「node line」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

This deodorization filter component keeps a cell crevice of a corrugate structure of a meanderingly curved node line filled with granular deodorants and apertures at both sides of the corrugate structure closed with a air permeable base material.例文帳に追加

ノードラインが蛇行状に屈曲したコルゲート構造体のセル空隙内に粒状脱臭剤を充填し、該コルゲート構造体の両側の開孔面を通気性基材で封鎖してなることを特徴とする脱臭フィルター部材。 - 特許庁

The monitor controller 6 informs wavelength information λj-λjn and a wavelength change request which are not used by a standby system transmission line 2 to the variable wavelength transmitters/receivers 5-5n and variable wavelength transmitters/receivers 7-7n of a node apparatus B4.例文帳に追加

監視制御部６は、予備系伝送路２で使用していない波長情報λｊ〜λｊｎと波長切換要求を可変波長送受信器５〜５ｎとノード装置Ｂ４の可変波長送受信器７〜７ｎに通知する。 - 特許庁

The morphing means executes a morphing operation so that each node of the mesh model described in the link data is located on the same vertex, the edge line or the plane even in the design shape after the design change with reference to the link data.例文帳に追加

モーフィング手段は、リンクデータを参照し、リンクデータに記述されているメッシュモデルの各節点が、設計変更後の設計形状においても同一の頂点、稜線、又は面上に位置するように、モーフィング操作を実行する。 - 特許庁

An FD node is boosted by causing a source follower circuit obtained by the output signal line voltage control transistor 24 and the current source 23 to function and causing thereafter a source follower circuit obtained by an amplifier transistor 17 and the current source 23 to function.例文帳に追加

FDノードは、出力信号線電圧制御トランジスタ２４と電流源２３とによるソースフォロア回路を機能させた後に、アンプトランジスタ１７と電流源２３とによるソースフォロア回路を機能させることにより昇圧される。 - 特許庁

The transition detection section 14 detects a timing of start of output inversion and a transition end timing in the hysteresis circuit 10 in response to a level V_B of the node N_B to control activation/deactivation of an inverter 50 on a signal transmission line.例文帳に追加

変移検出部１４は、ノードＮ_Bの電位Ｖ_Bに応じてヒステリシス回路１０内の出力反転作開始のタイミングおよび変移完了タイミングを検出し、信号伝送路上のインバータ５０の活性化／非活性化を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device enabling reduction of through-current and high-speed access by changing over a pre-charge path to a sense node and a bit line according to the polarity of read-out data in mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭにおいて、読み出しデータの極性に応じてセンスノードおよび、ビット線へのプリチャージ経路を切り替えることで、貫通電流を削減するとともに高速アクセスを可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize switching of a path being used for communication to a more optimum line without using a new protocol in accordance with the dynamic resource of a network and topology change about a node device 11 provided with a means recognizing the path information 70 of the network.例文帳に追加

ネットワークの経路情報70を認識する手段を備えたノード装置11に関し、ネットワークの動的なリソース及びトポロジ変化に対応して、通信中の経路をより最適な経路に切り替えることを新規のプロトコルを用いずに実現する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a series connection comprising two IBTDs 12, 13 and a DTMOS whose source electrode is connected to a memory node 17 between the IBTDs 12 and 13 and whose drain electrode is connected to a bit line 15.例文帳に追加

半導体装置は、２つの互いに直列に接続されたＩＢＴＤ１２，１３と、ソース電極がＩＢＴＤ１２とＩＢＴＤ１３との間のメモリノード１７に接続され、ドレイン電極がビット線１５に接続されたＤＴＭＯＳとを備えている。 - 特許庁

In this case, if irregularities are formed closely, in a staggered arrangement, so as not to form a flat portion, other than the irregularities, in a straight line form, a node of a straight vibration is not formed, and hence the natural frequency of the panel increases so that vibration-damping properties can be enhanced.例文帳に追加

この場合、凹凸以外の平坦部分が直線的に形成されないように該凹凸を接近させて千鳥状に設ければ、真っ直ぐな振動の節が形成できないのでパネルの固有振動数が上昇し、制振性が高められる。 - 特許庁

A branching device 110 is inserted to a coaxial cable 103 of a hybrid transmission line existing in a city or an office and is provided with a plurality of node devices 120 for mutual conversion between an RF signal of the coaxial cable and a baseband signal of an optical fiber cable.例文帳に追加

市中、又は事業所に既設のハイブリッド伝送路の同軸ケーブル１０３に分岐器１１０を挿入し、その分岐路に同軸ケーブルのＲＦ信号と光ファイバケーブルのベースバンド信号を相互に変換するノード装置１２０を複数備える。 - 特許庁

Each pixel circuit U of the light emitting device includes a reset transistor TRES, disposed between a node ND in the pixel circuit U and a first power supply line 20, corresponding to a pixel circuit U adjacent to the negative side of a Y direction, when viewed from the pixel circuit U.例文帳に追加

各画素回路Ｕには、当該画素回路ＵにおけるノードＮＤと、当該画素回路Ｕから見てＹ方向の負側に隣り合う画素回路Ｕに対応する第１給電線２０との間に配置されるリセットトランジスタＴRESが設けられている。 - 特許庁

To provide a content distribution and preservation system capable of reducing loads of a network and a repeater such as a router even when many node devices are connected to one line constituting the network through the repeater such as a router.例文帳に追加

ネットワークを構成する１つの回線にルータ等の中継装置を通じて多くのノード装置が接続している場合であっても、ネットワーク及びルータ等の中継装置の負荷を低減させることが可能なコンテンツ分散保存システムを提供する。 - 特許庁

A bit line contact hole is also opened in a process where a capacitor forming area is opened in a second inter layer insulating film 19, and a conductor buried in the contact hole is used as a contact plug when forming a storage node electrode and a plate electrode later.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１９にキャパシタ形成領域を開口する工程においてビット線コンタクトホールも開口し、その後のストレージノード電極およびプレート電極形成時に先のコンタクトホール内に埋め込まれた導体をコンタクトプラグとして用いる。 - 特許庁

In an edition mode executed when editing the travel control route, and when the selected route A and the route B are not crossed, a tangential line is added in the vicinity of a node most approached ranging over from a route A to a route B and is set as an additional route C.例文帳に追加

走行制御ルートを編集する際に実行される編集モードでは、選択したルートＡとルートＢとが交差していない場合、ルートＡからルートＢにかけて最接近するノード近傍に接線を追加し、追加ルートＣとして設定する。 - 特許庁

In automatic-zero operation, a TFT 115 is turned on together with a TFT 113 to connect a reference current line ISL to a driving transistor TFT 111 of a pixel through a 1st node ND 111, and variance in threshold Vth is corrected.例文帳に追加

オートゼロ動作時に、ＴＦＴ１１３とともにＴＦＴ１１５をオンさせて、画素のドライブトランジスタＴＦＴ１１１に第１のノードＮＤ１１１を通して基準電流線ＩＳＬを接続して、しきい値Ｖｔｈのバラツキの補正を行う。 - 特許庁

When the other subscriber tries to call a subscriber (a) during the Internet service connection, a line exchange node (b) which receives a call from the other subscriber requests the transfer of the call from the other subscriber to a gateway device (c).例文帳に追加

インターネットサービス接続中、他の加入者が加入者ａに対して着信しようとする場合、他の加入者からの着呼を受信した回線交換ノードｂは、ゲートウェイ装置ｃに対して、他の加入者からの呼の転送要求を行う。 - 特許庁

Alternatively, a node 1 acquires the communication cost information of communication lines E2, E4, E6 and E7 inputted from one of the nodes 2-4 and updates the cost table 16a constantly thus grasping the communication cost of the communication line in the entire network A dynamically.例文帳に追加

また、ノード１は、ノード２〜４のいずれかから入力される通信回線Ｅ２、Ｅ４、Ｅ６、Ｅ７の通信コストの情報を取得し、コストテーブル１６ａを常に更新することでネットワークＡ全体の通信回線の通信コストを動的に把握する。 - 特許庁

A filling level measuring device 1 suitable especially for a pulse signal is equipped with the signal generation device 10, the transmission/reception device 20 and the sampling device 30, which are connected by a coupling device 40 having at least one line node 210.例文帳に追加

特にパルス信号に適した充填レベル計測装置１は、信号生成装置１０と送受信装置２０とサンプリング装置３０とを備え、これらが少なくとも一つのラインノード２１０を有するカプリング装置４０によって接続されている。 - 特許庁

When etching a first inter-layer dielectric film 9, a XeF2 gas is used; when patterning a bit line 10 composed of a silicide film, a BrF3 is used; and when forming a storage node 12 composed of a polysilicon film, a BrCl gas is used.例文帳に追加

シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜９をエッチングする際にはＸｅＦ2 ガスを、シリサイド膜からなるビット線１０をパターニングする際にはＢｒＦ3 ガスを、ポリシリコン膜からなるストレージノード１２を形成する際には、ＢｒＣｌガスを用いる。 - 特許庁

This high performance filter member is a corrugate structural body comprising a base material having deodorizing, dust removing and odor/ dust removing performances and has a node line thereof bent in serpentine while having an angle slant to the open surface of a cell.例文帳に追加

脱臭性能、除塵性能、脱臭除塵性能を有する基材からなるコルゲート構造体であって、ノードラインが蛇行状に屈曲し、且つ、ライナがセルの開口面に対して斜めの角度を有することを特徴とする高性能フィルター部材。 - 特許庁

The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.例文帳に追加

センスアンプは、第１及び第２センスノードを介してビット線に電流を供給するプリチャージ用の第１のトランジスタと、第１及び第２のセンスノードの間に介挿された電荷転送用の第２のトランジスタと、第１及び第２のセンスノードを介さずにビット線に電流を供給する電流継続供給用の第３のトランジスタとを有する。 - 特許庁

A semiconductor memory includes: a sense amplifier that operates in response to the activation of a sense amplifier enable signal and determines a logic stored in a memory cell depending on a voltage of a bit line which is changed according to a cell current flowing through a real cell transistor; a replica cell transistor connected in series between a first node and a ground line; and a timing generation unit.例文帳に追加

半導体メモリは、センスアンプイネーブル信号の活性化に応答して動作し、リアルセルトランジスタに流れるセル電流により変化するビット線の電圧に応じて、メモリセルに保持されている論理を判定するセンスアンプと、第１ノードと接地線の間に直列に接続されたレプリカセルトランジスタと、タイミング生成部とを有している。 - 特許庁

Each optical node 100 includes a signal generator 120 for generating a measuring signal to measure a polarization mode dispersion value and transmitting the signal to the transmission line 101 and a monitor 121 for detecting the measuring signal from the transmission line 101 and measuring a polarization mode dispersion value in the span up to the signal generator 120 by executing signal processing to the measuring signal.例文帳に追加

各光ノード１００には、偏波モード分散値を測定するための測定信号を生成し、伝送路１０１上に送信する信号生成部１２０と、伝送路１０１から測定信号を検出し、測定信号に対する信号処理を施して信号生成部１２０との間の区間の偏波モード分散値を測定するモニタ部１２１とを備える。 - 特許庁

Two P-type MOS Trs are serially connected between a node 106A of the signal line and the Vcc, a source S is connected to the Vcc together with a gate G electrode and a substrate, and a drain D is connected to D of a Tr 111B in a Tr 111A and S of the Tr 111B is connected to the signal line, together with the G electrode and the substrate.例文帳に追加

信号線のノード１０６ＡとＶｃｃ間には２つのＰ型ＭＯＳＴｒが直列に接続され、Ｔｒ１１１ＡではソースＳがゲートＧ電極や基板と共にＶｃｃに、ドレインＤがＴｒ１１１ＢのＤに接続され、Ｔｒ１１１ＢのＳはＧ電極及び基板と共に信号線に接続されている。 - 特許庁

To control an operation related to failure restoration of LCAS so as to depend on a protection processing of a transmission line, and to immediately execute relief when required without generating unused switching, in a transmission apparatus that is provided in a node of a network which performs transmission by VCAT and executes LCAS using a plurality of paths in the transmission line as a member.例文帳に追加

ＶＣＡＴで伝送を行うネットワークのノードに備えられ、伝送路中の複数のパスをメンバーとしてＬＣＡＳを実行する伝送装置において、ＬＣＡＳの障害復旧に関わる動作を伝送路のプロテクション処理に依存させて制御できるようにし、無駄なスイッチを発生させず且つ必要な場合には即時に救済を実行できるようにする。 - 特許庁

The grooved gate transistor of the semiconductor device is provided with a gate electrode 16 formed in a groove, a first diffused layer 19 connected with a storage node, and a second diffused layer 18 that is connected with a bit line and of which depth is smaller than that of the first diffused layer 19.例文帳に追加

半導体装置の溝型ゲートトランジスタは、溝内に形成されるゲート電極１６と、ストレージノードに接続する第１の拡散層１９と、ビット線に接続され、第１の拡散層１９よりも深さが小さい第２の拡散層１８とを有する。 - 特許庁

To calculate a link cost in an actual operation where standby paths for a current path for a priority call between different node pairs share a link resource and a non-priority call paths share the link resource with the priority call standby path in a line switching communication network.例文帳に追加

回線交換型通信ネットワークにおいて、異なるノードペア間の優先呼用現用パスのための予備パスがリンクリソースを共用し、非優先呼用パスが優先呼用予備パスとリンクリソースを共用するような実際的な運用でのリンクコストを計算可能にすること。 - 特許庁

An amplifier circuit unit 110 is connected between a bit line B101 and a memory unit 106 having a plurality of ferroelectric capacitors C101-C104 connected across a plurality of independent plate lines P101-P104 each and a common node electrode E101.例文帳に追加

各々独立した複数のプレート線Ｐ１０１〜Ｐ１０４と共通ノード電極Ｅ１０１との間に接続された複数の強誘電体キャパシタＣ１０１〜Ｃ１０４を有するメモリユニット１０６とビット線Ｂ１０１との間に増幅回路ユニット１１０を接続する。 - 特許庁

In this process, when a potential Vsig of an image signal in the white display is supplied from a data line 710, the potential of the second node of a pixel circuit, wherein two light emitting elements emit light normally, is set to be higher than the potential Vcat of the cathode electrode.例文帳に追加

ここで、データ線７１０から白表示における映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が供給される場合においては、２つの発光素子が正常に発光する画素回路の第２ノードの電位は、カソード電極の電位（Ｖｃａｔ）より高く設定される。 - 特許庁

The communication node detects its own communication failure, and when detecting the communication failure, checks whether the failure is included in the transmission line of data packets by referring to a routing table, and transmits a stored communication failure notification message to the communication nodes provided in the vicinity thereof so long as it is included.例文帳に追加

通信ノードは、自分の通信障害を検出し、通信障害が検出されると、ルーティングテーブルを参照してデータパケットの伝送経路に含まれているかを確認し、保存されている通信障害通知メッセージを周辺の通信ノードに伝送する。 - 特許庁

In a telephone system in which a plurality of nodes, each of which includes the media server and an IP exchange, are connected with each other through a dedicated line network 100 that is a communication network, an exchange apparatus includes a means for obtaining a remaining resource amount of the media server in the node.例文帳に追加

メディアサーバおよびＩＰ交換機をそれぞれ備える複数のノードを通信網としての専用線ネットワーク１００を介して相互接続した電話システムにおいて、交換装置に、自ノードにおけるメディアサーバのリソースの残量を把握する把握手段を備える。 - 特許庁

At reading, a precharge circuit precharges a read bit line, and the NMOS transistor 11 performs on-operation by a read address selection circuit 3 at the n address selected by an RWS and an RBS to read data bits stored in the storage node.例文帳に追加

リード時では、プリチャージ回路によってリードビット線をプリチャージしておき、ＲＷＳとＲＢＳとによって選択されたｎ番地のリード番地選択回路３によってＮＭＯＳトランジスタ１１がオン動作を行い、蓄積ノードに保持されるデータビットがリードされる。 - 特許庁

A correction capacitor 14 whose static capacitance is C/2^x (wherein x is 2 or 3) is connected via a switch 15 between an internal node N and a line of a reference voltage VL, and charged up to a voltage VL-VT (wherein VT is a threshold voltage of an inverter 21) in a hold operation state.例文帳に追加

内部ノードＮとゼロスケール基準電圧ＶＬの間に、スイッチ１５を介して静電容量がＣ／２^ｘ（但し、ｘは２または３）の補正キャパシタ１４を接続し、ホールド動作時にＶＬ−ＶＴ（但し、ＶＴはインバータ２１の閾値電圧）に充電する。 - 特許庁

In the stabilization circuit, characteristic impedance of a transmission line of an open stab T_11 and open stab T_22 connected to the first node 5 of a high frequency circuit is Z_1, Z_2, respectively and phase constants in the operation frequency (f) of the high frequency circuit are β_1 and β_2.例文帳に追加

高周波回路の第１のノード５に接続された開放スタブＴ_１１、開放スタブＴ_２２の伝送線路の特性インピーダンスはそれぞれＺ_１、Ｚ_２であり、高周波回路の動作周波数ｆにおける位相定数はそれぞれβ_１とβ_２である。 - 特許庁

The scalable node includes: a plurality of LINFs (Line Interfaces); space switches connected to a plurality of the LINFs; and one or more packet switches connected to the post-stage of the space switches, and carries out packet processing by the packet switches.例文帳に追加

スケーラブルノードは、複数のＬＩＮＦ（Ｌｉｎｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）と、前記複数のＬＩＮＦに接続された空間スイッチと、前記空間スイッチの後段に接続された１つまたは複数のパケットスイッチと、を備え、前記パケットスイッチによりパケット処理を行う。 - 特許庁

A node NX is connected to a ground level GND via an NMOS 11 whose gate is fixedly connected to the ground level GND and further connected to a power line 10 via a MOS capacitor 12 formed by connecting the drain and source of a PMOS in common.例文帳に追加

ノードＮＸはゲートが接地電位ＧＮＤに固定接続されたＮＭＯＳ１１を介して接地電位ＧＮＤに接続されると共に、ＰＭＯＳのドレインとソースを共通接続したＭＯＳ容量１２を介して電源ライン１０に接続されている。 - 特許庁

In a mid-point potential control circuit 20, a power source voltage VCC is connected to anode of a reverse-current preventive diode 22 and an node of a potential VM via a PMOS transistor 21, and a cathode of the diode 22 is connected to a ground line via a transistor 23.例文帳に追加

中点電位制御回路２０では、電源電位ＶＣＣがＰＭＯＳトランジスタ２１を介して逆流防止用ダイオード２２のアノード及び電位ＶＭのノードに接続され、ダイオード２２のカソードはＮＭＯＳトランジスタ２３を介してグランド線に接続されている。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) includes a P-channel MOS transistor 1 having a comparatively high conduction resistance value which is connected between a one end of a memory cell power source wiring MVL and a line of power source potential VDD', the power source wiring MVL being provided for each row and connected to a power source node of corresponding row.例文帳に追加

このＳＲＡＭは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線ＭＶＬの一方端と電源電位ＶＤＤ′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を備える。 - 特許庁

The network node system includes one or more connections to one or more telephone lines, one or more wireless signal generators supporting one or more wireless connections, and one or more controllable interconnections between the telephone line and the wireless signal generator.例文帳に追加

ネットワーク・ノードの装置は、１つ以上の電話線への１つ以上の接続と、１つ以上のワイヤレス接続をサポートする１つ以上のワイヤレス信号発生器と、電話線とワイヤレス信号発生器との間の１つ以上の制御可能な相互接続とを含む。 - 特許庁

The result of voltage sensing is held by the verify pass latch 74, and by turning off the transfer gate circuits TG1 based on the holding result, an electrical fluctuation of a sense node (sense bit line SBL) caused by additional writing or application of an erase pulse is inhibited.例文帳に追加

その電圧センス結果をヴェリファイパスラッチ７４が保持し、その保持結果に基づいてトランスファゲート回路ＴＧ１をオフすることで、追加の書き込みまたは消去パルスの印加によってセンスノード（センスビット線ＳＢＬ）が電気的に変動することを禁止（インヒビット）する。 - 特許庁

A mobile communication method includes a step in which, when an relay node RN in an "idle state" receives an "(RRC) paging message" addressed thereto from a radio base station DeNB, the relay node RN transitions to a "connected state", and initiates transmission via an access line towards a mobile station UE after performing prescribed configuration processing by means of interaction with the radio base station DeNB.例文帳に追加

本発明に係る移動通信方法は、「Ｉｄｌｅ ｓｔａｔｅ」のリレーノードＲＮが、無線基地局ＤｅＮＢから自身宛ての「（ＲＲＣ）Ｐａｇｉｎｇ ｍｅｓｓａｇｅ」を受信した場合に、「Ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｓｔａｔｅ」に遷移し、無線基地局ＤｅＮＢとの間で所定の設定処理を行った後、移動局ＵＥ向けのアクセス回線に対する送信を開始する工程を有する。 - 特許庁

The integrated circuit device includes a scanning driver block SB for generating a control signal for driving a scanning line; a pad PDt electrically connected with the scanning line; and transistors pDTrt and nDTrt of which a connection node DNDt is electrically connected with the pad PDt and which are push-pull connected between a high-potential-side power source and a low-potential-side power source.例文帳に追加

集積回路装置は、走査線を駆動するための制御信号を生成する走査ドライバブロックＳＢと、走査線と電気的に接続するためのパッドＰＤｔと、その接続ノードＤＮＤｔがＰＤｔパッドと電気的に接続され、高電位側電源及び低電位側電源の間にプッシュプル接続されるトランジスタｐＤＴｒｔ、ｎＤＴｒｔとを含む。 - 特許庁

The part of frequencies Fs-Fb shows an FFT wave by multiple scattering if a power spectrum is integrated from only noise parts of sufficiently high frequencies to that of low frequencies, a straight line made by the frequency part of only noises and another straight line made by the frequency parts containing Doppler signals can be prepared and the half frequency of their node is Fb.例文帳に追加

周波数Ｆｓ〜Ｆｂの部分が多重散乱によるＦＦＴ波形で、周波数の十分高いノイズだけの個所から周波数の低い方にパワースペクトルを積分すると、ノイズだけの周波数の部分で作られる直線とドップラ信号を含む周波数の部分によって作られる別の直線ができ、それらの交点の周波数の２分の１の周波数がＦｂである。 - 特許庁

In reading, specified voltages are applied to word lines and source lines to set the voltage of the bit line BL according to the threshold voltage of a selected memory cell, the level change of a node ND0 is detected with a stepwise varying level type read signal VBLA3H applied to the gate of a high-withstand voltage transistor N1, thereby judging the voltage of the bit line BL.例文帳に追加

読み出しのとき、ワード線およびソース線にそれぞれ所定の電圧を印加することにより、選択メモリセルのしきい値電圧に応じてビット線ＢＬの電圧が設定され、高耐圧トランジスタＮ１のゲートに階段状にレベルが変化する読み出し信号ＶＢＬＡ３Ｈを印加しながら、ノードＮＤ０のレベル変化を検出することにより、ビット線ＢＬの電圧を判定する。 - 特許庁

If any failure is detected on the transmission line in the first direction on the ring network 36, the node 10 uses the second clock information to set additional information for executing processing of synchronization to the master clock to the first clock information and sends the additional information in the first direction on the ring network.例文帳に追加

ノード１０は、リング網３６における第１方向の伝送路で障害が検出された場合、第２クロック情報を用いてマスタクロックへの同期処理を実行させるための付加情報を第１クロック情報に設定してリング網の第１方向へ送出する。 - 特許庁