecessary part of the skin 4 can be simply removed along the slit 4b after the foam layer is formed.例文帳に追加

ここで、成形型１０の型合わせの際に、下型１２に予め形成された突部１３を表皮４の端部に押し付けることにより、表皮４の端部に切れ目４ｂを形成するため、発泡層の形成後に切れ目４ｂに沿って表皮４の不要部分を簡単に取り除くことができる。 - 特許庁

A heat receiving layer 1, consisting of the sintered body of the mixture of cupper powder and the powder of cupper oxide and fins 2 consisting of the sintered body of the mixture of cupper powder which contains cupper oxide of density lower than that of the cupper oxide and the powder of cupper oxide are integrated by sintering to constitute the radiating material having fins of a prescribed shape.例文帳に追加

銅の粉末および酸化銅の粉末の混合物の焼結体による受熱層１と、上記混合物より低濃度の酸化銅を含む銅の粉末および酸化銅の粉末の混合物の焼結体によるフィン２とを焼結により一体化させ、所定の形状のフィン付放熱材を構成する。 - 特許庁

A surface emitting type laser array 10 is provided with an intermediate layer 31 including three wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c constituted of AlxGa1-xAs (x=0.95) arranged between a lower DBR30 and a upper DBR32, and grooves 26, 27, and 28 whose depth reaching any wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c is different.例文帳に追加

面発光型レーザアレイ１０は、下側ＤＢＲ３０と上側ＤＢＲ３２との間に配設されたAl_xGa_1-xAs（ｘ＝０．９５）からなる３層の波長調整層１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む中間層３１を有し、波長調整層１７ａ，１７ｂ、１７ｃの何れかに届く深さの異なる溝２６、２７、２８を有する。 - 特許庁

After supplying flux to a recess 35 obtained by removing a top face 20a of a post portion 20 so that the whole top face 20a of the post portion 20 may be lower than an upside 30a of a sealing layer 30, a solder ball arranged so as to cover an aperture of this recess 35 is heated and melted to form an external terminal 24.例文帳に追加

ポスト部２０の頂面２０ａ全面が封止層３０の上面３０ａよりも下方となるようにポスト部の頂面を除去することによって得られた凹部３５にフラックスを供給した後、この凹部の開口を覆うように配置した半田ボールを加熱溶融して外部端子２４を形成する。 - 特許庁

A thermal indirect moxibustion comprises a cylindrical container, which has and encircles a carbonized and shaped moxa 5, an upper tray 7 of a heat-resisting material where the carbonized and shaped moxa 5 is placed, a nutrient component 6, and a lower tray 8 with a plurality of perforations 17 where the nutrient component 6 is placed; and an adhesive layer 10 formed on a bottom 9 of the cylindrical container.例文帳に追加

炭化成形艾５と該炭化成形艾５を置く耐熱性材料からなる上棚７と、栄養素成分６と該栄養素成分６を置く複数の小穴17のある下棚８を有し、これらを取り巻く筒状容器と、該筒状容器下端の底面９に接着層10を設けてなる温熱滋養灸。 - 特許庁

The respective weir like seals 9 are composed of elastic bodies adhered to a wall face and the bottom face of the level difference 5, have shapes that the gap flow passage 8 is closed and that they are partly overlapped with the gas diffusion layer 3, and have shapes that height dimensions gradually become lower as the seals go separated from the wall face of the level difference 5.例文帳に追加

各堰状シール９は段差５の壁面および底面に接着された弾性体よりなり、隙間流路８を閉塞するとともに一部をもってガス拡散層３と重ね合わされる形状を有し、かつ高さ寸法が段差５の壁面から離れるにしたがって徐々に低くなる形状を有する。 - 特許庁

The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.例文帳に追加

このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁

A pixel region, defined with a gate bus line 12 and a drain bus line 14 and arranged on the TFT substrate 2, has a sub-pixel A to which the gray scale voltage for driving the liquid crystal layer 6 is applied, and a sub-pixel B which is formed while being separated from the sub-pixel A and to which the voltage lower than the gray scale voltage is applied.例文帳に追加

ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により画定されてＴＦＴ基板２上に配置された画素領域は、液晶層６を駆動するための階調電圧が印加される副画素Ａと、副画素Ａと分離して形成されて階調電圧より低い電圧が印加される副画素Ｂとを有している。 - 特許庁

The membrane 32 comprises the bridge member 34 which has an SiO_2 film 36 of 20 nm in film thickness as a lower layer and is laminated with an SiN film 38 of, for example, 100 nm in film thickness thereon and a membrane side electrode 14 commonly used as a light reflection surface consisting of an Al film of 100 nm in film thickness formed on the bridge member 34.例文帳に追加

メンブレン３２は、下層に膜厚が２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜３６を有し、その上に膜厚が例えば１００ｎｍのＳｉＮ膜３８を積層させたブリッジ部材３４と、ブリッジ部材３４上に形成された、膜厚１００ｎｍのＡｌ膜からなる光反射面兼メンブレン側電極１４とから構成されている。 - 特許庁

An insertion hole 33 is formed on a number plate illumination lamp chamber corresponding part 31 of the main body 22 for mounting a number plate illumination lamp 32 on a surface 22b opposite to a back door 24, and a window part 34 free from a coating layer 29 is formed on a lower end face 22c for allowing the light from the number plate illumination lamp to transmit therethrough.例文帳に追加

本体２２の番号灯室対応部３１において、そのバックドア２４との対向面２２ｂ上に番号灯３２を取着するための挿通孔３３を設けるともに、下端面２２ｃ上には塗膜層２９を形成しない窓部３４を設けて、番号灯３２からの光の通過を許容させる。 - 特許庁

A main reflecting wall 1 formed a paraboloidal shape, a sub reflecting wall 2 formed by hyperbolicly and a sector horn 3 are provided in the lower layer waveguide 12, one of two foci of the sub reflecting wall 2 matches a focus F0 of the main reflecting wall 1 and the other focus F1 is set to a center of phases of the sector horn 3.例文帳に追加

下層導波管12内に放物状に形成された主反射壁１と、双曲状に形成された副反射壁２と、扇形ホーン３を設け、副反射壁２の２つの焦点のうち、１つを主反射壁１の焦点Ｆ０と一致させ、もう１つの焦点Ｆ１は扇形ホーン３の位相中心とする。 - 特許庁

When the liquid level of a raw material liquid 18 in the suction tank 12 reaches the storage lower limit of the suction tank 12, which is sensed by the liquid level sensor 42, during the molding of a layer (cylindrical molding body), a feeding mechanism 52 is actuated and a new raw material liquid 18 is fed from the replenishing tank 14 into the suction tank 12.例文帳に追加

層７６（筒状の成形体）の成形中に、液面検知器４２により吸引槽１２内の原料液１８の液面が該吸引槽１２の貯留下限に達したことが検知された際には、供給機構５２が付勢されて補給槽１４から吸引槽１２へ新たな原料液１８が供給される。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

This rubber composition for treads comprises (A) 100 pts.wt. of a rubber component comprising natural rubber obtained by drying a lower layer component separated from a natural rubber field latex by a centrifugal method, (B) 10 to 90 pts.wt. of silica, and (C) 10 to 90 pts.wt. of carbon black, and a pneumatic tire using the rubber composition is provided.例文帳に追加

（Ａ）天然ゴムのフィールドラテックスを遠心分離法により分離した下層成分を乾燥させて得られる天然ゴムを含むゴム成分１００重量部、（Ｂ）シリカ１０〜９０重量部及び（Ｃ）カーボンブラック１０〜９０重量部を含んでなるトレッド用ゴム組成物並びにそれを用いた空気入りタイヤ。 - 特許庁

As the ceramic material for producing the crown restoration article by being built-up and burned, the dental ceramic material for the surface layer is used near the surface of the crown restoration article to be produced and being built-up and burned together with the crown color ceramic material, which has a calcining temperature 20-80°C lower than the crown color.例文帳に追加

築盛、焼成して歯冠修復物を製作する陶材において、作製する歯冠修復物の表面近くに用い且つ、歯冠色陶材と同時に築盛、焼成して使用する歯科用表層陶材であって歯冠色よりも、焼成温度が２０℃〜８０℃低い歯科用表層陶材。 - 特許庁

At least either one of the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 has first electrode 110, 210 having a forward tapered sidewall, and a second electrode 120, 220 adjoining the first electrode 110 through an insulating layer 150, 250 in a practically same plane and having a reversely tapered sidewall.例文帳に追加

下側電極１３０及び上側電極２３０の少なくともいずれかは、順テーパの側壁を有する第１の電極１１０、２１０と、絶縁層１５０、２５０を介して第１の電極１１０と実質的に同じ平面内で隣接し、逆テーパの側壁を有する第２の電極１２０、２２０と、を有する。 - 特許庁

For forming a layer composed of a liquid chemical for plating treatment on the face to be treated in the substrate 12 to be treated on which a metal thin film is formed by an electroless plating method, the lower part of the face to be treated in the substrate 12 is provided with a discharging means 26 for the liquid chemical arranged at intervals and also confronted therewith.例文帳に追加

無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 - 特許庁

In addition, as the position detecting accuracy keeping apparatus 1, a rectangular flat panel-like shielding plate 33 is used, and a lower part winding part 31 and an upper part winding part 32 in the carriage carrying belt 9, and the shielding plate 33 being the position detecting accuracy keeping apparatus 1 above them are respectively arranged horizontally to form a three-layer shielding structure.例文帳に追加

また位置検出精度維持装置１として矩形平板状の遮蔽板３３を使用し、キャリッジ搬送用ベルト９における下部巻回部３１と上部巻回部３２、その上方に前記位置検出精度維持装置１である遮蔽板３３をそれぞれ水平に配置して３層の遮蔽構造を形成した。 - 特許庁

After a lower layer conductive film 3a is formed, which constitutes a part of a floating gate electrode formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, an insulating film 6 is deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 by using a CVD method or the like, and the inside of a recess on the main surface of the semiconductor substrate 1 is filled completely.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成された浮遊ゲート電極の一部を構成する下層導体膜３ａを形成した後、半導体基板１の主面上に絶縁膜６をＣＶＤ法等によって堆積して、半導体基板１の主面上の窪み内を完全に埋め込む。 - 特許庁

The conductive paste using the copper powder consisting of copper particles with the surfaces covered with an inorganic system oxide layer as a conductive filler is made to contain a metallic component diffusing into copper to form solid solution and making its melting point lower than that of copper at the sintering of the paste.例文帳に追加

無機系酸化物層で表面が被覆された銅粒子からなる銅粉を導電フイラーとして用いた導電ペーストにおいて，該導電ペーストの焼結時に銅に固溶して融点を銅のそれより下げる金属成分を該導電ペースト中に含有させたことを特徴とする導電ペーストである。 - 特許庁

The molten-metal-resistant member comprises a silicon nitride-based sintered material having crystals of the silicon nitride and a grain boundary layer containing at least one of a metal element of ≥1,000°C in melting point, wherein the concentration of the metal silicide on the surface of the silicon nitride-based sintered material is made lower than that of the interior thereof.例文帳に追加

窒化珪素の結晶と、融点が１０００℃以上のうち少なくとも１つの金属元素からなる金属珪化物を含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体からなる耐溶融金属用部材であって、前記窒化珪素質焼結体の表面における金属珪化物の濃度が内部より低くする。 - 特許庁

In the case of depositing a PZT on a lower electrode layer and thereafter crystallizing it by heat treatment in an atmosphere of mixed gas of O_2/Ar, the flow rate of O_2 gas is controlled by one massflow controller, and the flow rates of Ar gas for purge and for O_2 gas concentration adjustment are controlled respectively by separate massflow controllers.例文帳に追加

下部電極層上にＰＺＴを堆積した後、それをＯ_２／Ａｒ混合ガス環境下の熱処理で結晶化する際に、Ｏ_２ガスはその流量を１つのマスフローコントローラで制御し、Ａｒガスはパージ用とＯ_２ガス濃度調整用の流量をそれぞれ別々のマスフローコントローラで制御する。 - 特許庁

The piezoelectric resonant stack 14 comprises a vibrating area 20 in which the upper electrode 12 and the lower electrode 10 face each other via the piezoelectric layer 2 and which is positioned in accordance with the gap 4, a supporting area 24 in contact with the substrate 8, and a buffering area 22 which is positioned between the vibrating area 20 and the supporting area 24.例文帳に追加

圧電共振スタック１４は、上部電極１２と下部電極１０とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域２０と、基板８に接する支持領域２４と、振動領域２０及び支持領域２４の間に位置する緩衝領域２２とからなる。 - 特許庁

The optical waveguide 1 is configured such that the first optical path crosses a second optical path that connects the node 121 and the mirrors, and further comprises a low refractive index layer 145 having lower refractive index than the core unit 14, and extended along the second optical path in vicinity of the crossing core unit 14.例文帳に追加

この光導波路１は、接続点１２１とミラーとをつなぐ第２の光路と第１の光路とが交差するよう構成されており、コア部１４の交差の位置近傍に第２の光路に沿って延在するよう設けられたコア部１４より屈折率の低い低屈折率層１４５を有している。 - 特許庁

The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.例文帳に追加

半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

In the piezoelectric element 12, part or all of an outer circumferential shape of the electrode 11 is formed to be a shape corresponding to distributions of a vibration mode of a target order or their sum and an insulation layer 13 comprising an insulating member is formed over an entire face of at least a lower face or an upper face of the electrode 11.例文帳に追加

電極１１における外周形状の一部または全部を、着目する次数の振動モード分布またはそれらの和に対応した形状に構成する一方、電極１１の下面側または上面側の少なくとも何れか一方の全面に亘って、絶縁部材からなる絶縁層１３を形成する。 - 特許庁

The copper foil for laser perforation processing is characterized in that a surface layer, which comprises a metal or alloy with an electric resistivity at a room temperature of 50n Ωm, a melting point of 2855 K or lower and a boiling point of 2855 K or higher or both of them, is formed on the surface on laser irradiation side of a copper foil.例文帳に追加

銅箔のレーザ照射側の表面に、室温での電気抵抗率が50n Ωm 以上であって、融点が2855K 以下であり、且つ沸点が2855K 以上である金属または合金の何れか若しくは両方からなる表面層が形成されていることを特徴とするレーザ穴あけ加工用銅箔である。 - 特許庁

An incidence-side equipotential portion 131 is lower in resistance than other areas in the incidence-side resistance element layer 13 and provided in the middle of an incidence-side electrode couple 14 in a Y direction and cancels a Y-directional potential difference to hold the potential nearly uniform and corrects an equipotential line into an equipotential line parallel to the Y direction.例文帳に追加

入射側等電位部１３１は、入射側抵抗体層１３内の他の領域より低抵抗であって入射側電極対１４の中間にＹ方向に沿って設けられており、Ｙ方向の電位差を打ち消して電位をほぼ均一に保ち等電位線を、Ｙ方向に平行に矯正する。 - 特許庁

This device is equipped with a receiving recessed part 3 provided in a roller conveyer 1 conveying a substrate B of a solar battery by supporting a lower surface b2 in an opposite side of an upper surface b1 formed with a transparent electrode layer A of the substrate and a delivery machine 11 reciprocating the substrate B moved over this recessed part 3 and a prescribed delivered part.例文帳に追加

太陽電池の基板Ｂをその透明電極層Ａが形成された上面ｂ１とは反対側の下面ｂ２を支持して搬送するローラコンベア１に設けた受取り凹部３と、この凹部３と所定の被受渡し部分とにわたって基板Ｂを往復移動させる受渡し機１１とを具備する。 - 特許庁

The laminate comprises at least paper and a filmlike material composed mainly of a copolymer of polylactic acid and an oxycarboxylic acid, and the filmlike material comprises a laminar structure composed of laminated layers of different crystalinities to make a layer of lower crystalinity, among the outer two layers, overlie paper.例文帳に追加

ポリ乳酸又は乳酸とオキシカルボン酸とのコポリマーを主成分とするフィルム状物及び紙を少なくとも有する積層体において、上記フィルム状物は、結晶性の異なる層からなる積層構造を有し、かつ、上記フィルム状物を構成する２つの外層のうち、結晶性がより低い層を紙と積層させる。 - 特許庁

In the analysis of the chemical bond of carbon by an X-ray photoelectron spectroscopic analysis method, coating layers 2 of polyphenylene ether-based organic matter are formed on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1 of 7-18% area ratio caused by carboxy groups in the C1s peak area of the surface.例文帳に追加

Ｘ線光電子分光分析法による炭素の化学結合状態の分析で、表面のＣ１ｓピーク面積におけるカルボキシル基に起因する面積の割合が７〜１８％である液晶ポリマー層１の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層２を形成して成ることを特徴とする絶縁フィルム３。 - 特許庁

The electrophoretic display device 1 has an electronic ink layer 6 containing many white electrified particles 4 and many black electrified particles 5 between an upper substrate 3 and a lower substrate 2 and also has a transmission display area T and reflection display area R in one pixel constituting a display pattern.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置１は、上基板３と下基板２との間に多数の白色帯電粒子４と多数の黒色帯電粒子５とを含有した電子インク層６が挟持され、表示パターンを構成する一つの画素内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the radiation image conversion panel that includes a process where a phosphor layer is formed by evaporating a substance generated through the application of heat to phosphors or an evaporation source containing a material of the phosphors onto a substrate, the evaporation is carried out in an atmosphere whose moisture partial pressure is 7.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、蒸着を、水分圧が７．０×１０^-3Ｐａ以下の雰囲気中でを行う。 - 特許庁

This method for processing a raw meat is characterized in that a raw meat in a forming pipe 2 is preheated to a protein denaturation temperature or lower than it by Joule heating based on turning on electricity to the raw meat and the protein denaturation layer is formed at the surface of the raw meat by microwave heating to provide the raw meat with shape retention.例文帳に追加

成形管２内の原料食肉類を該原料食肉類への通電に基づくジュール加熱によって蛋白変成温度以下の温度まで予備加熱した後、マイクロ波加熱によって原料食肉類の表面側に蛋白変成層を形成して保形性を付与することを特徴とする。 - 特許庁

A narrow conductive film is longitudinally disposed on a longitudinally long transparent film 10 having an adhesive layer on its rear surface, and a longitudinally long closed rectangle is disposed on the lower part using an extended line of the conductive film as a side, thereby forming an antenna element 12, and a feeder section 14 is provided on the upper part of the antenna element 12.例文帳に追加

裏面に接着剤層が配設された縦方向に長い透明フィルム１０に、幅の狭い導電膜を縦方向に配設するとともにその延長線を一辺として下側部分に縦方向に長い閉じた長方形を配設してアンテナエレメント１２とし、アンテナエレメント１２の上端部に給電部１４を設ける。 - 特許庁

The distribution of Sn shows the existing area of the tin plating film, the distribution of Ag shows the existing area of a substrate film comprising the lead glass-containing Ag film provided to the lower layer of an Sn plating film, and the distribution of Si shows the existing area of the protective film comprising lead glass adjacent to an electrode to cover the chip resistor.例文帳に追加

Ｓｎの分布は錫めっき膜の存在エリアを示し、Ａｇの分布はＳｎめっき膜の下層に設けられた鉛ガラス含有Ａｇ膜からなる下地膜の存在エリアを示し、Ｓｉの分布は電極に隣接して抵抗体を覆う鉛ガラスからなる保護膜の存在エリアを示している。 - 特許庁

The optical wave guide is provided with a lower clad layer 2a and a core part 7, and a mirror part 3, which has an inclined plane which reflects guided light propagating in the core part 7 toward the outside of the core part 7 and is composed of a organic material having a refractive index smaller than that of the core part 7, is formed in the core part 7.例文帳に追加

下部クラッド層２ａおよびコア部７を具備するとともに、このコア部７内に、コア部７を伝搬する導波光をコア部７外に反射する傾斜面を有する、コア部７より小さい屈折率を有する有機材料から成るミラー部３が形成されている光導波路である。 - 特許庁

In the electrochromic display, a counter electrode has a layer structure of a first electrode and a second electrode coming in contact with the first electrode and provided on the lower side of the first electrode.例文帳に追加

エレクトロクロミック表示装置において、対向電極が、第一の電極と第一の電極に接してその下に設けられた第二の電極との積層構造よりなり、エレクトロクロミック表示装置の稼働中に、第一の電極が表示用組成物中に溶解し得、第二の電極が表示用組成物中に溶解しないものである。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁