「solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(239ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state image pickup device is constructed in such a manner that an overflow control gate OFCG and an overflow drain OFD are provided in a transfer register 10, and a gate electrode 12A of the overflow control gate OFCG is formed so as to overlap on an electrodes St1 and 13 in a lower layer in the register 10 side and the overflow drain OFD side, respectively.例文帳に追加

転送レジスタ１０にオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧ及びオーバーフロードレインＯＦＤが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧのゲート電極１２Ａが転送レジスタ１０側及びオーバーフロードレインＯＦＤ側においてそれぞれ下層の電極Ｓｔ１，１３上に重ねて形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The medicinal liquid-injecting pump of the solid-disinfecting machine is characterized by constituting a tube having an elastic property (a restoring property), a tube-supporting member for supporting the tube in an almost circular state and a rotary member having plural rollers in its circumference, and by rotating the rotary member, compressing and deforming the tube between the rollers and the tube-supporting member for sending the medicinal liquid.例文帳に追加

弾力性（復元性）を有するチューブと、チューブを略円弧状に支持するチューブ支持部材と周囲に複数個のローラーを有する回転部材によって構成され、該回転部材が回転することにより、ローラーと前記チューブ支持部材の間でチューブを押圧・変形させ薬液を送ることを特徴とするポンプを用いる。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

To provide a photographing method using pixel shift where exposure is made for a period bridging over a time before and after the read timing of an interlace solid-state image pickup element, reducing deviation of the time between captured images can enhance a substantial shutter speed, pixels are supplemented through the pixel shift photographing and moreover an object image can be reproduced accurately with high resolution and high image quality, in which moires are suppressed.例文帳に追加

インターレス固体撮像素子の読み出しタイミングの前後に跨がった期間で露光し、とりこみ画像間の時間のズレを短縮可能にして実質的なシャッタースピードを向上させることができ、しかも、画素ずらしさ撮影により画素補完を行い、被写体像を高解像度且つモアレを抑制した高画質で正確に再現できること。 - 特許庁

In the structure, a shutter 20 composed of distributed liquid crystal elements is arranged between a lens-barrel 16 housing a plurality of lenses 12, 14 and 15 and a diaphragm 13 and having the capability of an auto focus function, and an image-forming member 19 comprising a solid-state image sensor such as a CCD, and the distributed liquid crystal elements are provided with an IR-cut filter.例文帳に追加

複数のレンズ１２、１４、１５と絞り１３を収納してオートフォーカス機能の働きを持つ鏡筒１６とＣＣＤなどの固体撮像素子からなる結像部材１９との間に分散型液晶素子でもって構成したシャッター２０を配置し、この分散型液晶素子にＩＲカットフィルターを設けた構造にする。 - 特許庁

When the monitor display mode is turned off, the zoom motor is continuously actuated by the zoom driver 124 by continuously executing the zooming operation, and the focus motor is continuously actuated by the focus driver 125 in accordance with a last zooming position at the point of time when zooming is completed as required, so that the CCD solid-state image pickup element 103 is moved by the specified distance by the CPU 121.例文帳に追加

一方、モニタ表示モードがオフのときは、ＣＰＵ１２１は、ズーミング動作を連続して行って、ズームドライバ１２４によりズームモータを連続的に作動させ、所要量のズーミングが完了した時点で最終ズーミング位置に対応してフォーカスドライバ１２５がフォーカスモータを連続作動させてＣＣＤ固体撮像素子１０３を所定量移動させる。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 1, comprising a charge transfer unit, the photodetector 12 provided adjacent to the transfer unit, and the on-chip lens 33 provided at a prescribed distance at a light incident side of the photodetector 12, a groove 23 is formed on a transfer electrode 22 of the transfer unit, and the shunt wirings 25 are formed in the groove 23 via an insulating film 24.例文帳に追加

電荷転送部と、この電荷転送部に隣接して設けた受光部１２と、受光部１２の光入射側に所定距離をおいて設けたオンチップレンズ３３とを備えた固体撮像装置１において、電荷転送部の転送電極２２に溝２３を形成し、その溝２３内に絶縁膜２４を介してシャント配線２５を形成したものである。 - 特許庁

In the solid-state imaging device including color filters of a Bayer array, the distance between the center of gravity of pixels with two or more B pixels (pixels of a first color sequence) added thereto and the center of gravity of pixels with two or more R pixels (pixels of a second color sequence) added thereto is set so that pixels to be read during motion picture imaging are arranged at equal intervals.例文帳に追加

Ｂａｙｅｒ配列のカラーフィルタを有する固体撮像素子において、動画撮像時に読み出し対象となる画素を、２以上のＢ画素（第１の色系列の画素）を加算した画素重心と２以上のＲ画素（第２の色系列の画素）を加算した画素重心との距離が等間隔で並ぶように設定する。 - 特許庁

When a pixel addition mode is selected, a correction signal generation part 130 converts the position information stored in the defective pixel information holding part 140 so that the position information matches a pixel arrangement of the picked-up image signal obtained by the solid-state imaging device in the pixel addition mode, and outputs the correction timing of the defective pixel correcting part 160 on the basis of the converted position information.例文帳に追加

補正信号生成部１３０は、画素加算モードの選択時には、欠陥画素情報保持部１４０に記憶された位置情報を、画素加算モードでの固体撮像素子による撮像画像信号の画素配列に一致するように変換し、変換後の位置情報に基づいて欠陥画素補正部１６０の補正タイミングを出力する。 - 特許庁

A treatment method of development wastewater in a color filter manufacturing process includes a heating step of heating the development wastewater to be 50°C or higher and a pH adjustment step of adjusting pH of the development wastewater to be 7 or lower, in which the development wastewater is subjected to solid-liquid separation in the state of heating and pH adjustment.例文帳に追加

カラーフィルタ製造工程における現像排水の処理方法であって、該現像排水を５０℃以上に加温する加温工程と、該現像排水のｐＨを７以下に調整するｐＨ調整工程と、を有し、該現像排水を加温及びｐＨ調整した状態で固液分離することを特徴とする、現像排水の処理方法。 - 特許庁

In a solid-state imaging element comprising the wiring layer on the light receiving part, a means which diffuses the incident light is installed in such a way that an insulating film comprising a concavely worked part is formed in the upper part of the wiring layer, and that another insulating film whose refractive index is smaller than the refractive index of the insulating film comprising the concavely worked part is formed on it.例文帳に追加

受光部上に配線層を有する固体撮像素子において、前記配線層の上方に凹状の加工部を有する絶縁膜を形成し、さらにその上に、前記凹状の加工部を有する絶縁膜の屈折率よりも小さい屈折率を有するもう一つの絶縁膜を形成することにより、入射光を拡散させる手段を設ける。 - 特許庁

To provide a super capacitor case providing a supporting structure that provides a physical support and an electrical connection between a solid-state device (SSD) and the super capacitor and at the same time, preventing such problems of EMI interference by an impact from an external contact, damage of electronic parts and the super capacitor, and/or loss of reliability; and to provide a device incorporating a super capacitor.例文帳に追加

ＳＳＤとスーパーキャパシタとの間に物理的支持及び電気的接続を提供する支持構造物を提供するとともに、外部コンタクトからの衝撃によるＥＭＩ干渉、電子部品とスーパーキャパシタの損傷及び／または信頼性の損失のような問題点を防止するためのスーパーキャパシタケース及びスーパーキャパシタを内蔵した装置を提供する。 - 特許庁

On the lower ITO transparent film 12, a nickel oxide film 32 constituting an oxidation coloring layer, a tantalum oxide film 16 constituting a solid-state electrolyte layer, a mixture film 34 of tungsten oxide and titanium oxide constituting a reduction coloring layer and an upper ITO transparent electrode film 20 constituting an upper electrode film are deposited and laminated sequentially.例文帳に追加

下部ＩＴＯ透明電極膜１２の上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成する上部ＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。 - 特許庁

To provide a new radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation and superior developability, excellent in adhesiveness to a substrate as well as in basic solid state properties as a resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, causing no development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、現像性に優れ、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、基板に対する接着性にも優れ、かつ微細加工時に現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造することができる新規な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable high sensitivity solid state imaging device by planarizing the surface of a charge transfer device employing a charge transfer electrode of single layer structure while holding flexibility in the process without lowering the yield even for a large and shrunk device having multiple pixels, and enhancing the processing accuracy at a photodiode part.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The recording material using an electrochromic (EC) material, is characterized in that an liquid EC material solution obtained by dissolving the EC material and a support electrolyte or the like in a nonqueous organic solvent is used as a color developing layer to impregnate air holes of a white solid-state high polymer porous film with them.例文帳に追加

記録材料としてエレクトロクロミック（ＥＣ）材料を用いた記録用材料に於いて、ＥＣ材料及び支持電解質等を非水系有機溶媒に溶解した液状のＥＣ材料溶液を、白色固体高分子多孔質膜の空孔中に含浸させ発色層として用いることを特徴とする記録表示材料を提供する。 - 特許庁

The lamination-type gas sensor 20 comprises the ceramic heater 12, including ceramic bases 122 and 123, in which heating resistors are embedded and the plate-like element main body including the solid-state electrolyte layer 111 overlying this ceramic heater 12 and provided with a pair of electrodes at the tip, extending in the longitudinal direction.例文帳に追加

積層型ガスセンサ素子２０は、セラミック基体１２２，１２３の内部に発熱抵抗体が埋設されたセラミックヒータ１２と、このセラミックヒータ１２に積層されるとともに、先端側に一対の電極を配設した検出部が形成された固体電解質層１１１とを含む素子本体であって、長手方向に延びる板状の素子本体を備える。 - 特許庁

The method for preparing the organic pigment essentially involves a process of taking out the pigment which is in the state of contacting with a solvent as the final process, and is characterized in that a wet cake containing the solvent, wherein the pigment solid concentration is at least 75%, is dried by heating at room temperature or higher.例文帳に追加

顔料作製の最終工程が少なくとも溶媒と接触した状態より顔料を取り出す工程である有機顔料の作製方法において、溶媒を含むウェットケーキ中の顔料固形分濃度が７５％以上の状態で室温以上の温度で加熱乾燥することを特徴とする有機顔料の作製方法。 - 特許庁

The wiring board 1 has a planned placement region 1a on which a solid-state imaging element is to be placed; and includes a plurality of first electrode pads 12 formed within the region 1a, and a plurality of second electrode pads 13 formed outside the region 1a and electrically connected with the first pads 12, respectively.例文帳に追加

配線基板１は、固体撮像素子が配置される配置予定領域１ａを有する配線基板であって、配置予定領域１ａ内に形成された複数の第１の電極パッド１２と、配置予定領域１ａ外に形成され、第１の電極パッド１２のそれぞれと電気的に接続された複数の第２の電極パッド１３と、を備えている。 - 特許庁

A radiation transmission body 46 and a radiopaque body 48 constituting a grid 23 are disposed so as to extend approximately in parallel to the chest wall of the mamma 44, and the radiographic image of the mamma 44 is captured by exposing the radiation X output from the radiation source 22 to a solid-state detector 24 via the grid 23.例文帳に追加

グリッド２３を構成する放射線透過体４６及び放射線不透過体４８を、乳房４４の胸壁に対して略平行となるように延在して配設し、放射線源２２から出力された放射線Ｘを前記グリッド２３を介して固体検出器２４に照射することで、乳房４４の放射線画像を撮像する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus capable of carrying out white balance processing with simple arithmetic processing for a signal outputted while being subjected to any of a linear conversion characteristic and a logarithmic conversion characteristic from a solid-state imaging element provided in the imaging apparatus wherein the linear conversion characteristic and the logarithmic conversion characteristic are automatically switched for the photoelectric conversion characteristic.例文帳に追加

本発明は、その光電変換特性において線形変換特性と対数変換特性とが自動的に切り替わる固体撮像素子を備えるとき、いずれの特性により出力される信号に対しても簡単な演算処理でホワイトバランス処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a radiation solid state detector provided with an electrostatic recording section including a photoconductive layer for receiving radiation of recording light to exhibit conductivity, recording image information for receiving radiation of the recording light carrying the image information and outputting an image signal representing the recorded image information that more effectively erases residual electric charges.例文帳に追加

記録光の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力する放射線固体検出器において、より効果的に残留電荷を消去する。 - 特許庁

To provide a compact lithium vapor discharge device excellent in safety which is suitable for instantaneously and continuously vaporizing metal lithium from a solid state, can be used at a fixed position, has excellent resistance to vibration and durability at the time of launching or flying when mounted to a rocket, and has sure lithium discharge performance.例文帳に追加

金属リチウムを固体状態から瞬時かつ持続的に気化させるのに適したリチウム蒸気放出装置を提供することであり、定置での使用は勿論、ロケットに搭載した際、打ち上げ時や飛翔時の耐振動性、耐久性に優れ、確実なリチウム放出性能を有し、小型で安全性に優れたリチウム蒸気放出装置を提供すること。 - 特許庁

To judge a mobile object to be displayed on a display screen without making a mistake when an image of the mobile object is picked up by preventing an image of an unstable pixel to suddenly and temporarily become a defective pixel from being displayed on the display screen in an image signal processor to process an image signal outputted from a solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子から出力される画像信号を処理する画像信号処理装置に関し、突発的かつ一時的に欠陥画素となる不安定画素の像が表示画面に表示されないようにし、移動物体を撮像する場合に表示画面に表示される移動物体の判定を誤らないで行うことができるようにする。 - 特許庁

A wall opening for taking the air, with an air adjusting cover 23 capable of adjusting the amount of air to be taken therein, or an air-intake pipe 20 further fixed to the wall opening, to take the combustion air from the external, and the interior observation glass window 13 for observing a combustion state, are disposed on a circumferential wall 4a constituting a solid fuel combustion chamber.例文帳に追加

固体燃料燃焼室を形成する周囲壁４ａに、外部から燃焼用空気を取り入れ、その取入空気量の調節を可能にする空気量調節蓋２３付きの空気取入用壁開口又はその開口壁に更に固着した空気取入管２０と、その燃焼状態を観察する内部観察用ガラス窓１３とを設ける。 - 特許庁

In the low pass filter which is used for an imaging apparatus having a solid-state image sensor, a part of luminous flux from the optical incident surface is laterally shifted with respect to the light propagation direction and is emitted, and the optical incident surface includes a region in which the lateral shift amount in the same direction of the luminous flux is different in accordance with the incident position.例文帳に追加

固体撮像素子を有する撮像装置に用いる低域通過フィルタであって、該低域通過フィルタは、その光入射面からの光束の一部を光進行方向に対して横ずれさせて出射させており、該光入射面は、光束の同一方向の横ずれ量が入射位置によって異なる領域を含むことを特徴としている。 - 特許庁

The evaluation method is constituted in such a way that a coloring treatment is executed by bromine or ruthenium regarding the specific organic material which is hardly discriminated by elements in the battery component and which is constituted mainly of three elements of H, O and C, that a solid material is spatially and elementally analyzed and measured, and that the dispersion state of the specific organic material is evaluated.例文帳に追加

電池構成部品中で元素による識別が困難である主にＨ、Ｏ、Ｃの三元素で構成された特定有機材料について、臭素またはルテニウムで染色処理を行うことにより、固体材料の空間的元素分析測定を可能とし、特定有機材料の分散状態を評価する構成とする。 - 特許庁

The method includes a process for penetrating at least 3x105Pa (3 bar) steam into at least one conditioning agent selected from amino acids, oligopeptides, peptides and arbitrarily modified and hydrolyzed proteins in a solid state.例文帳に追加

本発明は、少なくとも３×１０^5Pa（３バール）の圧力で蒸気を、固形状の形態にあるアミノ酸、オリゴペプチド、ペプチド、及び任意に変性し、任意に加水分解したタンパク質から選択する少なくとも一つのコンディショニング剤に浸透させる工程を含むことを特徴とする、ケラチン物質の化粧トリートメントのための化粧組成物の製造方法に関する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: the imaging area 10 where the unit pixels 11 are arranged in two dimensional matrix; a vertical line drive means for driving the unit pixels based on the line and setting the signal accumulation time in the photoelectric conversion means of the driven unit pixels; and an accumulation time control means 23 for variably controlling the signal accumulation time based on line unit.例文帳に追加

単位画素１１が二次元の行列状に配置された撮像領域１０と、単位画素を行単位で駆動し、駆動される単位画素内の光電変換手段における信号蓄積時間を設定する垂直ライン駆動手段と、信号蓄積時間を行単位で可変制御する蓄積時間制御回路２３とを具備する。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.例文帳に追加

デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state.例文帳に追加

体心立方格子構造を有する高融点金属のＮｂ固溶体とＢ２型金属間化合物ＴｉＮｉとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるＮｂ相と常伝導相となるＴｉＮｉ相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。 - 特許庁

A solid state image pickup device includes: a photoelectric conversion section (11) having a plurality of photodiodes; a CCD section (12) supplying a signal charge supplied from the photoelectric conversion section (11) to a charge detection section (14); and a charge storage section (13) provided between the photoelectric conversion section (11) and the CCD section (12) and storing the signal charge.例文帳に追加

複数のフォトダイオードを有する光電変換部（１１）と、光電変換部（１１）から供給される信号電荷を電荷検出部（１４）に供給するＣＣＤ部（１２）と、光電変換部（１１）とＣＣＤ部（１２）との間に設けられ、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部（１３）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

In the solid-state electrolytic capacitor 1, a path of current flowing from a bottom toward a top of a laminate 3 via a cathode 13 of the capacitor element 2 and a path of current flowing from a canopy 22 via a coupling part 21 to a cathode terminal 7 are set reverse to each other, whereby reduction of ESL can be achieved by mutual inductance effects in a simple structure.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１では、コンデンサ素子２の陰極部１３を積層体３の底部から頂部に向かって流れる電流の経路と、庇部２２から連結部２１を通って陰極端子７に流れる電流の経路とが互いに逆方向になることにより、簡単な構造で相互インダクタンス効果による低ＥＳＬ化が図られる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus includes a light receiving section 103 and a transfer channel 105 formed on a semiconductor substrate 101, a transfer electrode 121 formed on the transfer channel 105, an antireflection film 123 formed on the light receiving section 103, and a light shielding film 125 which covers the transfer electrode 121 and comes into contact with a side surface of the antireflection film 123.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１０１に形成された受光部１０３及び転送チャネル１０５と、転送チャネル１０５の上に形成された転送電極１２１と、受光部１０３の上に形成された反射防止膜１２３と、転送電極１２１を覆い且つ反射防止膜１２３の側面と接する遮光膜１２５とを備えている。 - 特許庁

The process for producing the anisotropic conductive film includes an application step wherein a composition containing a film forming resin, a polymerizable acrylic compound, an organic peroxide, and a conductive particle are applied on a stripping base material, and a solidification step wherein the composition on the stripping base material is cooled to convert the organic peroxide into a solid state at ambient temperature.例文帳に追加

剥離基材上に、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物と、導電性粒子とを含有する組成物を塗布する塗布工程と、前記剥離基材上の組成物を冷却し、前記有機過酸化物を常温で固体の状態にする固体化工程とを有する異方性導電フィルムの製造方法。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus with a column A/D conversion circuit 106 which converts a pixel signal S103 output by a pixel 101 into a digital signal, the column A/D conversion circuit 106 is provided with a comparator 107 which outputs a result (comparison result signal S123) of voltage comparison between the pixel signal S103 and analog lamp voltage S122.例文帳に追加

画素１０１が出力した画素信号Ｓ１０３をデジタル信号に変換するカラムＡ／Ｄ変換回路１０６を備えた固体撮像装置において、カラムＡ／Ｄ変換回路１０６に、画素信号Ｓ１０３とアナログランプ電圧Ｓ１２２との電圧比較の結果（比較結果信号Ｓ１２３）を出力する比較器１０７を設ける。 - 特許庁

To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

To obtain a laser light source device using a semiconductor laser, where heat generated by a solid-state laser crystal is prevented from transmitting to a wavelength conversion element having a relatively inferior temperature characteristic while preventing an increase in cost and size of the device, thereby enabling supply of a stabilized semiconductor laser light at all times.例文帳に追加

半導体レーザを用いたレーザ光源装置において、装置のコストアップや大型化を防止しつつ、固体レーザ結晶の発熱が、相対的に温度特性の悪い波長変換素子へ熱伝達してしまうことを防止し、この結果、常に安定した半導体レーザを供給することができるレーザ光源装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁

There is provided a method for recovering nitric acid from a waste liquid containing a nitrate comprising separating and recovering nitric acid from the waste liquid, which method comprises bringing the waste liquid to a sub-critical water state to hydrolyze the nitrate and separating and recovering nitric acid by a solid/liquid separation means from a mixture containing nitric acid and a metal oxide formed by the hydrolysis of the nitrate in the waste liquid.例文帳に追加

硝酸塩を含有する廃液から硝酸を分離して回収する廃液からの硝酸回収方法であって、前記廃液を亜臨界水状態にして加水分解し、前記廃液の加水分解により生成した硝酸と金属酸化物を含む混合液から固液分離手段により硝酸を分離して回収する。 - 特許庁

The method of manufacturing the contact region on a substrate 10, having a sintered porous layer 12 made from aluminum or aluminum containing material on a side of the contact region, includes a step of compressing and/or removing the porous layer 12, by having the porous layer 12 irradiated with a laser beam 24 from a solid-state laser 22, in order to form at least one partial contact region 20 on the substrate 10.例文帳に追加

基板１０はコンタクト側にアルミニウムまたはアルミニウム含有物からなる焼結された多孔性の層１２を備え、多孔性の層１２に固体レーザ２２からレーザビーム２４を照射し、多孔性の層１２を圧縮および／または除去することで、基板１０に、少なくとも１つの部分的なコンタクト領域２０を形成する。 - 特許庁