「probe microscope」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Otherwise, the foreign substance P is irradiated with an electron beam to deposit a solid material on the foreign substance P in a deposition gas atmosphere in which the solid material is generated by irradiation with the electron beam, and a force by the probe of an AFM (atomic force microscope) is applied to the solid material.例文帳に追加

又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 - 特許庁

To provide a measuring method using a scanning probe microscope capable of quantitatively grasping the irregularity of the shape or physical properties of the pattern on a two-dimensional plane, the relation between the shape and physical properties of the pattern, pattern arrangement precision and the like in the analysis of the pattern having feasures in its shape, physical properties or the like.例文帳に追加

形状もしくは物性等に特徴を有するパターンの解析において、二次元平面でのパターン形状や物性のばらつき、パターン形状と物性の関係、パターン配列精度等を定量的に把握することができる測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional membrane structure measuring method of a scanning probe microscope capable of measuring the surface shapes of respective layers at every manufacturing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayered structure to synthesize the measurement results and capable of analyzing and evaluating those measuring results using the data of a multilayer.例文帳に追加

多層構造を有する半導体デバイスの製造プロセスで、各層の表面形状を製造工程毎に計測し、それらの計測結果を合成し、多層のデータを用いて解析・評価することができる走査型プローブ顕微鏡の立体膜構造測定方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a low vacuum scanning electron microscope including an evacuation system in which an orifice diameter can be made larger than the conventional one so that a throughput until observation from sample exchange can be improved, and a required amount of a probe current can be obtained when irradiating an electron beam.例文帳に追加

本発明の目的は、試料交換から観察までのスループット向上を図ると共に、電子ビーム照射時には、必要なプローブ電流量が得られるようオリフィス径を従来より拡大することができる排気システムを備えた低真空電子顕微鏡を提供することにある。 - 特許庁

To provide a cylinder piezoeletric element and a scanning probe microscope, with which an error of straightness can be corrected with a simple structure on an expansion and contraction operation in an axial direction, high straightness is realized, measurement precision is improved and a measurement object with a high aspect ratio can securely be measured.例文帳に追加

軸方向の伸縮動作に関して簡単な構成で真直度の誤差を補正することができ、高い真直度を実現し、測定精度を高め、高アスペクト比の測定対象物も確実に測定できる筒型圧電素子および走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁

The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.例文帳に追加

基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁

The deflection generating on a cantilever 41 is detected by an inter-atomic force between a probe 44 of the cantilever 41 and the air bearing surface 13 of the thin-film magnetic head Q in the manner of using an atomic force microscope(AFM) 4 provided with the cantilever 41 mounting a magnetic field generating element 45 thereon.例文帳に追加

磁界発生素子４５を取り付けたカンチレバー４１を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）４を用い、カンチレバー４１の探針４４と薄膜磁気ヘッドＱの空気ベアリング面１３の間の原子間力によって、カンチレバー４１に生じる撓みを検知する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a magnetic force of a specimen using a scanning probe microscope, capable of automatically obtaining an optimal applied voltage for cantilever vibration when a lift amount is optionally determined.例文帳に追加

本発明は走査プローブ顕微鏡を用いた試料の磁気力測定方法及び装置に関し、任意のリフト量を設定した際、最適なカンチレバ加振電圧を自動的に求めることができる走査プローブ顕微鏡を用いた試料の磁気力測定方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a probe for microscopic analysis capable of labeling specifically a specific portion of a target molecule in a sample, labeling and analyzing an analysis object without damaging a space resolution of a used microscope, and analyzing localization, the direction (aspect), the shape (stereoscopic structure) and kinetics of the analysis object in the functional state, and a microscopic analysis method using the probe for microscopic analysis.例文帳に追加

試料中の標的分子の特定部位を特異的に標識可能であり、使用する顕微鏡の空間分解能を損なわずに解析対象を標識及び解析することができ、該解析対象の局在、方向（向き）、形状（立体構造）、及び動態を、機能状態において解析可能とする顕微鏡解析用プローブ、及び該顕微鏡解析用プローブを用いた顕微鏡解析方法を提供する。 - 特許庁

The methods includes a hybridization reaction process with a probe on the microarray and a target nucleic acid labeled; a process for checking a probe's location from a signal from the label of the target nucleic acid that is detected by observing a surface with a probe fixing region with a cofocal microscope; and a process for eliminating the target nucleic acid by cleaning buffer, wherein theses processes are repeated to a same microarray.例文帳に追加

マイクロアレイ上のプローブと、標識したターゲット核酸とのハイブリダイゼーション反応工程と、共焦点型の顕微鏡によりプローブ固定領域が存する面を観察して検出されるターゲット核酸の標識からのシグナルからプローブの位置を確認する工程と、洗浄用バッファによりターゲット核酸を除去する工程とを有し、これらの工程を同じマイクロアレイに対して繰り返し行う。 - 特許庁

When the surface of the semiconductor which is a measuring target is observed by a scanning tunnel microscope (STM), the STM image of the surface of the semiconductor by applying positive voltage to the semiconductor on the basis of a probe is compared with the STM image of the surface of the semiconductor obtained by applying negative voltage to the semiconductor on the basis of the probe to detect the impurity atom in the semiconductor.例文帳に追加

被測定対象物である半導体表面を走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察する際に、探針を基準として半導体に正の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像と、探針を基準として半導体に負の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像とを比較することにより、半導体中の不純物原子を検出することを特徴とする半導体不純物原子検出方法である。 - 特許庁

Additionally the scanning probe microscope 100 is provided with a CPU 164 controlling an entire system, an indication input section 166 for designating a SPM measurement area, a display section 168 displaying the image and various information on the sample, and a memory section 170 storing the acquired data.例文帳に追加

さらに、走査型プローブ顕微鏡１００は、装置全体を制御するためのＣＰＵ１６４と、ＳＰＭ測定領域を指定するための指示入力部１６６と、試料の画像や種々の情報を表示するための表示部１６８と、得られる情報を記憶するための記憶部１７０とを有している。 - 特許庁

To provide a scanning electromagnetic wave microscope capable of positioning a distance between a probe tip and a sample in response to necessary resolution and physical quantity measurement distributed at an optional distance from a sample surface, and carrying out resolution-selective scanning by constant distance scanning and high speed scanning of interaction by constant scanning.例文帳に追加

本発明は、サンプル表面から任意距離に分布する物理量測定や必要な分解能に応じたプローブ先端部とサンプル間距離の位置決めが可能で、距離一定走査による分解能選択走査と、相互作用を一定走査による高速走査が行える走査型電磁波顕微鏡を得ることにある。 - 特許庁

To provide a scanning probe microscope, constituted so as to easily perform the light spot positional alignment when a cantilever is irradiated with light in a dark field illumination state, with respect to the objective lens for observing a light spot, or when the light spot is difficult to be recognized from the wavelength of ultraviolet or infrared rays.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡において、光スポット観察用の対物レンズに対して、暗視野照明状態でカンチレバーに光が照射される場合や、紫外や赤外などの波長でスポットが認識しづらい場合に、光スポット位置合わせが容易に行えるような走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁

The probe of the scanning heat microscope comprises a cantilever, a first conductive layer formed in the cantilever, an insulating layer formed on the first conductive layer and having a hole, a second conductive layer formed on the surface of the insulating layer, a thermocouple, and a carbon nanotube installed at an end of the thermocouple.例文帳に追加

本発明に係る走査型顕微鏡のプローブは、カンチレバーと、該カンチレバーに形成される第一導電層と、該第一導電層に形成され、穴が設けられる絶縁層と、該絶縁層の表面に形成される第二導電層と、熱電対と、該熱電対の端部に設置されるカーボンナノチューブと、を含む。 - 特許庁

A second configuration of the Z-direction correction means has a tilt stage capable of adjusting a tilt angle unidirectionally or bidirectionally against a reference plane of the scanning probe microscope between a sample stand and the sample, and corrects the inclination caused by the characteristic of the sample or the scanner by the tilt stage.例文帳に追加

Ｚ方向補正手段の第２の形態は、試料台と試料との間において、走査型プローブ顕微鏡の基準面に対する傾斜角度を一方向又は二方向で調整可能とする傾斜ステージを備え、この傾斜ステージによって、試料あるいはスキャナーの特性による傾斜を補正する。 - 特許庁

To provide an optical axis adjusting auxiliary device capable of guiding easily and surely an irradiation spot to the center of a light receiving surface on the light receiving surface of a quadripartite photodetector, and facilitating an optical axis adjusting work, in the optical axis adjusting work of a scanning probe microscope or the like equipped with an optical lever type optical detection system.例文帳に追加

光てこ式光学検出系を備えた走査型プローブ顕微鏡等での光軸調整作業で、４分割光検出器の受光面でて照射スポットが受光面の中心に容易にかつ確実に導くことができ、光軸調整作業の容易化を図ることのできる光軸調整補助装置を提供する。 - 特許庁

The probe microscope is miniaturized, by providing an observation illumination optical system 12 and a data detecting optical system 11 for fetching observation data out of the sample 10, with respect to a common object lens 14 and the improvement of the noise caused by the duplication of the wavelengths of the optical systems 11 and 12 is achieved by a wavelength-selecting element 13.例文帳に追加

観察照明光学系１２と、試料１０から観察情報を取り出す情報検出光学系１１とが共通の対物レンズ１４に対して設けることによって小型化をはかり、波長選択素子１３によってこれら光学系１１および１２の波長の重複によるノイズの改善を図る。 - 特許庁

Provided that "uniformly grafted" means a fact that a relative current value does not exceed 30 on all of the regions of surface of the particles when a contact current on each of individual particles is measured by using a scanning type probe microscope, and a mean contact current of not grafted particles is set as 100.例文帳に追加

ただし、均一にグラフト化されているとは、走査型プローブ顕微鏡を用いて個々の粒子表面のコンタクト電流（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）を測定し、グラフト化されていない粒子の平均コンタクト電流値を１００としたときの相対電流値が粒子表面全域で３０を超えないことをいう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a needle crystal which can manufacture the needle crystal having an extremely sharp tip without requiring materials such as Au and the like that cause deterioration of a semiconductor crystal, and a cantilever of a scanning type probe microscope which can comply with extremely fine irregularities of the surface of an observation object.例文帳に追加

半導体結晶の劣化を引き起こすＡｕ等の材料を必要とせず、先端が極めて鋭い針状結晶を製造することができる針状結晶の製造方法と、被観察物表面の極めて微細な凹凸に対応することが可能な走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーとを提供する。 - 特許庁

In the method, a scanning microscope provided with both a stage 10 for fixing a sample 80 and a cantilever 30 having a probe 40 at its tip part is used to evaluate the local adhesion of the thin film 81 to a substrate 82 in the sample 80, in which the thin film 81 adheres onto the substrate 82.例文帳に追加

本発明の局所密着性評価方法は、試料８０を固定するステージ１０と、探針４０を先端部に有したカンチレバー３０と、を備えた走査型プローブ顕微鏡を用いて、基体８２上に薄膜８１が密着した試料８０の、薄膜８１の基体８２に対する密着性を評価する方法である。 - 特許庁

A scanning optical microscope comprising means for irradiating a specimen with light, a granular probe for scanning the specimen while keeping a constant distance therefrom, and means for detecting the intensity of proximity field light from the specimen is further provided with means for detecting the position of the granular probe by detecting the proximity field light therefrom.例文帳に追加

本発明の一態様によると、被検体に光を照射する手段と、前記被検体と一定の距離を保ち走査をする粒子状プローブと、前記被検体からの近接場光の強度を検出する手段とを有する走査型光学顕微鏡であり、前記粒子状プローブからの近接場光を検出することにより、前記粒子状プローブの位置を検出するプローブ位置検出手段を設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕微鏡が提供される。 - 特許庁

The black defect correction technique of the mask comprises recognizing the position of a black defect section of the mask by an atomic force microscope (AFM), moving the probe of the AFM upward of the black defect position, and removing the black defect by electrochemical reaction in the state of interposing an electrolyte between the probe and the black defect section as both electrodes and further comprises confirming the removal of the black defect by the AFM.例文帳に追加

本発明のマスク黒欠陥修正手法は、原子間力顕微鏡によってマスクの黒欠陥部位置を把握し、前記黒欠陥位置上方に前記原子間力顕微鏡の探針を移動させ、前記探針と前記マスク黒欠陥部を両電極とし電解液を介在させた状態で電気化学的反応により前記黒欠陥を除去するものであって、更に前記原子間力顕微鏡によって前記黒欠陥の除去を確認するものである。 - 特許庁

The scanning probe microscope comprises the plurality of probes 104, displacement detecting means 107 of the same number as the probes, and a sequential feedback circuit 109 for amplifying and modulating displacement signals of the same number of the probes obtained by the displacement detecting means 107 and sequentially inputting them to a scanner 101(b) as feedback signals.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡において、複数のプローブ１０４と、プローブと同数の変位検出手段１０７と、変位検出手段１０７によって得られるプローブと同数の変位信号を増幅変調し、スキャナ１０１(b)に順番にフィードバック信号として入力する順次フィードバック回路１０９とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the cantilever-type near-field optical probe and its manufacturing method, and the microscope, recording/reproducing device, and fine- machining device using them, a surface plasmon polariton transmission line for guiding light from a light source to a small opening or guiding light from the light source being introduced from the small opening is provided at the cantilever.例文帳に追加

カンチレバー型近接場光プローブとその作製方法、及びこれらを用いた顕微鏡、記録再生装置、微細加工装置であって、該微小開口ヘ光源からの光を導波させ、または／及び該微小開口から導入された光源からの光を導波させるための表面プラズモンポラリトン伝送路が、前記カンチレバーに設けられようにする。 - 特許庁

To provide a nonlinear dielectric microscope developed for usage of ultrahigh-sensitivity range sensing of vertical direction by using of the phenomenon based on an evidence where, when a gap is prepared between a probe and a sample surface, large variation of nonlinear dielectric signal by changing a minute gap can be predicted from theoretical analysis.例文帳に追加

本発明の課題は、探針と試料表面に空隙を設けた場合、微小な空隙の変化で非線形誘電率信号が大きく変化することが理論解析により予測されることに基き、この現象を利用して超高感度な垂直方向距離センシングに用いる非線形誘電率顕微鏡を開発し、提供することにある。 - 特許庁

To provide a signal detection apparatus enabling simplification of a mechanism for detecting the displacement of a probe and simplification of the arrangement of a detection system even if a plurality of probes are in use, thus enabling a space saving, a scanning atomic force microscope constructed of the detection apparatus, and a signal detection method.例文帳に追加

プローブ変位検出のための機構を簡単化することができ、また複数のプローブを用いる場合においても検出系の構成を簡便化することができ、省スペース化を図ることが可能な信号検出装置、該信号検出装置によって構成した走査型原子間力顕微鏡、および信号検出方法を提供する。 - 特許庁

This sample-drawing holder 1 for drawing the sample 10 installed on the scanning probe microscope is equipped with the pair of grippers 9 for gripping both ends of the sample, a support member 4 for supporting movably the pair of grippers 9, and a moving mechanism 7 for moving the pair of grippers 9 on the facing positions in the mutually separating directions.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡に設置された試料１０を延伸させる試料延伸ホルダー１であって、試料１０の両端部を把持する一対の把持具９と、一対の把持具９を移動可能に支持する支持部材４と、対向位置にある一対の把持具９を互いに離間する方向に移動させる移動機構７とを備えた。 - 特許庁

To provide a method of correcting the defects of a photomask which is capable of precisely removing the residual defects below 500 nm without the damage on a quartz substrate and segments exclusive of the defects after the correction of the remaining defects formed on a mask and is capable of easily detecting even the end point of the correction and a scanning probe microscope used for the same.例文帳に追加

マスクに形成された残留欠陥修正後の石英基板や欠陥以外の部分へのダメージが無く、５００ｎｍ以下の残留欠陥を精度良く除去することが可能で、修正のエンドポイントも容易に検出できるフォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる走査プローブ顕微鏡を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an imaging device (a device according to an aberration correction device) for a charge particle beam device as an electron microscope or the like used for the inspection and measurement of a semiconductor, in which a small deviation beam with a high probe current is formed to improve the resolution and throughput in EDX analysis, WDX analysis, or defect inspection.例文帳に追加

半導体の検査および計測に使用される電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置用の「撮像装置」（収差補正装置に準ずる装置）であって、ＥＤＸ分析、ＷＤＸ分析、欠陥検査等の分解能およびスループットを向上させるために高プローブ電流で分散の小さいビームを形成できるようにする。 - 特許庁

The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.例文帳に追加

該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁

The constituent materials of the toner are so selected that a charge control resin has hardness which is the same as the hardness of a binder resin or the charge control resin is harder than the binder resin, as measured with a scanning probe microscope in a viscoelasticity evaluation mode, with respect to the binder resin and the charge control resin, which are present in the particle interiors or particle surfaces of the toner.例文帳に追加

トナーの内部あるいは表面にある該バインダー樹脂と該荷電制御樹脂に対して、走査型プローブ顕微鏡による粘弾性評価モードによる測定を行った場合に、該荷電制御樹脂の硬さが、該バインダー樹脂の硬さと同じか、または、該荷電制御樹脂が、該バインダー樹脂よりも硬くなるようにトナーの構成材料を選択する。 - 特許庁

In this tapping mode atomic force microscope (AFM) system 10, the probe 22 is excited at an excitation frequency other than the probe's first natural frequency to produce a response signal manifesting a grazing bifurcation between "non-collision" and "collision" states of the AFM system, so that an additional characteristic frequency component is generated in the "collision" state.例文帳に追加

タッピングモード原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）システム１０において、プローブ２２は、プローブの１次固有振動数以外の加振周波数にて励振され、ＡＦＭシステムの「非衝突」状態と「衝突」状態との間のグレイジング分岐を明示する応答信号を作り出し、その結果、付加的な特性周波数成分が「衝突」状態において創出される。 - 特許庁

In the microscopic surface temperature distribution measuring device 100, a material having a predetermined relationship with temperature dependency of a resonance frequency is used as the cantilever 1 in the scanning probe microscope, temperature change of the cantilever 1 is measured as change of the resonance frequency, and a temperature is measured by converting the change into temperature on the basis of the predetermined relationship.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡におけるカンチレバー１として、共振周波数の温度依存性に所定の関係を有する材料を用い、前記カンチレバー１の温度変化を前記共振周波数の変化として測定し、前記所定の関係により温度に換算して測温する微小表面温度分布測定装置１００とする。 - 特許庁

In a magnetic head for a contact slide type linear tape drive sliding in contact with the magnetic tape upon recording and/or reproduction of a magnetic signal, a surface sliding in contact with the magnetic tape upon contact sliding has a plurality of recessed parts observed in a surface projecting and recessed image of a scanning probe microscope and the plurality of recessed parts satisfy the following (1) to (4).例文帳に追加

磁気信号の記録および／または再生時に磁気テープと磁気ヘッドとが接触摺動する接触摺動型リニアテープドライブ用磁気ヘッドにおいて、接触摺動時に磁気テープと接触摺動する面に、走査型プローブ顕微鏡の表面凹凸像において観察される凹部を複数有し、かつ該複数の凹部は下記（１）〜（４）を満たす。 - 特許庁

To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加

プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁

The scanning probe microscope turns on a switch 8, when the probe 3 approaches the sample and turns off the switch 8, when performing the electrical measurement between the probes 3, 3'.例文帳に追加

試料と探針との間に流れる電流を利用して前記試料の表面を観察する試料観察装置であって、前記試料に対向する少なくとも２個の前記探針と、前記試料を置載する試料台と、前記試料台にバイアス電流を印加する試料バイアス電流印加手段と、前記試料バイアス電流印加手段を前記試料台より電気的に切り離すスイッチと、を備え、前記探針が前記試料にアプローチするときには前記スイッチをＯＮとし、前記探針間の電気計測するときには前記スイッチをＯＦＦとする走査形プローブ顕微鏡。 - 特許庁

In the scanning probe microscope, the tube scanner is the above-mentioned tube scanner.例文帳に追加

また、試料と、前記試料に対向する探針と、前記試料と前記探針を相対的に２次元走査すると共に、試料と探針との間の距離を変化させるチューブスキャナと、を備え、前記探針と前記試料との間に作用する物理量により検出される信号に基づいて像を表示する走査形プローブ顕微鏡において、チューブスキャナが前記チューブスキャナであることを特徴とする走査形プローブ顕微鏡。 - 特許庁

To provide an apparatus to generate the harmonics of the irradiated laser beam from a fine area by irradiating the laser beam on the fine area of the nanometer order of a non-linear optical substance layer, a scan probe microscope to analyze the molecular orientation structure with the resolution of the nanometer order using this harmonic generator, and a display device of extremely high screen quality by the pixels of the nanometer order.例文帳に追加

非線型光学物質層のｎｍオーダーの微細領域にレーザー光を照射し、該微細領域から該照射レーザー光の高調波を発生させる装置、更にこの高調波発生装置を用いてｎｍオーダーの分解能で分子配向構造を分析できる走査プローブ顕微鏡およびｎｍオーダーの画素による極めて高画質の表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for quantitatively measuring the surface potential distribution of a solid, especially a semiconductor with high space dissolving capacity using a scanning type tunnel microscope by solving the conventional technical problem that the distance between a probe and the surface of a sample and the thickness of the depleted layer of the surface of the sample are unclear and the measurement in the depleted layer region is difficult, and an apparatus therefor.例文帳に追加

探針／試料表面距離が不明、試料表面の空乏層 厚が不明、空乏層領域での計測が困難、という従来技術の問題点を解決し、固体表面、特に半導体表面の表面電位分布を、走査型トンネル顕微鏡を用いて高い空間分解能で定量的に計測する方法とそのための装置を提供する。 - 特許庁

The scanning probe microscope 100 comprises a cantilever 110 for examining a sample, mechanism 120 for scanning the cantilever 110, light source section 140 emitting a light beam, mirror 170 for directing a light beam from the light source 140 toward the cantilever 110, and section 160 for detecting a light beam reflected on the cantilever 110.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡１００は、試料を調べるためのカンチレバー１１０と、カンチレバー１１０を走査するための走査機構１２０と、光ビームを射出する光源部１４０と、光源部１４０からの光ビームをカンチレバー１１０に方向付ける方向付けミラー１７０と、カンチレバー１１０で反射された光ビームを検出するための光検出部１６０とを備えている。 - 特許庁

A unit region where the pattern is formed is detected from the acquired image of the scanning probe microscope to calculate various characteristics in the detected unit region, and the irregularity of the various characteristics in a measuring region, the correlation between respective characteristics, the two-dimensional arrangement precision of each region in the measuring region and the like are displayed to easily grasp the characteristics of the pattern.例文帳に追加

走査プローブ顕微鏡の取得画像から、パターンを形成する単位領域の検出を行い、各検出単位領域内における各種特性を算出し、測定領域内での各種特性のばらつき、各特性間の相関、測定領域内での各領域の二次元配列精度等を表示してパターンの特性が容易に把握できるようにする。 - 特許庁

The work function measuring instrument 100A is constituted so as to calculate the work function of the probe 2A of a conductive cantilever 1A from the known work function value of each region of a standard sample 3A calculated by photoelectron spectroscopy and the surface potential value of each region of the standard sample 3A measured by a scanning Kelvin force microscope having the conductive cantilever 1A.例文帳に追加

仕事関数測定装置１００Ａは、光電子分光法により求められた標準試料３Ａの各領域の既知の仕事関数値と、導電性カンチレバー１Ａを有する走査型ケルビンフォース顕微鏡により計測された標準試料３Ａの各領域の表面電位値とから、導電性カンチレバー１Ａの深針２Ａの仕事関数を算出する。 - 特許庁

The near field scanning optical microscope laser processing device is comprised of a laser beam source 110 generating a laser beam with the peak wavelength, an NSOM prove 110, a binding substrate 124 formed by materials substantially transmitting the laser peak wavelength, an NSOM mount holding the NSOM probe and the binding substrate controllably, an NSOM controller, and a photodetector combined optically with the NSOM mount.例文帳に追加

ピーク波長を有するレーザ光を発生するレーザ光源１１０と、ＮＳＯＭプローブ１１０と、レーザピーク波長をほぼ伝達する材料によって形成した結合サブストレート１２４と、ＮＳＯＭプローブおよび結合サブストレートを制御可能に保持するＮＳＯＭマウントと、ＮＳＯＭコントローラと、ＮＳＯＭマウントに光学的に結合される光検出器とを有する。 - 特許庁

An atomic force microscope 3 is prepared, and a cantilever 4 having the head on which a probe 6 is formed is mounted on a substrate 4a to form a cantilever combination 8, and an oscillation member 7 is driven to oscillate with a characteristic frequency of the cantilever 4, and a voltage corresponding to the frequency change Δf of the oscillation frequency from the characteristic frequency is detected by a frequency change detector 19.例文帳に追加

原子間力顕微鏡３を準備し、探針６が先端に形成されたカンチレバー４を基体４ａに、取付けてカンチレバー組合せ体８を構成し、振動部材７を駆動してカンチレバー４の固有振動数で発振し、振動周波数の固有振動数からの周波数変化Δｆに対応する電圧を周波数変化検出器１９によって検出する。 - 特許庁