「punch through」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This is a method for distributing a fluid conductive paste on a green sheet 30 from a distribution device 46 which is provided with an orifice member 56 having a hole 64, a pressure chamber 48 storing a paste, adjacent to the orifice member, and a punch 60 having a movable surface through the hole of the orifice member.例文帳に追加

孔６４を有するオリフィス部材５６と、このオリフィス部材に隣接した、ペーストを入れた加圧チャンバ４８と、このオリフィス部材の孔を通って移動可能な面を有するパンチ６０とを備えた分配装置４６から、グリーンシート３０上に流動性導電ペーストを分配する方法。 - 特許庁

To provide a punch for punching sheet metal and sheet metal punching device using the same, excellent in durability, in which a through-hole can be formed in an accurate position in addition there is no burr and which is free from a risk of settling of a projection even after a long time use.例文帳に追加

バリのない上に正確な位置に貫通孔を形成することができて、しかも、長期の使用によっても突起のへたりの虞がなく、耐久性に優れた薄板金属孔明け用のパンチ及びこれを用いた薄板金属の孔明け装置を提供すること。 - 特許庁

An auxiliary bending die which freely and rotatably supports a single or a plurality of flanges along at least one side of the web is arranged between a metallic plate and a die, and the single or the plurality of flanges are rotated by the die around the shoulder of the punch and the bending is performed through the auxiliary bending die.例文帳に追加

ウエブの少なくとも１辺に沿って１つもしくは複数のフランジを回転自在に軸支した曲げ補助型を金属板とダイス間に配置し、１つもしくは複数のフランジをポンチの肩部の回りにダイスにより回転させ、曲げ補助型を介して金属板に曲げを施す。 - 特許庁

Electrical characteristics (threshold voltage and punch-through voltage) of each MOS transistor is measured, by bringing probes into contact with both ends of a plurality of the strip-shaped active regions (202-208), so as to detect the displacement of the ion implantation region (404) from the deviation in the electrical characteristics of each MOS transistor.例文帳に追加

そして、複数の短冊状の活性領域（２０２〜２０８）の両端にプローブを当接させて各ＭＯＳトランジスタの電気特性（しきい値電圧やパンチスルー電圧）を測定し、各ＭＯＳトランジスタの電気特性の偏差から、イオン注入領域（４０４）のずれを検出する。 - 特許庁

Thus, the distance from the isolated layer pn junction 7 to the active end 6 in the corner (arcuate portion) is made larger than that in a straight part, and the punch through of a depletion layer is prevented from being performed at the corner earlier than the straight part, thereby obtaining the sufficient reverse breakdown strength.例文帳に追加

このようにすることで、コーナー部（円弧を描く部分）における分離層ｐｎ接合７から活性部端６までの距離は、直線部におけるそれに比べて大きくして、空乏層がコーナー部で直線部より先にパンチスルーするのを防止して十分な逆耐圧を得るようにする。 - 特許庁

A rotary caulking machine is used for securing two workpieces so as to be rockable while using the rivet as the axis by pressure-contacting and rotating a rotary punch on the upper end surface of the rivet formed by inserting into a through-hole of two workpieces laid on a table in piled-up state.例文帳に追加

テーブル上に重ねて載置した２枚のワークの貫通孔に挿通して成るリベットの上端面にロータリーパンチを圧接して回転させることによりリベットを軸とする揺動が可能なように２枚のワークを締着するロータリーカシメ機。 - 特許庁

After an axially retractile positioning pin 20 in the point of the driving punch 1 is projectingly passed through the threaded hole of the nut N, a small positioning hole 30 cut in advance in a nut mounting position of a metal plate W is fitted about the projected portion.例文帳に追加

打込みパンチ１の先端部に軸芯に沿って出没自在に設けた位置決めピン２０がナットＮのねじ孔を貫通して突出し、その突出部分に金属板Ｗのナット取付け位置に予め設けられている位置出し用小孔３０を嵌め合わせる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can reduce the space factor while enabling a core section formed in a logic circuit to operate at high-speed and, in addition, can prevent the punch-through of the region below an element isolating region of a CMOS.例文帳に追加

論理回路が形成されたコア部の高速動作を可能としながら、そのコア部の占有面積を低減することができ、また、ＣＭＯＳにおける素子分離領域下のパンチスルーを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device of a buried channel area-type transistor which uses a silicon carbide substrate, is not normally turned on, and has high hot carrier resistance, high punch through resistance or high channel mobility.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ノーマリーオンにならず、しかも高いホットキャリア耐性や、高パンスルー耐性、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型トランジスタである半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a blanking die for ceramic green sheet which can effectively punch a through hole on a ceramic green sheet without blanking wastes of the sheet blocking a pin insertion hole of a lower mold or attaching to a blanking pin of an upper mold.例文帳に追加

セラミックグリーンシートの打ち抜き屑が下金型のピン挿入穴に詰まったり、上金型の打ち抜きピンに付着したりすることがなく、セラミックグリーンシートに貫通穴を効率よく打ち抜くことが可能なセラミックグリーンシート用打ち抜き金型を提供すること。 - 特許庁

Then even when a shoulder cut 20 and a punch-through 21 take place in the resist 6 at dry etching for forming a wire pattern and the resist 6 result in being destroyed, the sacrificial protective film 4 protects the inter-layer isolation film 3 to prevent the surface roughness from being caused.例文帳に追加

これにより、配線パターン形成のためのドライエッチング時にレジスト６に肩落ち２０や突き抜け２１が生じて破壊された場合でも、犠牲保護膜４によって層間絶縁膜３は保護されており、表面荒れは発生しない。 - 特許庁

When the retrograde well 3 is formed in an nMOS with a low dielectric strength deeper than an element separation insulating film, this semiconductor device has a punch-through top layer which is formed deeper than a channel region 12 and shallower than the retrograde well 3 into the same conduction type with the retrogade well 3.例文帳に追加

低耐圧なｎＭＯＳに、素子分離絶縁膜よりも深くまで形成されたレトログレードウェル３が備えられている場合に、チャネル領域１２よりも深く、かつレトログレードウェル３よりも浅くに、レトログレードウェル３と同じ導電型で構成されたパンチスルーストップ層１０を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second drain region 3 is formed with a low concentration having a deep diffusion length to a first drain region 5 and, at the same time, a punch through preventing area 2 of a low concentration having a diffusion length shallower than that of the second drain region 3 is provided in a channel forming region.例文帳に追加

第２ドレイン領域３を第１ドレイン領域５に対して深い拡散長の低濃度で形成するとともに、チャネル形成領域にドレイン領域３より浅い拡散長の低濃度のパンチスルー防止領域２を設けた。 - 特許庁

The leader tape 30 is molded as a punch 42 is fitted into a through hole 50 formed on the die 44 constituted of a first block 80 to mold a lengthy part 31 of the leader tape 30, a second block 84 to mold an overhanging part 34 of the leader tape 30 and a third block 72.例文帳に追加

リーダーテープ３０の長尺部３１を成形する第１ブロック８０と、リーダーテープ３０の張出部３４を成形する第２ブロック８４及び第３ブロック７２で構成されたダイ４４に形成された貫通孔５０にパンチ４２が嵌合して、リーダーテープ３０が成形される。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

A round bar workpiece WO is inserted into a through-hole 12b in a die 12, and the projected part WA of the round bar workpiece held so as to partly project from the upper end surface 12a of the die 12 with a knock pin 14, is bent with a bending punch 16.例文帳に追加

ダイス１２の貫通穴１２ｂに丸棒ワークＷ０を挿入し、ノックピン１４によりダイス１２の上端面１２ａから一部突出するように保持された丸棒ワークの突出部ＷＡを、曲げポンチ１６によって曲げる。 - 特許庁

An ironing process of the cylindrical portion and a protruding diameter shrinking process in its lower part are executed between a forming punch 34 and an arresting die 36 in the two stages plastic forming of the semi-finished product A1 so that the thickness generated through the ironing process supplements the shoulder part at the time of diameter shrinking and a shortage of the thickness in the extruding diameter shrinking portion.例文帳に追加

半製品Ａ１は第２段階の塑性加工において成形パンチ３４と拘束ダイス３６との間で筒状部のしごき減肉とその下部における突き出し縮径を行い、しごきにより生じた肉の移動により縮径時の肩部及び突き出し縮径部における肉の不足を補充する。 - 特許庁

A plurality of points may be destroyed simultaneously by providing a plurality of punch heads at the tip of the piston rod, also the hard disk may be destroyed by moving the position of the housing case on the base, and forming a through hole at a plurality of points by moving the piston rod back and forth for a plurality of number of times.例文帳に追加

ピストンロッドの先端に、複数本のパンチヘッドを設けて、同時に複数個所を破壊するようにしてもよいし、収納ケースを、ベース上で位置移動せしめて、ピストンロッドの複数回の進退により複数個所に貫通穴を形成してハードディスクを破壊せしめるようにしてもよい。 - 特許庁

Furthermore, the striker 101 is movable above a plurality of punches P and the striking face 39 of the ram 37 can cover the moving range of the striker 101, so the punch P can be struck through the striker 101 only by vertically moving the ram.例文帳に追加

なお、ストライカ１０１は複数個のパンチＰの上方において移動可能であるが、ラム３７の打圧面３９は前記ストライカ１０１の移動範囲をカバーできるものであるので、上下移動させるだけでストライカ１０１を介してパンチＰを打圧することができる。 - 特許庁

To provide a punch press in which axial centers of an upper and a lower dies are aligned through an axial center holding member, a die set integrated into one body which is attachable and detachable for replace with respect to an upper and a lower die holders, and the axial center removable holding member, and to provide a method of dies mounting.例文帳に追加

軸芯保持部材を介して上下の金型の軸芯を一致せしめ、かつ一体化した金型セットを上下の金型ホルダに対して着脱交換でき、かつ上記軸芯保持部材を除去することのできるパンチプレス及び金型装着方法を提供する。 - 特許庁

On the entire surface of a substrate 1 below the channel region of the MISFET, p-type impurity layers 7 and 8 are formed, thus inhibiting the variation in the threshold voltage as compared with a case where a punch- through-stopper layer with a pocket structure is formed.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域下の基板１の全面に、パンチスルーを防止する機能を有する不純物濃度分布に第１ピークを有するｐ型不純物層７と不純物濃度分布に第２ピークを有するｐ型不純物層８とを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vertical bipolar element capable of executing sure and high-speed element operation, and also, capable of preventing occurrence of transistor operation by a low-concentration part in a base region and punch-through caused by the low-concentration part even if the base region is small.例文帳に追加

ベース領域が小さい場合でも、ベース領域の低濃度部分によるトランジスタ動作や、低濃度部分に起因するパンチスルーの発生を防ぎ、素子動作が高速で、かつ確実な縦型バイポーラ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The punch 11 can form the Braille plate P by burying the steel ball B into a projecting part Pa1 of the plate main body Pa from the back, and since the projecting part Pa1 of the Braille plate P is reinforced through the steel ball B, the projecting part Pa1 is hardly collapsed at the using time.例文帳に追加

ポンチ１１は、プレート本体Ｐa の凸部Ｐa1に対し、裏側から鋼球Ｂを埋め込んで点字プレートＰを形成することができ、点字プレートＰは、鋼球Ｂを介して凸部Ｐa1が補強され、凸部Ｐa1が使用中に不用意に潰れるおそれがない。 - 特許庁

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁

Thus, a punch-through stop layer 10 is formed between the retrograde well 3 and channel region 12 to suppress the short channel effect of a low-dielectric strength element by the use of the retrograde well 3.例文帳に追加

このように、レトログレードウェル３とチャネル領域１２との間にパンチスルーストップ層１０を備えることにより、レトログレードウェル３を用いることによる低耐圧素子におけるショートチャネル効果を抑制することができる。 - 特許庁

Thus, the depth of the contact trench 10 can be prevented from being deepened too much and recovery loss can be reduced, and recovery characteristics can be improved while preventing deterioration in withstand voltage between a collector and an emitter due to punch through of a base region 3 below the contact trench 10.例文帳に追加

このため、コンタクト用トレンチ１０の深さを深くし過ぎることなくリカバリ損失の低減を図ることが可能となり、コンタクト用トレンチ１０の下のベース領域３がパンチスルーしてしまうことによるコレクタ−エミッタ間耐圧の低下を抑制しつつ、リカバリ特性を改善することができる。 - 特許庁

To provide a film punching method and a die for punching used in the process that many pieces of metal component are punched off from a many- component adhesive resin film sheet and separated in a lamp, whereby it is possible to punch off and separate through less punching processes certainly without causing remaining of burrs in each metal component.例文帳に追加

多数部品接着樹脂フィルムシートから、一挙に、多数個の金属部品を打抜き分離させる場合、少ない打抜き工程で、個々の金属部品にバリを残さず確実に打抜き分離するフィルム打抜方法とその打抜金型を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

There is a zone where a P channel doped impurity zone 6 and a P^- punch through stopper impurity zone 11 are not formed in the channel area between a N^- photodiode impurity zone 10 and the N^+ floating diffusion impurity zone 9.例文帳に追加

Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０とＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９との間のチャネル領域には、Ｐ型チャネルドープ不純物領域６およびＰ^−型パンチスルーストッパ不純物領域１１が形成されていない領域がある。 - 特許庁

A cooling water passage R for conducting cooling water to flow through the inside of a top force A is formed, and a heat pipe H is buried into the punch 1 along the lengthwise direction of the same while the end of the heat pipe H of the top force A side is exposed into the cooling water passage R.例文帳に追加

上型Ａ内に冷却水を流す冷却水路Ｒを形成すると共に、そのパンチ１内にその長手方向に沿ってヒートパイプＨを埋め込み、そのヒートパイプＨの上型Ａ側端部をその冷却水路Ｒ内に晒す。 - 特許庁

By this configuration, a punch-through voltage V_PT of the P-type well 8 disposed between the deep N-type base layer 32 and the N-type epitaxial layer 3 can be set to be lower than an operation voltage V_t1 of a parasitic lateral bipolar transistor 42 composed of the source layer 12, the P-type well 8 and the drain layer 13.例文帳に追加

これにより、ディープＮ型ベース層３２とＮ型エピタキシャル層３との間に配置されたＰ型ウェル８のパンチスルー電圧Ｖ_ＰＴを、ソース層１２、Ｐ型ウェル８及びドレイン層１３からなる寄生横バイポーラトランジスタ４２の動作電圧Ｖ_ｔ１よりも低くする。 - 特許庁

Punch-through preventive regions 150 and 160 are formed at positions deeper than the transfer facilitation region 140 in the region from the transfer gate 130 to the floating diffusion part 120, or at positions shallower than the transfer facilitation region 140 in the lower layer region of the transfer gate 130.例文帳に追加

また、転送ゲート部１３０からフローティングデフュージョン部１２０にわたる領域の転送容易化領域１４０より深い位置、あるいは、転送ゲート部１３０の下層領域の転送容易化領域１４０より浅い位置に、パンチスルー防止領域１５０、１６０を形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing a fiber absorber includes: (1) individuating opening performed fibers; (2) compressing the opening performed fibers; (3) housing the compressed fibers in a needle-punch processing case in which needle insertion holes are formed; and (4) performing needle punching by inserting needles through the needle insertion holes from at least three directions having vertical relation to one another in the needle-punch processing case.例文帳に追加

本発明は、（１）開繊した繊維を個片化する工程と、（２）前記開繊した繊維を圧縮する工程と、（３）ニードル挿入用の穴が形成されているニードルパンチ加工用ケースに前記圧縮した繊維を収納する工程と、（４）前記ニードルパンチ加工用ケース内にて、少なくとも互いに垂直関係にある３方向から前記穴を通してニードルを挿入することにより、ニードルパンチを行う工程と、を含むことを特徴とする繊維吸収体の製造方法である。 - 特許庁

A through hole 16 is manufactured by using gas under a pressure raised higher than atmospheric pressure, the gas is impulsively jetted from a pressure container 4, and the gas acts on a principal face 1a of a ceramic green sheet 1 so as to punch out a material 17 from the ceramic green sheet 1 at least at one position specified for piercing the through hole 16.例文帳に追加

貫通穴１６を大気圧よりも高められた圧力下にあるガスを用いて製造し、該ガスをインパルス的に圧力容器４から噴出させ、貫通穴１６を穿孔するために規定された少なくとも１つの箇所において、ガスが、材料１７を前記セラミックグリーンシート１から打ち抜くようにセラミックグリーンシート１の主要面１ａに作用する。 - 特許庁

To provide a method which prevents the reduction in volume of a floating body by forming a landing plug so as to have a lower part narrower than an upper part in a manufacturing process of a floating body transistor and is capable of preventing a punch-through phenomenon by raising a density through ion implantation to a lower part of the floating body, and to provide a semiconductor storage device fabricated by this method.例文帳に追加

本発明はフローティングボディトランジスタの製造過程でランディングプラグの下部を上部より狭く形成し、フローティングボディの体積が減少するのを防止し、フローティングボディの下部にイオン注入を介して濃度を高めることによりパンチスルー現象を防止することができる方法と、それに伴い製造された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In reforming the surface of the ocular lens (10) by generating a plasma under atmosphere pressure and bringing such generated plasma into contact with the ocular lens (10), this method is constituted in such a manner that the plasma is blown to the ocular lens (10) through a plurality of through- holes (36) disposed at a punch sheet (12).例文帳に追加

大気圧下においてプラズマを発生させる一方、かかる発生したプラズマを眼用レンズ（１０）に接触せしめて、該眼用レンズ（１０）の表面の改質を行なうに際し、かかるプラズマが、パンチシート（１２）に設けられた複数の通孔（３６）を通じて、該眼用レンズ（１０）に対して吹き付けられるようにした。 - 特許庁

The powder material A at the tip part of the through hole 21 with the cavity 26 facing each through hole 21 by moving the upper and lower punches 16 and 17 is transferred to the cavity 25 by the transverse punch 14, the powder material A is filled in the cavity 26, and the transverse punches 13 and 14 are advanced to compress the powder material A and obtain the compacted body.例文帳に追加

上下パンチ１６，１７の移動によりキャビティ２６を各貫通孔２１に対向させた状態で貫通孔２１先端部の材料粉末Ａを横パンチ１４によりキャビティ２５に移送してキャビティ２６に材料粉末Ａを充填し、その後、各横パンチ１３，１４を前進させて材料粉末Ａを加圧・圧縮し、成形体を得る。 - 特許庁

The die 18 comprises a first die member 26 having a cavity through which the leg part of the automatic drilling rivet pressed by the punch 14 is drilled straight in the members, and a second die member 30 having a projecting pin in the center of the cavity so that the automatic drilling rivet drilling through the member is drilled while developed outwardly in the radial direction.例文帳に追加

ダイ１８は、パンチ１４によって押圧された自動穿孔リベットの脚部を被締結部材を直進方向に穿通させるキャビティを有する第１ダイ部材２６と、被締結部材を穿通している自動穿孔リベット脚部を半径方向外方に展開しつつ穿通させるように、キャビティの中央に突出ピンを有する第２ダイ部材３０とを備える。 - 特許庁

Then, when the punch plate 100 is pressed against the electret 40, portions through which the punches 110 have passed in the electrode 20 and the electrets 40 are punched out and the punches 110 penetrating through the electret 40 and the electrode 20 are fit with the holes 210 of the die plate 200 so that holes 2 are opened in the electrode 20 and the electret 40.例文帳に追加

そして、パンチプレート１００がエレクトレット４０に押しつけられと、電極２０およびエレクトレット４０においてパンチ１１０が通過した部分が打ち抜かれ、パンチ１１０がエレクトレット４０と電極２０とを貫通してダイプレート２００の孔２１０に嵌り、電極２０とエレクトレット４０とに孔２が設けられる。 - 特許庁

Based on predetermined line data, the control circuit generates the punch data including: draw data for drawing predetermined pattern(s) on the workpiece W through formation of a plurality of penetrations H; cut data for cutting along the outline of the pattern(s) ; and auxiliary cut data for forming cut E which helps the user when detaching the outline of the pattern from workpiece W.例文帳に追加

制御回路は、所定の模様のラインデータから、被加工物Ｗに対し複数の小孔Ｈにより所定の模様を描画するための描画データと、模様の輪郭に沿って切断するためのカットデータと、被加工物Ｗから模様の輪郭部分を切離す作業をユーザが容易に行うための切込みＥを形成する補助切込データとを含む打刻データを作成する。 - 特許庁

Punching force of the punch 12 and ultrasonic vibration of the oscillator are applied to the substrate 10 in an overlapping mode in a state that tension stress is incurred in the glass fibers 10b of the substrate 10 so that the glass fibers 10b are thereby broken, and epoxy resin 10a is simultaneously softened so as to let the through hole 18 as shown by a broken line be thereby formed up.例文帳に追加

基板１０のガラス繊維１０ｂに引張応力が発生している状態で、基板１０にパンチ１２の打抜力と振動子の超音波振動が重畳して加わり、ガラス繊維１０ｂを破断すると共にエポキシ樹脂１０ａを軟化させ、破線で示すようなスルーホール１８を形成する。 - 特許庁

In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加

極めて低い電圧低下量Ｖ_CEONの非パンチスルートレンチＩＧＢＴデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ１２５中に、バッファー領域の一部を構成するＮ^−非エピタキシャルフロートゾーン１２６とその底部表面にＮ^＋バッファー層である追加の空乏ストップ層３０を設ける。 - 特許庁

A power source voltage V, the capacity of the capacitor C and the resistance of the resistor R are set so that a high voltage higher than a punch-through voltage and breaking an abnormal gate oxide film can be applied instantaneously when the capacitor C charged with the power source V is discharged.例文帳に追加

電源電圧Ｖ，コンデンサＣの容量および抵抗Ｒの抵抗は、電源Ｖによって充電されたコンデンサＣを放電させた際に、テストの対象となるＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電極Ｇに、パンチスルー電圧よりも高く異常ゲート酸化膜を破壊できる高電圧を瞬間的に印加できるように設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constituted in an embedded channel region type transistor that is normally not turned on and has a high hot carrier resistance, a high punch through resistance, or high channel mobility, by optimizing the structure of a buried channel type MIS transistor using a silicon carbide substrate or the plane orientation of the substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた半導体装置において、埋め込みチャネル型のＭＩＳトランジスターとし、その構造や炭化珪素基板の面方位を最適化することによりノーマリーオンにならず、しかも高いホットキャリア耐性や、高パンスルー耐性、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型のトランジスターである半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a production apparatus comprising punching round skins of pot sticker from a belt-like material, and made simple as much as possible through omitting especially a feeding conveyor in a structure of a conventional intermittently feeding apparatus which is used for intermittently sending materials with rising and falling of a punch and composed of a feeding conveyor and a drawing conveyor.例文帳に追加

帯状の材料から円形をした餃子の皮を打抜いて製造する装置において、パンチの昇降に合わせて材料を間欠的に送るため用いられる従来の、送り込みコンベアと引き込みコンベアからなる間欠送り装置の構造のうち、とくに、送り込みコンベアを省略することによって可及的に簡単にすることにある。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁