「punch through」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The sliced wooden pieces 16 are thick enough for the needle 25 of the needle punch to penetrate through, and is bigger than a clearance between the fibers 12 of the first layer 14 and the fibers 13 of the third layer 20.例文帳に追加

スライス木片１６は、ニードルパンチのニードル２５が貫通可能な厚みと、第１層１４と第３層２０の繊維１２，１３の間隙よりも大きい形状である。 - 特許庁

To provide a punch-through transistor which utilizes the properties of a group III nitride semiconductor as much as possible to achieve lower resistance and which has superior productivity.例文帳に追加

III族窒化物半導体の特性を最大限に引き出して低抵抗化を実現し、かつ、生産性にすぐれたパンチスルー型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same in which GIDL (gate induced drain leakage) is prevented, higher punch-through resistance can be maintained, and a contact resistance is never increased.例文帳に追加

ＧＩＤＬを防止し、なおかつ、パンチスルー耐性を高く維持することができ、なおかつ、コンタクト抵抗を増大させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate of high process efficiency along with its manufacturing method, with no performance degradation such as dropping of a punch through voltage and increase in leakage current.例文帳に追加

パンチスルー電圧の低下、漏洩電流の増加などの性能低下がなく、工程効率が良い薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The slider 50 coupled to the belt-like plate 90 through a coupling portion 95, the substrate 10 for the rotary electronic component and a terminal plate 30, and a die 110 and a punch 130 are prepared.例文帳に追加

連結部９５を介して帯状板９０に連結されている摺動子５０と、回転式電子部品用基板１０及び端子板３０と、ダイ１１０及びパンチ１３０とを用意する。 - 特許庁

When the punch 13 presses the blank 10, the holder segments 14a and 14b move cooperatively and alternatively, set by set, to a central direction, thereby feeding the peripheral edge of the blank into a through-hole 12 of the die 11.例文帳に追加

ポンチ１３がブランク１０を押す際には、ホルダ分割片１４ａ、１４ｂは組毎に交互に連動して中心方向に移動し、それによってブランク１０の周縁部をダイス１１の貫通穴１２内に送る。 - 特許庁

The bottom plate with small holes bored in the four corners is inserted inside the bag, four holes are bored in the bag with a prick punch through the holes in the four corners of the bottom plate, and the feet or the screw type ornamental caps are inserted therein from the outside to fix the bag and the bottom plate together.例文帳に追加

バッグ、かばんの内部に四隅に小さな穴が明いた底板を挿入し、底板の四隅の穴に目打ちでバッグ、かばんに穴をあけ、外側からフート・ネジ式ギボシを挿入してバッグと底板を一緒に止める。 - 特許庁

To improve the performance of elements by suppressing punch-through between the elements adjacent to each other with STI in-between without increasing a manufacturing cost of a non-volatile memory including a floating gate and a control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲートを有する不揮発性メモリの製造コストを上昇させずに、ＳＴＩを挟んで隣り合う素子間のパンチスルーを抑え、素子の性能を向上させる。 - 特許庁

In this timing, the punching and boring work of the green sheet and the lamination work to laminate the bored green sheet on the green sheet which has been bored previously are performed simultaneously while the punch pin 2 being left punched through the green sheets.例文帳に追加

この時、グリーンシートへの打ち抜き穿孔作業と、穿孔したグリーンシートをパンチピン２に貫かれたままの状態で先に穿孔したグリーンシートの上に重ね置く積層作業を一括して行う。 - 特許庁

To inexpensively provide a delta doping technique by which the occurrence of a punch-through phenomenon that becomes a problem at the time of refining a MOSFET can be prevented and, in addition, the characteristics of a device are not sacrificed.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの微細化の際に問題となるパンチスルー現象を防ぎ、且つデバイスの特性を犠牲にしないためのデルタ−ドーピングの技術を安価に提供すること。 - 特許庁

In the speed acceleration guide 11, a punch 10 formed within it progresses while being accelerated by the contraction stress wave, and rams into a wafer 13, which is a workpiece, through the intermediation of a guard rail 12.例文帳に追加

この加速ガイド１１では、その中に設けられているポンチ１０がこの圧縮応力波で加速されながら進行し、ガードレール１２を介して被加工物であるウエハ１３に衝突する。 - 特許庁

To provide an inspection device for an array substrate which can detect a defective pixel related to a punch-through voltage not detectable by a conventional inspection device, and to provide an inspection method therefor.例文帳に追加

本発明の目的は、従来のアレイ基板の検査装置では検出できない突き抜け電圧に関する画素の不良を検出するための検査装置および検査方法を提供することにある。 - 特許庁

To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element furnished with a source- follower amplifier capable of having a high gain without a failure caused by punch-through, wherein the imaging element employs a VOD (vertical overflow drain) structure or a substrate shuttering structure.例文帳に追加

ＶＯＤ構造や基板シャッターを適用した固体撮像素子において、パンチスルーによる不良が発生することなく高いゲインを得ることができるソースフォロア型アンプを備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A plurality of pushing-up rods 32, 32 are fixed to the lower movable punch 13, these pushing-up rods 32, 32 are movably penetrated through the base plate 2 and a positioning member 51 is fixed to the lower part of the plurality of pushing-up rods 32, 32.例文帳に追加

可動下パンチ１３に複数の押上げロッド３２，３２を固定し、これら押上げロッド３２，３２をベースプレート２に移動可能に貫通し、複数の押上げロッド３２，３２の下部に位置決め部材５１を固定する。 - 特許庁

To provide a pressing device which enables highly accurate punching work and bending work without being affected by physical effect of a pressure transmission part through elimination of action behavior and thermal effect of the pressure transmission part for transmitting pressure to a punch.例文帳に追加

パンチに圧力を伝達する圧力伝達部の動作挙動や熱影響を排除することで、圧力伝達部の物理的な影響を受けることなく、高精度の打抜加工および曲げ加工できるプレス装置を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 6 can be formed at a deep position from a back contact surface, thus suppressing the occurrence of a punch through phenomenon caused by the flaw, or the like during the manufacturing process.例文帳に追加

裏面接触面から深い位置にバッファ層６を形成することができるため、製造工程中についた傷などによるパンチスルー現象の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where breakdown voltage is improved on the side of a pn junction between a punch-through preventing region and a drain offset region just below a gate electrode, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極直下のパンチスルー防止領域とドレインオフセット領域とのＰＮ接合面の耐圧を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the ironing punch 11, the cooling-cleaning liquid is supplied from the cooling-cleaning liquid supplying route R1 in the inside to an outer peripheral surface S1 of a front edge T1 through a cooling-cleaning liquid feeding hole K11 at the front edge T1.例文帳に追加

アイアニングパンチ１１では、内部の冷却洗浄液供給路Ｒ１から、先端部Ｔ１の冷却洗浄液供給孔Ｋ１１を介して冷却洗浄液を先端部Ｔ１の外周面Ｓ１に供給する。 - 特許庁

The structure of an image sensor pixel in an image detecting array is based on a vertical punch-through transistor where a junction gate surrounded by a MOS gate is connected with a source while surrounding it.例文帳に追加

画像検出アレイにおける画像センサピクセルの構造は縦型パンチスルートランジスタに基づいたものであり、ＭＯＳゲートで囲まれた接合ゲートがソースを囲む状態でソースに接続される。 - 特許庁

A bipolar anisotropic cylindrical ferrite magnet, having an outer peripheral surface 2, with both end faces 3 perpendicular to the surface 2, a central through-hole 4 and inner chamfered sections 5 opened to the end faces 3, is manufactured by forming a cylindrical molding space of at least an upper punch, a lower punch, and a form and molding ferrite magnet powder packed in a molding space in a magnetic field.例文帳に追加

少なくとも上部パンチと、下部パンチと、型枠とによって略円筒状成形空間を形成し、該成形空間内のフェライト磁石粉を磁場中成形することで、外周面２と該外周面２に垂直な両方の端面３と前記両方の端面３に開口する中心貫通穴４と内径面取り部５とを有する２極異方性円筒状フェライト磁石を作製する。 - 特許庁

A discharge plasma sintering device 6 is provided with a vacuum chamber 8 arranging a sintering unit 7 at the inside, an upper punch electrode 10 and a lower punch electrode 11 provided above and below the vacuum chamber 8 and arranged across the sintering unit 7 and a power source 12 impressing pulse power to the sintering unit 7 through these electrodes.例文帳に追加

この放電プラズマ焼結法を行う放電プラズマ焼結装置６は、焼結ユニット７を内部に配設している真空チャンバ８と、この真空チャンバ８の上下に設けられ焼結ユニット７を間に挟んで配設された上部パンチ電極１０及び下部パンチ電極１１と、これら電極を介して焼結ユニット７にパルス電力を印加する電源部１２とを備えている。 - 特許庁

The upper conveying route P is provided with a second conveying passage 23 for guiding the sheet from a first conveying passage 11 to a first delivery port 26 not via a punch hole formation device 8; and a third conveying passage 24 for guiding the sheet passing through the punch hole formation device 8 from the first conveying passage 11 to a second delivery port 28.例文帳に追加

上部搬送経路Ｐは、第１搬送路１１からパンチ穴形成装置８を経由せずに第１排出口２６にシートを案内する第２搬送路２３と、パンチ穴形成装置８を通過したシートを第１搬送路１１から第２排出口２８に案内する第３搬送路２４とを備えている。 - 特許庁

A movable arm 83 is restrained to a fixed arm 81 comprising a punch arm 69 of a punch exchanging hand 43 through a supporting member 85, this supporting member 85 comprises a headed pin 123 mounting a rolling member 129 and the arm 83 is provided freely movably against the fixed arm 81 by a little amt.例文帳に追加

パンチ交換ハンド４３のパンチアーム６９を構成する固定アーム８１に、支持部材８５を介して可動アーム８３が係止され、この支持部材８５は転動部材１２９を装着した頭付ピン１２３よりなり、固定アーム８１に対して可動アーム８３は若干量移動自在に設けられている。 - 特許庁

Impact force is generated by driving the lamination type piezoelectric actuators 20a and 20b so as to cause steep displacement to the lamination type piezoelectric actuators 20a and 20b and is intermittently given to the powder packed in the forming die 11 through the lower punch 11a and the upper punch 11b so that the powder is pressed and formed into a specified shape.例文帳に追加

積層型圧電アクチュエータ２０ａ・２０ｂに急峻な変位が生ずるように積層型圧電アクチュエータ２０ａ・２０ｂを駆動することによって生ずる衝撃力を下パンチ１１ａと上パンチ１１ｂを通じて成形型１１に充填された粉末に間欠的に加えることによって粉末を所定の形状にプレス成形する。 - 特許庁

When performing punching work, by making a striker 101 freely position on the XY-plane above a punch holder to select a die from a plurality of punches P which are arranged in a fixed rectangular region and striking the punch P through the striker 101 by simply vertically moving a ram 37, thus the punching work is performed.例文帳に追加

パンチング加工を行う際には、固定の矩形域に配置された複数個のパンチＰから金型を選択するために、パンチホルダ上方にストライカ１０１をＸＹ平面内に位置決め自在とし、ラム３７を単純に上下移動させることによりストライカ１０１を介してパンチＰを打圧してパンチング加工を行う。 - 特許庁

A positioning part 26 for centering the tip part 24 by fitting with the through-hole 12 is formed at the rear end side from the tip part 24 of the punch, and the moving range of the hydraulic jack 20 is set so that the positioning part 26 reaches the through-hole 12.例文帳に追加

そして貫通穴１２との嵌合により先端部２４の芯出しをなす位置決め部２６をパンチの先端部２４より後端側に形成するとともに、前記油圧ジャッキ２０の移動範囲を位置決め部２６が貫通穴１２に達するように設定した。 - 特許庁

The upper punch 22 progresses into the through hole 94, and the moving member 84 moves in such a manner that the through hole 94 is located coaxially with the cavity 58, thus the back yoke 204 held by the pair of clampers 114 is positioned coaxially with the cavity 58.例文帳に追加

貫通孔９４に上パンチ２２が進入し貫通孔９４がキャビティ５８と同軸上に位置するように移動部材８４が移動することによって、一対のクランパ１１４に保持されるバックヨーク２０４がキャビティ５８と同軸上に位置決めされる。 - 特許庁

The hollow punch 40 is relatively moved to the die 35, inserted in the opening 35a through the material to be machined, and passes through the material to be machined to form the hole and at the same time to remove the burr generated at the edge of the hole by the groove 41.例文帳に追加

穴開けパンチ４０は、ダイ３５に対して相対的に移動されて被加工材を介して開口部３５ａに挿入され、被加工材を貫通して穴を形成するとともに、溝４１により穴の縁部に発生するばりを除去する。 - 特許庁

The compacting mold comprises: a die; upper and lower punches; and a core rod freely slidably passing through the through-hole of the lower punch and projecting into a cavity, and is characterized in that the upper face of the core rod is provided with gas jet holes.例文帳に追加

ダイと、上下パンチと、前記下パンチの貫通穴を摺動自在に貫通してキャビティ内に突出するコアロッドとを備えた粉末成形用金型であって、前記コアロッドの上面に気体噴出穴を有することを特徴としている。 - 特許庁

In a first step, a through hole 2 is made in a paper carrier tape base material 1a, in a second step, a punch 5 is pressed against the through hole 2 to form the chip accommodation recess 3 over the through hole 2 in the paper carrier tape base material 1a, and the through hole 2 is closed by a part of the paper carrier tape base material 1a.例文帳に追加

第１工程において紙製キャリアテープ基材１ａに貫通孔２が開孔され、その後、第２工程においてパンチ５を貫通孔２上に押し当てることにより、紙製キャリアテープ基材１ａの貫通孔２上にチップ収納凹部３を成形するとともに、紙製キャリアテープ基材１ａの一部により貫通孔２を閉じる。 - 特許庁

At this time, the length of the extendedly formed part of the photodiode layer 17 is specified to be in the extent of avoiding the punch through between the photodiode layer 17 and a drain region 19 when the read out gate 15 is off.例文帳に追加

その際、フォトダイオード層１７は、読み出しゲート１５の下部に延在する部分の長さが、読み出しゲート１５がオフ状態のときに、フォトダイオード層１７とドレイン領域１９との間でパンチスルーが生じない程度の長さとなるようにする。 - 特許庁

Consequently, a silicon containing substance existing along an edge of the gate pattern is selectively oxidized while suppressing the oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern to satisfactorily cure the etching damage and simultaneously prevent punch-through in the gate insulating layer.例文帳に追加

これにより、金属ゲートパターンに含まれた金属層の酸化を抑制しつつ、ゲートパターンのエッジにあるシリコン含有物質を選択的に酸化させてエッチングダメージを良好にキュアリングできると同時にゲート絶縁層のパンチスルーを防止できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a punch through stopper layer on one major surface of a semiconductor substrate 1, ions are implanted while masking a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To improve production yield of a sintered part manufactured by molding a raw material powder through a die lubrication molding method, by preventing contamination of the raw material powder inside a cavity, even when the contamination is caused by dropping of foreign matters deposited on an upper punch of a powder molding apparatus.例文帳に追加

粉末成形装置の上パンチに付着した異物が落下してキャビティ内原料粉末に混入する事態をなくし、金型潤滑成形法で原料粉末を成形して製造される焼結部品の生産歩留まりを向上させることを課題としている。 - 特許庁

Further, in the thickness increasing steps, the portion around the through-hole 11 in one surface (a punch side surface 13) of the metallic material 10 is heaved by press work, and the other surface (a die side surface 12) of the metallic material 10 is restrained by means of the press die so as to become a flat surface.例文帳に追加

また、前記増厚工程において、前記金属素材１０の一方の面（パンチ型側面１３）における前記貫通孔１１の周囲の部分をプレス加工によって隆起させる一方で、前記金属素材１０の他方の面（ダイ型側面１２）を、平坦面となるようにプレス型によって拘束する。 - 特許庁

For the puncher P for piercing the workpiece W by a pierce punch 2 while pressing the workpiece by a stripper 3, a cover 1 is formed of a metal, and the diameter of one end through hole 10 and the diameter of a cover part in a vicinity thereof are smaller than that of other cover parts.例文帳に追加

ワークＷをストリッパー３で押圧しながらピアスパンチ２でピアス加工するパンチャーＰにおいて、カバー１は金属製であって一端開放孔１０及びその近傍のカバー部分を他のカバー部分よりも小径としてある。 - 特許庁

A sacrificial oxide layer 1 and a polysilicon/silicon nitride film are deposited sequentially on a substrate 2, an opening is made therein by etching (at the part of 5, 15) and ions are implanted in order to suppress hot carriers 11 thus suppressing punch through 8 between source and drain.例文帳に追加

基板２上に犠牲酸化物層１及びポリシリコン・窒化珪素膜を順次堆積し、エッチング開口（５・１５の部分）してソースドレイン間のパンチスルー抑制用８ホツトキャリア抑制用１１のイオン注入を行う。 - 特許庁

Thus, even if the punch-through stopper layer 7 having a function to prevent a short channel effect is provided while a control gate of a non-selected memory cell is applied with a negative voltage to suppress a leak current at writing, the drain-disturb phenomenon is prevented.例文帳に追加

これにより、短チャネル効果を防ぐ機能を有するパンチスルーストッパ層７を設け、さらに書き込み時のリーク電流を抑えるために非選択メモリセルの制御ゲートに負電圧を印加しても、ドレインディスターブ現象を防止することが可能となる。 - 特許庁

In the metal floor panel 6 adhering the face 5 with the different quality of the material to the surface wherein the hole 9 is perforated, the hole 8 is perforated in the face 5 by stamping making use of a punch 15 passing through the hole 9 from the rear side of the floor panel 6.例文帳に追加

孔９を設けた表面に異なる材質の表面材５を接着した金属製のフロアパネル６において、フロアパネル６の裏面側から孔９を通過するパンチ１５を用いたプレス加工によって表面材５に孔８を設けた。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

A steel plate is subjected to a stamping process to punch screw holes 424, female screw holes 425, and through-holes 426 on the steel plate in a pattern corresponding to such a shape of the plate that an attaching face 421, a lower face attaching piece 422, and an upper face attaching piece 423 are extended on one plane in the same direction.例文帳に追加

鋼板をプレス加工にて、ねじ孔４２４、雌ねじ孔４２５および貫通孔４２６を打ち抜くとともに同方向で取付面部４２１、下面取付片部４２２および上面取付片部４２３が一平面に展開された形状に対応する形状で打ち抜く。 - 特許庁

The reagent container 50 includes a container body 52, and a cover 54 where a plurality of hollow punching portions 64 are projected downward on the lower surface, which punch the seal member 62 in at each open portion 66, and an opening 86 on the upper surface is formed for inserting and pulling through the probe which communicates the punching portions 64.例文帳に追加

試薬容器（５０）は、容器本体（５２）と、下面にシール材（６２）を各開口部（６６）において穿孔する複数の中空の穿孔部（６４）が下方に向けて突設され、上面に穿孔部（６４）に連通するプローブの挿抜を可能とする開口（８６）が形成された蓋体（５４）とからなる。 - 特許庁