「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(220ページ目) - Weblio英語例文検索

The base material layer 11 is obtained by: manufacturing a sheet consisting of a fiber web formed by entangling main fibers 12 and binder fibers 13 having a lower melting point than that of the main fibers 12; integrally providing a waterproof protective film 15 consisting of LDPE resin on the sheet-like web; and subsequently, heat-press forming into the shape of the fender liner three-dimensionally.例文帳に追加

この基材層１１は、主繊維１２とその主繊維１２よりも低い融点を有するバインダー繊維１３とを交絡させた繊維ウェブからなるシートを製造し、このシート状のウェブの上にＬＤＰＥ樹脂からなる耐水性保護膜１５を一体的に設け、その後、加熱プレス成形することにより立体的にフェンダーライナの形状に成形される。 - 特許庁

The composition for forming the liquid crystal layer includes: a liquid-crystal compound having two or more polymerizable functional groups in one molecule thereof and having refractive-index anisotropy of ≥0.2; a solvent having a cyclic ketone structure; a solvent having a cyclic ether structure; and an antioxidant exhibiting volatility at the temperature lower than the N-I point of the liquid-crystal compound.例文帳に追加

液晶層形成用組成物に、１分子中に２つ以上の重合性官能基を有し、且つ屈折率異方性が０．２以上である液晶化合物と、環状ケトン構造を有する溶媒と、環状エーテル構造を有する溶媒と、前記液晶化合物のＮ−Ｉ点より低い温度で揮発性を示す酸化防止剤と含ませる。 - 特許庁

On a first active region 10a of a semiconductor substrate 10, a first transistor of a first conductivity type is formed which includes a first gate insulating layer 13a containing the high dielectric material and a first metal, a lower conductive film 15a, and a first gate electrode 30a which has a first conductive film 18a and a first silicon film 19a.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

An epitaxial wafer 1 has an epitaxial layer 20 having a phosphorus concentration of a 10^16 atoms/cm^3 order and a film thickness of 0.5-20 μm on a silicon substrate 10 having a phosphorus concentration of a 10^19 atoms/cm^3 order and an oxygen concentration of 1.3×10^18 atoms/cm^3 or lower.例文帳に追加

本発明に係わるエピタキシャルウェーハ１は、リン濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーであり、酸素濃度が１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１０上に、リン濃度が１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーで、膜厚が０．５〜２０μｍのエピタキシャル層２０を有することを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, by not forming the layer 14 under the lower parts of source and drain electrodes 30 and 32, a reduction in a series resistance between the electrodes 30 and 32 becomes possible and moreover, it becomes possible to reduce the effect of a DX center in the high-electric field region at the time of the operation of the FET.例文帳に追加

また、ソース電極３０およびドレイン電極３２の下方に部分結晶成長層１４を形成しないことによって、ソース電極３０とドレイン電極３２の間の直列抵抗を低減することが可能となり、更に、ＦＥＴ動作時の高電界領域におけるＤＸセンタの影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

The composite dielectric element has electrodes provided on both surfaces of a composite dielectric layer including a polymer as a matrix and at least one dielectric, glass transition temperature of the polymer being equal to or lower than a use temperature of the composite dielectric element, and electrical resistance of the composite dielectric element being 10 to 100 MΩ.例文帳に追加

複合誘電体素子は、マトリックスとなる高分子と少なくとも１種の誘電体を含む複合誘電体層の両面に電極を設けてなる複合誘電体素子であって、高分子のガラス転移温度が複合誘電体素子の使用温度以下であり、上記複合誘電体素子の電気抵抗が１０ｋΩ〜１００ＭΩである。 - 特許庁

The metal oxide layer is formed on the surfaces of a cage by contacting the surfaces at the predetermined parts with a first solution essentially composed of water, alkoxy metal salt, lower alcohol and metal oxide minute particles and having a pH of 6 or less and by then contacting them with a second solution containing alkali metal salt and having a pH of 11 to 13.例文帳に追加

所定部位の表面を、水と、アルコキシ金属塩と、低級アルコールと、金属酸化物微粒子と、を必須成分とし、ｐＨが６以下である第一の溶液に接触させた後、アルカリ金属塩を含有し、ｐＨが１１〜１３である第二の溶液に接触させることにより、保持器の表面に金属酸化物層を形成する。 - 特許庁

The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern.例文帳に追加

ラインＬとスペースＳによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。 - 特許庁

In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.例文帳に追加

制御部は、抵抗変化層を、第１抵抗値を有する第１状態から、第１抵抗値よりも低い第２抵抗値を有する第２状態に変化させるセット動作において、第１配線にセット動作電圧を印加する際に、第１配線の電位の変化に基づいて第１配線に供給される電流の上限値を増やす。 - 特許庁

After an electrophoretic gel cassette body (1) having an edge face sealing tape (2) pasted on the lower edge face thereof is filled with a first gel solution (3), ultrasonic vibration (4) is applied to the gel cassette body, without having to install an aqueous solvent stratified layer or a shielding structure so as to horizontally form the interface (5) of the first gel comprising a filled separation gel solution, or the like.例文帳に追加

下端面に端面封止テープ(２)を貼り付けた電気泳動用ゲルカセット本体(１)に第１のゲル溶液(３)を充填後、水系溶媒の重層や遮蔽構造物の設置を行うことなく、超音波による振動(４)をゲルカセット本体に与えることにより、充填した分離ゲル溶液などからなる第１のゲルの界面（５）を水平に形成させる。 - 特許庁

To provide a method for operating a blast furnace, which can prevent the furnace from falling in a bad condition during a low RAR operation, particularly can prevent poor heating for a charged material in the upper part of the furnace, when operating a normal blast furnace, and can stably lower the raw material without causing the fluidization or agitation of a charged layer of the raw material due to the blowing of a gas from a shaft portion.例文帳に追加

普通高炉の操業において、低ＲＡＲ操業時の炉況不調、特に炉上部での装入物の昇温不良を防止することができ、しかも、シャフト部からのガス吹き込みによる原料充填層の流動化や撹拌を生じさせることなく、原料降下の安定性を保つことができる高炉の操業方法を提供する。 - 特許庁

A second insulating film 104, a third insulating film 105 which is the inorganic film having an Si-H coupling and the low dielectric constant, and a fourth insulating film 106 are successively laminated on a laminate 100 having a first insulating film 102 formed on a semiconductor substrate 101 and lower-layer wiring 103 formed on the insulating film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２及び第１絶縁膜１０２上に形成された下層配線１０３を有する積層体１００上に順次第２絶縁膜１０４、Ｓｉ−Ｈ結合を有する無機低誘電率膜である第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６を積層する。 - 特許庁

On the first active region 10a of a semiconductor substrate 10, a first transistor of the first conductive type is formed including: a first gate insulation film 13a containing a high-dielectric material and a first metal; and a first gate electrode 30a having a lower layer conductive film 15a, a first conductive film 18a and a first silicone film 19a.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、高誘電体材料と第１の金属とを含有する第１のゲート絶縁膜１３ａと、下層導電膜１５ａと第１の導電膜１８ａと第１のシリコン膜１９ａとを有する第１のゲート電極３０ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

A composite panel is produced by applying a humidity curable hot melt adhesive compsn. to at least one of a core material and a surface material and subsequently superposing the core material and the surface material one upon another in such a state that the humidity curable hot melt adhesive compsn. layer is heated and activated at 60°C or lower to press both materials at ordinary temp.例文帳に追加

芯材及び表面材の少なくとも一方に湿気硬化型ホットメルト接着剤組成物を塗布し、次いで、湿気硬化型ホットメルト接着剤組成物層を６０℃以下の温度で加熱活性化させた状態で芯材と表面材とを重ね合わせ、常温でプレスして貼り合わせることを特徴とする複合パネルの製造方法。 - 特許庁

The power constituent part is formed in an N-type silicon board defined by a P-type wall surface and has a lower surface including a first P-type region 3 connected to the wall surface, an upper surface including a second P-type region and a conductive layer extending between the second region 4, and a wall surface on a board.例文帳に追加

Ｐ型壁面によって画定されたＮ型シリコン基板中に形成されたパワー構成部品であって、この壁面に接続された第１のＰ型領域を含む下側表面、第２のＰ型領域を含む上側表面、および基板の上で第２の領域と壁面の間に延びる導電層を有するパワー構成部品である。 - 特許庁

In a laminated body 10 where piezoelectric layers 1 and first and second inner electrodes 7a and 7b are laminated, insulators 14 whose dielectric constant is lower than the piezoelectric layer 1 are installed in the insulating regions 13 between an end of the first inner electrode 7a and a side 3b, and between an end of the second inner electrode 7b and a first side 3a.例文帳に追加

圧電体層１と第１および第２の内部電極７ａ、７ｂとが積層され構成された積層体１０において、第１内部電極７ａの端部と第２側面３ｂとの間、第２内部電極７ｂの端部と第１側面３ａとの間の絶縁領域１３に前記圧電体層１よりも比誘電率の低い絶縁部１４を設けた。 - 特許庁

In a counter substrate 20 of the transflective liquid crystal device 100, a color filter 241 for transmissive display which is thin and has a wide chromaticity region is formed on a transmissive display region 100c of the lower layer side of a counter electrode 21, and a color filter 242 for reflective display which is thick and has a narrow chromaticity region is formed on a reflective display region 100b.例文帳に追加

半透過反射型液晶装置１００の対向基板１０では、対向電極２１の下層側のうち、透過表示領域１００ｃには薄くて色度域の広い透過表示用カラーフィルタ２４１を形成し、反射表示領域１００ｂには厚くて色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ２４２を形成する。 - 特許庁

An organic insulation resin-made insulation layer 3 is obtained by coating a solution of an organic insulation resin dissolved in a first solvent of a first boiling point and a second solvent of a second boiling point higher than that of the first solvent, evaporating and tentatively curing the first solvent at a lower temperature than the second boiling point, and curing at a higher temperature than the second boiling point.例文帳に追加

沸点が第１の温度の第１溶剤および沸点が第１の温度よりも高い第２の温度の第２溶剤に有機絶縁樹脂を溶解させた溶液を塗布し、第２の温度より低い温度で第１溶剤を蒸発させて仮硬化させた後、第２の温度より高い温度で硬化させて、有機絶縁樹脂から成る絶縁層３を得る。 - 特許庁

A solidifying material discharged from a lower part discharge port 17 is injected into excavated soil, and the soil is put into a drum 12 and is sufficiently mixed and stirred by a relative stirring action produced by an inner axial stirring blade 15 and an outer axial stirring blade 13 to form a support layer 2 located at the center of the pile 1 for contaminant removal.例文帳に追加

下部吐出口１７から吐出された固化材は、掘削された原地盤に注入されながら土とともにドラム１２内に取り込まれ、内軸撹拌翼１５と外軸撹拌翼１３との相対撹拌作用により十分に混合撹拌され、汚染物質浄化用杭１の中心に位置する支持層２を形成する。 - 特許庁

In the developing roller, polyurethane elastomer forming an elastic layer 1 contains polyol (1), whose weight average molecular weight is 3,000 to 15,000 and polyol (2), whose weight average molecular weight is 200 to 1,000, and also content of the polyol (2) is 14 mass% or higher in the total polyol, and an extraction amount of acetone is 0.5% or lower.例文帳に追加

弾性層１を形成するポリウレタンエラストマーが、重量平均分子量３０００〜１５０００のポリオール（１）と、重量平均分子量２００〜１０００のポリオール（２）とを含有すると共に、上記ポリオール（２）の含有量が全ポリオール中の１４質量％以上であり、かつアセトン抽出量０．５％以下であることを特徴とする現像ローラ - 特許庁

In addition, when forming the dielectric layer 27, the dielectric material is baked at the lower temperature than the its softening point temperature, deformation such as a sharp pointed swelling caused by shrinkage during baking, which becomes a cause for leakage of charged particles between discharge cells 35, is restrained from occurring at the end parts such as corners and sides of the recessed part 27a.例文帳に追加

また、誘電体層２７の形成時には、誘電体材料をその軟化点温度より低い温度で焼成することから、凹部２７ａの角や辺などの端部に、放電セル３５間での荷電粒子の漏れの原因となる、焼成時の収縮による尖り等の盛り上がりのような形状変化が発生することが抑制される。 - 特許庁

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked.例文帳に追加

主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁

Between the calcination heat treatment process B and a final baking heat treatment process D for generating a superconducting layer, an intermediate baking heat treatment process C is performed at a temperature lower than a final baking heat treatment temperature in the final baking heat treatment process D to manufacture a REBa_yCu_3O_z-based oxide superconducting wire including flux pinning points.例文帳に追加

仮焼成熱処理工程Ｂと、超電導層生成のための本焼成熱処理工程Ｄとの間に、本焼成熱処理工程Ｄにおける本焼成熱処理温度より低い温度で中間焼成熱処理工程Ｃを施して、磁束ピンニング点を含むＲＥＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚ系の酸化物超電導線材を製造する。 - 特許庁

A fibrous ground fabric made of a thermoplastic resin is used as the base fabric, a fiber web made of a thermoplastic resin is laminated on the back face of the base fabric, then a foam sheet of a thermoplastic resin is laminated on the fiber web side and the skidproof layer made of polyolefin resin of ≥0.5 friction coefficient is laminated on the lower surface of the laminated body.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる繊維状基布をベース基布として、該ベース基布の裏面に熱可塑性樹脂の繊維ウエブを積層し、次いで、この繊維ウエブ側に熱可塑性樹脂の発泡シートを貼り合わせた積層体の下面に、動摩擦係数が０.５以上のポリオレフィン樹脂からなる防滑層を積層してなるタフテッドカ−ペット用基布、に存する。 - 特許庁

In an electron emitting source, plural strip cathode electrode lines 2 are formed on a lower base 1 of a glass material for instance, a thin film 7 is formed on it, an insulating layer 3 is filmed on it, and plural strip gate power lines 4 are also formed on it so as to cross the cathode electrode lines 2, in order to form a matrix structure.例文帳に追加

電子放出源は、例えばガラス材よりなる下部基板１の表面上に帯状の複数本のカソード電極ライン２が形成され、その上に薄膜７が成膜され、またその上に絶縁層３が成膜され、さらにその上にカソード電極ライン２と交差して帯状に複数本のゲート電力ライン４が形成され、マトリクス構造を構成している。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

A negative electrode plate 12 has amorphous carbon coated as an active material on its negative electrode collector 4 made of copper foil, and a positive electrode plate 11 has an LixMnO2 film 2 with discharge potential lower than LiCoO2 formed between a positive electrode collector 1 made of titanium foil and a positive electrode active material layer 3 with LiCoO2 as an active material.例文帳に追加

負極板１２には銅箔からなる負極集電体４上に無定形炭素が活物質として塗着されており、正極板１１にはチタン箔からなる正極集電体１とＬｉＣｏＯ_２を活物質とする正極活物質層３との間に、ＬｉＣｏＯ_２よりも放電電位が低いＬｉ_ｘＭｎＯ_２膜２が形成されている。 - 特許庁

This thin-film transistor is formed on a glass plate that can stand heat treatment at 700°C or lower, and an electrode connecting with the source and drain areas is in contact with the upper and side surfaces of the source and drain areas and the glass plate, or a blocking layer, and the transistor can be completed with a small number of masks.例文帳に追加

７００度以下の熱処理に耐え得るガラス基板上に形成される薄膜トランジスタの構造において、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とガラス基板又はブロッキング層に接しており、その作製工程においては少ないマスク数で完成させることができる薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The high luminance liquid crystal display device includes: a liquid crystal panel 101; a backlight assembly 102 which is disposed on the lower section of the liquid crystal panel 101 and makes light irradiate the liquid crystal panel 101; and the reflection layer 140 disposed between the liquid crystal panel 101 and the backlight assembly 102 and increases quantity of the light incident on the liquid crystal panel 101.例文帳に追加

高輝度液晶表示装置は、液晶パネル１０１と、液晶パネル１０１の下部に配置され、液晶パネル１０１に光を照射するバックライトアセンブリ１０２と、液晶パネル１０１とバックライトアセンブリ１０２との間に配置され、液晶パネル１０１に入射される光の量を増加させる反射層１４０とを含む。 - 特許庁

At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.例文帳に追加

半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁

Material metal 3 forming a heat exchanger has, on its side contacting with gas, a metallic surface treatment layer 6, which contains as a main component at least one metal 4 of tin and silver having a lower melting point than the material metal 3 and is formed by dispersion-mixing this component with at least one metallic oxide 5 of aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide and zirconium oxide.例文帳に追加

熱交換器を構成する素材金属３の気体接触部分側に、素材金属３より融点が低いスズ、銀の少なくとも１種類の金属４を主成分とし、これに、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウムの少なくとも１種類の金属酸化物５を分散混合させて金属表面処理層６を形成している。 - 特許庁

The optical fiber having withstand voltage of 1MV is composed by polymerizing and bonding the upper surface of the lower acrylic resin plate 1 with the bottom surface of the upper acrylic plate 11 through polymer adhesive 8, where a U-shaped slot 2 is formed in the acrylic resin plate 1 and a polyimide wire optical fiber 5 is fixed to the bottom of the slot 2 with an adhesive layer 6.例文帳に追加

１ＭＶ耐圧光ファイバーは、下部のアクリル樹脂体１にＵ字溝２が形成され、そのＵ字溝２の底部にポリイミド素線光ファイバー５が接着層６によって固定され、下部のアクリル樹脂体１の上部平面は重合接着材８によって上部のアクリル樹脂体１１の下部平面と重合接着されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a method of forming an opening 68 on the photosensitive material 60 by spraying the developer from the lower side of the photosensitive material 60 toward the photosensitive material 60 after exposing the photosensitive material 60 formed on a support base material 62, and forming an electrode for external connection on a conductor layer in the opening 68.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、支持基材６２上に形成した感光材６０を露光した後、感光材６０の下方から感光材６０に向けて現像液を吹き付けることによって感光材６０に開口６８を形成し、開口６８内の導体層上に外部接続用電極を形成する方法である。 - 特許庁

A mixed gas 111 of SiH4 and NH3 is introduced in the low-pressure chamber while the lower part electrode 107 is applied with a high-frequency power so that the mixed gas 111 comes ionized, so a second insulating film 112 of a silicon nitride film is deposited on the insulating film 101 including above the copper silicide layer 110, under the plasma.例文帳に追加

低圧チャンバー内にＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１を導入すると共に下部電極１０７に高周波電力を供給して、ＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層１１０の上を含む絶縁膜１０１の上にシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜１１２を堆積する。 - 特許庁

By forming a bend groove on the planar vacuum insulation material 1, bending it at the groove part and installing it so as to surround an inner container side face in a polygonal column shape, the crack generation of the gas barrier layer of a film constituting the outer bag caused by the bending of a ridge line at the upper end part and lower end part of a polygonal column is reduced.例文帳に追加

平板状の真空断熱材１に折り曲げ溝を作成し、溝部で折り曲げを行い、多角柱形状に内容器側面を取り囲むよう設置することにより、多角柱の上端部と下端部で稜線が折れ曲がることにより生じる外袋を構成するフィルムのガスバリア層の亀裂発生を低減することができる。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is constructed in such a manner that an overflow control gate OFCG and an overflow drain OFD are provided in a transfer register 10, and a gate electrode 12A of the overflow control gate OFCG is formed so as to overlap on an electrodes St1 and 13 in a lower layer in the register 10 side and the overflow drain OFD side, respectively.例文帳に追加

転送レジスタ１０にオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧ及びオーバーフロードレインＯＦＤが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧのゲート電極１２Ａが転送レジスタ１０側及びオーバーフロードレインＯＦＤ側においてそれぞれ下層の電極Ｓｔ１，１３上に重ねて形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

In a fuel battery cell including an MEA 10, a gas diffusion sheet 12 and a separator 20, carbon is added as a sacrificial agent within a power generation surface of the gas diffusion sheet 12 so that the carbon is substantially perpendicular to the extending direction of a recessed part 22a functioning as a hydrogen-containing gas passage of the separator 20, the carbon having crystallinity lower than that of carbon in a catalyst layer.例文帳に追加

ＭＥＡ１０と、ガス拡散シート１２と、セパレータ２０とを備える燃料電池セルにおいて、ガス拡散シート１２の発電面内に、セパレータ２０の水素含有ガス流路として機能する凹部２２ａの延在方向に略垂直となるように、触媒層カーボンよりも低結晶化度のカーボンを犠牲剤として添加する。 - 特許庁

When light from the backlight 32 is emitted to the lower surfaces of the black masks 23 used in common as reflection layers, reflected light thereof is transmitted through a counter substrate 22, a rear surface side polarizing plate 27 and a light guide plate 33 and reflected by a reflection layer 34, at least a portion of the reflected light contributes to display and light utilization efficiency can be improved.例文帳に追加

そして、バックライト３２からの光が反射層を兼ねたブラックマスク２３の下面に照射されると、その反射光が対向基板２２、裏面側偏光板２７および導光板３３を透過して反射層３４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。 - 特許庁

The absorbent body 13 has a plurality of compression points 16 formed by compressing the upper and lower layer absorbent bodies 13b, 13a in a thickness direction, and when the absorbent body 13 is viewed in plan view, a plurality of longitudinal compression point arrays 17 consisting of the regularly arranged compression points 16 are formed over a width direction so as to extend in a longitudinal direction.例文帳に追加

吸収体１３は、上層吸収体１３ｂと下層吸収体１３ａが厚み方向に圧縮されてなる圧縮点１６を複数有し、吸収体１３を平面視したときに、規則的に配列された圧縮点１６からなる縦長の圧縮点列１７が長手方向に延びるように、幅方向にわたり複数列形成されている。 - 特許庁

When the coating solution 30 is poured into a hydrogen manifold included in the fuel cell stack and into a gas passage 22, pressure difference (PLin-PO) between the pouring pressure PLin and the exhausting pressure PO of the coating solution 30 is limited to lower than capillary pressure (ΔPsuf, max) generating when the coating solution 30 penetrates into the pores of the gas diffusion layer 14.例文帳に追加

燃料電池スタックが備える水素マニホールド内、および、ガス流路２２内にコーティング溶液３０を注入する際に、コーティング溶液３０の注入圧力ＰＬｉｎと排出圧力Ｐ０との圧力差（ＰＬｉｎ−Ｐ０）を、ガス拡散層１４が有する細孔にコーティング溶液３０が浸入する毛管圧（ΔＰｓｕｆ，ｍａｘ）未満に制限する。 - 特許庁

To provide a silicon light emitting device and method of manufacturing the same in which the silicon carbon nitride film is formed on at least either the upper or lower side of the silicon light emitting layer to improve the emitting efficiency in the region of the near infrared ray, visible light and ultraviolet.例文帳に追加

シリコン発光層の上部と下部のうち少なくとも一つに、広いエネルギー領域でバンドギャップを有し、ドーピングが可能であるうえ、非晶質薄膜上に成長できるシリコンカーボンナイトライド膜を形成することにより、近赤外線、可視光及び紫外線領域で発光効率を向上させることが可能なシリコン発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating film 3 has coating layers 2 made by adding inorganic insulating powder to a thermosetting resin, on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に、熱硬化性樹脂に無機絶縁粉末を含有して成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、被覆層２は液晶ポリマー層１側に位置する表面に、無機絶縁粉末が表面から部分的に突出することによって形成され、液晶ポリマー層１に嵌入している突出部を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The reflection surface of the pixel electrode 200 formed by the manufacturing method of the liquid crystal display element is a flat surface on which no recess R exists since a pixel electrode via hole Ca is filled up with an embedded member 210 and a surface of a lower alignment layer 208 formed on the pixel electrode 200 is similarly a flat surface.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示素子の製造方法により形成された画素電極２００の反射面は、画素電極ビアホールＣａが埋込部材２１０で充填されているためリセスＲの存在しない平坦な面となり、この画素電極２００上に形成される下部配向膜２０８の表面も同様に平坦な面となる。 - 特許庁

In one embodiment, granular or massive solid materials having the high alkalinity are buried at the lower position of the roots so as to form a layer to put the roots of the planted plant under the influence of the alkalinity caused by the material and to reduce the amount of the growth of the roots and to regulate the amount of the growth of the whole plant.例文帳に追加

かくして、一態様においては、透水性を保持し、かつ高アルカリ性を保有する粒状ないし塊状固形資材を層状に根の下位に埋設し、長期にわたり植栽植物の根を、該資材からのアルカリの影響下に置いてその根の生長量を抑制することにより、植物全体の生長量を調整する。 - 特許庁

Manufacturing method comprises plating a nickel alloy on the base metal consisting of copper and a copper alloy, and by heating the base metal on which the nickel alloy plated layer is formed, to a temperature higher than the melting point of the plated nickel alloy and lower than the melting point of the base metal, in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.例文帳に追加

また、銅または銅合金からなる母材１にニッケル合金めっきを施し、前記ニッケル合金めっき層が形成された母材を無酸化雰囲気または還元雰囲気で前記ニッケル合金めっきの融点以上かつ前記母材の融点以下に加熱し、前記母材の表面に前記母材金属とニッケルとを主成分とする合金層２を形成する。 - 特許庁