「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(292ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formula, N is an amino group protected with the protecting group P; m is an integer of 1-12; n is an integer of 1-2,000; R^1 and R^2 are independently selected from the group consisting of hydrogen and 1C-4C alkyl; and X is a reactive group.例文帳に追加

（Ｎは保護基Ｐで保護されたアミノ基で、ｍは１〜１２の整数であり、ｎは１〜２０００の整数であり、Ｒ^１およびＲ^２は独立して水素およびＣ_１−４−アルキルからなる群から選択され、Ｘは反応性基である。） - 特許庁

The information communication device A has a body module M fixed onto a wall, and an exposure panel P that is removably attached to the front side of the body module M and receives power supplied from a power circuit 34 provided in the body module M.例文帳に追加

情報通信装置Ａは、壁に固定される本体モジュールＭと、本体モジュールＭの前面側に着脱可能に装着され、本体モジュールＭに設けられた電源回路３４から電力供給を受ける露出パネルＰとを備える。 - 特許庁

This lens consists of a single lens L in convex shape having positive refractive power larger than 1, and the single lens L condenses incident luminous flux from a 1st surface M1 at the position P of a 2nd surface M2, and the 1st surface M1 is composed of an aspherical surface.例文帳に追加

１より大きな正の屈折力を有する凸形状の単レンズＬからなり、前記単レンズＬは、第１面Ｍ１からの入射光束を第２面Ｍ２の位置Ｐに集光し、前記第１面Ｍ１は非球面で構成されている。 - 特許庁

The threshold level change means employs a CMOS inverter circuit, comprising P-channel or N-channel field effect transistors connected in parallel or series, or whose gate length or gate width are differentiated or employs a comparator circuit or other configurations.例文帳に追加

スレショルドレベル変更手段には、ＣＭＯＳインバータ回路のＰチャネルまたはＮチャネルの一方を複数並列接続したもの、複数直列接続したもの、双方のゲート長・ゲート幅に差異を設けたもの、比較回路を用いたもの等を使用する。 - 特許庁

A cross flow fan 3 has: a rotation axis 4 extended in a direction perpendicular to a plurality of fins 2; and a plurality of blades 5 provided separately to each other along the axis direction of the rotation axis 4 each corresponding to each path P.例文帳に追加

クロスフローファン３は、複数のフィン２に対して直交する方向に延在する回転軸４と、それぞれの通路Ｐに対応するように回転軸４の軸方向に沿って互いに分割されて設けられた複数の羽根５とを有している。 - 特許庁

Further, in a P shift position, the cover box 38 and the detent plate 40 are constituted such that a gap provided between the shift lever 12 and the cavity part 14 forms stepped labyrinth structure along a horizontal direction (a part A of fig 1).例文帳に追加

また、Ｐシフト位置においては、カバーボックス３８及びディテントプレート４０は、シフトレバー１２及びその空洞部１４とによって形成される隙間が、水平方向に沿って段付きの迷路構造となるように構成されている（図１のＡ部分）。 - 特許庁

In the remote control system 1, predetermined control is performed on a mobile station 100 located at a remote place when all the conditions to each parameter are satisfied using position information P, velocity information V, base station information B, and field intensity information E.例文帳に追加

遠隔制御システム1では、位置情報Ｐ、速度情報Ｖ、基地局情報Ｂ、および電界強度情報Ｅを用いて、各パラメータに対する条件が全て満たされた場合に、遠隔に位置する移動局１００に対して所定の制御を行う。 - 特許庁

Accordingly, the structure to detect the presence of game balls P in all the ball passages 328 and 329 can be simplified compared with a conventional structure of detection only by a mechanical switch (mechanical switching motion), and therefore, the manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

そのため、全ての球通路３２８，３２９内における遊技球Ｐの有無をメカニカルスイッチ（機械的な切り換え動作）だけで検知する従来の構造に比べて検知構造を簡略化することができ、ひいては、製造コストの削減を図ることができる。 - 特許庁

The L1 signal of a C/A code not modulated by the unknown security code is used to lock the locally generated carrier and a P-code generator in phase with the received L1 and L2 satellite signal.例文帳に追加

未知のセキュリティ用符号で変調されていないＣ／Ａ符号のＬ１信号は、局部的に発生した搬送波およびＰ符号発生器を、受信されたＬ１衛星信号およびＬ２衛星信号と同相にロックするのに使用されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

Toner images in a plurality of colors formed on a photoreceptor drum 1 are primarily transferred to an intermediate transfer belt 5 and then are collectively secondarily transferred onto a recording material P by applying a transfer vias from a high voltage power source 12 to a secondary transfer roller 10.例文帳に追加

感光ドラム１上に形成した複数色のトナー像を、中間転写ベルト５に一次転写した後、二次転写ローラ１０に対して高圧電源１２から転写バイアスを印加することで記録材Ｐ上に一括して二次転写する。 - 特許庁

Then, a pattern 21 P of the ta-C thin film is formed in a short time, because the applied negative pulsed-voltage onto the substrate K makes the plasma density high, the etching ions easily led to the ta-C thin film, and the etching speed increased.例文帳に追加

基板Ｋに対する負のパルス状電圧の印加により、プラズマ密度が高まると共にエッチングイオンがｔａ−Ｃ薄膜に対して導かれ易くなるため、エッチング速度が増加し、ｔａ−Ｃ薄膜パターン２１Ｐが短時間で形成される。 - 特許庁

The information communication device A includes a basic module M1 fixed to a wall while having its rear portion in the wall, and an exposed panel P mounted detachably on the front side of the basic module M1 and electrically connected to the basic module M1.例文帳に追加

情報通信装置Ａは、壁内に後部を収める形で壁に固定される基本モジュールＭ１と、基本モジュールＭ１の前面側に着脱可能に装着され基本モジュールＭ１に電気的に接続される露出パネルＰとを備える。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 has an ohmic electrode of the n-side electrode 16 and an ohmic electrode of the p-side electrode 14 formed at a distance within a constant range, and an electric field in the element based upon an applied voltage has a nearly constant value between the ohmic electrodes.例文帳に追加

ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。 - 特許庁

In this case, the superjunction layer is formed of basic units each comprising one (n) pillar layer 3 and two (p) pillar layers which are disposed on both sides of the (n) pillar layer 3, and each has an impurity amount a half as large as the impurity amount of the (n) pillar layer 3.例文帳に追加

このとき、１本のｎピラー層３と、このｎピラー層３の両脇に配置され、それぞれの不純物量がこのｎピラー層３の不純物量の半分である２本のｐピラー層とを基本単位として、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

In this driven unit of fluid machine, setting of the reference curve is made so that the ratio of H to G lies within the range H/G=0.12-0.19, where H is the distance from the point B of the reference curve ABCDA to the point P while G is the diameter of the circle K.例文帳に追加

基準曲線ＡＢＣＤＡの点Ｂから点Ｐまでの巨りをＨとし円Ｋの直径をＧとすると、ＨとＧの比率をＨ／Ｇ＝０．１２〜０．１９の範囲内に基準曲線を設定した流体機械の被動機である。 - 特許庁

By making fixing temperature high from the leading edge of the recording medium P to length obtained by subtracting length between the sheets from the peripheral length of the pressure roller 20, the heating values of a part where the roller 20 is warmed in the space between the sheets and that of a part where it is not warmed are compensated.例文帳に追加

記録媒体Ｐの先端部より加圧ローラー２０の周長から紙間の長さを引いた分の長さまで、定着温度を高くして、紙間で加圧ローラー２０が暖まった部分と暖められなかった部分の熱量を補う。 - 特許庁

During discharging action, friction force is given from a recording paper surface to the thrusting roller 61 to guide the rotating shaft 61a to an inscribed position a smaller distance than the radius of the press roller 61 apart from the plane P on the side of the guide hole 62a in a paper discharging direction.例文帳に追加

排紙動作時には記録用紙面から押圧ローラ６１に摩擦力を与え、回転軸６１ａをガイド孔６２ａの排紙方向側で平面Ｐから押圧ローラ６１の半径よりも小さい距離だけ離れた内接位置に導く。 - 特許庁

The paper P butts against a portion stretched near a first conveyance roll 61a of the first conveyance belt 62, is placed on the first conveyance belt 62, and is conveyed in a region R1 to the vicinity of a second conveyance roll 63a.例文帳に追加

そして、用紙Ｐは、第１搬送ベルト６２のうち第１搬送ロール６１ａの近傍に掛け回された部分に突き当てられ、第１搬送ベルト６２の上に載せられて第２搬送ロール６３ａの近傍までの領域Ｒ１を搬送される。 - 特許庁

A protection cover 20 formed by a transparent synthetic resin material is stored inside a joint main body 11 to allow the worker to confirm the connection pipe P inserted into the joint through a confirmation hole 111 formed in the joint main body 11.例文帳に追加

前記継手本体１１の内部に透明合成樹脂材料により形成された保護カバー２０を収容し、継手本体１１に形成した確認孔１１ｌから継手の内部に挿入される接続管Ｐの確認を行うようにする。 - 特許庁

The composite is provided, being obtained by covering reinforcing cords 2 comprising synthetic fibers or natural fibers with such a BIMS (brominated isobutylene-p-methylstyrene copolymer rubber)-based rubber composition 3 that 50 pts.wt. or more of BIMS is included in 100 pts.wt. of a rubber component.例文帳に追加

合成繊維又は天然繊維を用いた補強コード２を、臭素化イソブチレン・パラメチルスチレン共重合体ゴム（ＢＩＭＳ）がゴム成分１００重量部中に５０重量部以上含有するＢＩＭＳ系ゴム組成物３にて被覆した。 - 特許庁

And the stripping plate 15 is arranged to the fixing roller 11 so that both projected ends of it face to both ends of the fixing roller 11, namely, face both ends of paper P to be ejected from a nip part 13 in the width direction.例文帳に追加

そして、剥離板１５は、その突出した両端部が、定着ローラ１１の両端部に対向するように、すなわち、ニップ部１３から排出される用紙Ｐの幅方向両端部に対向するように定着ローラ１１に対し配置される。 - 特許庁

A stopping member 5 which is hanged from a bottom face 3b rockingly in the direction opposite to the paper sheet discharging direction to stop a paper sheet P to be discharged to the paper sheet discharging unit 4 is provided on the bottom face 3b of the image reading unit 3.例文帳に追加

画像読取部３の下面３ｂには、用紙排出方向とその反対方向に揺動自在となるように当該下面３ｂから垂れ下がり、用紙排出部４に排出される用紙Ｐを当て止める当止部材５が設けられている。 - 特許庁

As a result, an SBD(Schottky barrier diode) which is excellent in breakdown strength is formed by forming an extraction plug of a source/drain region of an MISFET and by forming a p-type semiconductor region 24 between the n-type well 4 and the tungsten film 25.例文帳に追加

これにより、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の引き出し用プラグを形成するとともに、ｎ型ウェル４とタングステン膜２５との間にｐ型半導体領域２４を形成し、耐圧に優れたＳＢＤ（ショットキバリアダイオード）を形成する。 - 特許庁

A semiconductor optical amplifier is used which is made of a medium whose refractive index changes with the intensity of input light, and two p-type electrodes 506A and 506B are used to change an injecting current in order to control the state of the medium.例文帳に追加

入力光の光強度に応じて屈折率が変化する媒質から成る構造として半導体光増幅器を用い、媒質の状態を制御するために２つのｐ側電極５０６Ａ，５０６Ｂを用いて注入電流を変化させる。 - 特許庁

The CPU 91 allocates the generated additional patterns B to an image forming region of a sheet, and in that case, the CPU 91 randomly moves a reference point P used as a reference of allocation of the additional patterns B on the basis of random numbers to randomize the arrangement of the additional patterns B.例文帳に追加

ＣＰＵ９１は、生成された付加パターンＢを用紙の画像形成領域に割りけるが、そのときに、付加パターンＢの割り付け基準となる基準点Ｐを乱数によりランダムに移動させて、付加パターンＢの並びをランダムにさせる。 - 特許庁

Moreover, a high concentration region 16 is formed with higher accuracy because the lattice-to-lattice silicon in the silicon substrate 13 is reduced to control the redistribution of impurity when high temperature heat process is conducted before the process to implant such p-type impurity.例文帳に追加

また、このｐ型不純物を注入する工程の前に高温で熱処理を行うことで、シリコン基板１３内の格子間シリコンが低減して不純物の再分布が抑制されるので、高濃度領域１６が精度良く形成される。 - 特許庁

An n- type epitaxial layer 13 is formed on an n+ type drain layer 12 formed on a drain electrode 11, and a pillar layer consisting of a p type pillar layer 14 and an n type pillar layer 15 formed alternately in the lateral direction is formed thereon.例文帳に追加

ドレイン電極１１上に形成されたｎ＋型ドレイン層１２上に、ｎ−型エピタキシャル層１３が形成され、この上にｐ型ピラー層１４とｎ型ピラー層１５とを横方向に交互に形成してなるピラー層が形成される。 - 特許庁

The side airbag apparatus 22 is equipped with an airbag 26 which is deployed and inflated between a side portion of a body of a vehicle and the passenger P seated on a front seat 21 provided in a passenger compartment with gas injected from a gas ports 25a of an inflator 25.例文帳に追加

サイドエアバッグ装置２２は、インフレータ２５のガス噴出口２５ａから噴射されるガスにより、車両のボディサイド部と車室内に配置されたフロントシート２１に着座した搭乗者Ｐとの間で展開膨張するエアバッグ２６を備えている。 - 特許庁

(1) The surface of Sn, Sn alloys, Al or Al alloys is coated with a Cr-free post-treated film containing a lubricant of Si of 10 to 1,000 mg/m2 expressed in terms of SiO2 and P and C, desirably, of the film quantity of 1 to 20 wt.%.例文帳に追加

（１）Ｓｎ，Ｓｎ合金，Ａｌ，Ａｌ合金めっきの表面にＣｒを含有せず、ＳｉＯ_2 換算で１０〜１０００ｍｇ／ｍ^2 のＳｉ，ＰおよびＣと皮膜量の望ましくは１〜２０ｗｔ％の潤滑剤を含有する後処理皮膜を施す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a ZnO semiconductor film is used and which is free from generation defects or faults, even when ZnO films doped with an n-type or p-type impurity are employed for the source and drain electrodes, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＺｎＯ半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純物を添加したＺｎＯ膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the capacity compressing operation is lessened to result in that the discharge characteristic is gradually rewritten even when the compression ratio P is high, and hence the rapid change of the discharge condition due to the rapid change of the residual capacity can be avoided.例文帳に追加

このようにすれば、容量圧縮率Ｐが大きい場合でも容量圧縮操作を小さくするので、放電特性の書き換えが徐々に行われることになり、残存容量の急変による放電状態の急変を回避することができる。 - 特許庁

A winding prevention control unit 49 generates an index relating to the amount of the second liquid (processing liquid) interposed between the leading end area Pb of paper P and the upper roller 10a of a pair of leveling rollers 10 disposed in contact with the area Pb, and compares the index with a predetermined threshold.例文帳に追加

巻付防止制御部４９は、用紙Ｐの先端領域Ｐｂとここに接触する均しローラ対１０の上部ローラ１０ａとに介在する第２液（処理液）の量に係る指標を生成し、この指標と所定の閾値とを比較する。 - 特許庁

The placement/cooling units P-CP serve both as a function for temporarily placing the substrate W before exposure treatment by an aligner 17, and a cooling function (temperature preservation function) for matching the temperature of the substrate W to that in the aligner 17.例文帳に追加

この載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰは、露光装置１７による露光処理前の基板Ｗを一時的に載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１７内の温度に合わせるための冷却機能（温度維持機能）とを兼ね揃えている。 - 特許庁

A level difference 16 between a drive transistor Qn1 and the word transistor Qn3 or between a drive transistor Qn2 and the word transistors Qn4 is provided in P-type active regions 11a and 11b at positions opposite to N-type active regions 12a and 12b.例文帳に追加

駆動トランジスタＱｎ１とワードトランジスタＱｎ３、また、駆動トランジスタＱｎ２とワードトランジスタＱｎ４との間の段差１６は、ｐ型能動領域１１ａ，１１ｂそれぞれのｎ型能動領域１２ａ，１２ｂと反対側の位置に設けられている。 - 特許庁

This video display terminal A is provided with a basic module M1 fixed to a wall with its rear part housed in the wall; and an exposed panel P detachably mounted on the front side of a basic module M1, and electrically connected to the basic module M1.例文帳に追加

映像表示端末Ａは、壁内に後部を収める形で壁に固定される基本モジュールＭ１と、基本モジュールＭ１の前面側に着脱可能に装着され基本モジュールＭ１に電気的に接続される露出パネルＰとを備える。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

In this drug release stent, after the surface of the stent base material 11 is treated by primer, the primer layer P is covered with the drug retaining layer M and the drug retaining layer M is covered with a covering layer 12 composed of the high polymer material containing no NF-κB decoy.例文帳に追加

ステント基材１１表面をプライマー処理した後、当該プライマー層Ｐを、前記薬剤保持層Ｍで被覆し、前記薬剤保持層Ｍを、ＮＦ−κＢのデコイを含有しない高分子材料からなる被覆層１２で被覆した。 - 特許庁

The light detecting element 20 is formed by including a pin diode having a p-type semiconductor layer 22, a sensitive region 24, and an n-type semiconductor layer 26, and the sensitive region 24 is formed along the outer edge 2a of the light emitting element 2 in a plan view.例文帳に追加

光検出素子２０は、ｐ型半導体層２２、有感領域２４、ｎ型半導体層２６を有するｐｉｎダイオードを含んで構成され、このうち有感領域２４は、平面視で発光素子２の外縁２ａに沿って形成されている。 - 特許庁

Then a processing (P×G) 407 to modify a seal stamp image (seal stamp image F) of an editor registered in advance, according to a prescribed rule is performed on the basis of revision data G, including the difference data 404 and the attribute information 405.例文帳に追加

次いで、差分データ４０４と属性情報４０５を含む変更データＧに基づいて、予め登録しておいた編集者の印鑑イメージ（印影画像Ｆ）を所定の規則に従って変形する処理（Ｐ×Ｇ）４０７が実行される。 - 特許庁

Further, in punching, punching is conducted b the punch P and the punching die PD indexed at the working position R, a slug S is discharged from a slug discharge hole 61 arranged at the center of the forming piston 59.例文帳に追加

一方、抜き加工を行う際には、加工位置Ｒに割り出されたパンチＰと抜き加工用のダイＰＤにより抜き加工を行い、抜きカスＳは成形ピストン５９の中央に設けられている抜きカス排出用の穴６１から排出される。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁

In a phase difference detection means 63, a phase difference is detected by obtaining for example, a ratio of P polarization component and S polarization component based on an output signal of at least two photo-detectors.例文帳に追加

そして、位相差検出手段６３では、少なくとも２つの光検出器からの出力信号に基づいて、例えば戻り光束に含まれるＰ偏光成分とＳ偏光成分との割合を求めることによって、位相差が検出される。 - 特許庁

When operation is being monitored, the control circuit 9 detects by means of the pressure sensor 11 an operation time Ta (actually measured data) during which a pressure P in the tank 5 rises from the reference pressure Pr to the allowable maximum pressure Pm.例文帳に追加

運転監視時において、制御回路部９は、圧力センサ１１によりタンク部５内の圧力Ｐが前記基準圧力Ｐｒから前記許容最高圧力Ｐｍに上昇するまでの運転時間Ｔａ（実測データ）を検出する。 - 特許庁

The fluid is introduced from the inlet into the shielding cylindrical portion, made to inertia-collide with the shielding surfaces so that the water in the fluids is separated, guided into the communicating hole of the plate portion through the passage P and dried efficiently with the desiccant.例文帳に追加

而して、流体は流入口から遮蔽筒部内に導入され、その遮蔽面に慣性衝突して流体内の水分が分離され、流路Ｐを介してプレート部の連通孔に案内され、乾燥剤によって効率的に乾燥される。 - 特許庁