「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(293ページ目) - Weblio英語例文検索

The recording material P passing through a press-contact part between the fixing roller 12 and the pressure roller 15 is fed in a state where it is brought into contact with the fixing belt 14 as it is, and the pressure roller 15 is elastically deformed to a recessed state at the press-contact part between the rollers 12 and 15.例文帳に追加

定着ローラ１２と加圧ローラ１５との圧接部を通過した記録材Ｐをそのまま定着ベルト１４に密着させて搬送し、かつ定着ローラ１２と加圧ローラ１５との圧接部で、加圧ローラ１５を凹んだ状態に弾性変形させる。 - 特許庁

According to this, compared with a case having no base isolation layer 21, the valid mass of the external building 20 is increased, the frequency that becomes a peak of frequency transmission function is reduced, and the transmission rate at a fixed point P in fixed-point theory is also reduced.例文帳に追加

これにより、免震層２１を設けていない場合に比べて、外部建物２０の有効質量が増加し、周波数伝達関数のピークとなる周波数が低くなり、定点理論における定点Ｐにおける伝達率も低下する。 - 特許庁

To provide a practical p type diamond semiconductor device in which hole concentration is 1.0×10^15 cm^-3 or above at a room temperature (300 K) or above, and also, dopant atom concentration is 1.0×10^21 cm^-3 or below, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The device includes: a stage 2 for mounting a substrate P; a discharge head 5 with a nozzle for discharging a droplet of a functional fluid from the nozzle; and a moving mechanism for reciprocating the stage 2 relatively in the predetermined direction with respect to the discharge head 5.例文帳に追加

基板Ｐを載置するステージ２と、ノズルを有し、ノズルから機能液の液滴を吐出する吐出ヘッド５と、ステージ２を吐出ヘッド５に対して所定方向に相対的に往復移動させる移動機構と、を備えた液滴吐出装置である。 - 特許庁

In the bending device including a back gage 2 for positioning the workpiece W, the workpiece W positioned by the back gage 2 is bent by the cooperation of a punch P which is mounted on an upper table and a die which is mounted on a lower table.例文帳に追加

ワークＷの位置決めを行うバックゲージ２を備え、当該バックゲージ２により位置決めされたワークＷを上部テーブルに装着されたパンチＰ及び下部テーブルに装着されたダイＤとの協働により、曲げ加工する曲げ加工装置である。 - 特許庁

The sucker 24, the arm 23 and the lifting mechanism 20 for moving the arm 23 between a suction position to place the sucker 24 by suction on the surface of the ticket P stored in the storage box 10 and a standby position constitute a discharge means.例文帳に追加

吸着子２４と、アーム２３と、収容箱１０に収容されているチケットＰの表面に吸着子２４を吸着させる吸着位置と待機位置との間でアーム２３を移動可能にする昇降機構２０は、取出し手段を構成する。 - 特許庁

A low-concentration p-type impurity region having a concentration approximately identical to that of a low-concentration n-type impurity region to be a channel region of a depression type n-channel MOS transistor is formed under the low concentration n-type impurity region to suppress variations in the depth of the low-concentration n-type imputiry region.例文帳に追加

デプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタの、チャネル領域となる低濃度Ｎ型不純物領域の下に、同程度の濃度の低濃度Ｐ型不純物領域を形成し、低濃度Ｎ型不純物領域の深さばらつきを抑制する。 - 特許庁

The probe 10 includes a beam 22 cantilever-supported on a support 21, a contact 23 mounted on a lower portion of the beam 22 and having a contact surface 24 in contact with an electrode P of a wafer, and a protrusion portion 27 for connecting the beam 22 with the contact 23.例文帳に追加

プローブ１０は、支持部２１に片持ち支持される梁部２２と、梁部２２の下方に設けられ、ウェハの電極Ｐと接触する接触面２４を備えた接触子２３と、梁部２２と接触子２３とを接続する突出部２７とを有している。 - 特許庁

Thereafter, a path P on the structure 100, which passes the detected similar node Ne, is searched from a start node Na of the structure 100 to generate a scenario for verifying the occurrence of a fault in the similar node Ne.例文帳に追加

そして、本手法では、構造体１００の開始ノードＮａから、検出された類似ノードＮｅを経由する構造体１００上の経路Ｐを探索することにより、類似ノードＮｅでの障害発生を検証するためのシナリオを作成する。 - 特許庁

When a recording material detection sensor 114 cannot detect the distal end of the recording material P in predetermined timing, a control unit 97 determines the occurrence of a jam of the recording material and separates the pressing roller 7 from the fixing roller 6 to release the heating nip 4N.例文帳に追加

制御部９７は、所定のタイミングで記録材検知センサ１１４が記録材Ｐの先端を検知できないと、記録材のジャムが発生したと判断して定着ローラ６から加圧ローラ７を離間して加熱ニップ４Ｎを解除する。 - 特許庁

In decryption, outputs L_W and U_W of the block encryption E_K are calculated for p and q, and an output (plain text M_W) of BCM_W for executing the block encryption use mode is calculated with mixed data T#U_W between the authenticator T and an output U_W and the cryptography C as inputs.例文帳に追加

復号：ｐ，ｑに対してブロック暗号Ｅ_Kの出力Ｌ_w，Ｕ_wを求め、認証子Ｔと出力Ｕ_wとの混合データＴ＃Ｕ_wと暗号文Ｃとを入力としてブロック暗号利用モードを実行するＢＣＭ_wの出力（平文Ｍ_w）を求める。 - 特許庁

In the clip, at least one leg out of the plurality of legs 2, 2, ... is formed into a movable leg 20 allowing accompanying motion up to a position at which the extremity thereof protrudes from the edge Pb of the through-hole on the end of the through-hole Pa by the foregoing pressing motion of the shaft P.例文帳に追加

複数の脚部２、２…の少なくとも一つを、軸体Ｐの前記押し込みにより、その先端側を貫通穴Ｐａの挿通先側の穴縁部Ｐｂから突き出させる位置まで、連れ移動可能な可動脚部２０としている。 - 特許庁

The end feed lane 5 is provided in a downward inclining posture on the downstream side of the intermediary device 10, has a weir portion G, receives balls B from the upper end of the intermediary device 10, and feeds them to every Pachinko machine P on the downstream side of the intermediary device 10.例文帳に追加

末端供給レーン５は、中継装置１０の下流側に、下降傾斜姿勢で設けられると共に堰部Ｇを有し、中継装置１０の上端部からの玉Ｂを受けて、中継装置１０の下流側の各パチンコ機Ｐに供給する。 - 特許庁

This paper sheet carrying mechanism 50 includes at least two carrier belts 54 arranged in parallel and a base part 52 oppositely arranged to the respective carrier belts 54 and sandwiching the carried paper sheets P between the respective carrier belts 54 and itself.例文帳に追加

紙葉類搬送機構５０は、並列に設けられた少なくとも２本の搬送ベルト５４と、各搬送ベルト５４に対向するよう設けられ、搬送される紙葉類Ｐが各搬送ベルト５４との間に挟まれるような基部５２とを備えている。 - 特許庁

In the figure, 505 is an N type cathode of photo diode, 506 is a surface P type area to make the photo diode a buried structure, and a 508a is an N type high concentration area which forms a floating diffusion and is a drain area of a transfer MOS transistor, too.例文帳に追加

５０５はフォトダイオードのＮ型カソード、５０６はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面Ｐ型領域、５０８ａはフローティングディフュージョンを形成し転送ＭＯＳトランジスタのドレイン領域ともなっているＮ型高濃度領域である。 - 特許庁

To provide a technique suppressing decline of sensor sensitivity caused by an S-wave component, even when light in which polarization components of a P-wave and an S-wave are mixed enters a surface plasmon resonance sensor allowing incidence of totally reflected light.例文帳に追加

全反射光を入射する表面プラズモン共鳴センサにおいてＰ波とＳ波の偏光成分が混在する光が入射した場合にも、Ｓ波成分によってセンサの感度が低下することを抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

The 23 for the n electrodes and the negative electrode 14 for the circuit board are grouped together and connected to a thin wire, whereby it is possible to connect the p electrode 24 in contact with the heat generation source to a thick wire of the positive electrode 15, thereby ensuring an efficient heat radiation route.例文帳に追加

ｎ電極用２３と回路基板の−電極１４をまとめて一本の細い配線に接続することで、発熱源に接するｐ電極２４を＋電極１５の太い配線に接続できるため効率のよい放熱経路が確保できる。 - 特許庁

The contact hole 69 having an area (upper-opening area) smaller than that of the n-type semiconductor layer 71 is formed in the insulating layer (66, 68) and the p-type semiconductor layer 64 and the i-type semiconductor layer 70 contact with each other through the contact hole 69.例文帳に追加

絶縁層（６６，６８）にｎ型半導体層７１の面積よりも小さい面積（上部開口面積）のコンタクトホール６９を形成し、当該コンタクトホール６９を介してｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が接するようにする。 - 特許庁

With this constitution, a sheet resistance component, which is produced undersirably by a large area planar structure p-n junction in a thin SOI layer, can be substantially subs reduced, and as a result, a non-cooled infrared sensor with low noise and high sensitivity can be obtained.例文帳に追加

このような構成により、薄いＳＯＩ層における大面積プレーナ型ｐｎ接合で問題となっていたシート抵抗成分を大幅に低減することができ、その結果として低雑音・高感度の非冷却赤外線センサを得ることが出来る。 - 特許庁

Then since roll off 19 is formed in the second delivery barrel 3 by the chamfering processing, the sheet neither get damaged nor become dirty by contacting of the paper bottom of the sheet P conveyed by the chain gripper 7 to the second delivery cylinder 3.例文帳に追加

この時、第二排紙胴３には前述の面取り加工による逃げ部１９が形成されているので、チェーングリッパ７で搬送される枚葉紙Ｐの紙尻が第二排紙胴３に接触して、枚葉紙が傷ついたり汚れたりすることがない。 - 特許庁

To shorten an erasure time by holding potential relation (VPW≤VDW) between a P well PW and a deep N well DW with simple circuit constitution and dissolving overhead of a charge/discharge time for the deep N well surrounding a memory cell in applying an erasure pulse.例文帳に追加

簡易な回路構成でＰウェルＰＷと深いＮウェルＤＷとの電位関係（Ｖ_PW≦Ｖ_DW）を保つと共に、消去パルス印加時にメモリセルを囲む深いＮウェルへのチャージ、ディスチャージ時間のオーバーヘッドを解消して、消去時間の短縮化を図る。 - 特許庁

The rolled body 10 comprises an inner rubber layer 11 in which the rubber strip P is wound with superposed width Wi of 30-90% of strip width Wg; and an outer rubber layer 12 wound with superposed width Wo of 20% or less of the strip width Wg.例文帳に追加

巻重ね体１０は、ゴムストリップＰをストリップ巾Ｗｇの３０〜９０％の重なり巾Ｗｉを有して巻き付けた内側ゴム層１１と、ストリップ巾Ｗｇの２０％以下の重なり巾Ｗｏで巻き付けた外側ゴム層１２とからなる。 - 特許庁

The push-button switch 300 is configured to keep a depressing state by the movement of a button top 310 in the depression direction P when a magnetic body 324 provided at the button top 310 is attracted to an electromagnet 326 applied by current.例文帳に追加

押しボタンスイッチ３００は、ボタントップ３１０に設けられた磁性体３２４が、電流が流された電磁石３２６に引き寄せられることにより、ボタントップ３１０が押下方向Ｐに移動し、押下状態が維持されるように構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a defect or fault is not generated even if a ZnO semiconductor film is used and a ZnO film to which an n-type or p-type impurity is added is used for a source electrode and a drain electrode, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＺｎＯ半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純物を添加したＺｎＯ膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The center in wall-thickness direction of an inner peripheral side web 7a of the web 7 that encloses the hub 4 and the key receiving part 10 is positioned around a contact point P between the side wall 11 of the key receiving part 10 and the key 8.例文帳に追加

ウェブ７のうちのハブ４及びキー受容部１０を取り囲む部分である内周側ウェブ７ａは、その肉厚方向の中心位置がキー受容部１０の側壁１１とキー８との接触位置Ｐにほぼ位置するようになっている。 - 特許庁

A light quantity correcting section sequentially obtains errors δ between the target light quantity T and the measured light quantity P in measuring the light quantity a plurality of times using different gradation values D, and sequentially corrects the coefficients a, b to minimize the errors δ.例文帳に追加

光量補正部は、異なる階調値Ｄを用いた複数回の光量測定時における目標光量Ｔと測定光量Ｐとの誤差δを順次求め、誤差δを最小化するように係数ａ，ｂを順次補正する。 - 特許庁

The layered product 101 comprises, from the substrate side, a first n-type nitride semiconductor layer 102, an active layer 103 consisting of a nitride semiconductor, a p-type nitride semiconductor layer 104, and a second n-type nitride semiconductor layer 105, in this order.例文帳に追加

該積層体１０１には、基板側から、第１のｎ型窒化物半導体層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０３と、ｐ型窒化物半導体層１０４と、第２のｎ型窒化物半導体層１０５とがこの順に含まれている。 - 特許庁

A lactide and a specified aromatic hydroxycarboxylic acid derivative represented by phenyl p-hydroxybenzoate are thermally reacted in the absence of a solvent to produce a biodegradable copolyester having a weight-average molecular weight of 1,000 to 1,000,000.例文帳に追加

ラクチドとＰ−ヒドロキシ安息香酸フェニルエステルで代表される特定の芳香族ヒドロキシカルボン酸誘導体とを溶媒非存在下で加熱反応させて、重量平均分子量が１,０００〜１,０００,０００の生分解性共重合ポリエステルを製造する。 - 特許庁

This acupressure pillow for the musculus latissimus dorsi 1 is formed by connectively providing a musculus latissimus dorsi abutment part 2 having a plurality of acupressure projection parts 4 in a part abutting on the musculus latissimus dorsi Q of the user, and a head part abutment part 3 mounting the head part P of the user.例文帳に追加

本発明に係る広背筋用指圧枕１は、使用者の広背筋Ｑに当接する部分に複数の指圧用突起部４を備えた広背筋当面部２と、使用者の頭部Ｐを載置する頭部当面部３とを連設して成る。 - 特許庁

In an n-channel MISFET 40 and a p-channel MISFET 41 constituting CMISFET, gate insulating films 14 and 15 are formed of silicon oxynitride films, and gate electrodes 23 and 24 comprise silicon films positioned on the gate insulating films 14 and 15.例文帳に追加

ＣＭＩＳＦＥＴを構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１は、ゲート絶縁膜１４，１５が酸窒化シリコン膜からなり、ゲート電極２３，２４が、ゲート絶縁膜１４，１５上に位置するシリコン膜を含んでいる。 - 特許庁

Accordingly, the promoting effect on the growth of the epidermis and on the heal of skin wound can be developed by the administration of an insulin-like growth factor in combination with a substance P analog and/or its pharmacologically permissible salt.例文帳に追加

したがって、サブスタンスＰ類縁体およびその医薬として許容される塩類の少なくとも１つとインシュリン様成長因子を併用して投与すれば、皮膚表皮伸長の促進効果および皮膚創傷の治癒促進効果を奏する。 - 特許庁

The parts P moving on the flange portion 2a along a peripheral wall 4 by centrifugal force are sorted into the parts having the prescribed shapes and dimensions by a parts sorting means 10, which are aligned in the prescribed attitudes and delivered from a parts conveyance rail 7.例文帳に追加

遠心力によりフランジ部２ａ上を周壁４に沿って移動する部品Ｐは部品選別手段１０によって所定形状、寸法のものに選別され、所定の姿勢に整列されて部品搬送レール７から排出される。 - 特許庁

There are provided the alcohol-fermenting yeast which is Saccharomyces cerevisiae (Accession Number NITE P-890) which can proliferate in the presence of limonene having concentration of 0.1 to 0.5 wt.% and having resistance to the limonene, and the method for producing the ethanol therewith.例文帳に追加

濃度０．１〜０．５ｗｔ％のリモネンの存在下で増殖することが可能な、リモネンに耐性を有するサッカロマイセス・セルビジエ（受託番号 ＮＩＴＥ Ｐ−８９０）であるアルコール発酵性酵母及びこれを使用するエタノール製造方法。 - 特許庁

To provide a process for producing 1,3-di(2-p-hydroxyphenyl-2-propyl) benzene in high selectivity and high yield as the formation of isomers and high-order condensates is suppressed by reaction of phenol with 1,3-di(2- hydroxy-2-propyl)benzene.例文帳に追加

フェノールと1,３−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンとの反応によって、異性体や高次縮合物の生成を抑えて、高選択性高収率にて、1,３−ジ（２−ｐ−ヒドロキシフェニル−２−プロピル）ベンゼンを製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

A motor 1 for EPS is a brushless motor using a segment magnet 16 with a cross section formed in a D type, and an opposing planar surface 43 formed by chamfering a core apex P of a rotor core 15 is provided between magnet attachments 15a of the rotor core 15.例文帳に追加

ＥＰＳ用モータ１は、断面がＤ型に形成されたセグメントマグネット１６を使用したブラシレスモータであり、ロータコア１５のマグネット取付部１５ａの間に、ロータコア１５のコア頂点Ｐを面取りする形で平面状の対向面４３を設ける。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

This bending device has a bottom die 12 which is freely positioned in the vertical direction and consists of a die consisting of a punch P and a die D for pinching a work W and vibrators 4 for imparting vibration to the die having the bottom die 12.例文帳に追加

上下方向に位置決め自在な底型１２を有し、ワークＷを挟圧するパンチＰとダイＤから成る金型と、ワークＷが挟圧された状態で、底型１２を有する金型に対して振動を付与する振動子４から成る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor which is useful to the manufacture of a reliable light emitting device of the group III nitride semiconductor having low drive voltage and also little time variation of forward voltage in 1 μA.例文帳に追加

駆動電圧が低く、且つ、１μＡでの順方向電圧の時間的な変化量が少なく、信頼性の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A means for supplying the drink can 10 (not shown) is disposed in the upstream of the positioning means 20 and the print image P is projected onto the photosensitive surface of the drink can 10 while carrying the drink can 10 downstream from the supply means.例文帳に追加

位置決め手段２０の上流に、飲料用缶１０の図示しない供給手段を配置し、この供給手段から飲料用缶１０を下流に搬送しながら、その感光性の表面に印刷画像Ｐを投影させる構成である。 - 特許庁

The length L of the paper magazines 50 and 60 is set to length corresponding to the width of the photosensitive material P housed in the respective magazines 50 and 60, and the magazines 50 and 60 are respectively loaded on the magazine bases 72 and 73 corresponding to the length L of the respective magazines.例文帳に追加

ペーパーマガジン５０，６０のマガジン長さＬを該各マガジン５０，６０に収容される感光材Ｐの幅に対応した長さに設定し、該マガジン５０，６０が各マガジン長さＬに対応するマガジン台７２，７３にそれぞれ装填されるようにする。 - 特許庁

The power conversion device is constituted, in such a manner that power is converted between three-level direct currents and three-level alternate currents by three sets of power conversion units 2U, 2V and 2W having three-level DC terminals P, C and N and a one-phase AC output terminal AC.例文帳に追加

３レベルの直流端子Ｐ、Ｃ、Ｎと１相分の交流出力端子ＡＣを有する３組の電力変換ユニット２Ｕ、２Ｖ、２Ｗによって３レベルの直流と３相交流間を電力変換するように構成する。 - 特許庁

The traveling recording device 1 calculates the signal color based on the signal information and the passing time from a receiving point in every processing period, calculate the distance to the stop line P based on the distance information and a speed of the vehicle 5, and records these.例文帳に追加

走行記録装置１は、処理周期毎に、信号情報と受信時点からの経過時間とに基づいて信号灯色を算出し、距離情報と車両５の速度などに基づいて停止線Ｐまでの距離を算出し、これらを記録する。 - 特許庁

The vessel P comprises a second barrel 4 whose tip has a mouth part 41, a second gasket 5 which is attached to the mouth part 41 of the second barrel 4 in the state of covering it, and a third gasket 6 which is attached by being inserted into the second barrel 4, so as to define a chemical agent chamber 42.例文帳に追加

プランジャ状容器Ｐは、先端に口部４１を有する第２バレル４と、この第２バレル４の口部４１に冠着された第２ガスケット５と、第２バレル４に挿着されて薬剤室４２を画設する第３ガスケット６とを含んでなる。 - 特許庁

Then, the photographing direction D of an imaging device is turned to the center of the face of the person P searched by the tilt motor and the center of the person's face is framed in the center of the angle of view (S124 to S138), and the person's face is photographed by the imaging device.例文帳に追加

そして、チルトモータにより探し出された人物Ｐの顔の中心に撮像素子の撮影方向Ｄが向けられて画角の中心に人物の顔の中心がフレーミングされて（Ｓ１２４〜１３８）、撮像素子で人物の顔が撮影される。 - 特許庁

In the level shift circuit, nodes NA and NB are set to voltages ('VDD-Vthp', 'VSS+Vthn') at ON and OFF switching points of a p-type MOS transistor Qp1 and an n-type MOS transistor Qn1 and then turned into floating state.例文帳に追加

ノードＮＡおよびＮＢは、ｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐ１およびｎ型ＭＯＳトランジスタＱｎ１のオンとオフとの切り換わり点の電圧（‘ＶＤＤ−Ｖｔｈｐ’，‘ＶＳＳ＋Ｖｔｈｎ’）にそれぞれ設定された後、フローティング状態にされる。 - 特許庁