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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

This delivery slip has slip paper so divided as to be separable into slips each having a delivery information entry part on the surface at least and other paper pieces, thermoplastic resin layers 6 formed peelably on the rear sides of the slips at least and having transparency and an adhesive layer 7 provided on the lower side of the thermoplastic resin layers 6, and also it is covered with a release liner 8.例文帳に追加

少なくとも表面に配送情報記入部を有する伝票と他の紙片とに分離可能に区画された伝票用紙と、少なくとも前記伝票の裏面に剥離可能に形成された透明性を有する熱可塑性樹脂層と、前記熱可塑性樹脂層の下面に粘着剤層が設けられると共に剥離紙で被覆されてなることを特徴とする。 - 特許庁

Besides, on an identifying device 2 which discriminates the objects, the feature vector is compressed using the principal component in each accumulated node of the tree structure for the feature of the target object input from an input means 21 by a compression means 22, then a determination means 24 determines which node of a lower layer the feature belongs to, and it is out put by an output means 25.例文帳に追加

一方、オブジェクトを識別する識別装置2において、入力手段21から入力された識別対象の特徴に対し、圧縮手段21により、前記蓄積されている木構造の各ノードにおいて主成分を用いて特徴ベクトルを圧縮し、判別手段24により、下層のどのノードに属するかを判別して、出力手段25から出力する。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2O-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

Regarding the method for producing a metal-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an organic ruthenium complex is subjected to a chemical vapor deposition process, so as to produce a ruthenium-containing thin film, and then, an organic metal complex is formed on the ruthenium-containing thin film by a CVD process, so as to deposit a metal-containing thin film.例文帳に追加

本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をCVD法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。 - 特許庁

例文

A semiconductor device provided, on the electrode 4 thereof, with members 3 and 9 for connecting the semiconductor device 5 with a mounting board 6 comprises a composite connecting member 9 comprising a core 1 and a conductor 2 covering the core where the elastic constant of the core is lower than that of the conductor under normal temperature, and a single layer connecting member 3 comprising a conductor.例文帳に追加

半導体装置5と実装基板6とを接続する接続部材3,9を電極4上に備えた半導体装置であって、核1と、その核を覆う導電体2とから構成され、その核の常温における弾性定数が導電体の常温における弾性定数より小さい複合接続部材9と、導電体から構成される単層接続部材3とを備える。 - 特許庁


例文

The insulating-layer-attached metal substrate 10 has a structure in which an Al anodized film 14 having a porous structure is formed on the surface of an Al material 13 which is integrated via a Ti material 12 on at least one surface of a steel base material 11 having a lower thermal expansion coefficient, a higher rigidity and a higher heat resistance than Al to form a metal substrate 15.例文帳に追加

絶縁層付金属基板10を、Alよりも、熱膨張係数が小さく、かつ剛性が高く、かつ耐熱性が高い鋼基材11の少なくとも一方の面に、Ti材12を介してAl材13が一体化されたものを金属基板15とし、そのAl材13の表面にポーラス構造を有するAlの陽極酸化膜14が形成されてなる構成とする。 - 特許庁

To form a resist laminate having a sufficient antireflection effect, particularly in a photolithography process using rays in a vacuum ultraviolet region, and sufficient developing characteristics in a developing process of the photolithography, by forming an antireflective film for a resist on the photoresist layer, the antireflective film comprising a fluorine-containing polymer having a lower refractive index and excellent in solubility in a developing solution.例文帳に追加

より低屈折率で、かつ現像液溶解性に優れた含フッ素重合体からなるレジスト用反射防止膜をフォトレジスト層上に設けることで、特に真空紫外領域の光線を利用するフォトリソグラフィープロセスにおいて充分な反射防止効果を有し、かつその中の現像プロセスにおいても充分な現像特性を有するレジスト積層体を形成する。 - 特許庁

In the field effect transistor having at least a gate insulation film, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor layer, the source electrode and/or drain electrode are disposed at a recess of the gate insulation film, and the height of the source electrode and/or drain electrode to the surface of the gate insulation film is not lower than 10 nm.例文帳に追加

少なくともゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び/又はドレイン電極がゲート絶縁膜の凹部に配置された構造を有し、ゲート絶縁膜表面に対するソース電極及び/又はドレイン電極の高さが10nm以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The easily surface-shapable sheet laminate in a laminate formed by laminating at least two of annular polyolefin resins, includes a surface layer, on one surface of the base material formed of one annular polyolefin resin having a higher glass transition temperature, formed of another annular polyolefin resin having a glass transition temperature lower than that of the one annular polyolefin resin by 30°C or more.例文帳に追加

少なくとも二種類の環状ポリオレフィン樹脂が積層された積層体において、ガラス転移温度が高い方の一の環状ポリオレフィン樹脂から形成される基材層の少なくとも片側表面に、当該一の環状ポリオレフィン樹脂よりもガラス転移温度が30℃以上低い他の環状ポリオレフィン樹脂から形成される表面層を備えた易表面賦形性シート積層体。 - 特許庁

例文

The contact lens has mechanical properties and/or a geometric shape such that when the lens is fitted to the eye the pressure applied to the eye via the lens varies in a radial direction between at least one zone of higher pressure and at least one zone of lower pressure so that wearing the lens over time causes a dimensional change to the surface layer of the cornea.例文帳に追加

コンタクトレンズが、眼へと装着されたときに、当該レンズを介して眼へと加えられる圧力が、圧力の高い少なくとも1つの領域と圧力の低い少なくとも1つの領域との間で半径方向において変わるような機械的特性および/または幾何形状を有しており、当該レンズの長期にわたる装用が、角膜の表面層に寸法的変化を生じさせる。 - 特許庁

例文

The first memory cell array contains a lower electrode 38 formed in a striped shape, an upper electrode 36 formed in the striped shape in the direction crossed with the electrode 38, the ferroelectric capacitors 34 arranged at least at the crossed section of the electrode 38 and the electrode 36, and a buried insulating layer 32 formed between the mutual capacitors 34.例文帳に追加

第1メモリセルアレイは、ストライプ状に形成された下部電極38と、下部電極38と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極36と、下部電極38と、上部電極36との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ34と、強誘電体キャパシタ34の相互間に形成された埋め込み絶縁層32とを含む。 - 特許庁

A substrate on the surface of which a Co film is formed as a seed layer is prepared, and when a Cu film is deposited on the Co film of the substrate by electrolytic plating using a plating solution mainly composed of a copper sulfate solution, before immersing the substrate surface into the plating solution, a negative voltage is applied to the substrate so that the surface potential of Co becomes lower than the oxidation potential of Co.例文帳に追加

表面にシード層としてCo膜が形成された基板を準備し、Co膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のCo膜上にCu膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Coの表面電位がCoの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 - 特許庁

The roll-shaped recording medium includes the recording medium portion having a core, a support and the porous ink receiving layer on at least one surface of the support and the sheet-like substance connected to the winding start part of the recording medium portion where the reflectance of the sheet-like substance is 70% or lower or 130% or higher assuming the reflectance of the recording medium portion as 100%.例文帳に追加

また、巻き芯と支持体および前記支持体の少なくとも片面に多孔質インク受容層を有する記録媒体部分と前記記録媒体部分の巻き始め部に連結したシート状物質とを含み、前記記録媒体部分の反射率を100%とした場合に、前記シート状物質の反射率が70%以下または130%以上であるロール状記録媒体。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a semiconductor chip having an electrode 15 on a surface on a main surface of a wafer 11; a step of forming a lower layer ground metal film 20B on the surface; a step of forming a resist pattern 50 having an aperture on the electrode 15; and a step of removing the resist pattern 50 after forming a conductive post 22 in the aperture part.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に電極15を有する半導体チップをウェハ11の主面に形成する工程と、表面に下層下地金属膜20Bを形成する工程と、電極15上に開口部を有するレジストパターン50を形成する工程と、開口部に導電性ポスト22を形成した後にレジストパターン50を除去する工程とを備える。 - 特許庁

The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜202上の結晶性半導体膜からなる活性層207を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁

The external electrode type fluorescent lamp has such a structure that the metallic external electrode is held on both end parts of the fluorescent lamp by forming a welded layer of solder alloy having melting point of 200°C or lower, having glass adhesion property, on the metallic external electrode constituted by fitting a metallic short tube or winding metallic thin plate outside thereof.例文帳に追加

本発明に関わる外部電極型蛍光ランプは、蛍光ランプの両端部のそれぞれにおいて、その外側に金属製短管をはめ込むか又は金属製薄板を巻き付けることにより構成される金属製外部電極の上に更にガラス接着性のある融点200℃以下のハンダ合金の融着層を設けて前記金属製外部電極を保持した構造を有するものである。 - 特許庁

To obtain a container for liquid cosmetic products with a lower cost which accurately prevents not only the leakage of the liquid cosmetic products using the container body having a mouth member at the upper part thereof integrated therewith but also the corrosion caused by the liquid cosmetic product housed in the container body with a polyester based resin layer on the internal surface thereof.例文帳に追加

本発明は上部の口部材を一体形成した収納容器本体を用いて液体化粧料の漏れを確実に防止するとともに、内面のポリエステル系樹脂層によって、収納容器本体内に収納された液体化粧料によって腐食が発生するのも確実に防止することができる、低コストの液体化粧料の収納容器を得るにある。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate.例文帳に追加

層40の堆積は、(i)第1流量において、第1反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、(ii)真空チャンバ内への第1反応物質の流入を、第2流量に低下させる段階、および(iii)第1反応物質の真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。 - 特許庁

To provide a high-reliability electronic device allowing a minute wiring and connection part to be correctly and easily provided without causing defect due to a connection state between a conductive region of a lower layer and the wiring/connection part which becomes a problem when forming the wiring/connection part by filling a void part formed on an interlayer insulation film with a conductive material.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。 - 特許庁

In the method of forming an image which uses at least a photoreceptor and a toner, the electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing oxytitanium phthalocyanine, having the maximum diffraction peak at the Bragg angle (2θ±0.2) 27.3° in X-ray diffraction by CuKα line, and the toner has 3 to 8 μm volume average particle size and 20 mm or lower fluidity index.例文帳に追加

少なくとも感光体及びトナーを用いる画像形成方法において、該電子写真感光体が、CuKα線によるX線回折においてブラッグ角(2θ±0.2)27.3゜に最大回折ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンを含有する感光層を有し、該トナーが体積平均粒径が3〜8μmであり且つ流動性指数が20mm以下であることを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.例文帳に追加

上層配線2および下層配線3を有するベース板1の上面にはCSPと呼ばれる半導体構成体4が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層16が設けられ、それらの上には第1、第2の上層再配線20、24が設けられ、第2の上層再配線24の接続パッド部上には半田ボール27が設けられている。 - 特許庁

In this furnace operating method for recovering molten metal by blowing the raw material containing halogen into the dry smelting furnace having at least a plurality of two-staged upper and lower tuyeres for blowing high-temperature air into a filling layer of carbon solid reducing agent, soda ash slag and/or soda ash itself generated in another smelting step is charged from the furnace top of the dry smelting furnace.例文帳に追加

炭素系固体還元剤の充填層に高温空気を吹き込む上下少なくとも2段に設けられた複数の羽口を有する乾式製錬炉に、ハロゲン元素を含む原料を吹き込み、溶融金属を回収する乾式製錬炉の操業方法において、前記乾式製錬炉の炉頂から、他の精錬工程で発生したソーダ灰系スラグ及び/又はソーダ灰自体を装入する。 - 特許庁

The electronic paper display element comprises: a partition wall structure including a number of cavities sectioned so as to allow rotation balls to individually enter; an electrode structure including an upper electrode and a lower electrode above and below the partition wall structure, respectively and applying voltage to the rotation balls; and a black coat layer provided for a partition wall surface of the partition wall structure.例文帳に追加

本発明の電子ペーパー表示素子は、回転ボールが個別的に挿入可能に区画された多数のキャビティを有する隔壁構造体;前記隔壁構造体の上部と下部に夫々上部電極と下部電極が備えられ、前記回転ボールに電圧を加える電極構造体;及び前記隔壁構造体の隔壁表面に形成されたブラックコーティング層;を含む。 - 特許庁

A heat treatment step A before sintering of heat treatment the crude laminate in the atmosphere, in which oxygen partial pressure is controlled so as to suitably oxidize the nickel included in the internal conductor film at a temperature D lower than the temperature for starting the sintering of a ceramic green layer and the conductor film in a sintering step B is performed between the binder removing step and the sintering step B.例文帳に追加

脱バインダ工程と焼成工程Bとの間に、焼成工程Bにおいてセラミックグリーン層および内部導体膜が焼結を開始する温度より低い温度D下において、内部導体膜に含まれるニッケルを適度に酸化させるように酸素分圧がコントロールされた雰囲気中で生の積層体を熱処理する、焼結前熱処理工程Aを実施する。 - 特許庁

In manufacturing an aluminum nitride sintered compact in which the content of a sintering aid is reduced by firing an aluminum nitride platy sintered compact containing the sintering aid in a carbon reducing atmosphere, sintering is done in a state where the upper and lower sides of the aluminum nitride platy sintered compact are laminated with platy bodies at least whose surface layer is composed of a boron nitride densified body.例文帳に追加

焼結助剤を含有する窒化アルミニウム板状焼結体をカーボン還元性雰囲気下で焼成することによって焼結助剤が低減された窒化アルミニウム焼結体を製造するに際し、少なくとも表層が窒化ホウ素緻密体により構成された板状体を該窒化アルミニウム板状焼結体の上下に積層した状態で焼結を行う。 - 特許庁

In the heat developable image recording material with an image forming layer containing at least one non-photosensitive organic silver salt, a reducing agent for silver ions and a binder on the base, the binder is formed from a dispersion of fine polymer particles having a core/shell structure and the gelling rate of the shell part of the core/shell structure is lower than that of the core part.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも1種類の非感光性有機銀塩、銀イオンの還元剤及びバインダーを含有する画像形成層を有する熱現像画像記録材料において、該バインダーがコア/シェル構造を有するポリマー微粒子の分散物で形成され、該コア/シェル構造のシェル部のゲル化率がコア部のゲル化率より低いことを特徴とする熱現像画像記録材料。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜16における第1の上層絶縁性水素バリア膜15aと第2の上層絶縁性水素バリア膜15bとの間を貫通して延びると共に、第1及び第2の上層絶縁性水素バリア膜15a及び15bと接触しないように形成されており、下端が半導体基板1の上面と接続する第3のコンタクトプラグ17とを備える。 - 特許庁

Burnt silver containing a glass component and adhering rigidly to a ceramic insulating substrate 11 is applied as a first back electrode 14 directly to the backside of the insulating substrate 11, and a second back electrode 15 composed of resin silver having a lower Young's modulus as compared with burnt silver and exhibiting thermal stress relaxation effect is stacked on the first back electrode 14 thus forming a two layer structure.例文帳に追加

ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板11に強固に密着する焼成銀を第1裏面電極14として絶縁基板11の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第2裏面電極15を第1裏面電極14に積層して裏面電極を2層構造にする。 - 特許庁

The electron emission material layer 103 includes a rare earth element, and the cesium compound 104 has a melting point of 1,000°C or lower.例文帳に追加

発光管101と、発光管101の内部に設けられた電極102と、電極102の表面に設けられた電子放射性物質層103と、電極102の表面に直接的または間接的に設けられたセシウム化合物104とを備える冷陰極放電ランプ100であって、電子放射性物質層103は、希土類元素を含み、セシウム化合物104は、融点が1000[℃]以下である。 - 特許庁

The form comprises a plate-like portion having a protrusion and recess pattern at least on one side surface and a composite molded product of a sandwiching structure having a porous core layer made of light weight charging particles and curable resin between upper and lower dense skin layers made of fiber reinforced resin as a material for molding the form.例文帳に追加

少なくとも片表面に凹凸模様を有し、且つ上下の繊維強化樹脂からなる緻密なスキン層の間に軽量充填粒子と硬化樹脂とからなる多孔質コア層を有するサンドイッチ構造体の複合成形品で構成されている、板状部を有する型枠であって、該型枠は、セメント系ボードを製造する型枠および該型枠を成形するための型枠として有用な物である。 - 特許庁

In the film carrier tape with the capacitor circuit; the system includes a wiring pattern on the surface of the resin film having a plurality of sprocket holes at both ends, the resin film includes a solder ball round hole, and the capacitor circuit includes a structure where a dielectric layer is positioned between an upper electrode and a lower electrode on the wiring pattern.例文帳に追加

上記課題を達成するため、両端部に複数のスプロケットホールを備える樹脂フィルムの表面に配線パターンを備えるフィルムキャリアテープにおいて、前記樹脂フィルムは、半田ボールランド孔を備え、配線パターンに上部電極と下部電極との間に誘電層が位置する構造のキャパシタ回路を備えることを特徴としたキャパシタ回路付フィルムキャリアテープを採用する。 - 特許庁

In the photodetection apparatus having a TFT for reading charge converted by a conversion element for converting at least one of incident light or radiation to the charge on an insulation board, the insulation layer for preventing leakage among wires should be formed in a region other than the gate electrode of the TFT and the lower electrode of a photoelectric conversion element on the insulation board.例文帳に追加

絶縁基板に、入射した光又は放射線のうち少なくとも一方を電荷に変換する変換素子で変換された電荷を読み出すためのTFTを有する検出装置において、絶縁基板上に、TFTのゲート電極および光電変換素子の下電極を除いた領域に配線間リークを防止するための絶縁層が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁

The liquid crystal display device is obtained by disposing the optical film in the upper and/or lower side of a liquid crystal cell which is produce by disposing a nematic liquid crystal layer having positive dielectric anisotropy and 60 to 120° or 180 to 270° twist angle between two glass substrates having electrodes at least one of the glass substrates being transparent.例文帳に追加

また、電極を有する2枚のガラス基板の少なくとも一方が透明であり、この2枚のガラス基板の間に正の誘電率異方性を有し、ツイスト角が60度〜120度、又は180度〜270度であるネマチック液晶層を配置した液晶セルにおいて、液晶セルの上側及び/又は下側に上記の光学フィルムを配置してなる液晶表示装置も提供される。 - 特許庁

In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.例文帳に追加

段差部11aを有する下層膜11上に形成されたポリシリコン膜12をエッチングしてポリシリコン膜12に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜12の段差部領域12aのみを選択的にエッチングし、段差部領域12aがエッチングされたポリシリコン膜12を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

The display system includes upper and lower substrates, a plurality of mutually intersecting scanning and signal electrodes, a first data writer for writing first data on a display medium sandwiched between the scanning and signal electrodes and having a reflective liquid-crystal layer with the property of memory, and a data reader for reading the first data retained in the display medium.例文帳に追加

表示システムは、上側及び下側基板と、互いに交差する複数の走査及び信号電極と、前記走査及び信号電極間に挟持されてメモリ性を有する反射型の液晶層とを有する表示媒体に第一のデータを書き込む第一データ書き込み装置と、前記表示媒体に保持された第一のデータを読み取るデータ読み取り装置と、を有する。 - 特許庁

An appropriate lubrication amount is supplied to the image carrier for a long period of time even when the displacement amount of a pressurization member for pressurizing the lubricant becomes less, and replacement life of the lubricant is prolonged without increasing storage volume by using the lubricant in which first lubricant and second lubricant with hardness lower than that of the first lubricant are loaded like a layer.例文帳に追加

第1の潤滑剤と、第1の潤滑剤より硬度が低い第2の潤滑剤を層状に積載された潤滑剤を用いることにより、潤滑剤を押圧する押圧部材の変位量が少なくなっても像担持体に適切な潤滑量を長期間供給することができ、収納体積を大きくすることなく潤滑剤の交換ライフを伸ばすことができる。 - 特許庁

To provide an additive for nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, which can keep a sufficient electrical conductivity by adding it to the nonaqueous electrolytic solution thereof and give a flame resistance and a self-distingushing property to the nonaqueous electrolyte, and further make the interface resistance of the nonaqueous electrolytic solution to be lower and realize superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタの非水電解液に添加することにより、十分な電気伝導性を維持させつつ、非水電解液に難燃性ないし自己消化性を付与することが可能で、さらに前記非水電解液の小界面抵抗化が可能で、優れた低温特性を付与し得る非水電解液電気二重層キャパシタ用添加剤を提供すること。 - 特許庁

Even if the thickness of a cap film 108 is made thin or disappears by forming gaps 110, since the thickness of the cap film can be secured by selectively growing a cap film 111 on lower layer wiring 107 after forming the gaps 110, capacity between wires can be sufficiently reduced and the yield and reliability can be maintained high.例文帳に追加

ギャップ110の形成によりキャップ膜108厚が薄くなったまたは消失したとしても、ギャップ110を形成した後に、下層配線107上にキャップ膜111を選択的に成長させることにより、キャップ膜の厚さを確保することができるため、配線間の容量を十分に低減でき、かつ、歩留りや信頼性を高く維持することができる。 - 特許庁

In the temperature fuse, an adhesive layer 16 arranged between a first insulation film 13 and a second insulation film 15, between first and second metal terminals 11, 12 and the second insulation film 15, is constituted of a resin of which the softening point is lower than that of a resin constituting the first insulation film 13 and the second insulation film 15.例文帳に追加

本発明の温度ヒューズは、第1の絶縁フィルム13と第2の絶縁フィルム15との間、および第1の金属端子11、第2の金属端子12と前記第2の絶縁フィルム15との間に設けられた接着層16を前記第1の絶縁フィルム13と第2の絶縁フィルム15を構成する樹脂よりも軟化点が低い樹脂で構成したものである。 - 特許庁

The photo-curing sheet comprises a thermoplastic resin (a-1) having a photopolymerization functional group on the side-chain, the layer of the photo-curing resin composition (A) including a photopolymerization initiator (a-2) and a substrate sheet (B) which is a thermoplastic acrylic resin sheet including a crosslinking rubber component.The thermal deformation temperature of the photo-curing sheet is 100°C or lower.例文帳に追加

側鎖に光重合性官能基を有する熱可塑性樹脂(a−1)、光重合開始剤(a−2)を含む光硬化性樹脂組成物(A)の層と、基材シート(B)からなる光硬化性シートであって、基材シート(B)が架橋ゴム成分を含む熱可塑性アクリル樹脂シートであり、熱変形温度が100℃以下であることを特徴とする光硬化性シートおよびそのシートを用いた成形品。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に0.04Mの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極(図示せず)を負極、n形シリコン基板1とオーミック電極2とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層4を電気化学的に酸化する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal layer 8 containing liquid crystal molecules with negative dielectric constant anisotropy between an upper substrate 1 and a lower substrate 2 which have display electrodes 3a and 3b and alignment films 5a and 5b respectively and are arranged opposite each other and is equipped with a 1st protrusion 4a and a 2nd protrusion 4b on the display electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

それぞれ表示電極3a・3bと配向膜5a・5bとを備え、対向して配置された上基板1と下基板2との間に、誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層8を備えた液晶表示装置は、上記表示電極3a・3b上に液晶分子の配向方向を制御する第1突条部4a及び第2突条部4bを備えている。 - 特許庁

In an image forming apparatus where a laser beam is generated by a pulse current being generated depending on an image signal and a semiconductor layer being supplied with a bias current and exposure scanning of a rotating photosensitive drum is carried out with that laser beam, the bias current is stopped (LD current) or reduced at a predetermined timing (/Bias) when the photosensitive drum is rotated at a speed lower than a normal speed.例文帳に追加

画像信号に応じて発生するパルス電流と、バイアス電流が供給される半導体レーザにより、レーザビームを発生し、このレーザビームにより回転する感光ドラムを露光走査する画像形成装置において、前記感光ドラムを通常時より低速回転させる場合に、所定のタイミング(/Bias)で前記バイアス電流を停止(LD電流)または減少させる。 - 特許庁

When the nitride compound semiconductor is epitaxially formed on a dissimilar substrate without using a low temperature buffer layer, the growth velocity of the nitride compound semiconductor is made 2.5 nm/sec or more, preferably, 3.0 nm/sec or more in a range at least within 100 nm from the surface of the substrate 1, and the growth velocity in the remaining part exceeding the range is made lower.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を異種基板上に低温バッファ層を用いずにエピタキシャル成長する際、基板1表面から少なくとも100nm以内の範囲において、窒化物系化合物半導体の成長速度を2.5nm/sec以上、好ましくは3.0nm/sec以上とし、この範囲を過ぎた以降の残り部分における成長速度をより低速にする。 - 特許庁

A color filter 16 is formed in each pixel region, a light shielding film 17 which is substantially as thick as the color filter 16 is formed between a peripheral part in the pixel region and a pixel region adjacent to the pixel region, and the reflecting film 4 is formed at a lower layer of the color filter 16 and on the light shielding film 17 which are formed in the pixel region.例文帳に追加

そして、各画素領域内にカラーフィルター16を形成し、且つ該画素領域内の周辺部及び該画素領域に隣接する画素領域間に、該カラーフィルター16と膜厚が実質的に同一の遮光膜17を形成し、前記反射膜4を画素領域内に形成したカラーフィルター16の下層及び前記遮光膜17の上層に形成した。 - 特許庁

When it is determined that the size of a display region for displaying drawing data to be drawn in a second window to be displayed on a lower layer of a first window is equal to or smaller than a predetermined size in an overlap region of the windows, control is performed so that the drawing data is not drawn in the overlap region, or the drawing data is drawn with lowered transmittance of the first window.例文帳に追加

第1のウィンドウの下位レイヤに表示される第2のウィンドウに描画される描画データを表示する表示領域の大きさが、ウィンドウの重複領域において所定の大きさ以下であると判断した場合、重複領域において描画データが描画されないように制御し、又は、第1のウィンドウの透過度を低くして描画データを描画させる。 - 特許庁

例文

Also, in the circuit substrate for printed wiring boards that has a conductor circuit on one surface of the insulation base of the copper foil, while a via hole is formed for a through-hole which reaches the conductor circuit from the other surface of the insulation base, a low-melting point metal layer with a melting point lower than zinc is formed between one surface of the insulation base and the conductor circuit.例文帳に追加

また、銅箔の絶縁性基材の一方の面に導体回路を有し、この絶縁性基材の他方の面から導体回路に達する貫通穴に対してビアホールが形成されたプリント配線板用回路基板において、亜鉛よりも低い融点を有する低融点金属層が、絶縁性基材の一方の面と導体回路との間に形成されている。 - 特許庁




  
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