「solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(243ページ目) - Weblio英語例文検索

The pressing force, generated when the smoother is brought into contact with the slurry coating layer 9 on the sheetlike base material, can be received by the under plate and the absorption of the liquid medium in the slurry coating layer by the sheetlike base material is suppressed and, in such a state that the concentration of the solid in the slurry coating layer does not become excessively high, the slurry coating layer can be effectively smoothed.例文帳に追加

アンダープレートにより、スムーザーをシート状基材上のスラリー塗布層９と接触させて平滑化する際の押圧力を受け止めることができるとともに、スラリー塗布層中の液状媒体がシート状基材に吸収されるのを抑制してスラリー塗布層中の固形分濃度が過度に高濃度とならない状態で効果的なスラリー塗布層の平滑化を行うことができる。 - 特許庁

This volatile component extracting device is provided with a sample tube 10 for hosing a sample formed of the solid matter containing the volatile component, a gas-filling device 16 for filling the sample tube with an inert gas, a thermostatic chamber 12 for housing the sample tube for holding the sample housed in the sample tube at a predetermined temperature, and a canister 20 in a previously decompressed state selectively connected to the sample tube.例文帳に追加

揮発性成分を含む固形物からなる試料を収納する試料管１０と、この試料管に不活性ガスを充填するガス充填装置１６と、前記試料管を収容して該試料管に収納された前記試料を所定の温度に保つ恒温槽１２と、予め減圧された状態で前記試料管に選択的に接続されるキャニスタ２０とを備える。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element 1, a PD impurity region 33, a charge multiplication region 35 and an output impurity region 37 are arranged in parallel on the lower side of a gate oxide film 39 along the lower face thereof, and a multiplication gate electrode 41 and a transfer gate electrode 43 are arranged in parallel on the upper side of the gate oxide film 39 along the upper face thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１では、ゲート酸化膜３９の下面側に、その下面に沿って、ＰＤ不純物領域３３と電荷増倍領域３５と出力用不純物領域３７とを並列に配置するとともに、ゲート酸化膜３９の上面側に、その上面に沿って、増倍ゲート電極４１と転送ゲート電極４３とを並列に配置したものである。 - 特許庁

A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.例文帳に追加

密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁

In the filter 3, various parameters such as the grating height h(x) and the grating cycle F of the grating 33 and a distance D between an image formation surface 41a on a solid-state image pickup device 41 and the grating 33 are properly adjusted, and cutoff frequency in MTF characteristic by the filter 3 by itself is larger than Nyquist frequency decided by the pixel pitch of the device 41.例文帳に追加

このローパスフィルター３は、位相格子３３の格子高さｈ（ｘ）、その格子周期Ｆ、固体撮像素子４１上の結像面４１ａと位相格子３３との距離Ｄといった各種パラメータが適宜調整され、当該ローパスフィルター３単独でのＭＴＦ特性におけるカットオフ周波数が、固体撮像素子４１の画素ピッチにより定まるナイキスト周波数よりも大きいものである。 - 特許庁

An IR light cut filter layer 313 having openings 313a permeable to the visible light and the IR light and non-openings 313b permeable to the visible light but impermeable to the IR light, and a color filter group 314 for separating the visible light region into the components R, G, B, are disposed integrally on a solid state imaging element 312.例文帳に追加

可視光および赤外光に対して透過性を有する開口部３１３ａと可視光に対して透過性を有するとともに赤外光に対して非透過性を有する非開口部３１３ｂとが設けられた赤外光カットフィルタ層３１３と可視光領域をＲ，Ｇ，Ｂ成分に分離する色フィルタ群３１４を、固体撮像素子３１２上に一体的となるように配置する。 - 特許庁

To provide a composition that may form a cured film with high flatness and is suitably used to form a liquid crystal display element and a protective film for solid state image sensors excellent in developability and heat-resistance, to provide a composition having excellent storage stability, to provide a method of forming a protective film using the composition, and to provide a protective film formed from the following composition.例文帳に追加

平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、現像性、耐熱性に優れた液晶表示素子および固体撮像素子用保護膜を形成するために好適に用いられ、かつ組成物としての保存安定性に優れる組成物、その上記組成物を用いた保護膜の形成方法、および上記組成物より形成された保護膜を提供する。 - 特許庁

A solid state image sensor is manufactured which comprises: a pixel region 10 where multiple pixels are arranged two-dimensionally; and a peripheral region 50 arranged on the periphery of the pixel region 10 in which the pixel region 10 and the peripheral region 50 include a plurality of wiring layers 36-38 and an insulating film 35 is arranged on the uppermost layer 38 out of the wiring layers 36-38.例文帳に追加

複数の画素が２次元状に配置された画素領域１０と、画素領域１０の周辺に配置された周辺領域５０とを有し、画素領域１０及び周辺領域５０が複数層の配線層３６〜３８を含み、配線層３６〜３８のうちの最上の配線層３８上に絶縁膜３５が配置された固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

A slurry is prepared from an aromatic carboxylic acid and a solvent, the slurry is continuously supplied to a reactor to carry out hydrogenation reaction in the presence of a solid catalyst, the reaction liquid is continuously extracted from the reactor and at least a part of the extracted reaction liquid is returned to the reactor to perform the hydrogenation reaction while keeping the aromatic carboxylic acid in a state substantially completely dissolved in the reactor.例文帳に追加

芳香族カルボン酸と溶媒からスラリー液を調合し、該スラリーを連続的に反応器に供給し、固体触媒存在下に水素化反応を行い、且つ反応器から連続的に抜き出した反応液の少なくとも一部を反応器に循環することで、反応器内で芳香族カルボン酸が実質的に全量溶解した状態で水素化反応を行う。 - 特許庁

This solid-writing material is obtained by holding a reversible thermochromic composition in a formable wax as a dispersed state and forming is provided with that the composition shows a large hysteresis characteristic on a color density-temperature curve and also an interchangeability between a first color and second color, and having -30 to 0°C range color development temperature and 45 to 95°C range completely achromatizing temperature.例文帳に追加

可逆熱変色性組成物を賦形性ワックスに分散状態に保持、成形してなる固形筆記体であって、前記組成物は色濃度−温度曲線に関して大きなヒステリシス特性を示して第１色相と第２色相間の互変性を呈し、発色開始温度が−３０〜０℃の範囲にあり、完全消色温度が４５〜９５℃の範囲にある固形筆記体。 - 特許庁

The solid-state image pickup device comprises a signal transmission path T which connects a cathode of a photo-diode 1 to an inverted input terminal of a charge amplifier CAP, a capacitor 11 which connects one terminal with the signal transmission path T and is parallel connected to the photo-diode, and a signal transmission switch S11 provided within the signal transmission path T between the photo-diode 1 and the capacitor 11.例文帳に追加

この固体撮像装置は、フォトダイオード１のカソードをチャージアンプＣＡＰの反転入力端子に接続する信号伝達経路Ｔと、信号伝達経路Ｔと一端を接続し前記フォトダイオードに対して並列に接続されたキャパシタ１１と、フォトダイオード１とキャパシタ１１との間の信号伝達経路Ｔ内に設けられた信号伝達スイッチＳ１１とを備えている。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4.例文帳に追加

本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁

In the micro-channel 11 for nucleic acid hybridization, a sample solution containing the bcr-abl gene mRNA is circulated, and agarose gel carriers (agarose gel beads) 2 in which a capturing chain with a specific base sequence complementary to the bcr-abl gene mRNA is solid-phased are loaded in such a state as held by a filter 113 disposed on the downstream in the direction of feeding the sample solution.例文帳に追加

ｂｃｒ−ａｂｌ遺伝子ｍＲＮＡが含まれるサンプル液が通流され、ｂｃｒ−ａｂｌ遺伝子ｍＲＮＡに相補的な特定の塩基配列を有する捕捉鎖が固相化されたアガロースゲル担体（アガロースゲルビーズ）２が、サンプル液の送液方向下流側に配設されたフィルタ１１３によって保持された状態で充填された、核酸ハイブリダイゼーション用マイクロ流路１１。 - 特許庁

In a preamplifier unit (column region unit) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 independently at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.例文帳に追加

固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.例文帳に追加

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁

In the process for producing baked edible vessels, 25-75 mass parts of a cereal flour and 75-25 mass parts of starch octenylsuccinate (100 mass parts in the total), 2-5 mass parts of food oil which is in the solid state at normal temperature and 1-3 mass parts of edible wax are mixed and kneaded together with water and hot formed to the objective edible vessel.例文帳に追加

穀粉とオクテニルコハク酸デンプンの合計を１００質量部としたとき、穀粉を２５〜７５質量部、オクテニルコハク酸デンプンを７５〜２５質量部含有し、常温で固形である食用油脂２〜５質量部および食用ロウ１〜３質量部を含有し、水と共に混捏し、１５０〜２００℃の範囲で加熱成型して、耐水性を有する焼成可食容器を製造する方法。 - 特許庁

To provide a distal end portion of an electronic endoscope which can discriminate the systems and directions or others of an imaging module unit at a glance that is an integral unit of a solid-state imaging element and a circuit board with the distal end portion of a signal cable by using a sealing resin mass and which can be easily and securely managed such that error does not occur in assembly processes and part management.例文帳に追加

固体撮像素子と回路基板とが封止樹脂塊によって信号ケーブルの先端部分と一体化された撮像モジュールユニットの方式や向き等を一目で明瞭に判別することができて、組み立て工程や部品管理等において誤りが発生しないように容易かつ確実に管理することができる電子内視鏡の先端部を提供すること。 - 特許庁

This solid state relay is provided with a light emitting element 46 for emitting a light upon receiving an input signal, and a photo-TRIAC 44 for turning on when receiving this light, and for turning on a TRIAC 45, and an overvoltage protecting circuit 49 incorporated in the TRIAC 44 for turning off a thyristor 44a or 44b when an overvoltage which is a non-repetition peak-off voltage or more is applied.例文帳に追加

本発明のソリッドステートリレーは、入力信号を受けると光を発光する発光素子４６と、この光を受光するとオンし、トライアック４５をオンさせるフォトトライアック４４と、このフォトトライアック４４内に設けられ、非繰り返しピークオフ電圧以上の過渡電圧が印加されると上記サイリスタ４４ａ又は４４ｂをオフさせる過渡電圧保護回路４９ａとを備えている。 - 特許庁

The pixel signals from the solid-state image pickup element where a plurality of kinds of very small filters each having a different spectral sensitivity characteristic is applied to each of pixels arranged two-dimensionally in a prescribed repetitive period are separated into pixel signals by each pixel configuring a minimum part of the repetition of the very small filters to obtain a difference signal or a rate signal of other signals with respect to one reference signal.例文帳に追加

２次元状に配置された複数の画素の各々に分光感度特性の異なる複数種の微小フィルタを一定の繰り返し周期で対応させた固体撮像素子の画素信号を、微小フィルタの繰り返しの最小部分を構成する画素ごとに分離して、基準とする１つの信号に対する他の信号の差信号あるいは比信号を求める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reversible thermosensitive recording layer having a domain structure in which two or more of organic low molecular weight substances are mixed in a resin matrix similar to the case of coating with a melt even when a reversible thermosensitive recording layer liquid in which at least 8 or more of organic low molecular weight substances are dispersed in a solid state in a resin solution is used and to provide its manufactured product.例文帳に追加

樹脂溶液中に少なくとも２種類以上の有機低分子物質を固体状で分散させた可逆性感熱記録層液を使用した場合でも、溶解液を塗工した場合と同様な樹脂マトリクス中に２種類以上の有機低分子物質が混合したドメイン構造を有する可逆性感熱記録層を製造する方法及びその製造品を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for producing metal oxide particle and a method for forming metal oxide film which enable metal oxide particle or metal oxide film of multiple metal oxide or solid solution oxide containing metal atoms of two kinds or more to be easily and stably obtained in the state that the contained metal atoms have excellent uniformity.例文帳に追加

２種以上の金属原子を含有する複合酸化物もしくは固溶体酸化物の金属酸化物系粒子または金属酸化物膜を得る場合に、それら含有金属原子の均一性が良好な状態で、容易に且つ安定して得ることのできる、新規な金属酸化物系粒子の製造方法および金属酸化物膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Finally, the Cortinellus shiitake obtained by the solid-liquid separation is bagged in a state immersed in a liquid obtained by adding a saccharide to a proper amount of the separated liquid and commercialized.例文帳に追加

適宜厚さ及びサイズにカットした生シイタケを加熱乾燥し、低温湯水に適宜時間浸漬した後に固液分離する処理をその都度液を替えて数次に亘って行ない、各分離液を個別に保存して乾燥粉末化して商品化すると共に、最終的に固液分離して得たシイタケを、適量の前記分離液に糖分を加えた液に浸した状態で袋詰めして商品化することを特徴とする。 - 特許庁

The solid state image sensor has a micro lens on a semiconductor substrate 1 with a photoelectric conversion element 2 formed.例文帳に追加

光電変換素子２が形成された半導体基板１の上にマイクロレンズを備える固体撮像素子において、半導体基板１の上に厚さＸのカラーフィルタ層が積層されると共に該カラーフィルタ層の表面部を厚さＹ（＜Ｘ）の凸レンズ部１１ａに成形して前記マイクロレンズ１１とし、該カラーフィルタ層の凸レンズ１１ａ部を除く厚さＺ（＝Ｘ−Ｙ）の部分１１ｂを平板形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the solid-state electrolytic capacitor formed of a dielectric film and a chemical oxidation polymerization conductive polymer layer laminated sequentially on a valve action metal; at least one compound selected from a group consisting of amide, sulfoxide and imido is added during the chemical polymerization reaction as the polymerization controlling agent of the chemical oxidation polymerization.例文帳に追加

弁作用金属上に順次、誘電体皮膜、化学酸化重合導電性高分子層が形成された固体電解コンデンサの製造方法において、化学酸化重合の重合制御剤として、アミド類、スルホキシド類及びイミド類からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物が、化学重合反応中に添加されることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises a pixel array of multiple pixels arranged two-dimensionally and multiple train-signal processing circuits reading signals out of the pixel array through multiple train-signal lines arranged on each line of the pixel array, which read out pixel signals of the pixel array each having different colors for the same period.例文帳に追加

固体撮像装置は、複数の画素が２次元状に配列された画素アレイと、前記画素アレイの各列に対して設けられた複数の列信号線を介して前記画素アレイから信号を読み出す複数の列信号処理回路とを有し、前記画素アレイの互いに異なる色の画素の信号が同一期間に前記複数の列信号処理回路によって読み出される。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

The method for producing polyester resin is characterized in that a polyester resin prepolymer is produced by performing polycondensation through esterification and/or transesterification and the polyester resin prepolymer is subjected to solid-state polycondensation at a temperature of 200°C or lower when producing the polyester resin including at least the alicyclic dicarboxylic acid component and an alicyclic diol component.例文帳に追加

少なくとも脂環族ジカルボン酸成分及び脂環族ジオール成分を含むポリエステル樹脂を製造するに際し、エステル化反応及び／又はエステル交換反応を経て重縮合反応を行うことによりポリエステル樹脂プレポリマーを生成し、該ポリエステル樹脂プレポリマーを２００℃以下の温度で固相重縮合することを特徴とするポリエステル樹脂の製造方法。 - 特許庁

A solid-state image sensor includes a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed like a two-dimensional array and a plurality of photoelectric conversion elements per predetermined area are included and an antireflection film wherein at least one photoelectric conversion element (e.g., R pixel) per predetermined area is laminated on a light receiving surface of the semiconductor substrate as an antireflection film removing element.例文帳に追加

複数の光電変換素子が二次元アレイ状に配列形成され所定面積当たり複数個の前記光電変換素子を含む半導体基板と、前記所定面積当たり少なくとも１個の前記光電変換素子（この例ではＲ画素）を反射防止膜除去素子として前記半導体基板の受光面に積層される反射防止膜とを備える。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises: a plurality of pixels to output signals generated by photoelectric conversion; a reference signal generation part to generate a reference signal; and an operator part to calculate, based on a comparison between a signal from an arbitrary pixel and a reference signal,a pulse signal corresponding to a differential signal between signals from the arbitrary pixel and an adjacent pixel of the same color.例文帳に追加

光電変換により生じた信号を出力する複数の画素と、基準信号を発生する基準信号発生部と、任意の画素に基づく信号と基準信号との比較結果に基づいて、任意の画素に基づく信号と、その画素と近接する同色の画素に基づく信号との差分信号に相当するパルス信号を演算する演算部とを備える。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor layer 20 with a photoelectric conversion element to generate a signal electric charge corresponding to a received light quantity, the insulating layer 29 having an insulating material buried in an opening part formed at the semiconductor layer 20, and protecting membranes 30, 31 formed at a surface side of the semiconductor layer 20 so as to cover the insulating layer 29.例文帳に追加

受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層２０と、半導体層２０に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層２９と、絶縁層２９を被覆するように半導体層２０の表面側に形成された保護膜３０，３１とから固体撮像装置１を構成する。 - 特許庁

A solid-state image sensor includes: a photodiode PD that generates and stores a charge according to incident light; the floating capacitor FC that has a microelectro mechanical system capacitor 21 for indicating a variable capacity value according to a control signal, receives the charge and converts the charge into voltage; and an amplifier transistor that outputs a signal according to an electrical potential of the floating capacitor FC.例文帳に追加

固体撮像素子は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積するフォトダイオードＰＤと、制御信号に応じた可変の容量値を示すマイクロエレクトロメカニカルシステムキャパシタ２１を有し、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換するフローティング容量部ＦＣと、フローティング容量部ＦＣの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタとを備える。 - 特許庁

The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18.例文帳に追加

固体太陽光発電回路は、活性化放射線１４源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ１６と、フォトダイオード・アレイ１６に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス１８と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス１８の形成中に形成される。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a camera effectively and quickly performing a series of operations including the generation of photo-carrier, storage, read-out of charges, and the reset of residual charges; preventing degradation in sensitivity to blue light; suppressing trapping influence of a carrier caused by light in a silicon interface; performing high sensitization and miniaturization of pixels; and moreover exerting a sufficient driving efficiency.例文帳に追加

フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁

In the case of reaching a state that a reference amount or larger of the fine particles are accumulated on the first electrodes at the time of the detection of the amount of the fine particles, a temperature of the sensor element is controlled so as to reach a reference temperature or higher and a reference voltage is applied across the first electrodes and the second electrodes arranged so as to hold the solid electrolyte with respect to the first electrodes.例文帳に追加

微粒子量検出の際に、第１電極に基準量以上の微粒子が堆積した状態となった場合、センサ素子部の温度を基準温度以上となるように制御すると共に、第１電極と第１電極に対して固体電解質を挟んで配置された第２電極との間に、基準電圧を印加するように制御する。 - 特許庁

In the biofuel cell, an electrode 1 becoming a reaction field of oxidation-reduction reaction of fuel using an oxidation-reduction enzyme as a catalyst, and an introduction port through which the liquid 3 supplied to the electrode 1 is introduced from the outside are arranged and installed, and at any point of a liquid flow site from the introduction port to the electrode 1, a material 2 causing the reaction is housed in a solid state.例文帳に追加

酸化還元酵素を触媒とした燃料の酸化還元反応の反応場となる電極１と、電極１に供給される液体３が外部から導入される導入口と、が配設され、導入口から電極１までの液体通流部位のいずれかの箇所に、前記反応に関与する物質２が固体状態で収容されたバイオ燃料電池を提供する。 - 特許庁

A back-illuminated solid-state imaging device includes: a pixel region where a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion part and a pixel transistor are arrayed; a light-shielding film 39 corresponding to an optical black level region 23B in the pixel region; a first planarization film 52 serving as a substrate of the light-shielding film 39; and an antireflective film 36 serving as a substrate of the first planarization film 52.例文帳に追加

本発明は、裏面照射型の固体撮像装置であって、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応した遮光膜３９と、遮光膜３９の下地となる第１平坦化膜５２と、第１平坦化膜５２の下地となる反射防止膜３６とを有する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes: a semiconductor substrate having a photoelectric conversion unit for converting an incident light to a charge; an interference filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit, and including at least two kinds of laminated films having different refractive indexes; and a light absorption filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit in which the interference filter is disposed.例文帳に追加

入射される光を電荷に変換する光電変換部が形成された半導体基板と、光電変換部に対応して配置され、屈折率の異なる少なくとも２種以上の膜が積層された色分離用の干渉フィルタと、干渉フィルタが配置された光電変換部に対応して配置された色分離用の光吸収フィルタと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to a back irradiation type CMOS solid-state imaging apparatus, which has a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 each composed of a photoelectric conversion portion PD and a pixel transistor Tr are arrayed, a light shield film 39 formed in the pixel region 23, and an antireflective film 36 on a light reception portion side as compared with the light shield film 39, the antireflective film 36 having a hafnium oxide film 38.例文帳に追加

本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９より受光部側にある反射防止膜３６とを有し、反射防止膜３６がハフニウム酸化膜３８を有している。 - 特許庁

To obtain a method for producing an alkali metal cyanate, more industrially advantageous than conventional methods for producing an alkali metal cyanate using a melt solid phase reaction method, providing the alkali metal cyanate in a suitable state as a raw material for producing a cyanuric acid derivative excellent in purity and preventing formation of ammonium carbonate from ammonium and carbon dioxide produced as by-products.例文帳に追加

溶融固相反応法を利用した従来のアルカリ金属シアネートの製造方法に比し、工業的に有利であり、シアヌル酸誘導体の製造原料として好適な状態で得ることが出来、純度の点でも改良され、しかも、副生するアンモニアと二酸化炭素からの炭酸アンモニウムの生成が防止されたアルカリ金属シアネートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid drawing material is obtained by forming a gel-state excipient from at least a gel former and water and dispersing a microcapsule in the excipient, wherein the gel former is a metal salt of a specific aliphatic carboxylic acid, the microcapsule is obtained by encapsulating perfume, and the excipient contains non-microencapsulated perfume separately from the microcapsule.例文帳に追加

少なくともゲル形成剤と水でゲル状態の賦形材を形成し、該賦形材中に、マイクロカプセルが分散されてなる固形描画材であって、前記ゲル形成剤が特定の脂肪族カルボン酸の金属塩であり、前記マイクロカプセルが香料を内包してなりかつ賦形材中にマイクロカプセルとは別にマイクロカプセル化されていない香料が含有された固形描画材。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The solid state image sensor 1 is fabricated through a step for forming an oxide film and a nitride film sequentially on a substrate, a step for forming an opening 7 by removing the nitride film at a part between the light receiving sections 2, a step for forming an oxide film to fill the opening 7, and a step for forming transfer electrodes 4 and 5 by the same electrode layer.例文帳に追加

また、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、上記受光部２間となる部分において、窒化膜を除去して開口７を形成する工程と、この開口７内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により転送電極４，５を形成する工程とを有して、前記固体撮像素子１を製造する。 - 特許庁

By the evacuation, surface sticking water on the raw material particle uniformly exists and gaps to be a flow passage of CO_2 are properly secured between raw material particles and by causing the carbonation reaction in the packed layer in this state, the carbonation reaction efficiently and uniformly proceeds through the whole packed layer and the carbonated solid having high strength can be obtained.例文帳に追加

上記減圧により、各原料粒子に表面付着水が均一に存在し且つ原料粒子間にＣＯ_２の通り路となる間隙が適切に確保された状態が実現し、この状態で充填層に炭酸化反応を生じさせることにより、充填層全体で効率的且つ均一に炭酸化反応が進行し、高い強度の炭酸固化体を得ることができる。 - 特許庁

The solid state imaging apparatus has an N type region 7 provided on the surface side of an N type substrate 6 and constituting a photodiode, a second P type region 17 provided under the N type region 7, and a first P type region 9 provided in the N type substrate 6 on the inside of the second P type region 17 while spaced apart therefrom.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、Ｎ型基板６の表面側に設けられたフォトダイオードを構成するＮ型領域７と、Ｎ型領域７の下に設けられた第二のＰ型領域１７と、第二のＰ型領域１７よりもＮ型基板６の内部に、かつ第二のＰ型領域１７と離間して設けられた第一のＰ型領域９とを備えている。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus and an integrated circuit for an imaging element that are applied to, for example, video cameras for recording moving picture imaging results, electronic still cameras, and monitoring devices or the like so as to effectively utilize a high degree of freedom of reading imaging results being features of CMOS solid-state imaging elements or the like thereby simplifying the entire configuration and surely attaining rate control.例文帳に追加

本発明は、撮像装置及び撮像素子の集積回路に関し、例えば動画による撮像結果を記録するビデオカメラ、電子スチルカメラ、監視装置等に適用して、ＣＭＯＳ固体撮像素子等の特徴である撮像結果の読み出しに係る高い自由度を有効に利用して、全体構成を簡略化して確実にレート制御することができるようにする。 - 特許庁