「sin.」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The Ir_x nanostructure can be partially covered by an electrical insulator (e.g. SiO_2, SiN, TiO_2, or spin-on glass (SOG)).例文帳に追加

ＩｒＯ_Ｘナノ構造体は、末梢端部を露出したままの状態で、電気絶縁体（例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、またはスピンオングラス（ＳＯＧ））によって部分的に覆われ得る。 - 特許庁

A complex multiplier 19 performs complex multiplication of the output I/Q of the quadrature demodulator 15 by a sin/cos wave to correct the phase deviation and inputs it to a symbol judgement part 20.例文帳に追加

複素乗算器１９は、直交復調器１５の出力Ｉ／Ｑをｓｉｎ／ｃｏｓ波で複素乗算し、周波数ずれを補正してシンボル判定部２０に入力する。 - 特許庁

The adjustment signal generation portion 121 generates a cosine value cos (θ) and a sine value sin (θ) of the phase adjustment value θ, and gives them to multipliers 123A and 123B respectively.例文帳に追加

調整信号発生部１２１は、位相調整値θの余弦値ｃｏｓ（θ）と正弦値ｓｉｎ（θ）とを生成し、乗算器１２３Ａ，１２３Ｂへそれぞれ与える。 - 特許庁

Oxidation of Cu in Cu wiring 14 can be prevented by reducing species, and Si in the SiN tin film can be heat-oxidized by such a heat treatment.例文帳に追加

このような熱処理によれば、還元種によってＣｕ配線１４中のＣｕの酸化を防止でき、かつ酸化種によってＳｉＮ薄膜１５中のＳｉを熱酸化できる。 - 特許庁

After an gate insulation film 3 and a gate electrode 4 are formed on a semiconductor substrate 1, a lamination film formed of an SiO_2 film 7 and an SiN film 8 is formed on the entire surface thereof.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜３及びゲート電極４を形成した後、全面にＳｉＯ_２膜７及びＳｉＮ膜８の積層膜を形成する。 - 特許庁

Accompanying this, as a measure of the mechanical strength and the humidity resistance of a wiring layer 4 consisting of Al alloy, this wiring layer 4 is covered with a passivation film 5 such as SiN or the like.例文帳に追加

これに伴って、Ａｌ合金から成る配線層４の機械的強度および耐湿性対策として、この配線層４をＳｉＮなどのパッシベーション膜５で被覆する。 - 特許庁

A sin Θ and a cos Θ are betted on the coordinates (X, Y) of two-dimensional planes S, C, and a cumulative value of a value betted on in each the coordinates is calculated.例文帳に追加

さらに、２次元の投票平面Ｓ，Ｃの座標（Ｘ，Ｙ）に、それぞれｓｉｎΘ，ｃｏｓΘを投票するとともに、座標毎に投票された値の累計値を算出する。 - 特許庁

Points that differ from a conventional transistor are as follows: (1) A side wall 42 constituted of SiN thicker than the gate insulating film 16 is disposed at the upper part of the groove wall of a groove 14.例文帳に追加

従来のトランジスタ部と異なる点は、（１）溝１４の溝壁上部には、ゲート絶縁膜１６の膜厚より厚いＳｉＮからなるサイドウォール４２が設けられている。 - 特許庁

A concentric circular FZP pattern portion 101 is provided on a Ta film on an SiN film by an electron beam drawing technique or the like to form a Fresnel zone plate (FZP) 100.例文帳に追加

ＳｉＮ膜上のＴａ膜上に電子線描写などの手法により同心円状のＦＺＰパターン部分１０１を設けてフレネルゾーンプレート（ＦＺＰ）１００とする。 - 特許庁

A second interlayer insulating layer 15 consists of a PSG film 9, an SiN film 11 and a photosensitive polyimide layer 13, and has a through hole 17 on the first metal wiring layer 7.例文帳に追加

ＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１３からなり、第１メタル配線層７上にスルーホール１７をもつ第２層間絶縁層１５を形成する。 - 特許庁

On the passivation films 15 and 16, an SiN film 19 (a second passivation film) is formed as a passivation film as a top layer by using a catalyst chemical vapor deposition method.例文帳に追加

そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。 - 特許庁

Preferably, the bottom silicon oxide film HTO1, the intermediate silicon nitride film SiN and the top silicon oxide film HTO2 are successively formed by using the same semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

好適には、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ、トップ酸化シリコン膜ＨＴＯ２の成膜を、同一の半導体製造装置を用いて連続して行う。 - 特許庁

At the same time, the speech signal processing apparatus changes an output speech signal Sout from an input speech signal Sin to the speech signal SC for complementarity.例文帳に追加

これとともに、音声信号処理装置は出力音声信号Ｓｏｕｔを入力音声信号Ｓｉｎから補完用音声信号ＳＣへ切り替える処理を行う。 - 特許庁

The upper and the lower base layers 2a and 2d are made of SiN, for example, the magnetic recording layer 2c is made of TbFeCo, for example, and the reflection layer 2b is made of aluminum, for example.例文帳に追加

上地層２ａ及び下地層２ｄは例えばＳｉＮからなり、磁気記録層２ｃは例えばＴｂＦｅＣｏからなり、反射層２ｂは例えばアルミニウムからなる。 - 特許庁

By this synchronous detection, each coefficient component of cos(ωt) and cos(2ωt) is acquired, and cos(x) and sin(x) included in each coefficient component are acquired.例文帳に追加

この同期検波により、ｃｏｓ（ωｔ）、ｃｏｓ（２ωｔ）の係数成分が得られ、その係数成分に含まれるｃｏｓ（ｘ）、ｓｉｎ（ｘ）が得られるようになる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to suppress etching of a base silicon oxide film in a peeling-off/removal step for hard mask of P-SiN after forming an Al-alloy wiring.例文帳に追加

Ａｌ合金の配線形成後のＰ−ＳｉＮのハードマスクの剥離、除去工程において下地シリコン酸化膜のエッチングを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁

During October also, Yi Sun-sin, who returned to the Naval Commander of the Three Provinces, defeated the advancing Japanese navy, which at first moved to the south from the Namwon Castle and then moved west, in the Naval Battle at Meiryo. 例文帳に追加

同じく9月には南原城から南下した後に西進した日本水軍の先鋒を三道水軍統制使に返り咲いた李舜臣が鳴梁海戦で破った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As Nyobon (sexual indulgence) is a sin for Buddhist monks, some infidel monks went to play at Yoshihara yukaku (red-light district) pretending to be a doctor or a master of haiku (a Japanese poem in seventeen syllables having a 5-7-5 syllabic form and traditionally containing a reference to the seasons). 例文帳に追加

僧侶の女犯は罪であったため、不真面目な僧侶などは医者や俳句の師匠の振りをして吉原遊廓に出向きなどもした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Moreover, an oxide film 153 generated by the passivation is covered with a passivation film 111 composed of one of SiN, SiON, and SiO_2 that are dielectrics.例文帳に追加

そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。 - 特許庁

Thereafter, a metal thin film 6, consisting of two kinds or more metals, is formed on both surfaces of the membrane consisting of the SiN thin film 2 by means of vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

その後、後に説明するように、SiＮ薄膜２からなるメンブレンの両面に、２種類以上の金属からなる、金属薄膜６を、蒸着やスパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

To excellently bury a high-aspect-ratio groove for element isolation while suppressing etching damage to a silicon substrate in the groove or an SiN mask for groove formation when burying the groove.例文帳に追加

素子分離用の溝の埋め込みにおいて、溝内のシリコン基板や溝形成用のＳｉＮマスクへのエッチングダメージを抑制しつつ、高アスペクト比の溝を良好に埋め込む。 - 特許庁

By first forming a photoresist pattern 6, the P-SiN 15 is etched and etching continuously the aluminum laminated wiring film 4a, a lower aluminum laminated wiring 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を形成し、まずＰ−ＳｉＮ１５を、続いて、アルミ積層配線膜４ａを順次エッチングすることにより下層のアルミ積層配線４ｂを形成する。 - 特許庁

In addition, Nyobon (sexual indulgence) was considered as a serious sin not only religiously but also administratively in the Edo period, and a person who committed it was displayed in public and exiled to a far island. 例文帳に追加

また江戸時代などでは女犯（にょぼん）は宗教的な範疇だけではなく、行政的にも重い罪とされ、晒し者にされて遠島などに処せられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As to the contemporary poets, poems by Emperor Gokomatsu takes third place (26 poems), and the man who proposed the compilation of Sin Shoku Kokin Yoshinori ASHIKAGA (18 poems) and commander Gohanazono in (12 poems) were taken seriously. 例文帳に追加

当代からは、後小松天皇（26首）が入集数第三位、新続古今の発意者足利義教（18首）、そして下命者後花園院（12首）が重んじられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A small person is innocent, but he becomes a sinner if he holds a treasure, which means being a small person in itself is not a sin, but if a small person comes into possession of an inappropriate amount of treasure he often tends to make mistakes. 例文帳に追加

小人に罪無し、玉を抱いて罪有り…小人というだけで罪はないのだが、小人が身分不相応の財宝を持つと、とかく過ちを犯しやすい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Relating to a one-way clutch 13, the answer of vertical drag A=F/2×sin α is 9-14 N, where F is spring force of an elastic body 19 and 2 α is wedge angle.例文帳に追加

一方向クラッチ１３において、Ｆを弾性体１９のばね力、２αをくさび角とした場合、垂直抗力Ａ＝Ｆ／２×ｓｉｎαが９〜１４Ｎである。 - 特許庁

SiN and SiO2 films 2 and 3 are deposited through CVD method on an HEMT substrate 1, where a channel layer or the like is grown successively and epitaxially on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にチャネル層等を順次エピタキシャル成長したＨＥＭＴ基板１にＣＶＤ法によりＳｉＮ膜２及びＳｉＯ_2膜３を堆積する。 - 特許庁

To realize a substrate for an X-ray optical element which has stiffness that is higher than those of the conventional SiN substrates and is superior in X-ray transmissivity and the resistance to X-ray irradiation.例文帳に追加

従来のＳｉＮ基板よりも剛性が高く、Ｘ線透過率およびＸ線照射耐性に優れた、Ｘ線光学素子用の基板を実現する。 - 特許庁

A plurality of LEDs 12 are formed one-dimensionally (in a main scanning direction) on a substrate 10, and a protective layer 14 made of SiO_2 or SiN is formed on the LEDs 12.例文帳に追加

基板１０上に複数のＬＥＤ１２が１次元上（主走査方向）に形成され、ＬＥＤ１２上にＳｉＯ_２やＳｉＮ等の保護層１４が形成される。 - 特許庁

A circuit between a point A terminal to which an AC input signal Sin to be muted by an execution trigger of a mute control signal D1 and a point B terminal is opened.例文帳に追加

ミュート制御信号Ｄ１の実施トリガによりミュートを行うＡＣ入力信号Ｓｉｎが入力されるＡ点端子とＢ点端子の間をオープンする。 - 特許庁

namely firmness to withdraw ourselves from the sin to which by nature we are most inclined, and earnest zeal for that good in which we are most lacking. 例文帳に追加

それは、自然的な性向によってしつこく陥る傾向のある悪徳から強制的に撤退することと、最も必要な恵みを求めて熱心に働くことです。 - Thomas a Kempis『キリストにならいて』

having eyes full of adultery, and who can’t cease from sin; enticing unsettled souls; having a heart trained in greed; children of cursing; 例文帳に追加

彼らは姦淫《かんいん》に満ちた目を持ち，罪をやめることができず，不安定な魂をそそのかし，強欲によって訓練された心を持っています。彼らはのろいの子らです。 - 電網聖書『ペトロの第二の手紙 2:14』

Previously saying, “Sacrifices and offerings and whole burnt offerings and sacrifices for sin you didn’t desire, neither had pleasure in them” (those which are offered according to the law), 例文帳に追加

先に，「犠牲やささげ物，また全焼のささげ物や罪のための犠牲をあなたは望まず，それらを喜ばれませんでした」と言い（それらは律法によってささげられるものです）， - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 10:8』

Jesus answered, “You would have no power at all against me, unless it were given to you from above. Therefore he who delivered me to you has greater sin.” 例文帳に追加

イエスは答えた，「上から与えられたのでなければ，あなたはわたしに対して何の権限もないだろう。そのために，わたしをあなたに引き渡した者には大きな罪がある」。 - 電網聖書『ヨハネによる福音書 19:11』

But then I remembered that it had died of paralysis and I felt that I too was smiling feebly as if to absolve the simoniac of his sin. 例文帳に追加

しかしその時僕はそれが麻痺で死んだことを思い出し、自分もまた聖職売買をする彼の罪を許すかのように弱々しく微笑んでいるのを感じた。 - James Joyce『姉妹』

The input signal amplitude limiter circuit 2 performs amplitude limitation on the interference wave signal in the input signal Sin, outputs the input signal Sin having the amplitude-limited interference wave signal to the amplifier circuit 1 and sets an input side of the amplifier circuit 1 to a high impedance value when the desired wave signal is equal to or higher than a predetermined value.例文帳に追加

入力信号振幅制限回路２は、入力信号Ｓｉｎの中の妨害波信号の振幅制限を行い、振幅制限された妨害波信号を有する入力信号Ｓｉｎを増幅回路１に出力し、所望波信号が所定の値以上のときに増幅回路１の入力側を高インピーダンス値に設定する。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.例文帳に追加

ＳｉＮから成る誘電体層２上に、再生層３、ＳｉＮから成る非磁性層４、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層５を形成した光磁気記録媒体１０において、再生層３は、Ｇｄ層である第１の層３１と、ＧｄＦｅＣｏから成る第２の層３２と、Ｇｄ層である第３の層３３とから構成される。 - 特許庁

Then, an input signal Sin for inspection is sent into a function 9 positioned at the head among the functions 9-11 connected in series, and the input signal Sin is made to pass through the functions 9-11, and the waveform of an output signal Sout outputted from the rearmost function 11 in the series is confirmed finally to thereby determine the product quality of the IC 1.例文帳に追加

そして、この直列接続された機能部９〜１１のうち、先頭に位置する機能部９に検査用の入力信号Ｓinを流し込み、この入力信号Ｓinを機能部９〜１１に通し、最終的に直列の最後尾の機能部１１から出力される出力信号Ｓoutの波形を確認することにより、ＩＣ１の製品良否判定を行う。 - 特許庁

The first magnet wire for forming the sin coil 31a, and the second magnet wire for forming the cos coil 31b are sequentially wound on the each tooth part 303 to arrange the sin coil 31a in the first coil region Dw1 and to arrange the cos coil 31b in the second coil region Dw2, out of the detection coil.例文帳に追加

検出巻線のうちｓｉｎ巻線３１ａが第１巻線領域Ｄｗ１に配置され、ｃｏｓ巻線３１ｂが第２巻線領域Ｄｗ２に配置されるように、ｓｉｎ巻線３１ａ形成のための第１のマグネットワイヤとｃｏｓ巻線３１ｂ形成のための第２のマグネットワイヤとが各歯部３０３に順次巻かれている。 - 特許庁

A signal separator 12 generates a first phase demodulation signal Sp(t) showing an input modulation element of an input modulation signal Sin (t) and a second phase demodulation signal Sa(t) (a real number part Sai(t) and an imaginary number Saq(t)) accompanied by phase modulation corresponding to an amplitude modulation element of the input modulation signal Sin(t).例文帳に追加

信号分離器１２は、入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の位相変調成分を表す第１位相変調信号Ｓｐ(ｔ)と、入力変調信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅変調成分に応じた位相変調を伴う第２位相変調信号Ｓａ(ｔ)（実数部Ｓａｉ(ｔ)及び虚数部Ｓａｑ(ｔ)）と、を生成する。 - 特許庁

The present invention provides: a level shifting circuit 20 for performing the voltage level conversion of one input signal Sin and outputting a signal after voltage level conversion; and a duty factor correcting circuit 30 for entering output signals S7, S8 of the level shift circuit 20 and offsetting the deviation of the duty of the output signal S8 of the level shifting circuit with respect to the duty of the input signal Sin.例文帳に追加

１本の入力信号Ｓinを電圧レベル変換し、電圧レベル変換後の信号を出力するレベルシフト回路２０と、レベルシフト回路２０の出力信号Ｓ７，Ｓ８を入力して、入力信号Ｓinのデューティに対するレベルシフト回路の出力信号Ｓ８のデューティのずれを相殺するデューティ補正回路３０とを備える。 - 特許庁

The switching control part 36 generates the control signal DA selecting a pair of first and second differential amplifiers 32 and 33 in the case of the input signal Sin of a first frequency f1.例文帳に追加

切替制御部３６は、第１の周波数ｆ１の入力信号Ｓｉｎのときには、第１及び第２差動増幅器３２，３３の対を選択する制御信号ＤＡを生成する。 - 特許庁

A complex sinusoidal wave SIN is generated based on the detected frequency offset OFF, and the frequency of an input signal IN is converted, thus correcting the offset of the reception signal R.例文帳に追加

検出された周波数オフセットＯＦＦに基づいて複素正弦波ＳＩＮを生成し、入力信号ＩＮを周波数変換すれば、受信信号Ｒのオフセットが補正できる。 - 特許庁

To provide an image processing method capable of automatically detecting a skin color region in a digital color image and of producing a clear sin color image even if blond hair is present.例文帳に追加

ディジタルカラー画像中の肌色領域を自動的に検出し、金髪が存在する場合にもきれいな肌色画像を生成する画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁