「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(288ページ目) - Weblio英語例文検索

In the vehicle 10 or the control station 20, processing for determining a position Pg where an abnormal acceleration G is generated is performed based on the position P measured by the measuring device 12 and the acceleration G determined by arithmetic processing.例文帳に追加

車両１０または管制局２０では、ＧＰＳ位置計測装置１２で計測された位置Ｐと、演算処理により求められた加速度Ｇとに基づいて、異常な加速度Ｇが発生した位置Ｐｇを求める処理が行なわれる。 - 特許庁

The plug 4 includes electrodes for connecting wires W, the body 2 for holding them and the shell 3 covering them; and in the body 2 and the shell 3, projections and body engagement edges formed at right and left ends thereof are engaged with each other (engagement parts P).例文帳に追加

プラグ４は、電線Ｗを接続する電極と、これを保持するボディ２と、これらを覆うシェル３を有し、ボディ２とシェル３はこれらの左右端に設けられた突起とボディ係合縁とが係合されている（係合部分Ｐ）。 - 特許庁

In a tumor treatment equipment 1, an applicator 3 is brought into contact with a patient P and ultrasonic waves generated by a group 21 of piezoelectric elements driven by a high frequency power supply 9 are converged at the affected part R to heat the affected part R and cure a tumor.例文帳に追加

腫瘍治療装置１は、アプリケータ３を患者Ｐに接して、高周波電源装置９で駆動される圧電素子群２１から発せられる超音波を患部Ｒに収束させ、患部Ｒを加熱し腫瘍を治療する。 - 特許庁

If it is set such that the oil pressure is supplied to the oil pathway 53 after a predetermined oil pressure P is generated in the oil pathway 52, a time until a first gear is usable is shortened, and quick starting can be carried out after starting of the engine.例文帳に追加

油路５２に所定油圧Ｐｃが生じた後に油路５３へ油圧を供給するように設定すると、第１速ギヤが使用可能となるまでの時間が短縮されて、エンジン始動後の素早い発進が可能となる。 - 特許庁

The heat-generating member is comprised of the directional heat-generating member 15 having a main heat generation intensity distribution in a specific direction and the heat-generating member is so arranged as to extend along the surface to be treated of the recording medium P.例文帳に追加

発熱部材を、主発熱強度分布を特定の角度方向に有する指向性の発熱部材１５で構成し、且つ、発熱部材を主発熱強度分布が記録媒体Ｐの被処理面に沿って延びるように配置した。 - 特許庁

The path 6a has driving positions by an arrangement of at least a P range, an R range, an N range and a D range in the order, and is transversely located on three lines or a second line II, a third line III and a fourth line IV.例文帳に追加

経路６ａは、少なくともＰレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ、及びＤレンジの順に配置した運転ポジションを備えて、左右横方向に３つの第２ラインＩＩ、第３ラインＩＩＩ、及び第４ラインＩＶ上に配置している。 - 特許庁

Responding to this leak detection, a back bias setting circuits 180 sets back bias for a P channel MOS transistor and an N channel MOS transistors so that off-leak current of transistors in each try-state buffers 111, 112 are made small.例文帳に追加

このリーク検知に応答して、各トライステートバッファ１１１，１１２中のトランジスタのオフリーク電流が小さくなるように、バックバイアス設定回路１８０がＰチャネルＭＯＳトランジスタ用及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ用のバックバイアスを設定する。 - 特許庁

The long recording sheet P placed in the sheet feeding cassette 10 is pushed against the feed roller 71 by the advancing hopper 16 and is ready to be automatically fed by a driving rotation of the feed roller 71.例文帳に追加

給送用カセット１０に収容されている長尺サイズの記録紙Ｐは、進出したホッパ１６に押動されて給送用ローラ７１に押圧され、給送用ローラ７１の駆動回転により自動給送可能な状態となる。 - 特許庁

With intrusion of the trailing end P1 of the transfer material P into the conveyance path 6, a semi-arc light shielding plate 15 is rotated, and a first detection sensor 16 detects a pulse formed by a slit 15a formed in the light shielding plate 15.例文帳に追加

この転写材Ｐの先端Ｐ１の搬送路６内への侵入に伴い、半弧状の遮光板１５を回転させ、遮光版１５に形成されたスリット１５ａによって形成されるパルスを第１の検知センサ１６が検出する。 - 特許庁

The paper P is folded in the order of the folding lines L1 and L2 to become four-sheet thickness and the positions corresponding to the second folding lines L2 become binding side edges 22 to form each signature 12 capable of turning over the respective sheets.例文帳に追加

紙Ｐを折り畳み線Ｌ１及びＬ２の順番で折り畳むことで四枚厚となり、第２の折り畳み線Ｌ２相当位置が綴じ込み側縁２２とされて各枚が捲り可能な折丁１２を形成することができる。 - 特許庁

Blow-out passages 40A, 40B having one end part opened to the inner surfaces of through-holes 39A, 39B and the like, and the other end opened to a surface 38 having the distance R from the center axis P are provided in a circuit board retaining piece 38.例文帳に追加

また、一方の端部が貫通孔３９Ａ〜３９Ｄの内面に開口し、他方の端部が軸心Ｐからの距離がＲの面３８ａに開口する吹き出し通路４０Ａ〜４０Ｄを、基板押えピース３８に設ける。 - 特許庁

A pole anisotropic ring magnet is used as a ring-shaped magnet 6 forming a motor rotor, and a hollow par P opening to its axial one side is formed in the inner diameter part of the rotor core 5 pivotally supporting the ring-shaped magnet 6.例文帳に追加

モータロータを構成するリング状マグネット６として極異方性リング磁石を用いるとともに、このリング状マグネット６を支承するロータコア５の内径部に、軸方向一方に向けて開口する中空部Ｐを形成する。 - 特許庁

Edges of the plurality of cutting blades 25 are formed so that the cutting-in depth to the paper sheet bundle P on the paper placing table 15, successively becomes deep when the cutting blade holding means 26 moves along the cutting line X.例文帳に追加

そして上記複数の断裁刃２５の刃先は、上記断裁刃保持手段２６が上記切断線Ｘに沿って移動する際に上記紙載台１５上の紙葉束Ｐに対する切り込み深さが順次深くなるように形成する。 - 特許庁

The fluid, in which an anionic aromatic compound (A), a cationic surfactant (B), powder (P) and water (W) are incorporated and the anionic aromatic compound (A) is combined with the cationic surfactant (B) under a specified condition, is sent forcibly.例文帳に追加

アニオン性芳香族化合物（Ａ）と、カチオン性界面活性剤（Ｂ）と、粉体（Ｐ）と水（Ｗ）とを含有し、アニオン性芳香族化合物（Ａ）とカチオン性界面活性剤（Ｂ）とを特定条件で組み合わせた流体を圧送する。 - 特許庁

In this case, a pachinko ball P has approximately zero force due to colliding with a wall surface portion A and therefore has low prize rate for a special figure pattern starting prize port 128 and high rate of being guided to a side slope 123B.例文帳に追加

この場合、パチンコ球Ｐは、壁面部Ａとの衝突によってその勢いが略ゼロになっているため、特別図柄始動入賞口１２８への入賞率が低い、サイドスロープ１２３Ｂへ案内される割合が高くなる。 - 特許庁

When the shift lever is in the N position or P position, a valve overlap period is eliminated and the valve closing period of the suction valve is set before the bottom dead center of the engine (step S150) so that already burnt gas is blown back to a suction port.例文帳に追加

シフトレバーがＮ位置又はＰ位置にある場合は、バルブオーバーラップ期間をなくし、且つ吸気バルブの閉弁時期を機関下死点以前に設定する（ステップＳ１５０）ことで既燃焼ガスが吸気ポートに吹き返されることを抑制する。 - 特許庁

The LED chip 1 is structured such that a quantum well structure comprising an n-type semiconductor layer 3 and light-emitting layer 4 of a GaN compound semiconductor, and a p-type semiconductor layer 5 are laminated in order on the crystal of a translucent substrate 2.例文帳に追加

ＬＥＤチップ１は、透光性基板２の結晶上にＧａＮ系化合物半導体のｎ型半導体層３、発光層４を含む量子井戸構造、及びｐ型半導体層５を順番に積層した構造を備える。 - 特許庁

The comparative determination device 24 determines whether distances (h_k, g_p) to all p exceed a threshold θp or not, and stores each sample image I_k while attaching a label of "incorrect" when it exceeds and a label "correct" when it does not exceeds in a learning database 25.例文帳に追加

比較判定装置２４は、すべてのｐに対して距離（ｈ_k、ｇ_p）がすべて閾値θ_pを超えるか否かを判定し、超えるときは「不正解」、超えないときは「正解」のラベルをサンプル画像Ｉ_kに付して、学習用データベース２５に記憶させる。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes a semiconductor lamination part having at least an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, a first insulating part provided on either the n-type semiconductor layer and/or the p-type semiconductor layer and has a first opening, and a contact electrode provided continuously on the first insulating part and the semiconductor layer in the first opening and connected electrically with the semiconductor layer in the first opening.例文帳に追加

本発明の一形態に係る半導体レーザ素子は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを有する半導体積層部と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の少なくとも一方の半導体層上に設けられ第１開口部を有する第１絶縁部と、第１絶縁部上と第１開口部における半導体層上とに連続して設けられ第１開口部において半導体層と電気的に接続されたコンタクト電極と、を備える。 - 特許庁

The method for specifying the Cu contaminated position when reproducing the silicon wafer in combination of one or more treatment processes uses a P-type silicon wafer or a P-type silicon wafer and a N-type silicon wafer as a monitoring wafer to perform at least one detecting operation in the reproducing processes for detecting the electric resistance of the monitoring wafer before and after the plurality of single or consecutive treatment processes during reproduction.例文帳に追加

一以上の処理プロセスを組合わせてシリコンウエハーを再生する際に、該再生時におけるＣｕ汚染箇所を特定する方法であって、 モニターウエハーとして、Ｐ型シリコンウエハー、若しくはＰ型シリコンウエハー及びＮ型シリコンウエハーを使用し、前記再生時における単一若しくは連続する複数の処理プロセスの前後で、前記モニターウエハーの電気抵抗を検知する検知操作を、当該再生工程で、少なくとも一回実施することを特徴とするＣｕ汚染箇所の特定方法である。 - 特許庁

It is the sense of Congress that the exploitation and trade of conflict minerals originating in the Democratic Republic of the Congo is helping to finance conflict characterized by extreme levels of violence in the eastern Democratic Republic of the Congo, particularly sexual- and gender-based violence, and contributing to an emergency humanitarian situation therein, warranting the provisions of section 13(p) of the Securities Exchange Act of 1934, as added by subsection (b).例文帳に追加

コンゴ民主共和国を原産とする紛争鉱物の開発および取引は、コンゴ民主共和国東部における深刻な暴力、特に性的暴行やジェンダーに基づく暴力により特徴づけられる紛争の資金調達に一役買っており、この地域での人道上、急を要する事態の一因となっており、1934年証券取引所法第13条(p)項（金融規制改革法第1502条(b)項により追加される）の規定を正当化する、というのが議会の認識である。 - 経済産業省

The composition is provided by incorporating (a) at least one fluorescent dyestuff or fluorescent brightening agent, (b) at least one electroconductive polymer preferably having at least one recurring unit of a type of aniline, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylenesulfide, p-phenylenevinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine or an aromatic ester in a cosmetically acceptable medium.例文帳に追加

化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の蛍光染料及び／又は蛍光増白剤、(ｂ)アニリン、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element having the p-type nitride semiconductor layer, by forming an electrode containing at least rhodium and iridium, an excellent ohmic contact between the electrode and the p-type semiconductor layer is obtained and at the same time, the nitride semiconductor element the external quantum efficiency of which is excellent is obtained because the electrode has a high reflection coefficient therefore the absorption of light at the electrode is reduced.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、ｐ型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極を形成することにより、電極とｐ型窒化物半導体層との良好なオーミック接触が得られると共に、電極が高反射率を有するので、電極における光の吸収が少なくなり、外部量子効率の良い窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

An interference canceller 33 generates a signal before synchronization detection and inverse spread processing by using data outputted from the Rake section 21 as initial data in other paths than the path P maximizing the power to obtain an interference replica and the signal is subtracted from a received signal with an interference replica of a pilot channel to conduct again synchronization detection and inverse spread processing as to the path P maximizing the power.例文帳に追加

干渉キャンセラ３３においては、Ｒａｋｅ部２１から出力されたデータを初期データとして、電力が最大となるパスＰ以外のパスにおける、同期検波および逆拡散を行う以前の信号を生成して干渉レプリカとし、パイロットチャンネルの干渉レプリカとともに、受信信号から差し引いて、電力が最大のパスＰについて再び逆拡散および同期検波を行う。 - 特許庁

A thermoelectric conversion module includes a plurality of n-type thermoelectric conversion materials and a plurality of p-type thermoelectric conversion materials and a plurality of electrodes electrically connecting a plurality of the p-type thermoelectric conversion materials and a plurality of the n-type thermoelectric conversion materials in series alternately, and the thermoelectric conversion module uses the n-type thermoelectric conversion materials as the thermoelectric conversion materials.例文帳に追加

複数のｎ型熱電変換材料および複数のｐ型熱電変換材料と、前記複数のｐ型熱電変換材料及び複数のｎ型熱電変換材料をｐ型ｎ型交互に電気的に直列に接続させる複数の電極とを備える熱電変換モジュールであって、前記ｎ型熱電変換材料が、前記熱電変換材料であることを特徴とする熱電変換モジュール。 - 特許庁

The parking brake device 1, which imparts thrust force Fpr based on tension F of a cable to a pad included in a service brake device, includes a control oil pressure detecting means 3 that detects control oil pressure P of the service brake device and a target tension decision means 2a that decides target tension F1 of the tension F based on the control oil pressure P.例文帳に追加

本発明による駐車ブレーキ装置１は、サービスブレーキ装置の含むパッドにケーブルの張力Ｆに基づいた推力Ｆｐｒを付与する駐車ブレーキ装置１であって、サービスブレーキ装置の制御油圧Ｐを検出する制御油圧検出手段３と、張力Ｆの目標張力Ｆ１を制御油圧Ｐに基づいて決定する目標張力決定手段２ａと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

When an ACF 3 stuck on a predetermined position of a side of a display substrate P conveyed by a conveyance unit is imaged to inspect a sticking state of an ACF, the display substrate P is imaged during conveyance after sticking the ACF 3, fluctuation in an ACF image obtained by imaging during the conveyance is corrected, and an imaging unit images an imaging region SH including the ACF 3 stuck on the predetermined position.例文帳に追加

搬送手段によって搬送される表示基板Ｐの辺の所定位置に貼付けたＡＣＦ３を撮像しＡＣＦ貼付け状態を検査する際に、前記ＡＣＦ３を貼付け後に前記表示基板Ｐを搬送中に撮像し、搬送中の撮像によって得られたＡＣＦ画像の揺らぎを補正し、撮像手段は所定位置に貼付けたＡＣＦ３を含む撮像領域ＳＨを撮像する。 - 特許庁

The method includes the steps of coloring, by adding acid, starch, iodine compound to the liquid to be measured; coloring by adding diethyl-p-phenylenediamine; coloring by adding the diethyl-p-phenylenediamine after adding glycine solution, wherein the degree of color is measured in each coloring process; and measuring the chlorite ion by calculating the measured values.例文帳に追加

被検液中の亜塩素酸イオン濃度を測定する方法であって、被検液に対して、酸、デンプン、及びヨウ素化合物を添加して発色させる工程、ジエチル−ｐ−フェニレンジアミンを添加して発色させる工程、グリシン溶液を添加した後にジエチル−ｐ−フェニレンジアミンを添加して発色させる工程、で各々の発色度を測定し、その測定値を演算することにより亜塩素酸イオンを測定方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device having CMISFETs, a gate electrode 31a of an n-channel MISFET 30a is composed of a nickel silicide film formed by reacting a silicon film obtained by doping P, As or Sb to an Ni film, and a gate electrode 31b of a p-channel MISFET 30b is composed of a nickel silicon germanium film formed by reacting a non-doped silicon germanium film to the Ni film.例文帳に追加

ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをドープしたシリコン膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリサイド膜からなり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、ノンドープのシリコンゲルマニウム膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリコンゲルマニウム膜からなる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The solar cell has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer of a first compound semiconductor material and at least one quantum well layer of a second compound semiconductor material having a plurality of protrusions between the p- and n-type semiconductor layers, and one or any of a plurality of quantum well layers has protrusions different in size.例文帳に追加

太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも１層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。 - 特許庁

A P-P type transmitting device for transmitting a packet comprises an inserting means 20 for inserting a dedicated byte for storing speed/duplex information on a payload, a detecting means 21 for detecting the speed/duplex information in the dedicated byte on the payload transmitted from the opposite device, and a transmission speed adjusting means 22 for performing transmission speed adjustment that is matched to the opposite device.例文帳に追加

パケットを伝送するＰ−Ｐ型伝送装置において、スピード／デュープレックス情報を格納する専用バイトをペイロード上に挿入する挿入手段２０と、対向装置から送信されたペイロード上の専用バイト内のスピード／デュープレックス情報を検出する検出手段２１と、対向装置に合わせた伝送速度調整を行なう伝送速度調整手段２２と、を有して構成される。 - 特許庁

In a wet etching process, the quantity of a wet etching solution penetrated between a layer insulation film and a resist film varies depending on the impurity concentration ratio of boron to phosphorus, B/P, and it is controlled to reduce the proportion of the boron impurity concentration to the phosphorous impurity concentration since the penetration quantity tends to increase with the increase of the B/P ratio.例文帳に追加

ウェットエッチング工程においてウェットエッチング液が層間絶縁膜とレジスト膜との間に染み込む量である染み込み量は、硼素の不純物濃度と燐の不純物濃度との比によって変化し、Ｂ／Ｐ（硼素の不純物濃度／燐の不純物濃度）の値が大きいほど染み込み量が増加する傾向があるため、燐の不純物濃度に対する硼素の不純物濃度の割合を低く抑えるようにコントロールする。 - 特許庁

The optimal operating temperature control method for the high-output diamond semiconductor element is characterized in that the optimal operating temperature of the high-output diamond semiconductor element is set by controlling impurity doping density, the high-output diamond semiconductor element having a structure comprising a Schottky electrode as a cathode, a diamond p^- drift layer, a diamond p^+ ohmic layer, and an ohmic electrode as an anode.例文帳に追加

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ^−ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、不純物ドーピング濃度をコントロールすることにより、高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度を設定することを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法。 - 特許庁

A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C.例文帳に追加

フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、ｐ型ＬＤＤ６形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極３，２３のサイドウォールの形成前に９００℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来，その結果ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのリークレベルを低くすることができ，かつリークのばらつきも小さくできる。 - 特許庁

However, in the Description of the invention, there is a description that plural lines of a hybridoma producing a monoclonal antibody of IgM isotype that satisfy the limitative conditions, "reacting with a surface antigen P of a virus Y with a association constant of 1010M-1 or more" can be obtained by selecting a certain specific partial amino acid sequence from the amino acid sequence encoding a surface antigen P of a virus Y. 例文帳に追加

しかしながら、発明の詳細な説明には、ウイルスＹの表面抗原Ｐをコードするアミノ酸配列から、ある特定の部分アミノ酸配列を選択することによって、「ウイルスＹの表面抗原Ｐに対して結合定数：1010Ｍ-1以上で反応する」という限定的な条件を満たすＩｇＭ型モノクローナル抗体を産生するハイブリドーマを複数株取得することができたことが記載されている。 - 特許庁

Like this, the signals indicating the game machine statuses are output from the respective output terminals of the first and second connectors 16 and 17 on the main control board C together with the signals indicating the game statuses in parallel with the game progress of a Pachinko machine P, so a test for efficiently analyzing the statuses of the Pachinko machine P can be carried out by connecting the tester 19 or the like with the output terminal.例文帳に追加

このように、パチンコ機Ｐの遊技の進行と並行して、主制御基板Ｃの第１及び第２コネクタ１６，１７の各出力端子から遊技の状態を示す信号と共に遊技機の状態を示す信号が出力されるので、その出力端子に試験機１９などを接続することにより、パチンコ機Ｐの状態を分析するための試験を効率よく行うことができる。 - 特許庁

In an inkjet recording method which enables the ejection of ink particles 130 to impinge on a recording medium P from a nozzle 230 of a recording head module 210 provided with the plurality of nozzles 230, an ejecting direction of the ink particles 130 is deflected so that the ink particles 130 ejected respectively from the plurality of nozzles 230 can impinge on the same pixel position or at a nearby position of the recording medium P.例文帳に追加

ノズル２３０を複数備えた記録ヘッドモジュール２１０のノズル２３０からインク粒子１３０を吐出して被記録体Ｐ上に着弾させるインクジェット記録方法において、前記複数のノズル２３０からそれぞれ吐出するインク粒子１３０が、前記被記録体Ｐの同一の画素位置またはその近傍に着弾できるように、前記インク粒子１３０の吐出方向を偏向することを特徴とする。 - 特許庁

The polyurethane-based curable composition contains (P) an isocyanate group-terminated polyurethane prepolymer, and (Q) a polyether monool derivative of a reaction product of (B) a polyether monool with (D) a polyisocyanate, wherein the polyether monool B is represented by R^1-O-(R^2-O)_n-H in the combination of the isocyanate-terminated polyurethane prepolymer P with the polyether monool derivative Q.例文帳に追加

イソシアネート基末端ポリウレタンプレポリマー（Ｐ）およびポリエーテルモノオール（Ｂ）とポリイソシアネート（Ｄ）との反応生成物であるポリエーテルモノオール誘導体（Ｑ）を含むポリウレタン系硬化性組成物において、イソシアネート基末端ポリウレタンプレポリマー（Ｐ）とポリエーテルモノオール誘導体（Ｑ）の組み合わせにおいて、ポリエーテルモノオール（Ｂ）がＲ^１−Ｏ−（Ｒ^２−Ｏ）_ｎ−Ｈで表されることを特徴とするポリウレタン系硬化性組成物。 - 特許庁

The storage case 102 is formed in such a notched shape that the body of the storage case 102 does not reach the extension of the line connecting the centers of the permanent magnet 107 and the pachinko ball P passing a prescribed area of a game member and does not reach the extension of the line connecting the centers of the hall element 106 and the pachinko ball P passing the prescribed area of the game member.例文帳に追加

収納ケース１０２は、永久磁石１０７と遊技部材の所定領域を通過するパチンコ球Ｐとの各中心を結ぶ線の延長線上にまで収納ケース１０２本体が達しず、ホール素子１０６と遊技部材の所定領域を通過するパチンコ球Ｐとの各中心を結ぶ線の延長線上にまで収納ケース１０２本体が達しない欠けた形状に形成されている。 - 特許庁

The charge trap insulator memory comprises a lower word line, a P type float channel for retaining a floating state formed above the lower word line, a charge trap insulator formed above the P type float channel and storing data, an upper word line formed above a charge trap insulator in parallel with the lower word line, and an N type drain region and an N type source region formed on both sides of the float channel.例文帳に追加

下部ワードラインと、下部ワードラインの上部に形成されフローティング状態を維持するＰ型フロートチャンネルと、Ｐ型フロートチャンネルの上部に形成されデータが格納されるチャージトラップインシュレータと、チャージトラップインシュレータゲートの上部に下部ワードラインと平行に形成された上部ワードラインと、フロートチャンネルの両側に形成されたＮ型ドレイン領域及びＮ型ソース領域とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The DC-DC convertor 15A is a switching regulator comprising a main winding P inputting a first DC power source and a control winding B for switching the main winding P, at a primary side of a transformer 22, and the control winding B is used in common as one or both of a control power source for motor driver and a driving power source of the protective circuit.例文帳に追加

そして、ＤＣ−ＤＣコンバータ１５Ａは、変圧器２２の１次側に、第１直流電源を入力する主巻線Ｐと、主巻線Ｐのスイッチングを行うための制御用巻線Ｂとを備えたスイッチングレギュレータであり、前記制御用巻線Ｂを、モータ駆動ドライバの制御電源、および、保護回路の駆動電源の一方または双方として共用することを特徴とするミシンの制御装置。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

The thermoelectric power generation element 1 comprises an n-type and a p-type semiconductor 2, 3 electrically connected alternately in series by electrodes 4, 5 at their end parts, and at least either the n-type or the p-type semiconductor 2, 3 is connected to the electrode via a conductive elastic member 6 at least at one of the electrodes 4, 5 of the both end part.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電発電素子１において、ｎ型及びｐ型の半導体２，３の少なくとも一方が両端部の電極４，５の少なくとも一方で導電性の弾性部材６を介して電極に接続されていることを特徴とする熱電発電素子を提供する。 - 特許庁