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p-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 17764



例文

The foaming sheet 2 is formed so that the number of opening holes 5 formed by the particulates 4 becomes larger than the number of opening holes formed by the foaming 3 among the opening holes of exceeding 1 μm in an opening hole diameter formed per the unit area of the polishing surface P.例文帳に追加

発泡シート2は、研磨面Pの単位面積あたりに形成され開孔径が1μmを超える開孔のうち、微粒子4で形成された開孔5の数が、発泡3で形成された開孔の数より大きくなるように形成されている。 - 特許庁

The non-confocal detection optical system, in which a pupil P of an objective lens OB is projected on a photodetector 14, includes a first lens group 9 replaceably disposed, and a second lens group 13 disposed between the first lens group 9 and the photodetector 14.例文帳に追加

対物レンズOBの瞳Pを光検出器14に投影する非共焦点検出光学系は、交換可能に配置される第1レンズ群9と、第1レンズ群9と光検出器14の間に配置される第2レンズ群13と、を含む。 - 特許庁

A substrate made of single-crystal silicon is prepared, wherein a semiconductor layer that is made of P conductivity-type silicon having higher impurity concentration than a semiconductor substrate and is arranged on the surface of the semiconductor substrate, with a surface having (100) plane with an insulation layer in between.例文帳に追加

単結晶シリコンからなり、表面が(100)面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いP導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。 - 特許庁

The moving mechanism moves the console box 14 so that the upper surface 14U of the console box 14 is positioned to be spaced upward the hip of the occupant P by 190-300 mm in accordance with ISO 6549-1999 standard.例文帳に追加

移動機構は、コンソールボックス14の上面14Uが、ISO6549−1999規格に準拠した乗員Pのヒップポイントから190mm〜300mm上方へ離間した箇所に位置するようにコンソールボックス14を移動させる。 - 特許庁

例文

In this way, the friction coefficient is enhanced between the recording media P to be carried and the outer peripheral faces of the endless belts 334, 338 to improve carrying efficiency when carrying the sheet materials, as compared with the case that the surface treatment is not applied.例文帳に追加

このように、搬送される記録媒体Pと無端ベルト334、338の外周面との摩擦係数を高めることで、表面処理が施されていない場合と比して、シート材を搬送する搬送効率を向上させることができる。 - 特許庁


例文

Subsequently, an n-type layer 102, an emission layer 103, and a p-type layer 104 are laminated in order along the uneven shape by low pressure MOCVD on the surface of the substrate 101 where the uneven saw-tooth stripe shape is formed.例文帳に追加

次に、基板101のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧MOCVD法によって、その凹凸形状に沿って、n型層102、発光層103、p型層104を順に積層させる。 - 特許庁

A pixel isolation portion PB is formed from a compound semiconductor subjected to doping concentration control or composition control in such a way as to become a potential barrier between chalcopyrite photoelectric conversion films 13 formed corresponding to a plurality of pixels P.例文帳に追加

複数の画素Pに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜13の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部PBを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 - 特許庁

In this steam pipe P for supplying steam, an inner peripheral surface P1 of a steel pipe formed from 18-chrome stainless steel is formed with a coating layer MI by welding Incoloy or Inconel with an inner surface build-up welding method or a metal powder laser cladding method.例文帳に追加

水蒸気を送気する蒸気配管Pであって、18クロムステンレスからなる鋼管の内周面PIには、内面肉盛り溶接法又は金属粉末レーザークラッド法によりインコロイまたはインコネルが溶着されてコーティング層MIが形成される。 - 特許庁

The modified vinyl alcohol polymer contains a polyoxyalkylene group in its side chain and has a viscosity-average polymerization degree P of 200-3,000, a saponification degree of 80-99.99 mol% and a polyoxyalkylene modification amount S of 0.1-10 mol%.例文帳に追加

ここで該変性ビニルアルコール系重合体は、ポリオキシアルキレン基を側鎖に含有し、粘度平均重合度Pが200〜3000であり、けん化度が80〜99.99モル%であり、ポリオキシアルキレン変性量Sが0.1〜10モル%である。 - 特許庁

例文

There is provided a polymer derivative which is produced by covalent bonding of a low molecular weight NO donor such as 3-trifluoromethyl-4-nitrophenoxy with a block copolymer that can form a polymer micelle in an aqueous medium (for example, a polymer of polyethylene glycol and p-chloromethylstyrene).例文帳に追加

3−トリフルオロメチル−4−ニトロフェノキシのような低分子NOドナーを水性媒体中で高分子ミセルを形成しうるブロック共重合体(例えば、ポリエチレングリコールとp−クロロメチルスチレンとのポリマー)に共有結合せしめた高分子誘導体。 - 特許庁

例文

The proximity sensor part detects that the detected object approaches the outer surface 10S at a 3D display height Hf that is a distance from the outer surface set based on parallax information such as a parallax pixel pitch P included in the video signal.例文帳に追加

このような近接センサ部は、映像信号に含まれる視差画素ピッチP等の視差情報に基づいて設定された外面との距離である3D表示高さHfで被検出物が外面10Sに近接したことを検出する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 101 includes an n-type GaAs substrate 1 as a semiconductor substrate, and an n-type AlGaInP first clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type AlGaInP second clad layer 6 which are formed thereupon in order.例文帳に追加

半導体レーザ素子101は、半導体基板としてのn型GaAs基板1と、その上側に順に形成されたn型AlGaInP第1クラッド層4、MQW活性層5、p型AlGaInP第2クラッド層6とを備える。 - 特許庁

In this medium conveying device, a suction platen 60 has a first electrode and a second electrode opposed to a conveying belt 53, and generates the suction force through a Johnson Rahbek force between the conveying belt 53 and paper P by applying voltage between the first and second electrodes.例文帳に追加

吸着プラテン60は、搬送ベルト53に対向する第1電極及び第2電極を有し、これらの間に電圧を印加することにより、搬送ベルト53及び用紙P間にジョンセン・ラーベック力による吸着力を発生させる。 - 特許庁

Since the handle 7 has a columnar shape and is protruded outward in the right and left width direction of the backrest 5 and provided on the side face of the backrest 5, there is no risk of twisting a hand holding the handle 7 when the operator P brings down the backrest 5.例文帳に追加

把手7が円柱状であり、これが背もたれ5の側面に背もたれ5の左右幅方向外方に突出させて設けられているので、操作者Pが背もたれ5を倒す際に、把手7を掴んでいる手をひねる虞がない。 - 特許庁

When the main semiconductor region 4 is epitaxially grown on the silicon substrate 3, a p-type silicon semiconductor layer 9 formed by thermal diffusion of a group III element in the main semiconductor region 4 into the silicon substrate is used as a portion of a protective diode.例文帳に追加

シリコン基板3上に主半導体領域4をエピタキシャル成長させる時に主半導体領域4の3族元素がシリコン基板に熱拡散することによって生じたp型シリコン半導体層9を保護ダイオードの一部として使用する。 - 特許庁

The seating preventing member 5 is connected to the headrest 4 free to rotate and move by a hinge 6 and is devised to rotate and move to an avoiding posture not to interfere with the back part Pb of the seated person P when the headrest 4 is in the using position state.例文帳に追加

着座阻止部材5は、ヘッドレスト4に対してヒンジ6により回転移動可能に連結されており、ヘッドレスト4が使用位置状態の時には着座者Pの背部Pbと干渉しない回避姿勢へと回転移動するようになっている。 - 特許庁

A coating interface is provided between the first and second fluoride prisms, wherein overall Rs*T(p) function of the beam splitter varies no more than ±2.74% in the range of 40° to 50° of incidence.例文帳に追加

これら第1のフッ化物プリズムと第2のフッ化物プリズムとの間にコーティング界面が設けられており、その際、ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は40゜〜50°の入射範囲において±2.74%以内でしか変化しないように構成されている。 - 特許庁

In this embodiment, the semiconductor memory 1 is provided with bit lines 3 formed by injecting n-type impurity into a p-type semiconductor substrate 2 and word lines 5 formed on a semiconductor substrate 1 which are perpendicular to respective bit lines 3.例文帳に追加

本実施例の半導体記憶装置1は、p型半導体基板2にn型不純物を注入して形成されたビット線3と、半導体基板1上に各ビット線3と直交するように形成されたワード線5とを備えてなる。 - 特許庁

When the paper feeding cassette 1 is drawn from the device body, the lever 3 is oscillated by the lever 3 and the separating roller 23 is rotated in a direction reverse to the paper feeding/carrying direction to return the paper sheet P pinched by the rollers to the paper feeding cassette 1.例文帳に追加

これによって給紙カセット1が装置本体から引き出される際に、突条15によってレバー3が揺動して、さばきローラ23が給紙搬送方向とは逆方向に回転し、挟持していた用紙Pが給紙カセット1に戻される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Inを含む窒化物半導体を有する活性層を、p型クラッド層、n型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長430nm以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

Subsequently, the capacitor element is impregnated with polymerizable monomer and an oxidizing agent, i.e., p-toluenesulfonate having purity of 90% or above, so that polymerization reaction of conductive polymer takes place in the capacitor element thus forming a solid electrolytic layer.例文帳に追加

続いて、酸化剤として純度が90%以上のp−トルエンスルホン酸塩を用い、この酸化剤と重合性モノマーをコンデンサ素子に含浸させ、コンデンサ素子内で導電性ポリマーの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成する。 - 特許庁

The control circuit 21 controls the drive circuit by reading out a driving parameter P corresponding to either a low frequency drive mode or a normal mode from the EEPROM 20 in accordance with a switching command signal Sw received externally.例文帳に追加

コントロール回路21は、装置外部から受け取った切替コマンド信号Swに応じて、EEPROM20から低周波数駆動モードまたは通常モードのいずれかに相当する駆動パラメータPを読み出すことにより駆動回路を制御する。 - 特許庁

There is provided a chuck part for the mechanical pencil wherein the composition of a plating film is nickel alloy of two kinds or more selected from at least nickel (Ni) and phosphorus (P), boron (B), and carbon (C), in the plating film applied to the chuck part for the mechanical pencil.例文帳に追加

シャープペンシル用チャック部品に施しためっき皮膜において、めっき皮膜の組成が、少なくともニッケル(Ni)と、リン(P)、ホウ素(B)、炭素(C)から選択される2種以上とのニッケル合金であることを特徴とするシャープペンシル用チャック部品。 - 特許庁

Consequently, when conveying the recording paper P1, static electricity generated by friction of recording papers is conducted into the metallic frame 13 sequentially through the sheet metal member 22 and the metallic coil spring 21 and is discharged to prevent feeding of recording papers P in an overlapped condition.例文帳に追加

これにより、記録紙P1を搬送する際に、記録紙同士の摩擦によって発生する静電気を板金部材22及び金属コイルばね21を順次介して金属フレーム13に導電させて放電し、記録紙Pの重送を防止する。 - 特許庁

These upper and lower electrodes are connected in series via the elements 3, 4, and the pair of the P-type elements 3 and the N-type elements 4 disposed on one upper electrode and lower electrode to constitute parallel circuits.例文帳に追加

これらの上部電極及び下部電極は熱電素子3、4により直列接続され、また、一つの上部電極及び下部電極に1対のP型熱電素子3及びN型の熱電素子4が配置されて並列回路が構成されている。 - 特許庁

The electrochemical sensor 1A for measuring the current carried to an electrode 4 according to the reaction of a component of measuring object on the surface of the electrode 4 comprises a platinum plating layer P gray in color on the surface of the electrode 4.例文帳に追加

電極4の表面での測定対象成分の反応に伴い電極4に流れる電流を測定するための電気化学式センサ1Aは、電極4の表面に灰色を呈する白金メッキ層Pが設けられている構成とする。 - 特許庁

To provide a handover method and the like capable of performing handover between access networks controlled by different P/S-CSCFs without causing a packet loss due to session interruption even in a mobile terminal loaded only with a single radio module.例文帳に追加

単一の無線モジュールしか搭載していない移動端末であっても、セッションの中断によるパケットロスを生じることなく、異なるP/S−CSCFによって制御されるアクセスネットワーク間でハンドオーバすることができるハンドオーバ方法等を提供する。 - 特許庁

The functional heavy-chain antibody comprises an amino acid which is neither a charged amino acid nor cysteine at position 45 and comprising an amino acid at position 103 selected from the group consisting of R, G, K, S, and P optionally in combination with Q at position 108.例文帳に追加

カバットの番号付けによる、45位に荷電アミノ酸でもシステインでもないアミノ酸を含み、場合により108位のQと組み合わせて、103位にR、G、K、S及びPよりなる群から選択されるアミノ酸を含む機能性重鎖抗体。 - 特許庁

When a load is applied to a prism sheet 11a provided with a first stereoscopic pattern in the ridgeline direction shown by arrow P, the prism sheet 11a is elongated along an axis parallel to the ridgeline direction, and shrunk along an axis parallel to the cross-sectional direction.例文帳に追加

第1の立体模様が設けられたプリズムシート11aに対して、矢印Pに示す稜線方向に加重をかけると、プリズムシート11aは、稜線方向に平行な軸に沿って延伸し、断面方向に平行な軸に沿って縮む。 - 特許庁

This network performance evaluation apparatus estimates throughput with practical accuracy by approximating parameters in a network performance evaluation operation expression by using a specific operation expression for the range of network quality (T, p) which becomes a problem for an actual network.例文帳に追加

ネットワーク性能評価装置は、実際のネットワークで問題となるネットワーク品質(T,p)の範囲に対してネットワーク性能評価演算式におけるパラメータを特定の演算式によって近似することにより、実用的な精度でスループットを推定する。 - 特許庁

In a vertical semiconductor apparatus 1, an N-type epitaxial layer 12, a P-type base layer 13 and an N^+-type source layer 14 are overlaid on an N^+-type silicon substrate 11 to form a trench gate electrode 19 reaching the epitaxial layer 12.例文帳に追加

縦形の半導体装置1において、N^+型のシリコン基板11上に、N型のエピタキシャル層12、P型のベース層13及びN^+型のソース層14を形成し、エピタキシャル層12まで到達するトレンチゲート電極19を形成する。 - 特許庁

By injecting P ions into a region, where the Co silicide film is hard to be formed since various ions, such as at least an N+ diffusion layer formed on a silicon substrate in a transistor, are injected, the Co silicide is formed easily.例文帳に追加

トランジスタにおけるシリコン基板上形成されたすくなくともN^^+拡散層のような種々のイオン種が注入によって、Coシリサイド膜の形成が困難担っている領域に、Pイオンを注入してCoシリサイドの形成を容易にする。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

p型不純物層113内に形成されるフローティング拡散領域131、及びフローティング拡散領域131を囲むように形成されるトランスファーゲート電極123は、n型不純物層111上の第1面1側に形成される。 - 特許庁

To provide a method of producing a freeze-dried preparation by freeze-drying N-[o-(p-pivaloyloxy benzenesulfonylamino)benzoyl]glycine monosodium salt tetrahydrate dissolved in the mixed solvent of water and ethanol, and to provide a freeze-dried preparation obtained by the method.例文帳に追加

水およびエタノールの混合溶媒に溶解させたN−[o−(p−ピバロイルオキシベンゼンスルホニルアミノ)ベンゾイル]グリシン・モノナトリウム塩・4水和物を凍結乾燥する凍結乾燥製剤の製造方法、およびその方法により得られる凍結乾燥製剤。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing a selenide powder having a chalcopyrite type crystal structure and a sulfide powder having p-type conductivity which have suitable characteristics for producing a solar cell and desired non-stoichiometry in a chemical composition at a low cost.例文帳に追加

太陽電池の製造に適切な特性を有し、化学組成に所望の不定比性を有するカルコパイライト型の結晶構造を持ったセレン化物粉体またはp型伝導性を有する硫化物粉体を、低コストで合成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a digital image stabilization method including a step of adaptively filtering a principal transform/compensation transform P(n) representing a stationary/background object in a scene of a video frame, based on a history of compensation window over-excursions.例文帳に追加

補償ウィンドウオーバーエクスカーションのヒストリー(history)に基づいてビデオフレームの場面で止められた/背景客体を代表する主要(principal)変換/補償変換P(n)を適応的にフィルタリングする段階を含むデジタルイメージ安定化方法を提供する。 - 特許庁

The projections 140a are formed in-situ on the p-type nitride semiconductor layer 140 because a plurality of V-pits 120a are formed on the n-type nitride semiconductor layer 120.例文帳に追加

本発明によれば、n型窒化物半導体層120上に複数のV‐ピット120aが形成されており、これによってp型窒化物半導体層140上にはインシチュー(in‐situ)工程で突出部140aを形成することができる。 - 特許庁

Simultaneously, an IC power source fluctuation detecting circuit G formed of resistors (R1-R3), a capacitor C1 and a comparator P lowers the voltage in a voltage converting circuit J and performs the feedback of the signal to the microcomputer C, and the microcomputer C detects the ignition abnormality.例文帳に追加

この時、同時に抵抗器(R1〜R3)、コンデンサC1、コンパレータPで構成されるIG電源変動検出回路Gにより、電圧変換回路Jで電圧を低減させてマイコンCへ信号をフィードバックし、点火異常を検出する。 - 特許庁

This nonwoven fabric for electric insulation is composed mainly of p-aramid fiber chops and contains organic fiber pulp as the binder for bonding the fiber chops to each other, wherein aggregate of the organic fiber pulp in the nonwoven fabric has ≤1 mm maximum length.例文帳に追加

パラ型アラミド繊維チョップを主成分とし、繊維チョップ同士を結着するバインダとして有機繊維パルプを含む電気絶縁用不織布であって、当該不織布中の有機繊維パルプ凝集物の最大長を1mm以下にする。 - 特許庁

An expression giving a magnitude of difference in Fermi energy between on a semiconductor-electrode interface and on a semiconductor-insulator interface is used and only a cover coat is selectively changed while a TFT material is not changed, thereby achieving n-type and p-type TFTs.例文帳に追加

半導体−電極界面、および、半導体−絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、TFT材料を変えずに上薬だけを選択的に変化してn型とp型のTFTを実現する。 - 特許庁

The carrier for cell culture is composed of crosslinked poly(meth)acrylic acid (salt) particles (A) and an artificial polypeptide (P) having at least one cell-adhesive minimum amino acid sequence (X) in one molecule and has 2-50 g/g water capacity.例文帳に追加

架橋ポリ(メタ)アクリル酸(塩)粒子(A)と、細胞接着性最小アミノ酸配列(X)を1分子中に少なくとも1個有する人工ポリペプチド(P)とからなり、保水量が2〜50g/gであることを特徴とする細胞培養用担体を用いる。 - 特許庁

When the user inputs the keyword 'P' that he wants matching by retrieval, an HD recording and reproducing device 300 refers to an album name/track name data base file stored in an HDD 309 and retrieves the title name of an album with the inputted keyword.例文帳に追加

ユーザが検索にマッチさせたいキーワード“P”を入力すると、HD記録再生装置300がHDD309に格納されているアルバム名・トラック名データベースファイルを参照し、入力されたキーワードを有するアルバムのタイトル名を検索する。 - 特許庁

Device markers 144 and 143 are formed at the side of a p-side electrode 108 of a semiconductor laser 100 in parallel to the semiconductor waveguide 104 and moreover so that at least the end parts reach the end surface bumping against a quartz base substrate 109.例文帳に追加

半導体レ−ザ100のp側電極108側に、素子マ−カ144、143を、半導体導波路104と平行に且つ少なくともその端部が石英系基板109に突き当たる端面にまで至るように形成する。 - 特許庁

The first process part 25 calculates the moving time required when a manipulator R and a positioner P to be controlled reach respective destination teaching points, and decides the reference controlled object that will reach the destination teaching point in the shortest time.例文帳に追加

第1工程部25は、制御対象であるマニピュレータR及びポジショナPが移動目標教示点に各々到達する際の移動時間を算出して移動目標教示点に最短時間で到達する基準制御対象を決定する。 - 特許庁

The flowing amount of combustion gas A is substantially stabilized in spite of fluctuation of the combustion load of the combustibles P fed into the heat treatment furnace 2, so that the pressure of the drive gas G supplied to the gas turbine 14 does not substantially fluctuate.例文帳に追加

この際、熱処理炉2内に投入される可燃物Pの燃焼負荷の変動にかかわらず燃焼用ガスAの流量を実質的に一定とし、ガスタービン14に供給される駆動ガスGの圧力が実質的に変動しないようにする。 - 特許庁

The waveform of a driving signal applied to a liquid crystal panel P is set and changed by a waveform information signal transmitted through data lines 23 and 25, and this waveform information signal is transferred only for a certain time in the case of changing the driving signal.例文帳に追加

液晶パネルPに印加する駆動信号の波形は、データ線23,25を介して送信される波形情報信号によって設定・変更されるが、この波形情報信号は、駆動信号を変更する場合の一定期間に限って転送される。 - 特許庁

The unfolding of the screen member P is permitted while opening the pair of hinge wings 19 and 19 in a direction against the energization and the unfolded state is maintained by the butting of butting end surfaces 4 and 4' by the energization.例文帳に追加

スクリーン部材Pの展開が前記付勢に抗する向きに一対のヒンジ翼19、19を開かせながら許容されると共に、この付勢による突き合わせ端面4、4’の突き合わせによりこの展開状態が維持されるようにしてある。 - 特許庁

Moreover, the ink adhered to the platen 5 can be cured by directly shedding ultraviolet rays from the UV irradiation device which moves back and forth in the scan direction towards the platen 5 with no sheet of recording paper P present on the platen 5.例文帳に追加

また、プラテン5上に記録用紙Pがない状態で、走査方向に往復移動するUV照射装置からプラテン5に向けて直接紫外線を照射させることにより、プラテン5に付着したインクを硬化させることが可能となっている。 - 特許庁

The adherence substance is obtained by curing a curable composition including: a silyl group-containing polymer (S) having a polyether chain, a polyester chain, and/or a polycarbonate chain in the main chain and a hydrolyzable silyl group at a molecular terminal; and an acrylic polymer (P).例文帳に追加

主鎖に、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、および/またはポリカーボネート鎖を有し分子末端に加水分解性シリル基を有するシリル基含有重合体(S)と、アクリル重合体(P)とを含む硬化性組成物を硬化させて得られる粘着体。 - 特許庁

例文

The client stores an I picture of the MPEG data into a received data buffer when the client receives the I picture; the client stores the B pictures and P pictures which follow the I picture if the pictures thereof are received; and the pictures stored in the buffer are reproduced.例文帳に追加

クライアントは、MPEGデータのIピクチャを受信したときに該Iピクチャを受信データバッファに格納し、かつ該Iピクチャに続くBピクチャおよびPピクチャが受信される場合にそれらを受信データバッファに格納し、これらピクチャを再生する。 - 特許庁




  
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