「memory reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A difference between a coordinate at a prescribed position of the machined workpiece and a reference coordinate or a difference between a coordinate of a prescribed position of the machine tool and the reference coordinate are measured by a touch probe by timing determined in advance, and the measured values are successively stored in a memory.例文帳に追加

加工されたワークの所定位置の座標と基準座標との差、または工作機械の所定位置の座標と基準座標との差を、あらかじめ決められたタイミングでタッチプローブにより測定し、この測定値を順次メモリに記憶する。 - 特許庁

A memory reference set after U-hold development is generated to a loop development number U to be defined as a candidate, whether or not a reference set undergoing cache competition exists in the set is decided (S609), and when it competes, the U is not selected as a development number.例文帳に追加

候補とするループ展開数Ｕに対して、Ｕ倍展開後のメモリ参照集合を生成し、集合内にキャッシュ競合する参照の組があるか否かを判定し（Ｓ６０９）、競合する場合にはＵを展開数として選択しない。 - 特許庁

After acquiring this reflected light quantity change rate α in advance in delivery from a factory, a parameter R_α=α/α_REF indicating how many times of a reference reflected light quantity change rate α_RFE the change rate corresponds in reference paper stored in a predetermined memory is calculated (S1005).例文帳に追加

この反射光量変化率αが予め工場出荷時に取得後、所定のメモリに格納された基準紙における基準反射光量変化率α_REFの何倍に相当するかを示すパラメータR_α＝α／α_REFを算出する（Ｓ１００５）。 - 特許庁

A reference potential (VPP-VTM) is produced from the boosted voltage VPP by using an NMOS 36 having the same threshold voltage VTM as that of the transistor of the memory cell, and the reference potential and a power source potential VCC are compared by a differential amplifier section 30A.例文帳に追加

メモリセルのトランジスタと同じ閾値電圧ＶＴＭを有するＮＭＯＳ３６を用いて昇圧電圧ＶＰＰから参照電位（ＶＰＰ−ＶＴＭ）を生成し、差動増幅部３０Ａによって参照電位と電源電位ＶＣＣを比較する。 - 特許庁

To reduce a load on a memory, caused by the expansion of image data and reference data, in a printer which performs data conversion processing by using the image data and the reference data such as a color conversion table, transmitted from a terminal.例文帳に追加

端末から送信された画像データおよび色変換テーブル等の参照データを用いてデータ変換処理を行なう印刷装置において、画像データや参照データの展開によって生じるメモリへの負荷を軽減することを目的とする。 - 特許庁

As described above, frame configuration and selection of a referred reference frame to be stored in the reference memory are executed so that all the frames should not be decoded in double speed/random reproduction when video images are coded, and only the frame required for double speed/random reproduction is decoded.例文帳に追加

このように、映像の符号化時に、倍速／ランダム再生時に全てのフレームをデコードしなくてもよいように、フレーム構成と、参照メモリに格納する被参照フレームの選択を行い、倍速／ランダム再生時に必要なフレームのみ復号する。 - 特許庁

A data read-out current Is flows in a current path passing through a selection memory cell formed through a data bus DB, a column selection gate CSG, a bit line BL and a reference voltage wiring SL installed between a data read- out circuit 52a and a read-out reference voltage Vss terminal.例文帳に追加

データ読出電流Ｉｓは、データ読出回路５２ａから読出基準電圧Ｖｓｓの間に、データバスＤＢ、コラム選択ゲートＣＳＧ、ビット線ＢＬ、基準電圧配線ＳＬを介して形成される、選択メモリセルを通過する電流経路を流れる。 - 特許庁

In the reference fail bit verification circuit and the nonvolatile semiconductor memory device including this circuit, the reference fail numbers in a first mode in which erasing voltage is increased stepwise and in a second mode in which erasing voltage is kept constant can be set so as to be different.例文帳に追加

基準フェイルビット確認回路及びこれを含む不揮発性半導体メモリ装置では、消去電圧が段階的に増加する第１モード及び消去電圧が一定に維持される第２モードでの基準フェイル数を異ならせて設定しうる。 - 特許庁

A smart electronic control unit (ECU) 20 on the side of a vehicle 3 collates the specific code output from the sub-key 12 with a reference specific code which is stored in a memory 201.例文帳に追加

車両３側のスマートＥＣＵ２０は、サブキー１２から出力された特定コードと、メモリ２０１に記憶されている基準特定コードとの照合を行う。 - 特許庁

In order to perform dust detection of a white board first, image data of the white reference board are read (S11), dust detection processing is operated (S12), and the result thereof is stored in a memory (S13).例文帳に追加

まず白板のごみ検知を行うために白色基準板の画像データを読み込み（Ｓ１１）、ごみ検知処理が動作して（Ｓ１２）、その結果をメモリに記憶する（Ｓ１３）。 - 特許庁

In the memory operation mode, an output of a booster circuit 200 arranged in a panel is used as a reference voltage of the holding circuit, and also a selection circuit is changed over.例文帳に追加

メモリ動作モード時にパネル内に設けられた昇圧回路２００の出力を用いて保持回路１１０の参照電圧とするとともに、選択回路を切り換える。 - 特許庁

A trimming value is calculated inside the chip and stored in a nonvolatile memory, trimming data are taken out as necessary, and the Vt level of a reference cell and the frequency of an oscillator are adjusted.例文帳に追加

チップ内部でトリミング値を算出して不揮発性メモリに記憶し、必要に応じてトリミングデータを取り出して、リファレンスセルのＶｔレベルやオシレータの周波数を調整する。 - 特許庁

In a normal position measuring operation, the calculation unit 4 reads out the correction value K corresponding to the position signal on reference to the memory unit 5, and corrects the position signal.例文帳に追加

通常の位置測定動作において、計算ユニット４は、メモリ・ユニット５を参照して、位置信号に対応する補正値Ｋを読み出し、位置信号を補正する。 - 特許庁

An abnormal condition of data in the memory and a classification rule for reference relationships to certain data are previously set before running the program or may be set while running the program.例文帳に追加

メモリ中のデータの異常状態や、或るデータに対する参照関係の分類規則は、プログラム実行前にあらかじめ設定するか、プログラム実行中に設定してもよい。 - 特許庁

Also by comparing number of times of the call signal from the specific channel with a reference count stored in a memory 22, reception of other channels may be stopped.例文帳に追加

また、特定チャネルの呼出信号の呼出回数と、メモリ２２に記憶した基準カウンタ値とを比較することによって、他のチャネルの受信動作を停止してもよい。 - 特許庁

To provide a method for exactly reading data of a memory cell even when a normal read operation (to set one reference cell) is difficult or impossible.例文帳に追加

通常の読み出し動作（１つのリファレンスセルを設定すること）が困難若しくは不可能な場合においても、メモリセルのデータを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

Thumbnail image data are generated from 2D image data photographed and outputted by a camera section 3 and the both are stored in a storage memory 7 in cross-reference with each other.例文帳に追加

カメラ部３で撮影されて出力された２Ｄ画像データは対応のサムネイル画像データが作成されて、両者は保存用メモリ７に対応付けて保存される。 - 特許庁

The close reference is abolished when document identifiers relating the documents 206 to 210 saved in the cache memory become absent in a document stack 202.例文帳に追加

強い参照が廃止されるのは、キャッシュ・メモリに保存されるドキュメント２０６〜２１０に関連するドキュメント識別子がドキュメント・スタック２０２に存在しなくなったときである。 - 特許庁

An arithmetic unit 6 integrates input data from the velocity distribution meter 5 to calculate an average velocity and a flow rate, and saves them temporarily in a memory as a reference flow rate.例文帳に追加

演算装置６は速度分布計５からの入力データを積分して平均速度と流量を算出しこれを基準流量としメモリーに一時待避する。 - 特許庁

At the time of independent operation and low output linking operation, a reference voltage value VD1 for maximum power point tracking control preliminarily stored in a memory circuit is read out and used.例文帳に追加

自立運転時及び低出力連系運転時には、予めメモリ回路に記憶された最大電力点追従制御時の基準電圧値ＶD1* を読み出して用いる。 - 特許庁

By making reference to a movement schedule stored in a memory, the terminal unit 100 judges whether the current station name received is a scheduled station where the terminal unit should lie at the present time.例文帳に追加

端末１００は、メモリに記憶された移動予定表を参照して、受信された現在駅名が現在時刻に端末がいるべき予定駅である判断する。 - 特許庁

Reference data for preventing the red-eye phenomenon in which a plurality of persons and a photographing condition for every person are regulated is stored in the memory 14 of the red-eye preventing device 10.例文帳に追加

赤目防止装置１０のメモリ１４には、複数の人物と、人物ごとの撮影条件とを規定した赤目防止のための参照データが格納されている。 - 特許庁

A memory 6 stores a program for mobile telephone terminal operation, a reference electric field intensity level, and an electric field intensity level detected during movement.例文帳に追加

メモリ部６は携帯電話端末動作のためのプログラムを格納ならびに基準となる電界強度レベルおよび移動時に検出した電界強度レベルを記憶しておく。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of generating a reference current having both characteristic fluctuation matching a memory cell and precision of a constant current source.例文帳に追加

メモリセルに一致する特性変動と定電流源の精度を併せ持つ参照電流を生成することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a flash memory 22 performs read operation, a selector 26 selects a reference voltage VREF1 in response to a selection signal SEL inputted from a logic circuit 30.例文帳に追加

フラッシュメモリ２２がリード動作を実行する場合は、セレクタ２６は、ロジック回路３０から入力された選択信号ＳＥＬに応じて基準電圧ＶＲＥＦ１を選択する。 - 特許庁

At the time of storing in the first memory, the image data of the decoded pixel is overwritten on the image data of the pixel which is already stored and not used as the reference pixel.例文帳に追加

第１のメモリに格納する際、復号化された対象画素の画像データを、既に格納され且つ参照画素として用いられない画素の画像データに上書きする。 - 特許庁

Since the reference coordinate data are calculated from font data with the calculating means and previously stored in the nonvolatile memory 13, the time for the marking process can be reduced.例文帳に追加

計算手段によりフォントデータから基準座標データが算出され不揮発性メモリ１３にあらかじめ記憶されているので、マーキング処理時間を短縮することができる。 - 特許庁

To improve the recognition precision of nonparametric pattern recognition by forming a fine recognition boundary while suppressing memory capacity for storing a reference pattern.例文帳に追加

参照パターンを記憶するためのメモリ容量を抑制しつつ、きめ細かく識別境界を形成し、もってノンパラメトリックなパターン識別をおこなう場合の認識精度を上げること。 - 特許庁

To provide a column selection signal control device and a method for semiconductor memory that generate a normal column selection signal without reference to a power supply voltage level.例文帳に追加

電源電圧レベルに関わらず、正常なコラム選択信号の生成が可能なようにする半導体メモリのコラム選択信号制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A luminance correcting section 16 determines a correction value based on the ratio between the luminance of the pixels in the image memory 12 and the density of the ground color in reference to a correction value table 17.例文帳に追加

輝度補正部１６では、画素メモリ１２中の各画素の輝度と地色の濃度の比に基づいて補正値テーブル１７が参照され、補正値が求められる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which an operation test can be performed using original reference voltage obtained after minute adjustment without largely complexing a tester.例文帳に追加

テスタを大幅に複雑化させることなく、微調整後に得られる本来の基準電圧を用いて動作試験を行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then photographing conditions in the case of photographing are read from the 1st and 2nd memory cards and is set in cross-reference with the 1st and 2nd shutter buttons 5a, 5b respectively.例文帳に追加

そして、撮影の際の撮影条件を第１および第２メモリカードから読み出し、それぞれ第１および第２シャッタボタン５ａ，５ｂに関連付けて設定する。 - 特許庁

To prevent decrease in a data reading margin depending on address selection in a storage device for reading data on the basis of the electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁

In the reference cell 2, characteristics are deviated so as to following deviation of these characteristics when characteristics of the non-volatile memory cell MC00-MC12 are deviated by influence of temperature variation or the like.例文帳に追加

リファレンスセル２は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルＭＣ００〜ＭＣ１２の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。 - 特許庁

Immediately after a video tape recording (VTR) start, a drift detection part 16 stores a sample image photographed by a TV camera 11 in its internal memory M_A as an initial reference image.例文帳に追加

ＶＴＲ記録開始直後、ドリフト検出部１６は、ＴＶカメラ１１で撮像された試料像を、初期のリファレンス画像としてその内部メモリＭ_Ａに記憶する。 - 特許庁

Then, the displaying of the picture is controlled by obtaining a picture quality adjustment value corresponding to this reference input part from the memory 1000 and by supplying this value to a picture quality adjusting unit 701.例文帳に追加

この基準入力部に対応する画質調整値をメモリ１０００より取得し、これを画質調整ユニット７０１に提供することで画像表示を制御する。 - 特許庁

An intermediate code is generated from a source code in Java (R) language, and an instruction code showing memory reference/write from the intermediate code is detected.例文帳に追加

上述の処理によれば、Ｊａｖａ（登録商標）言語のソースコードから中間コードを生成し、その中間コードから、メモリ参照／書き込みを示す命令コードを検出する。 - 特許庁

The motion compensation section 16 shifts the regular decode image of a reference frame stored in an image memory 19 by the calculated motion vector and outputs the result to an adder 16.例文帳に追加

動き補償部１６は、画像メモリ１９が記憶する参照フレームの正規復号画像を、この演算した動きベクトル分だけ移動させて、加算器１８に出力する。 - 特許庁

A 3rd fusing circuit is composed of the flash cells sharing the bit line, and adjusts a DC voltage level for adjusting a reference value at the time of manufacturing the flash memory device.例文帳に追加

第３ヒュージング回路は、ビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、フラッシュメモリ装置の製造時の基準値を調整するためのＤＣ電圧レベルを調整する。 - 特許庁

To efficiently utilize a reference image buffer, reduce band width of an external memory, increase speed of motion compensation decoding processing, and reduce a circuit scale.例文帳に追加

効率的な参照画像バッファの利用を可能とし、外部メモリのバンド幅の低減と、動き補償復号化処理の高速化および回路規模の削減を実現する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 18 stores the first and second reference voltages Vref1 and Vref2 of the first and second comparators measured by using a stabilized power supply 210.例文帳に追加

不揮発性メモリ１８は、安定化電源２１０を利用して測定した第１および第２のコンパレータの第１および第２の基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２を記憶する。 - 特許庁

When a shutter key F0 is operated (step S106), and an image memory 212 stores the raw data and the black/white gradation data at that point of time in cross-reference with each other (step S107).例文帳に追加

シャッターキーＦ０が操作されると（ステップＳ１０６）、その時点での生データと白黒階調データとを画像メモリ２１２に対応付けて記憶させる（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

A correlation is determined between reference values corresponding to the identified data items and memory areas allocated during the execution up to the given execution point (step 150).例文帳に追加

識別されたデータアイテムに対応する基準値と、与えられた実行点までの実行中に割当てられたメモリエリアと、の間の相関が決定される（段階１５０）。 - 特許庁

A factor causing that the reference relation of memory address cannot be determined by the execution is omitted by executing the substitution during in-line expansion to facilitate the optimization processing by the compiler.例文帳に追加

インライン展開時に置き換えを実施することで、実行時までメモリアドレスの参照関係が確定しなくなる要素を省き、コンパイラの最適化処理を受けやすくする。 - 特許庁

The control section 19 creates control information including a start point coordinate and an end point coordinate of a necessary region of the reference image data stored in the frame memory 33.例文帳に追加

制御部１９は、フレームメモリ３３に記憶された参照画像データの必要領域の始点座標及び終点座標を含む制御情報を生成する。 - 特許庁