「section al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A section AL which has possibility of leaking a light of an image signal of the optical black region is previously obtained.例文帳に追加

オプティカルブラック領域の画像信号のうち、光が漏れ込む可能性がある区間Ａ_Lを予め求める。 - 特許庁

To provide an FC-AL system for which the usability of the system is improved by making the device of a fault section accessible without bypassing it, a command issuing method of the FC-AL system, and a data storage device applicable to the FC-AL system.例文帳に追加

障害区間のデバイスをバイパスせずにアクセス可能とし、システムの可用性を向上したＦＣ−ＡＬシステム、ＦＣ−ＡＬシステムのコマンド発行方法及び当該ＦＣ−ＡＬシステムに適用可能なデータ記憶装置を提供する。 - 特許庁

A clamp pulse is output during a section AB (period TC_1) in which the section AL near the effective pixel region of the image signal corresponding to the black region.例文帳に追加

オプティカルブラック領域に対応する画像信号のうち、有効画素領域に近い区間Ａ__Lを除いた区間Ａ_B（期間Ｔ_C1）にわたりクランプパルスを出力する。 - 特許庁

A period T in which a period corresponding to the section AL of a clamping period of the black region is removed, is previously obtained.例文帳に追加

これに基づいてオプティカルブラック領域のクランプ期間のうち、区間Ａ_Lに対応する期間を除いた期間Ｔ_C1を予め求める。 - 特許庁

As a result, the polycrystalline silicon film 15 and the Al (aluminum) film 15 constitute a bimorph structure across the hinge section 13 consisting of silicon nitride.例文帳に追加

これにより、多結晶シリコン膜１５とアルミニウム膜１６とが窒化シリコンからなるヒンジ部１３を挟んでバイモルフ構造を構成している。 - 特許庁

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

When detecting a fault in a loop and any of disk units 30, 40, 50 an FC-AL(fiber channel arbitrated loop) control section 15 informs an MPU 11 of the fault contents.例文帳に追加

ＦＣ−ＡＬ制御部１５はループ及びディスク装置３０，４０，５０の障害を検出するとＭＰＵ１１へ障害内容を通知する。 - 特許庁

At least one layer of a laminated structure constituting the ridge section of the element 12 is composed of Al oxide layers 8 respectively formed in two areas on the inside of both side faces of the ridge section on the cross section of the element 12 cut perpendicularly to the direction of a laser resonator and an electrically opened compound semiconductor layer 5 formed between the Al oxide layers 8.例文帳に追加

リッジ部を構成する積層構造体の少なくとも一層は、レーザ共振器方向と直交する断面で見て、両リッジ側面から内方に向かった二つの領域にそれぞれ形成されたＡｌ酸化層８と、Ａｌ酸化層の間に形成され、電気的に開口している化合物半導体層５とから構成されている。 - 特許庁

A high reflection film 42 made of aluminum Al, silver Ag, and the like is provided at the inclined section 30, and light reaching the inclined section 30 is reflected by the high reflection film 42 and is extracted to the outside efficiently.例文帳に追加

傾斜部３０にアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などよりなる高反射膜４２を設け、傾斜部３０に到達した光を高反射膜４２で反射させて外部に効率よく取り出す。 - 特許庁

Each of circular arc section 4-1 to 4-4 consists of an Al film by the side of an inner circumference, by which laminating is performed on an SiN film by the side of a periphery, and laminated by this.例文帳に追加

各円弧状部４−１〜４−４は、外周側のＳｉＮ膜及びこれに積層された内周側のＡｌ膜で構成される。 - 特許庁

To suppress the destruction of an Au wire in a secondary-side bonding section, in a connection structure for wire-bonding the Au wire, with the secondary side being an Al pad.例文帳に追加

Ａｌパッドを２次側としてＡｕワイヤをワイヤボンディング接合する接続構造において、２次側接合部におけるＡｕワイヤの破壊を抑制する。 - 特許庁

The side faces of four directions of the second resin 5 are coated with a reflection section, which is constituted of a metal plated layer formed of Ag, Al, or the like, which has high reflection factor.例文帳に追加

第二の樹脂５の４方向の側面に反射率の高いＡｇやＡｌなどの金属のメッキ層からなる反射部が被覆してある。 - 特許庁

When a prescribed area in the cross-section of a regular part is defined as 100%, the area ratio of Mg-Al compounds in the prescribed area is ≤0.1%.例文帳に追加

定常部断面における所定の面積を１００％とすると、所定面積内のＭｇ−Ａｌ化合物の面積率が０．１％以下である。 - 特許庁

The formation of the AlN layer 1013 at the end portion of the Al alloy layer 1011 can prevent the formation of an inversely tapered cross section of the scan line which is caused by side-etching of the Al alloy layer 1011 due to alkali formed from peeling liquid and water during a resist-peeling process.例文帳に追加

Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 - 特許庁

This welding method is applied to the manufacture of the welded section steel using, as the flange material and web material, a plated steel sheet to which Zn-based plating, preferably alloy plating containing Zn and Al, or more preferably alloy plating containing Zn, Al, and Mg is applied.例文帳に追加

この溶接方法は、フランジ材及びウェブ材として、Ｚｎ系めっき、好ましくはＺｎとＡｌを含む合金めっき、さらに好ましくはＺｎとＡｌ及びＭｇを含む合金めっきが施されためっき鋼板を用いた溶接形鋼の製造に適用される。 - 特許庁

A package 10 has a multilayer structure which is comprised of a section 10a made of metal such as Al or Cu, and a section 10b made of a ceramic material (AlN or the like) with high thermal conductivity; and the metallic section 10a is arranged on the side of a recess 11 wherein an LED chip 1 is mounted.例文帳に追加

パッケージ１０は、ＡｌやＣｕのような金属製の部分１０ａと、高熱伝導率のセラミック材料（例えば、ＡｌＮなど）製の部分１０ｂとの多層構造を有し、金属製の部分１０ａがＬＥＤチップ１の実装される凹所１１側に配置されている。 - 特許庁

The first and second steel furring strips 1, 2 are constituted of molded products of pre-plated steel plates having a closed cross section and made of highly anti-corrosive fused Zn-Al-Mg alloy, and mounting hardware 3 is constituted of a molded product of a pre-plated steel plate made of highly anti-corrosive fused Zn-Al-Mg alloy.例文帳に追加

第１，第２の鋼製胴縁１，２が、閉鎖断面の、高耐食溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金プレめっき鋼板の成形加工品からなり、取付け金物３が高耐食溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金プレめっき鋼板の成形加工品からなる。 - 特許庁

In more detail, trenches 134 are formed along the external periphery of the light-receiving section 4 on interlayer insulating films 92, 96 and 100 below Al layers 94, 98 and 102 laminated on the wiring structure layer 90, the Al layers are embedded in the trenches to form a plug 136 extending along the periphery.例文帳に追加

具体的には、配線構造層９０に積層される各Ａｌ層９４，９８，１０２の下の層間絶縁膜９２，９６，１００に受光部４の外周に沿ってトレンチ１３４を形成し、これらトレンチに各Ａｌ層を埋め込んで、周に沿って延在するプラグ１３６を形成する。 - 特許庁

This time authentication station 20_i selects L time authentication stations from a data storage section 30 for storing an authentication station list AL, including the orders of respective time authentication stations therein, and the authentication station list AL, and transmits a hash value and a stamp issuance request to the time authentication stations.例文帳に追加

時刻認証局２０_ｉは、時刻認証局それぞれの順位を含む認証局リストＡＬが格納されるデータ記憶部３０と、認証局リストＡＬからＬ台の時刻認証局を選択し、ハッシュ値とタイムスタンプ発行要求とを時刻認証局に送信する。 - 特許庁

In this energy absorbing member 1 being a hollow extruded section molded in an almost rectangular shape out of an Al alloy, an upper wall part 11 is curved so as to swell to the hollow, outside.例文帳に追加

Ａｌ合金製で略矩形に成形された中空押出形材であるエネルギー吸収部材１において、上壁部１１を中空外側に膨らむように湾曲させる。 - 特許庁

A Zn diffusion speed to Al GaAs is increased intentionally by lowering the ambient temperature of the wafer, and the diffusion depth to AlGaAs only of a peripheral section is deepened.例文帳に追加

例えばウェーハ周辺の温度を低くすることにより、ＡｌＧａＡｓに対するＺｎ拡散速度を意図的に早くし、周辺部のみのＡｌＧａＡｓに対する拡散深さを深くする。 - 特許庁

When the polycrystalline silicon film 15 is energized, the hinge section 13 is heated by the Joule heat of the polycrystalline silicon and as a result of the same, both of the polycrystalline silicon film 15 and the Al film 15 thermally expand and the mirror section 12 is displaced together to the moving segment 13A.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１５に通電すると、多結晶シリコンのジュール熱によりヒンジ部１３が加熱され、その結果、多結晶シリコン膜１５とアルミニウム膜１６との両方が熱膨張し、可動部分１３Ａとともにミラー部１２が変位する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 15 containing an impurity, for example, phosphorus (P) is formed on the surface on the front side from a moving segment 13A to a stationary segment 13B of a hinge section 13 and an aluminum (Al) film 16 is formed on the surface on the rear side of the moving segment 13A of the hinge section 13.例文帳に追加

ヒンジ部１３の可動部分１３Ａから固定部分１３Ｂにかけての表側の面には、不純物例えばリン（Ｐ）を含む多結晶シリコン膜１５が、また、ヒンジ部１３の可動部分１３Ａの裏側の面には、アルミニウム（Ａｌ）膜１６が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that temperature rising time is taken when Al plating is used for hot press using a radiation system or that unevenness is easy to occur in alloying by section upon rapid heating.例文帳に追加

輻射方式を用いた熱間プレスにＡｌめっきを用いる際に昇温時間がかかる、あるいは急速加熱する際に部位により合金化にムラが生じやすいとの課題を解決する。 - 特許庁

The magnesium alloy screw is made of a magnesium alloy containing Al in an amount of 4.0 to 10.0% in mass%, wherein a peak intensity ratio X_p in the cross-section parallel to the screw axial direction satisfies ≤0.55.例文帳に追加

本発明マグネシウム合金ねじは、質量％でＡｌを４．０〜１０．０％含むマグネシウム合金からなり、ねじ軸方向に平行な断面におけるピーク強度比Ｘ_ｐが０．５５以下を満たす。 - 特許庁

In the tip joining region 21, there is provided a part whose mean Al concentration gradient in a section of length of 15 μm is 0.1 mass%/μm along a predetermined direction (B) from the tube 7 side toward the heating coil 9 in a tip gradient forming section N1.例文帳に追加

先端側接合領域２１において、先端側勾配形成区間Ｎ１における、チューブ７側から発熱コイル９側へ向けての所定方向（Ｂ）に沿った長さ１５μｍの区間の平均Ａｌ濃度勾配が０．１質量％／μｍ以上の部分が設けられる。 - 特許庁

In addition, Al dual damascene wiring 12a is provided above the pad section 6a of the Cu damascene wiring 6 while the wiring 12a is exposed from the upper surface of an SiO_2 film 8 formed on the SiO_2 film 2 and the Cu damascene wiring 6.例文帳に追加

Ｃｕダマシン配線６のパッド部６ａの上方で、ＳｉＯ_２膜２およびＣｕダマシン配線６の上に設けられたＳｉＯ_２膜８の上面から露出して、Ａｌデュアルダマシン配線１２ａが設けられている。 - 特許庁

A noise detection line NL is provided along a voice signal line AL for feeding a voice signal outputted from the voice reproducing section 20 of a portable telephone terminal 100 to the earphone speaker 201 of an earphone 200.例文帳に追加

携帯電話端末１００の音声再生部２０から出力される音声信号をイヤホン２００のイヤホンスピーカ２０１に供給する音声信号ラインＡＬに沿って、ノイズ検出ラインＮＬを設ける。 - 特許庁

For constructing this photochemical reaction cell, in a quartz tube 2 provided with a rectangular cross section and brought into tight contact with a nitride semiconductor light emitting diode 1, an Al metal reflection mirror 3 is arranged on the outside wall while a photocatalyst layer 4 is arranged on the inside wall.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード１に密着する矩形断面石英チューブ２の外壁にＡｌ金属反射鏡３、内壁に光触媒層４をそれぞれ設けて光化学反応セルを構成する。 - 特許庁

In the joined part 13, the cutting plane end face 14a of the SUS pipe 11 and that 14b of the Al pipe 12 are close contact with each other, showing a cross section in which both end faces are covered with the Al pipe 12 in a wrapped-around fashion, with the end faces formed in a manner hermetically sealed from the ambience 15 of the pipes.例文帳に追加

その接合部１３は、ＳＵＳ管１１の切断面端部１４ａとＡｌ管１２の切断面端部１４ｂとが相互に密着されて、それらがＡｌ管１２に外包されるように巻き込むかたちにて覆われた断面形状を有しており、同端部１４ａおよび１４ｂが管外部１５から気密遮断されるように形成されている。 - 特許庁

The surface treatment method is characterized in that a wire type Al vapor deposition material containing Cu and/or Mg is vaporized while continuously supplied to a heated melting and vaporizing section so as to vapor deposit an Al coating film containing Cu and/or Mg by 0.1 wt.% to 20 wt.% on the surface of the object to be treated.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、Ｃｕおよび／またはＭｇを含むワイヤー状Ａｌ蒸着材料を、加熱した溶融蒸発部に連続供給しながら蒸発させることで、Ｃｕおよび／またはＭｇを０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％含むＡｌ被膜を被処理物の表面に蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

The sub-mount member 30 is formed of AlN, wherein a reflection film 32 made of an Al film is formed around an electrode pattern 31 as a portion where the LED chip 10 is mounted, and a coating layer 110 for blocking elusion of a metal (Al) from the reflection film 32 to a sealing section 50 is provided on the surface of the reflection film 32 (predetermined portion).例文帳に追加

サブマウント部材３０は、ＡｌＮにより形成されており、ＬＥＤチップ１０の搭載部位である電極パターン３１の周囲にＡｌ膜からなる反射膜３２が形成されており、反射膜３２の表面（所定部位）に当該反射膜３２から封止部５０中への金属（Ａｌ）の溶出を阻止するコーティング層１１０が設けられている。 - 特許庁

With respect to an Al alloy member for open rack vaporizer provided with the Al-Zn sprayed coating on a surface of an Al alloy base material, pores existing near an interface of the base material and the sprayed coating, of the sprayed coating are impregnated with a filler including carbon so that a carbon of 0.3 mass% or more is detected as a result of cross-section observation by EPMA.例文帳に追加

Ａｌ合金基材の表面にＡｌ−Ｚｎ溶射皮膜が形成されているオープンラックベーパライザ用のＡｌ合金部材であって、この溶射皮膜は、少なくとも、基材と溶射皮膜との界面近傍に存在する気孔においては、ＥＰＭＡによる断面観察結果として、０．３質量％以上の炭素が検出されるように、炭素を含む充填剤によって含浸処理がなされていることを特徴とするＡｌ−Ｚｎ溶射皮膜含有Ａｌ合金部材である。 - 特許庁

Prior to burying the Al-CVD film P1, the control section sputters a part of the metal nitride film BM2 positioned on the bottom of the via hole VH to form a re-adhesive nitride film BMr on the side wall of the bottom of the via hole VH.例文帳に追加

そして、制御部は、Ａｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を埋め込む前に、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の一部をスパッタし、ビアホールＶＨの底部の側壁に再付着窒化膜ＢＭｒを形成させた。 - 特許庁

Then, the Zn-Al alloy rough surface plated wire is produced by successively performing annealing individually on three stages in each layer flow of low speed cooling air, middle speed cooling air, and high speed cooling air directly after pulling-up from a gas formed section.例文帳に追加

そして、このＺｎ−Ａｌ合金粗面メッキ線を、ガス絞り部から引き上げ直後に、低速冷却空気と中速冷却空気と高速冷却空気の各層流中で個々に３段階に順次除冷して製造するようにした。 - 特許庁

A Pd silicide layer 7 composed of the compound of palladium and silicon is formed on the surface of the layer 2 on the bottom of the opening section 6, and a metallic electrode 10 is formed by using a metallic film 8 composed of a W film and brought into contact with the Pd silicide layer 7 on the bottom of the opening section 6 and the metallic film 9 consisting of an Al film.例文帳に追加

次いで、開口部６の底部にてエピタキシャル層２の表面にパラジウムとシリコンとの化合物からなるＰｄシリサイド層７を形成した後、Ｗ膜からなり開口部６の底部でＰｄシリサイド層７と接触する金属膜８とＡｌ膜からなる金属膜９を用いて金属電極１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, in the central part in the sheet thickness direction of a cross-section surface including the rolling direction, an Al-Mn-Fe(-Si)-based intermetallic compound with an equivalent circle diameter of 2.0 μm or more has an area rate of 0.4% or more and a number density of 1,350 pieces/mm^2 or more.例文帳に追加

さらに圧延方向を含む断面の板厚方向中心部において、円相当径２．０μｍ以上のＡｌ−Ｍｎ−Ｆｅ(−Ｓｉ)系金属間化合物が、面積率：０．４％以上、個数密度：１３５０個／ｍｍ^2以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A position corresponding to a light reception section 52 in a wiring structure layer 90, where the interlayer insulating film made of SOG, or the like and an Al layer are laminated, is etched back to form the opening 120.例文帳に追加

ＳＯＧ等からなる層間絶縁膜とＡｌ層とが積層された配線構造層９０の受光部５２に対応する位置をエッチバックして開口部１２０を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３０を開口部１２０の側壁面及び底面に堆積する。 - 特許庁

A control section coats the surface of a silicon substrate having a via hole VH with a metal film BM1 (Ti film) and a metal nitride film BM2 (TiN film), and uses a CVD method to form an Al-CVD film P1 in the inside of the via hole VH coated with the metal nitride film BM2.例文帳に追加

制御部が、ビアホールＶＨを有したシリコン基板の表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。 - 特許庁

To obtain a bump electrode structure which is connected stably with an electrode pad by forming a nickel (Ni) layer reliably at a desired section of the surface of the pad electrode and securing sufficient adhesiveness of a bump electrode even in the case of using the electrode pad composed of an aluminum (Al) alloy containing silicon (Si).例文帳に追加

シリコン（Ｓｉ）を含むアルミニウム（Ａｌ）合金からなる電極パッドを用いる場合においても、ニッケル（Ｎｉ）層をパッド電極表面の所望部位に確実に形成するとともに、バンプ電極の十分な密着性を確保し、電極パッドに安定に接続されたバンプ電極構造を得る。 - 特許庁

The cast slab is scarfed so that the thickness of a granular oxide layer of at least one of Al, Ti and Mn in the section of a projecting part on a surface of the cast slab after the scarfing is equal to or less than the thickness of oxide scales to be removed by heating the cast slab before the hot rolling, added 100 μm thereto.例文帳に追加

溶削後の鋳片表面の凸部の断面における、Ａｌ，Ｔｉ及びＭｎの少なくとも一つの粒状酸化物層の厚みが熱間圧延前の鋳片の加熱によって除去される酸化スケールの厚みに１００μｍを加えた厚み以下になるように溶削する。 - 特許庁

Moreover, after an AlGaAs layer 11, of which an Al composition ratio is from 0.3 to 0.6, is grown as a clad layer within a growth temperature range from 670°C to 685°C, GaAs is supplied and a plurality of GaAs quantum wires 13 of shape like a crescent moon in cross section is formed as an array in the V groove.例文帳に追加

その上に成長温度６７０℃から６８５℃の範囲内で、Ａｌ組成比が０．３から０．６のＡｌＧａＡｓ層１１をクラッド層として成長させてからＧａＡｓを供給し、Ｖ溝内に断面が三ケ月形状のＧａＡｓ量子細線１３を複数本、アレイ状に形成する。 - 特許庁

A control section coats the surface of a silicon substrate S having a via hole VH with a metal film BM1 (Ti film) and a metal nitride film BM2 (TiN film), and uses a CVD method to form an Al-CVD film P1 in the inside of the via hole VH coated with the metal nitride film BM2.例文帳に追加

制御部は、ビアホールＶＨを有したシリコン基板Ｓの表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

The mesa semiconductor element 100 capable of excluding the factors, containing the environmentally hazardous substances while securing stability and reliability in electrical characteristics, is obtained by allowing a silicon oxide film 1a coating a slanted side in the mesa section 111 of a semiconductor substrate 102 to contain an Al ions to be charged fixedly and negatively, even if lead or zinc is not doped to the film.例文帳に追加

半導体基体１０２のメサ部１１１の傾斜側面を皮覆するシリコン酸化膜１ａが、鉛や亜鉛を添加せずとも、Ａｌイオンを含むことで固定的な負電荷を帯びることにより、電気特性の安定と信頼性を確保しつつ環境負荷物質を含む要素を除外可能なメサ型半導体素子１００を実現する。 - 特許庁