「solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(237ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, unnecessary heat is hard to transmit to other regions when joining a substrate 1 and a substrate 30 with each other and, at the same time, heat in a necessary connection region is not lost, so that a failure occurrence in the solid-state imaging apparatus is suppressed and joint quality at a joint part between substrates is improved as well.例文帳に追加

その結果、基板１と基板３０の接合時に不要な熱を他の領域に伝わりにくくし、同時に必要な接続領域での熱を逃がさないという状況を達成することができるので、固体撮像装置の不良発生を抑制し、基板間接合部の接合品質向上も得ることが出来る。 - 特許庁

In a digital camera for correcting a defective pixel caused by a solid-state image pickup element, a microcomputer 15 is capable of directly reading a work memory 16 and the work memory 16 reads data in itself to detect the defective pixel and replaces calculated correction data to a frame memory 12 to realize correction of the defective pixel.例文帳に追加

固体撮像素子に起因する欠陥画素を補正するデジタルカメラにあって、マイコン１５がワークメモリ１６を直接読み書きできる構成とし、マイコン１６は、ワークメモリ１６のデータを読み出して欠陥画素を検出し、さらに算出された補正データをフレームメモリ１２に置換することで、欠陥画素の補正が実現する。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte type carbon dioxide gas sensor element not almost generating a change in electromotive force even if allowed to stand for a long time in an unheated state within an atmosphere high in moisture content such as a high humidity or dewing atmosphere and shortened in the time from the start of operation to a time when electromotive force is stabilized.例文帳に追加

高湿度や結露などのように、水分濃度の高い雰囲気中に非加熱の状態で長時間放置されても起電力の変化をほとんど生じることがなく、また、作動開始から起電力が安定化するまでの時間が短縮された固体電解質型炭酸ガスセンサ素子を提供する。 - 特許庁

A tip part of a tool material 21 composed of a metal matrix 27 precipitated in an including state of abrasive grains 29 by electroforming is shaped into a revolution solid shape of a required minute diameter while rotating the tool material 21, and is dressed to form the multi-blade minute- diameter cutting tool 25 with the abrasive grains 29 as cutting blades.例文帳に追加

電鋳によって砥粒２９を含有せしめて析出させた金属母体２７で成る工具材料２１を回転させながら、その先端部を所望の微小径を有した回転体形状に成形し、ドレッシングして砥粒２９を切刃とした多刃の微小径切削工具２５を形成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a sensor 13 for photoelectric conversion that is formed on the front surface of a semiconductor substrate 11, an effective pixel 31 and an optical black part 32 in a pixel area, and a low reflection film 21 which is low in reflectivity to an infrared light and is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

光電変換がなされるセンサ部１３が半導体基板１１の表面側に形成され、画素領域に有効画素部３１とオプティカルブラック部３２とを有し、半導体基板１１の裏面側に、赤外光の反射率の低い低反射膜２１が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

At the time of manufacturing the solid-state image pickup element by successively laminating at least a photoreceptor element 11, flattening layer 13, primary color-based color filter, transparent resin layer 18, and microlens 19 upon a semiconductor substrate 10; a layer having a transmittance of ≤40% to light having a wavelength of 365 nm is used as the flattening layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０上に、少なくとも受光素子１１、平坦化層１３、原色系カラーフィルタ、透明樹脂層１８、マイクロレンズ１９を順次に積層して固体撮像素子を製造する際に、平坦化層として、光の波長３６５ｎｍでの透過率が４０％以下の平坦化層を用いること。 - 特許庁

On the inner surface of a circuit substrate 14, a dent 16 that is larger in area than the imaging area 12 is formed, due to which a space h1 between the solid-state imaging device 11 and the circuit substrate 14 becomes large, thus resulting in elimination of a capillary phenomenon, which keeps sealing resin 19 from entering the imaging surface 12.例文帳に追加

回路基板１４の内面には撮像面１２よりも広い面積の窪み１６が形成されており、その窪み１６によって固体撮像素子１１と回路基板１４との間の間隙ｈ１が大となって、毛細管現象が断ち切られることにより、封止樹脂１９の撮像面１２への浸入が停止される。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging apparatus for reading a plurality of pixel signals connected to one signal transfer line is characterized in that, while a certain pixel signal is transferred to the pixel signal storage section, another pixel signal, that has been transferred to the storage section already, connecting to the same signal line is outputted from the storage section.例文帳に追加

更に、１本の信号転送線に接続された複数の画素信号を読み出す固体撮像装置において、ある画素信号を画素信号蓄積部へ転送している期間に、既に蓄積部へ転送済みの同一信号線につながる他の画素信号を蓄積部から出力することを特徴とする。 - 特許庁

The printed wiring board 3 has an opening 3a opposed to a light reception part 2a of the solid-state imaging element 2, a plurality of wiring electrodes 3c connecting the plurality of projection electrodes 2b respectively, and a plurality of branch parts 3d branching off with cuts connecting with the opening 3a to divide the plurality of wiring electrodes 3c.例文帳に追加

プリント配線基板３には、固体撮像素子２の受光部２ａに対向する開口部３ａと、複数の突起電極２ｂを各々接続する複数の配線電極３ｃと、開口部３ａに連続する切欠きによって分岐して複数の配線電極３ｃを分割する複数の分岐部３ｄとが形成される。 - 特許庁

(1) a step for kneading solid state elastomers at ≥80°C but ≤150°C to obtain semi-fused elastomers, (2) a step for mixing the semi-fused elastomers with water and a polymer dispersant and kneading thereafter to obtain a dispersion, and (3) a step for obtaining the aqueous dispersions by mixing the dispersion with water.例文帳に追加

（１）固形状のエラストマーを、８０℃以上１５０℃以下の温度で混練し、半溶融状態のエラストマーを得る工程、（２）上記半溶融状態のエラストマーと、水及び高分子分散剤とを混合し、さらに混練して分散液を得る工程、（３）上記分散液と水とを混合して水性分散液を得る工程。 - 特許庁

The sheet-like pack cosmetic is prepared by holding an emulsion composition containing 60.0-80.0 mass% of a polyhydric alcohol relative to the total of the emulsion composition, a higher alcohol in a solid or semisolid state at a normal temperature, a dimethylpolysiloxane, an anionic surfactant and water on a substrate and/or in a substrate.例文帳に追加

乳化組成物の総量を基準として、６０．０〜８０．０質量％の多価アルコールと、常温で固形又は半固形状である高級アルコール、ジメチルポリシロキサン、陰イオン性界面活性剤、及び水を含有する乳化組成物を、支持体上及び／又は支持体内に保持させてなるシート状パック化粧料。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: a data holding part 22 holding operation setting data input from the outside; a collective-reflection part 23 collectively latching the operation setting data held in the data holding part 22 in synchronization with a reflection timing control signal, and outputting the latched operation setting data to a driving part; and a toggle check part 24 outputting the reflection timing control signal.例文帳に追加

外部から入力された動作設定データを保持するデータ保持部２２と、反映タイミング制御信号に同期してデータ保持部２２に保持された動作設定データを一括してラッチして駆動部に出力する一括反映部２３と、反映タイミング制御信号を出力するトグルチェック部２４とを備える。 - 特許庁

Against the surface 1f of the member 1 formed by the half molten forming material of the light metal with 10% or more of a solid rate, a rotating body 10 is made to enter the surface part of the member while making contact with the surface to stir the surface part 1a of the member by the rotating body in a nonmolten state.例文帳に追加

固相率１０％以上の軽金属の半溶融成形材料で形成された部材１の表面１ｆに対して回転体１０を接触させながら部材表面部に進入させ、該部材表面部１ａを上記回転体により非溶融状態で撹拌させることを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

By using a material which contains an oxide containing at least one alkali selected from sodium, magnesium, and potassium which have ionic conductivity in the state of solid solution and reacts with carbon dioxide to produce a carbonate as the carbon dioxide absorbent, the carbon dioxide absorbent indicating a high carbon dioxide absorption capacity at temperatures around 250°C is obtained.例文帳に追加

イオン導電性を有するナトリウム、マグネシウム、カリウムから選ばれる少なくとも１種のアルカリが固溶された酸化物を含み、炭酸ガスと反応して炭酸塩を生成する材料を炭酸ガス吸収材として用いることで、２５０℃程度の温度域で炭酸ガス吸収能の高い炭酸ガス吸収材が得られる。 - 特許庁

To obtain suppression of temperature drift due to the variation in element temperature and an offset distribution by voltage drop in the driving line, by carrying out a feedback of an output of a reference picture element, in a thermal type infrared solid-state imaging element, and to prevent decrease in the manufacturing yield and increase in cost, even if defective pixels are produced in reference pixels.例文帳に追加

参照画素の出力をフィードバックすることにより、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトの抑制を実現する、熱型赤外線固体撮像素子において、参照画素に欠陥画素が生じても、製造歩留りの低下・コスト増大を引き起こさないようにする。 - 特許庁

To solve the problem wherein an exposure time gets different because a shutter speed is varied corresponding to a change in clock frequency even while a line setting value etc are obtained from the same shutter gain volume through calculation, when a clock frequency which serves as the standard of the operation of a solid-state image sensor is varied with a frequency change in a master clock.例文帳に追加

マスタークロックの周波数の変更によって固体撮像素子の動作の基準となるクロックの周波数が変わると、同じシャッターゲイン量から計算して求めたライン設定値等でも、クロック周波数の変化に応じてシャッター速度が変化するため、露光時間が異なるものとなってしまう。 - 特許庁

The solid-state laser apparatus 100 is provided with an APC (Auto Power Control) circuit 11 for supplying a drive current to the semiconductor laser 1, a high frequency oscillator 12 for oscillating a high frequency of 100 kHz or more, and a high frequency superposing circuit 13 for superposing a high frequency current of 100 kHz or more on the drive current.例文帳に追加

半導体レーザ１に駆動電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌ）回路１１と、１００ｋＨｚ以上の高周波を発振する高周波発振器１２と、１００ｋＨｚ以上の高周波電流を駆動電流に重畳する高周波重畳回路１３とを具備する。 - 特許庁

A 1-bit shift register is formed by pn junction photo diodes Pa11-Pamn, Pb11-Pbmn, Pc11-Pcmn, and Pd11-Pdmn as pixels arranged as a matrix and 4 unit transfer stages Vsaij, Vsbij, Vscij and Vsdij, and the solid- state image pickup device consists of the 1-bit shift register and vertical shift registers VS1-VSm.例文帳に追加

マトリクス状に配された画素となるｐｎ接合フォトダイオードＰａ11〜Ｐａmn，Ｐｂ11〜Ｐｂmn，Ｐｃ11〜Ｐｃmn，Ｐｄ11〜Ｐｄmnと、４つの単位転送段ＶＳａij，ＶＳｂij，ＶＳｃij，ＶＳｄijによって１ビットのシフトレジスタを形成するとともに埋込チャネルＣＣＤで構成された垂直シフトレジスタＶＳ1〜ＶＳmとから構成される。 - 特許庁

The optimum conditions in which a solid matter e is hardly produced in an object tower are found by properly changing the various aspects of the tray model, the heating degree of the liquid-phase part, the circulation quantity, the heating of the tray model 120, the cooling degree, the raw material liquid, the gas composition, the polymerization suppressing agent type, and the surface state of the tray.例文帳に追加

トレイモデルの各種態様、及び液相部の加熱度合、循環量、トレイモデル１２０の加熱、冷却度合、原料液、気組成、重合抑制剤種、トレーの表面状態などを適宜の条件で行い、対象塔における、固形物ｅが生成されにくい、最適な条件を見い出す。 - 特許庁

The method for producing metal grains is characterized in that, in a state where, to slurry comprising the grains of a metal and a component to dissolve the grains, the other metal having an ionization tendency higher than that of the above metal is added in the form of a solid, the form of a soluble salt or the form of ions, the above component is removed.例文帳に追加

本発明の金属粒子の製造方法は、金属の粒子及び該粒子を溶解させる成分を含むスラリーに、該金属よりもイオン化傾向の大きな他の金属を、固体の形態、可溶性塩の形態又はイオンの形態で添加した状態下に該成分を除去することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 3 such as a solid state imaging device is disposed upward the protruded part 8 of the circuit board 2 so as to permit an imaging face thereof to face the opening 3, and is electrically connected to an electrode 11 provided on an opposite face thereof on the side of the circuit board 2 through a gold bump 4 interposed between it and the electrode part 5.例文帳に追加

固定撮像素子のような半導体素子３は、その撮像面が開口部３に臨むように前記回路基板２の凸部８上方に配置されるとともに回路基板２側に対向する面に設けた電極１１と前記電極部５との間に金バンプ４を介在させて電気的に接合してある。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with an image arraying unit for generating a pixel signal in accordance with incident light per pixel unit, a vertical transfer unit for reading out the pixel signal in the vertical direction of a pixel array, and a horizontal signal line for reading out the pixel signal by a vertical transfer unit in the horizontal direction.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた画素信号を画素単位に生成する画素配列部と、これら画素信号を画素配列の垂直方向に読み出す垂直転送部と、垂直転送部を経由した画素信号を水平方向に読み出す水平信号線とを備える。 - 特許庁

The terminal is made of an uneven metal body having irregularity on the surface and the jointing parts of the protruded parts surrounding the recess parts of the uneven metal body are all in solid solution state.例文帳に追加

本発明の端子付集電材は、活物質が充填されて電極となる集電材本体と、前記集電材本体に接合された端子とを備えており、前記端子は表面に凹凸を有する凹凸金属体からなり、前記凹凸金属体の凹部を取り囲む凸部同士の接合部はいずれも固溶状態にある。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The layer A is a coated layer of a surface treating agent selected from a reactive organopolysiloxane, an polyolefin, a hydrogenated lecithin, an N-acyl amino acid, a fatty acid and a dextrin fatty acid ester in a solid state at a normal temperature.例文帳に追加

が：Ａ層；反応性オルガノポリシロキサン、ポリオレフィン、水添レシチン、Ｎ−アシルアミノ酸、脂肪酸及びデキストリン脂肪酸エステルの中から選択される、常温で固体状の表面処理剤被覆層；及びＢ層；片末端官能基変性オルガノポリシロキサン、片末端官能基変性アルキルシラン及び分岐脂肪酸の中から選択される。 - 特許庁

The present invention provides an antiseptic solution obtained by dissolving a compound containing at least one halogen atom selected from bromine atom, chlorine atom and iodine atom, in which at least one of halogen atoms is bromine atom in an aqueous medium in a state in which a solid content partially coexists.例文帳に追加

本発明は、臭素原子、塩素原子及びヨウ素原子から選択されるハロゲン原子を少なくとも１原子以上含み、且つハロゲン原子の少なくとも一つは臭素である化合物が、一部固形分が共存する状態で水媒体中に溶解していることを特徴とする消毒液を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup element, the intra-layer lens 21 is formed in the passivation film 20.例文帳に追加

半導体基板上に形成された光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成されたパッシベーション膜と、層内レンズとを具備した固体撮像素子であって、前記層内レンズ２１が、前記パッシベーション膜２０中に形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.例文帳に追加

第１導電型の半導体領域４から成るセンサ部１１の内部の一部に、第２導電型の半導体領域２１が埋め込まれて形成され、この第２導電型の半導体領域２１と第１導電型の半導体領域４とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The conductive material, containing at least thermosetting binder resin and a conductive filler, gets solid state at room temperature by being heated beforehand at a temperature in which hardening reaction does advance to let a substantial volume of solvent evaporated, and is softened as the binder resin is heated up to a temperature lower than a hardening reaction starting temperature.例文帳に追加

少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、導電性フィラーとを含み、予め硬化反応が進行しない温度で加熱されて溶剤が相当量揮発されることによって常温で固体状となり、上記バインダー樹脂が硬化反応開始温度より低い温度に加熱されることにより軟化する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device comprises a pixel portion 6 where multiple pixels 5 for converting a physical quantity into an electric signal are arranged two-dimensionally, a vertical signal line 10 for reading signals from the pixels 5, and a column circuit 11 arranged to correspond to the column of the pixel portion 6 and captures signals from the vertical signal line 10 in the pixel portion 6.例文帳に追加

物理量を電気信号に変換する複数の画素５が２次元状に配列された画素部６と、画素５からの信号が読み出される垂直信号線１０と、画素部６の内部で垂直信号線１０から信号を取り込み、画素部６の列に対応して配列されたカラム回路１１とを有する。 - 特許庁

This rear surface irradiation type solid-state imaging element 54 is provided with a semiconductor substrate 1 having an oxide film 2 of 1-50 nm in thickness on it rear surface; a light-receiving section 44 and a charge transfer section 46 formed on the front surface of the semiconductor substrate 1; and a color filter 19 and microlenses 22 formed on the oxide film 44.例文帳に追加

本発明の裏面照射型固体撮像素子５４は、裏面に膜厚１〜５０ｎｍの酸化膜２を備えた半導体基板１と、半導体基板１の表面側に形成された受光部４４と電荷転送部４６と、酸化膜４４上に形成されたカラーフィルター１９とマイクロレンズ２２を備える。 - 特許庁

This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.例文帳に追加

裏面照射型構造を有し、受光センサ部ＰＤが形成されたシリコン層２の裏面側にレンズ７を有し、撮像領域２０の周辺においてシリコン層２に位置合わせマークとして用いられる絶縁層１３が埋め込まれて形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To seal a pack opening section by press-fitting a sealing device 2 into a folded-up section after folding up the opening section 4 of a pack 8 (a bag having various quality of the material, size and shape) into which all kinds of materials in the state of liquid, gas and solid are put.例文帳に追加

液体、気体、固体状の各種物体が投入されたパック８(様々な材質・大きさ・形状を有する袋)の開口部４を折り畳んだ後に、この折り畳まれた部分に密閉装置２を圧入式に嵌め付けてパック開口部の密閉を達成するパック密閉方法及びその密閉装置を提供する。 - 特許庁

On the basis of the imaging operation of each pixel of the solid-state imaging element 2 confirmed by a comparator 66, a memory control section 62 selects and reads the FPN component of the pixel from either a memory 61a for linear conversion or a memory 61b for logarithmic conversion of an image memory 61, and outputs it to an FPN component removing section 65.例文帳に追加

比較器６６で確認された固体撮像素子２における各画素の撮像動作に基づいて、メモリ制御部６２が各画素のＦＰＮ成分を画像メモリ６１における線形変換用メモリ６１ａ及び対数変換用メモリ６１ｂのいずれかから選択して読み出して、ＦＰＮ成分除去部６５に出力する。 - 特許庁

To obtain a solid state image sensor of multi-pixel sharing structure in which a sufficient area can be secured at a photoelectric converting section even if the various pixel area is micronized, and optical pixel centers can be arranged two-dimensionally while spaced apart evenly by arranging its photoelectric converting section at the optical center of each pixel.例文帳に追加

複数画素共有構造の固体撮像素子において、書画素面積が微小化しても光電変換部の領域面積を十分に確保でき、またその光電変換部を各画素における光学中心に配置して光学的な画素中心を二次元的に等間隔に配置することを可能にする。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged incident into a rear surface S2 of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10 or in the semiconductor layer 20, and then receives signal charges generated by the photoelectric conversion by the light-receiving section 30 to image the object to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144).例文帳に追加

全画素読み出し型の固体撮像素子１０１であって、複数の画素（フォトダイオード１２１（１２２））を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素（フォトダイオード１２１（１２２））が１画素当たり２本の垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）１４１、１４２（１４３、１４４）を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing a thermotropic liquid crystalline polymer is characterized in that a pulverized matter of a thermotropic liquid crystalline polymer having a low polymerization degree which is obtained by discharging in a molten state from the reaction tank, cooling and solidifying, and pulverizing, is subjected to solid phase polymerization using a rotary kiln having an inner cylinder in a cross sectional shape of pentagon to dodecagon.例文帳に追加

反応槽から溶融状態で排出し、冷却固化し、粉砕して得られる、低重合度サーモトロピック液晶ポリマー粉砕物を、５角形〜１２角形の横断面形状の内筒を有するロータリーキルンを用いて固相重合することを特徴とするサーモトロピック液晶ポリマーの製造方法。 - 特許庁

A cassette type radiation image solid-state detector includes: a flat housing which is irradiated with radiation; a detector unit which is incorporated in the housing and converts the radiation made incident through the housing into an electric signal; and a plurality of rechargeable batteries which are incorporated in the housing and for supplying power to the detector unit.例文帳に追加

このカセッテ型放射線画像固体検出器には、放射線が照射される扁平状のハウジングと、ハウジングに内蔵されて、当該ハウジングを介して入射した放射線を電気信号に変換する検出器ユニットと、ハウジングに内蔵されて、検出器ユニットに給電するための複数の充電池とが設けられている。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a one-chip plate-like imaging device chip which has a first area and a second area on its surface and with which the imaging device is formed in the first area and a peripheral circuit is incorporated under the second area, and is characterized by packaging electronic components on a surface of the second area.例文帳に追加

表面に第１領域と第２領域を有し、第１領域に撮像素子が形成され、第２領域の下方に周辺回路が内蔵されて１チップ化された平板状の撮像素子チップを備え、第２領域の表面に、電子部品が搭載されたことを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

The solid state imaging element contains a plurality of photoelectric conversion regions 111-157 which are arranged on a semiconductor substrate surface, in a row direction (direction shown by an arrow mark X) and a column direction (shown by an arrow mark Y) rectangular to the row direction, vertical transfer parts 201-208, a horizontal transfer 300 and an output 400.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面に行方向（矢印Ｘで示す方向）とこれに直交する列方向（矢印Ｙで示す方向）に配設された複数の光電変換領域１１１〜１５７、垂直転送部２０１〜２０８、水平転送部３００、及び出力部４００を含む。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4.例文帳に追加

半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

To suppress flickers appearing in video signals by the cyclic fluctuation of the light quantity of a fluorescent lamp in terms of a circuit and to enlarge an automatic light quantity control range at the time of automatically controlling the light quantity by using electronic shutter control and automatic gain control together in an image pickup device provided with a solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子を備えた撮像装置において、自動光量制御を電子シャッター制御と自動利得制御とを併用しながら行うときに、蛍光灯の光量の周期的変動により映像信号に現れるフリッカの抑圧を回路的に行い、かつ自動光量制御範囲を拡大する。 - 特許庁