「probe microscope」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tapping mode atomic force microscope (AFM) allowing measurement of a delicate sample or a flexible material, and capable of reducing impact force between a probe and the sample acting during collision; and its operation method.例文帳に追加

繊細な試料や柔軟な素材の計測を可能にする、衝突の間に作用するプローブと試料の間の衝撃力を低減する実施可能なタッピングモード原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）及びその操作方法を提供する。 - 特許庁

The black defect is removed by the same method as anodic oxidation by using that DLC is oxidized by partial VUV light irradiation from a scanning proximity place optical microscope probe in an ozone atmosphere, it becomes the volatile component and is removed.例文帳に追加

またはオゾン雰囲気下での走査近接場光学顕微鏡探針からの局所VUV光照射でDLCが酸化され揮発性成分となって除去されることを利用し、陽極酸化と同様な方法で黒欠陥を除去する。 - 特許庁

CANTILEVER ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SCANNING PROBE MICROSCOPE USING THE SAME, SLIDING DEVICE FOR GUIDE AND ROTATION MECHANISM, SENSOR, HOMODYNE LASER INTERFEROMETER, LASER DOPPLER INTERFEROMETER WITH PHOTOEXCITATION FUNCTION OF SAMPLE AND EXCITATION METHOD FOR CANTILEVER例文帳に追加

カンチレバーアレイ、その製造方法及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡、案内・回転機構の摺動装置、センサ、ホモダインレーザ干渉計、試料の光励振機能を有するレーザドップラー干渉計ならびにカンチレバーの励振方法 - 特許庁

Next, the scanning Kelvin force microscope having the conductive cantilever 1A wherein the work function A of the probe 2A is concretely calculated is used to measure the surface potential (y) of an unknown sample different from the standard sample 3A.例文帳に追加

次に、深針２Ａの仕事関数Ａが具体的に算出された導電性カンチレバー１Ａを有する走査型ケルビンフォース顕微鏡を用いて、標準試料３Ａとは異なる未知試料の表面電位ｙを測定する。 - 特許庁

To provide a defect correction method for a photomask using a scanning probe microscope, the method giving less damage on the photomask, and to provide a method for manufacturing a photomask using the method.例文帳に追加

本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、フォトマスクへのダメージが少ないフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A friction force microscope includes a calculation mechanism which calculates the effective probe height and twist spring constant of a cantilever in the friction force microscope by bending sensitivity obtained from displacement information of the cantilever in the bending direction and twisting sensitivity obtained from displacement information in the twisting direction, respectively, and calculates a friction force using the calculation values.例文帳に追加

摩擦力顕微鏡においてカンチレバーの有効な探針高さおよび捻れバネ定数を、それぞれカンチレバーの撓み方向の変位情報から求めた撓み感度および捩れ方向の変位情報から求めた捩れ感度により算定し、該算定値を用いた摩擦力の算定機構を備えた摩擦力顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetic-resonance-type exchange interaction force microscope that incorporates magnetization inversion/modulation technique due to magnetic resonance being utilized by electronic spin resonance and nuclear magnetic resonance into an atomic force microscope, and accurately measures exchange interaction force operating between a probe and a sample, and the measuring method of the exchange interaction force using it.例文帳に追加

電子スピン共鳴や核磁気共鳴で利用されている磁気共鳴による磁化反転・変調技術を原子間力顕微鏡に取り入れ、探針・試料間に働く交換相互作用力を的確に計測する磁気共鳴型交換相互作用力顕微鏡及びそれを用いた交換相互作用力の測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where stable contact resistance can be obtained when a probe is brought into contact with an electrode pad to check its properties, and the probe is kept in contact with the electrode pad can be visually confirmed with ease by a microscope, the electrode is superior in solder wettability, and a solder bump can be suitably formed on the electrode pad.例文帳に追加

探針プローブを電極パッドに接触させて特性検査を行う際、安定な抵抗が得られ、探針プローブを接触させたことが顕微鏡観察等により容易に視認することができるようにし、さらに、ハンダに対する濡れ性が良好で、電極パッド上にハンダバンプを好適に形成することができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

The scanning probe microscope comprises: the cantilever 14 provided with prove 13; the moving mechanisms 11 and 17 for relatively moving the position of the probe to the sample 10; the detection means for detecting the specific physical amount; the measurement means for measuring the surface of the sample; and the measurement control means 60 for controlling the operation of the moving mechanisms and the measurement means.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡は、探針１３を有するカンチレバー１４と、試料１０に対する探針の位置を相対的に変化させる移動機構１１，１７と、所定物理量を検出する検出手段と、試料表面を測定する測定手段と、移動機構と測定手段の動作を制御する測定制御手段６０を備える。 - 特許庁

This cantilever for a scanning type probe microscope is provided with: a flexible beam 120 with one end 121 fixed to a base part 110; a probe 130 formed on the side of the other end 122 of the flexible beam 120; and a through-hole 140 formed in a region including the prove 130 and the side of the other end 122 of the flexible beam 120.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーは、一端１２１が基部１１０に固定されている可撓性の可撓梁１２０と、可撓梁１２０の他端１２２の側に設けられている探針１３０と、探針１３０と可撓梁１２０の他端１２２の側とを含む領域に形成されている貫通孔１４０とを備えている。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部ＣにＦＩＢ−ＣＶＤ方式でデポジション膜１１を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分２を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁

A joint section where the carbon nanotube adheres to the tip of the probe of the scanning probe microscope or the handling equipment, is dipped in a dielectric liquid section, and a portion of liquid is solidified around the joint section in order to form a reinforcing section, by applying a potential difference between the joint section and the liquid section by using an external power source, thereby reinforcing the joint section.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡あるいはハンドリング機器のプローブ先端部とカーボンナノチューブとの付着部である接合部を誘電体である液体部に浸し、該接合部と液体部間に外部電源装置によって電位差を付与させて接合部周囲に液体の一部を固化させて補強部を形成し、以って接合部を強化する。 - 特許庁

To cancel a shift between a displacement amount of a cantilever generated in two-dimensional scan and a positional displacement amount of a spot of a laser beam, in a scanning type probe microscope using a probe scanning system arranged with a laser beam source between an XY piezo scanner for conducting the two dimensional scanning and a Z piezo scanner for conducting height-directional control to conduct the scanning.例文帳に追加

２次元的な走査を行うＸＹピエゾスキャナと高さ方向の制御を行うためのＺピエゾスキャナとの間にレーザ光源を配置して走査するプローブ走査方式を用いた走査型プローブ顕微鏡において、２次元走査時に生じるカンチレバーの変位量と、レーザ光のスポットの位置の変位量のズレをキャンセルする。 - 特許庁

In the probe 10 for the magnetic force microscope having a magnetic region at its pointed end part 12 and detecting the magnetic force caused by allowing the magnetic region to approach the surface of a sample, the magnetic region of the pointed end part 12 of the probe 10 is formed of a dia-ferromagnetic single crystal to micronize the self-magnetic field leaked from the magnetic region.例文帳に追加

尖端部１２に磁性体領域を有し、この磁性体領域を試料表面に接近させることにより生じる磁気力を検出する磁気力顕微鏡用プローブ１０であって、プローブ尖端部１２の磁性体領域が反強磁性単結晶で形成されるようにして、磁性体領域から漏れ出る自己磁場を微小にする。 - 特許庁

The method for fabricating a probe tip for use in the scanning probe microscope includes steps of forming a triangular prism formed with protective films on both sidewalls by patterning a (111) general silicon wafer; etching the silicon wafer to make the triangular prism into a probe tip of triangular pyramid shape; and removing the protective films.例文帳に追加

本発明は、走査探針顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用いられる探針ティップを製造する方法において、（１１１）一般シリコンウェーハをパターニングし、両側壁に保護膜が形成されている三角柱を形成する段階と、前記シリコンウェーハをエッチングし、前記三角柱を三角錐状の探針ティップに形成する段階と、前記保護膜を取り除く段階と、を含む探針ティップの製造方法を提供する。 - 特許庁

This microscope is equipped with an input device 34 for designating a limited tracking domain where a probe 11 is moved following moving atoms, and a control operation device 33 for controlling switches 31, 32 for switching on/off an output signal from feedback circuits 23, 24.例文帳に追加

探針１１が移動原子に追随して移動する限界の追跡領域を指定する入力装置３４と、フィードバック回路２３と２４からの出力信号をＯＮ／ＯＦＦするスイッチ３１と３２を制御する制御演算装置３３を備える。 - 特許庁

A drawing pattern 8 is heat-treated by local high temperature annealing using laser in the same device 1 immediately after carrying out pattern drawing by a solution 6 containing the inorganic material by using a cantilever 2 of a scanning type probe microscope on a substrate 5.例文帳に追加

基板５上に走査型プローブ顕微鏡のカンチレバー２を用いて無機材料を含む溶液６によるパターン描画を行った直後に、同一装置１内においてレーザを用いた局所高温アニールにより描画パターン８を加熱処理する。 - 特許庁

To prevent poor transfer and obtain a highly fine image of high quality by configuring an endless belt so that a ten-point mean roughness of a surface of the endless belt, measured with a scanning probe microscope, is in a range from not less than 2.1 nm to not more than 11.0 nm.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡によって測定した表面の十点平均粗さが２．１〔ｎｍ〕以上、かつ、１１．０〔ｎｍ〕以下の範囲となるようにして、転写不良が発生せず、高品質な高精細画像を得ることができるようにする。 - 特許庁

After a resist film 11 is coated on the surface of a substrate 10 and a layer of atom 12 is formed on the resist film 11, atoms 12 is pulled out of the layer of the atoms 12 according to the designed pattern by the use of probe 13 of scanning tunneling microscope.例文帳に追加

基板１０の表面にレジスト膜１１を塗布し、次いで、前記レジスト膜１１上に原子１２の層を形成した後、走査型トンネル顕微鏡の探針１３を用いて設計パターン様に前記原子１２の層から原子１２を引き抜く。 - 特許庁

In the evaluation of the semiconductor device 1 provided with a semiconductor layer 2 and a metal layer 3, the surface potential of the semiconductor layer 2 and the surface potential of the metal layer 3 are measured by using the same cantilever 6 of a Kelvin probe force microscope (KFM).例文帳に追加

半導体層２及び金属層３を有する半導体装置１の評価において、ケルビンプローブフォース顕微鏡（ＫＦＭ）の同一のカンチレバー６を使用して半導体層２の表面電位及び金属層３の表面電位を測定する。 - 特許庁

To provide a SQUID microscope that can enhance spatial resolution while keeping a sample from contacting a probe and can acquire a magnetic signal with a high signal-to-noise ratio by a lock-in detecting method.例文帳に追加

本発明は、試料とプローブとが接触することなく、かつ、空間分解能を高めることができ、ロックイン検出法によって信号対雑音比の高い磁気信号を得ることができるＳＱＵＩＤ顕微鏡を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a technology for cleanly removing chips with the shaving of defects by a scanning probe microscope, without being restricted even by the surface tension of adsorption water existing on the surface or static charge with friction on a sample surface.例文帳に追加

走査プローブ顕微鏡による欠陥部削り落としに伴う切り粉が、表面に存在する吸着水の表面張力や摩擦にともなう帯電によっても試料面に拘束されることなく綺麗に除去される技術を提示する。 - 特許庁

A cantilever 12 having a probe 12a for characteristic measurement is resonated by an exciting section 5, the vibration of the cantilever 12 is detected by a vibration detecting section 6, and AFM (Atomic Force Microscope) observation of a sample is determined based on the detection result by a control/arithmetic section 9.例文帳に追加

特性計測用プローブ１２ａが形成されたカンチレバー１２を励振部５により共振させ、カンチレバー１２の振動を振動検出部６で検出し、その検出結果に基づいて試料のＡＦＭ観察を制御・演算部９で求める。 - 特許庁

To provide a forming method of an outgoing wiring, which effects the forming of leader wiring and connection to a substrate simultaneously while retaining collimation between a test piece and the substrate, and a manufacturing method of the test piece for scanning-type probe microscope to which this forming method is applied.例文帳に追加

引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。 - 特許庁

A ferro-dielectric thin film 12 is attached onto a base board 11 which forms a work to be processed, and patterns are formed on the thin film using atomic force microscope which has an electroconductive probe 13 so that the desired nano-circuit pattern is partitioned.例文帳に追加

加工物を形成する基板１１上に強誘電体薄膜１２を付着し、次に、導電性探針１３を有する原子間力顕微鏡を用いて、強誘電体薄膜上にパターンを形成して、所望のナノ回路パターンを画定する。 - 特許庁

An atomic force microscope with a probe in its light condensing system is installed in the cathode luminescence composite device which detects light from a sample irradiated by a electron beam.例文帳に追加

試料に電子線を照射して、その電子線照射により試料から発生した光を検出するカソードルミネッセンス装置において、集光システムとして探針をプローブとする原子間力顕微鏡を設けたことを特徴とするカソードルミネッセンス複合装置。 - 特許庁

To obtain a scanning probe microscope capable of expanding a measuring range in the measurement of a sample of which the surface irregularities are severe and capable of measuring accurate physical characteristics not affected by the unstable deformation of the leading end of the laser reflecting surface of a cantilever.例文帳に追加

表面凹凸の激しい試料の測定において測定範囲を広げること および カンチレバーのレーザ反射面先端の不安定変形の影響の無い正確な物理特性を測定可能な走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁

A surface of a sample placed on a sample table 15 of an atomic force microscope and a probe provided on an end of a cantilever are brought close to each other and surface data of the sample are obtained based on an elastic deformation of the cantilever caused by interatomic force produced between the two.例文帳に追加

原子間力顕微鏡の試料台上に載置された試料表面とカンチレバー先端に設けられた探針とを近接させて両者間の原子間力によるカンチレバーの弾性変形に基づいて試料の表面情報を得る。 - 特許庁

Particles to be created by changing the ratio of different elements for indexing a probe are used; an SEM image is obtained by a scanning electron microscope for detecting the position and the size; and further, the position and the size of characteristic X rays generated, when electrons irradiated to the particles by the scanning electron microscope are obtained, by obtaining element analysis images, by using an energy dispersion type characteristic X-ray detector.例文帳に追加

プローブのインデクシング用に異なる元素の比率を変えて作成する粒子を用い、走査型電子顕微鏡でＳＥＭ像を得て容易にその位置と大きさを検出し、さらに、走査型電子顕微鏡で粒子に電子を照射する時に発生する特性Ｘ線をエネルギー分散型特性Ｘ線検出器により元素分析像を得ることで位置と大きさを得る。 - 特許庁

A micro-marking system includes: a microcapsule particle 1 encapsulating a solvent containing fine particles for marking; a hollow glass probe 2 storing the microcapsule particles; a drive mechanism 6 for extruding the microcapsule particles on the marking object sample 5 through the inside of the probe; and a manipulating mechanism for depositing the extruded particles on a targeted place of the marking object sample under an optical microscope 3.例文帳に追加

マーキング用の微粒子を含む溶媒を封入したマイクロカプセル粒子１と、このマイクロカプセル粒子を収納した中空ガラスプローブ２と、このプローブ内を通してマイクロカプセル粒子をマーキング対象試料５の上に押し出す駆動機構６と、押し出した粒子を光学顕微鏡３下で、マーキング対象試料の目的箇所に付着させるマニピュレート機構と、を備える。 - 特許庁

The testing method of semiconductor device comprises a steps of forming an electrode 10 on the main surface of a semiconductor test sample, cutting out a semiconductor test sample, exposing the cross-section of the semiconductor test sample, and obtaining carrier distribution within the cross-section by scanning the cross-section with a probe 14 of the scanning probe microscope while the predetermined potential is applied to the electrode 10.例文帳に追加

半導体試料の主面上に電極１０を形成する工程と、半導体試料を切断し、該半導体試料の断面を露出させる工程と、前記電極１０に所定電位を与えながら、走査型プローブ顕微鏡のプローブ１４で上記断面を走査することにより、該断面内におけるキャリア分布を得ることを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 特許庁

To provide measurement in high reliability by confirming errors, evaluating reliability of the measured data, and removing errors for less measurement error when wide-area measurement or long-time measurement in narrow- area scanning is performed with a scanning probe microscope.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡で、広域測定を行うときまたは狭域走査で時間をかけて測定を行うとき、測定誤差を確認し、測定データの信頼性を評価し、測定誤差を除去して測定誤差を低減し、信頼性の高い測定を行えるようにする。 - 特許庁

The surface irregularity measuring device for measuring the irregularity of the surface using a scanning probe microscope is configured to measure the irregularity of the surface of the measured sample, calculate a gray-level histogram of the measured data and perform the calibration of the sample measurement.例文帳に追加

走査プローブ顕微鏡を用いた試料の表面の凹凸を測定する表面凹凸測定装置であって、測定した試料表面の凹凸を測定し、この測定したデータのグレイレベルヒストグラムを算出して試料測定のキャリブレーションを行なうように構成する。 - 特許庁

To conform an assigned scanning area with an actual scanning area to allow accurate measurement reduced in an error, by measuring an electrostatic capacity due to temperature variation, and by correcting scanner sensitivity based on the electrostatic capacity, in a temperature-varied scanning probe microscope.例文帳に追加

温度の変化する走査形プローブ顕微鏡において、温度変化による静電容量を測定し、この静電容量によりスキャナ感度を補正することで、指定した走査領域と実際の走査領域を一致させ、誤差の少ない正確な測定を行う。 - 特許庁

To provide a scanning probe microscope suitably adapted to the study of the observation of the lattice of lines of magnetic induction or an electron state in a magnetic flux inlusive of the study of a nanoscale non-uniform superconductive state and the observation of the uneven image on the surface of a sample, and its using method.例文帳に追加

ナノ・スケール不均一超伝導状態の研究を始めとして、磁束線格子の観測や磁束内電子状態の研究、さらには試料表面の凹凸像の観測に適用して好適な走査プローブ顕微鏡およびその使用方法を提供する。 - 特許庁

In the the above optical microscope 3, since the probe light 9 is deflected by density gradation near the cell membrane of living cells, viability of cells and cell activity can rapidly and easily be judged and measured by measuring the deflection.例文帳に追加

上記の光学顕微鏡３によれば、プローブ光９が生きている細胞の細胞膜近傍での濃度勾配により偏向することから、該偏向を測定することで細胞の生死判別及び細胞活動を迅速にかつ簡易に判別・測定することができる。 - 特許庁

To provide a standard sample for a scanning probe microscope and a carrier concentration measurement method, capable of finding the correlations between the carrier concentrations and the local electrical characteristics (including the characteristics of spreading resistance, capacitance and nonlinear dielectric constant) more accurately than conventionally.例文帳に追加

キャリア濃度と局所的電気特性（広がり抵抗、静電容量特性及び非線形誘電率特性を含む）との相関を従来よりも正確に求めることができる走査プローブ顕微鏡用標準試料及びキャリア濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

The scanning type probe microscope is provided further with an acquisition-registering means for acquiring and registering a reference pattern for alignment, and a recipe formation means for recipe-registering the luminous energy to an illuminance when registering an image pattern to a recipe by the acquisition-registering means.例文帳に追加

さらに走査型プローブ顕微鏡は、アライメントのための参照用パターンを取得・登録する取得登録手段と、この取得登録手段によって画像パターンをレシピに登録した時の照度に光量をレシピに登録するレシピ化手段とを備える。 - 特許庁

The method and device for scanning a sample with a scanning probe microscope includes a step for scanning the surface of the sample according to at least one scanning parameter to obtain data corresponding to the surface, and a step for substantially automatically identifying a transition part on the surface.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡でサンプルを走査する方法および装置は、少なくとも一つの走査パラメータに応じてサンプルの表面を走査して表面に対応するデータを取得するステップと、表面における変移部を略自動的に識別するステップとを有する。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

To provide a microscopic surface temperature distribution measuring device capable of measuring a temperature of a microscopic area of 1μm or less without adopting a composition wherein a microscopic temperature measuring means is arranged on a microscopic tip of a cantilever which is a cause of error in temperature measurement in a scanning probe microscope.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡における温度測定の際の、誤差の原因であるカンチレバーの微小先端に微小な温度計測手段を配置するという構成を採らずに、１μｍ以下の微小領域の温度を計測できる微小表面温度分布測定装置の提供。 - 特許庁

To provide a magnetic field lens used for an electron gun of an electron beam device, particularly a probe-forming system (spot beam type electron beam aligner, electron microscope, etc.) which is suitable to an ultrahigh vacuum atmosphere, and can perform wabbling operation.例文帳に追加

電子ビーム装置、特に大電流で小直径なビームが必要とされるプローブフォーミングシステム（スポットビーム型電子線露光装置、分析用電子顕微鏡など）の電子銃に使用する磁場レンズに関し、超高真空雰囲気に適合し、かつワブリング動作が可能な磁場レンズを提供する。 - 特許庁

To provide a method in which a probe can approach so as to accurately and softly come into contact with a minute sample only by operating a manipulator while performing microscope observation without requiring special detection means, and to provide a device for executing the same.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、特別な検出手段を要せず顕微鏡観察しながらマニピュレータを操作するだけで微小な試料へプローブが確実に且つソフトに接触するようにアプローチ出来る手法を提示すると共に、それを実行する装置を提供することにある。 - 特許庁

This scanning probe microscope is characterized by having the electrically independent plural probes 10a, 10b or the like, among which two or more probes 10a, 10b or the like are nanotube probes and one or more probes 10a, 10b or the like are equipped with image observation function.例文帳に追加

電気的に独立した複数のプローブ１０ａ，１０ｂ等を有し、プローブ１０ａ，１０ｂ等のうち、２本以上のプローブ１０ａ，１０ｂ等がナノチューブプローブであり、かつ、１本以上のプローブ１０ａ，１０ｂ等が像観察機能を備えることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡である。 - 特許庁