「solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(242ページ目) - Weblio英語例文検索

In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.例文帳に追加

固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁

An AD memory part 130 is constituted by arranging a unit memory 131 in two-dimensional arrangement corresponding to each pixel arrangement of the pixel array part 110, sequentially accumulates the analog pixel signals read through a perpendicular signal line and performs various kinds of processings (for example, solid-state pattern noise removal and gain adjustment, etc., by CDS) including the AD conversion.例文帳に追加

ＡＤメモリ部１３０は、画素アレイ部１１０の各画素配列に対応する２次元配列で単位メモリ１３１を配置して構成され、垂直信号線を通して読み出されたアナログ画素信号を順次蓄積し、ＡＤ変換を含む各種の処理（例えばＣＤＳによる固体パターンノイズ除去やゲイン調整等）を行う。 - 特許庁

To provide an inexpensive image pickup module where mounting accuracy of a lens member with respect to a solid-state image pickup element in an optical axis direction is enhanced, a focus adjustment mechanism is omitted, the structure is simplified, the number of components is reduced, the assembly is enhanced, the product is made small, and the reliability of the product is improved.例文帳に追加

本発明の目的は、固体撮像素子に対するレンズ部材の光軸方向の取付け精度を向上し、ピント調整機構が省略できると共に、構造の簡略化が図れ、部品点数の削減、組立て性の向上、製品の小形化と製品の信頼性の向上が図れ、しかも安価な撮像モジュールを提供する事にある。 - 特許庁

The curable composition for a color filter of a solid-state imaging sensor contains an alkali-soluble resin having a ratio of weight average molecular weight to number average molecular weight (weight average molecular weight/number average molecular weight: dispersion degree) of from 1.1 to 1.5, a photopolymerization initiator, a colorant, a compound having an ethylenically unsaturated double bond, and a solvent.例文帳に追加

重量平均分子量と数平均分子量との比（重量平均分子量／数平均分子量：分散度）が１．１〜１．５であるアルカリ可溶性樹脂と、光重合開始剤と、着色剤と、エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物と、溶剤と、を含有する固体撮像素子のカラーフィルタ用硬化性組成物である。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

In the laser irradiation apparatus comprising a laser oscillator, a diffractive optical element, and a slit, the opening of the slit can be varied in length in the lengthwise direction, the incidence in the direction toward a substrate is oblique, and further, the laser is a continuously oscillated solid-state, gas or metal laser, or a pulsed oscillation one having a frequency of 10 MHz or higher.例文帳に追加

レーザ発振器と、回折光学素子と、スリットとを有するレーザ照射装置において、スリットはスリット開口部の長手方向の長さを可変可能であり、基板方向への入射は斜めからであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザ、もしくは１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition which has high light-shielding properties in an infrared region and high translucency in a visible light region, and with which a pattern having excellent resolution in alkali development can be formed, and which has excellent temporal stability, as well as photosensitive layer, a permanent pattern, a wafer level lens, a solid state imaging element and a pattering method using the composition.例文帳に追加

赤外領域における遮光性が高く、可視光領域における透光性が高く、かつ、アルカリ現像による解像性に優れたパターンを形成可能であり、更には、経時安定性に優れた重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The ion-conductive solid state electrolyte comprises a base polymer having a linkage selected from ether, thioether, ester, carbonate, amide, amine and urethane linkages in its main chain, a high-branched polymer having a repeating unit composed of an oligoethylene oxide chain and a linking molecule bonded to the oligoethylene oxide chain in its main chain, and lithium salt.例文帳に追加

主鎖にエーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、カーボネート結合、アミド結合、アミン結合、ウレタン結合、から選ばれる一種の結合を持つ基材ポリマーと、主鎖にオリゴエチレンオキシド鎖と該オリゴエチレンオキシド鎖に結合した連結分子とからなる繰り返し単位を有する高分岐ポリマーと、リチウム塩とからなることを特徴とするイオン伝導性固体電解質。 - 特許庁

The drive circuit of the solid-state imaging device has a multinomial operation part (17) for carrying out a multinomial operation of a first order or more, an operation control part (16) for generating a variable of the multinomial to control the multinomial operation part, and a pulse generation part (14) for generating a pulse based on a multinomial operation result in the multinomial operation part.例文帳に追加

１次以上の多項式の演算を行う多項式演算部（１７）と、前記多項式の変数を発生し前記多項式演算部の演算を制御する演算制御部（１６）と、前記多項式演算部の多項式の演算結果を基にパルスを生成するパルス生成部（１４）とを有することを特徴とする固体撮像素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light receiving portions 5 arranged on a substrate 10, a plurality of microlenses 50 arranged on the substrate 10 in correspondence with the light receiving portions 5, and a transparent film 60 formed on the microlense 50 and having a refractive index lower than that of the microlense 50 wherein the surface of the transparent film 60 has a curved surface shape.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に配置された複数の受光部５と、受光部５に対応して基板１０上に配置された複数のマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０上に形成され、マイクロレンズ５０よりも低い屈折率をもつ透明膜６０とを有し、透明膜６０の表面が、曲面形状をもつ。 - 特許庁

The solid-state image pick-up device comprises a photoelectric conversion unit PD, and a plurality of disposed unit pixels 35 each having a transfer transistor 32 for reading out a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit PD, wherein a gate electrode 45 on the active region of the transfer transistor 32 is formed to have two kinds or more of gate lengths g1, g2.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとこの光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷を読み出す転送トランジスタ３２を有する単位画素３５が複数配列されてなる固体撮像装置であって、転送トランジスタ３２の活性領域上のゲート電極４５が、２種類以上のゲート長ｇ１，ｇ２を有するように形成されている。 - 特許庁

To provide a flaming material composition which has a smoke emission amount equal to or less than heretofore, is reduced in sensitivity of the flaming material composition to heat, shock or friction and can safely be handled in manufacturing work and use in the solid flaming material composition blended with a liquid-state uncured resin for a combastible material and a binder.例文帳に追加

可燃剤兼バインダーの液状未硬化樹脂等を配合した固形状発炎剤組成物において、発煙量が従来と同等ないしそれ以下であり、発炎剤組成物の熱、衝撃、摩擦などによる感受性が低減され、製造作業および使用時において、より安全に取り扱う事が出来る発炎剤組成物を提供。 - 特許庁

When the solid-state imaging element with color filters of the Bayer arrangement images a moving picture, pixels of reading objects are selected so that pixels interleavingly read in the vertical direction are selected not to be adjacent to each other and the distances between the pixel gravity centers added with 2 or more B pixels and pixel gravity centers added with 2 or more R pixels are arranged at an equal interval.例文帳に追加

Ｂａｙｅｒ配列のカラーフィルターを有する固体撮像素子の動画撮像時に、垂直方向に間引きして読み出す画素が互いに隣接しないようにするとともに、２以上のＢ画素を加算した画素重心と、２以上のＲ画素を加算した画素重心との距離が等間隔で並ぶように読み出し対象の画素を設定する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device including a protection circuit connected to a terminal, there are included a first circuit connected between the terminal and a negative potential line for providing a negative voltage, a second circuit connecting a protection circuit between the terminal and a ground potential line and a third circuit forming a protection circuit between the ground potential line and another terminal.例文帳に追加

端子に接続する保護回路を有するものにあって、端子と負電圧を供給する負電位線との間に接続される第１の回路を有するとともに保護回路が端子とグランド電位線との間に接続される第２の回路を有し、グランド電位線と他の端子との間に保護回路をなす第３の回路を有する。 - 特許庁

To prevent short circuits between a fuse and a substrate and to obtain a desired voltage by suitable fuse burning in an arbitrary voltage generating structure, which has a plurality of fuses on the substrate and obtains a desired output voltage, by applying a predetermined voltage and burning at least one of the fuses, and a solid-state image pickup element using the same.例文帳に追加

基板上に複数のヒューズを設け、所定の電圧を印加して該ヒューズの少なくともいずれか１つを切断することで所望の出力電圧を取り出す任意電圧発生構造及びこれを用いた固体撮像素子について、ヒューズ−基板間のショートを防止でき、適正なヒューズ切断により所望の電圧が得られるようにする。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 100 having a pixel array 101 consisting of one or more pixels is provided with a first H-level detecting circuit 104, a first L-level detecting circuit 105, a second H-level detecting circuit 108 and a second L-level detecting circuit 109 for detecting potentials to be generated in the signal lines for control connected to the pixels.例文帳に追加

１以上の画素からなる画素アレイ１０１を有する固体撮像装置１００であって、画素に接続されている制御用信号線に生じる電位を検出する第１のＨレベル検出回路１０４、第１のＬレベル検出回路１０５、第２のＨレベル検出回路１０８、第２のＬレベル検出回路１０９を備える。 - 特許庁

In this method for quantitatively analyzing the organic chlorine compound included in the solid phase, after extracting the organic chlorine compound in the pressurized state from soil, the cable, or the cable insulation paper which is a specimen by using a non-polar solvent, a pretreatment for condensing or diluting the extraction solvent is performed as the need arises.例文帳に追加

固相に含まれる有機塩素化合物を定量分析する方法において、非極性溶媒を用いて検体である土壌、ケーブル、又はケーブル絶縁紙から加圧下で有機塩素化合物を抽出した後、必要に応じて前記抽出溶媒を濃縮あるいは希釈する前処理を行う有機塩素化合物の分析方法とする。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

The solid-state imaging element 40 includes a semiconductor substrate 47, a plurality of photodiodes 41 formed on the semiconductor substrate 47 in two-dimensional shape, and a vertical CCD 43 formed by arranging at least one read-out gate for reading out an accumulated charge and non-read-out gate that does not read-out a charge for each photodiode 41.例文帳に追加

固体撮像素子４０は、半導体基板４７と、半導体基板４７上に２次元状に形成される複数のフォトダイオード４１と、フォトダイオード４１ごとに、蓄積された電荷を読み出すための読出ゲートおよび電荷を読み出さない非読出ゲートとを少なくとも１つずつ配設されることにより形成された垂直ＣＣＤ４３とを有する。 - 特許庁

This method for producing a preliminary polymerization catalyst for olefin polymerization comprises carrying out a preliminary polymerization in the presence of (A) a transition metal compound, (B) an aluminoxane in which ≥80% aluminoxane in the system is precipitated or precipitated in a solid state in the preliminary polymerization and optionally (C) an organoaluminum compound under conditions of ≤4 kg/cm2 partial pressure of olefin in a liquid phase.例文帳に追加

オレフィン重合用予備重合触媒の製造方法は、（Ａ）遷移金属化合物と、（Ｂ）予備重合時に系内のアルミノキサンの８０％以上が析出する又は析出して析出し固体状であるアルミノキサンと、必要に応じて（Ｃ）有機アルミニウム化合物との存在下、オレフィン分圧が４ｋｇ／ｃｍ^2 以下の条件下、液相で予備重合する。 - 特許庁

The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.例文帳に追加

ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁

A timing pulse generator generates various timing pulses used to obtain an image signal from a solid-state image pickup element and an H-ROM 10 stores pattern data consisting of data for timing pulses for one period generated at the beginning of one horizontal scanning period and number of repetitive timing pulses within the one horizontal scanning period.例文帳に追加

固体撮像素子から画像信号を得るために使用する各種のタンミングパルスを発生させるタイミングパルス発生装置であり、Ｈ−ＲＯＭ１０には、１水平走査期間の最初に発生させる１周期分のタイミングパルスのデータと、そのタイミングパルスの１水平走査期間内の繰り返し数とからなるパターンデータが記憶されている。 - 特許庁

The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁

To provide an optical apparatus with an imaging function which comprises a photographing system containing a photographing optical system and a solid state imaging element and of an observing optical system, which is constructed so that a photographing optical system is focused properly interlocking with a focus of an observation optical system when an observation optical system is focused by manual operation.例文帳に追加

撮影光学系及び固体撮像素子を含む撮影系と、観察光学系とから成る撮影機能付観察光学装置であって、観察光学系を手動操作によって合焦させるとき、該観察光学系の合焦に連動して撮影光学系の合焦を適正に行い得るように構成された撮影機能付観察光学装置を提供する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.例文帳に追加

光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁

The surface of an aluminum alloy base material is collided with a quasicrystal-dispersed alloy or an amorphous substance-dispersed alloy having strength higher than that of the aluminum alloy base material as a solid phase state together with an inert gas at a supersonic flow by a cold spray process, so as to form a strengthening film, thus the aluminum alloy base material is strengthened.例文帳に追加

アルミニウム合金基材の表面に、前記アルミニウム合金基材よりも高強度を有する準結晶分散合金またはアモルファス分散合金からなる粉末を、コールドスプレー法により固相状態のまま不活性ガスと共に超音速流で基材に衝突させて強化皮膜を形成させ前記アルミニウム合金基材を強化する。 - 特許庁

A video process section 103 segments a 720-pixel region in the vertical direction and 480-pixel region in the horizontal direction out of image signals outputted by a solid-state image pickup device 102 when a viewer rotation position signal is a signal representing 'vertical' and outputs the regions as a recording image to a recording section 104 after the regions are clockwise rotated by 90 degrees.例文帳に追加

映像プロセス部１０３は、ビューア回転位置信号が「垂直」を表す信号である場合は、固体撮像装置１０２が出力した画像信号のうち、垂直方向に７２０画素、水平方向に４８０画素の領域を切り出し、時計回りに９０度回転した後、記録画像として記録部１０４へ出力する。 - 特許庁

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is driven by a vertical transfer pulse applying step for applying a vertical transfer pulse to a vertical shift register and transferring signal charge output by a photoelectric conversion unit in a column direction, and a horizontal transfer pulse applying step for applying a horizontal transfer pulse to a horizontal shift register during a horizontal transfer period and transferring the signal charge in a row direction.例文帳に追加

垂直シフトレジスタに垂直転送パルスを印加して、光電変換部が出力した信号電荷を列方向に転送させる垂直転送パルス印加ステップと、水平シフトレジスタに水平転送期間に水平転送パルスを印加して、信号電荷を行方向に転送させる水平転送パルス印加ステップとにより固体撮像装置を駆動する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 2 comprises a transparent substrate 17, a plurality of DG-TFT 20 arranged on the transparent substrate 17 in a matrix shape, and a protective insulating film 31 for covering all the DG-TFT 20, a discharging conductive film 32 formed on the insulating film 31, and a liquid-repellent film 33 formed on the conductive film 32.例文帳に追加

固体撮像デバイス２は、透明基板１７と、透明基板１７上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−ＴＦＴ２０と、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。 - 特許庁

The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁

A solid-state imaging device 101, comprising two-dimensionally arrayed photoelectric conversion elements outputs signal charges read from the photoelectric conversion elements in an order different from the two-dimensional array, a signal converting section 13 converts the signal charges into pixel data, and a rearrangement section 15 rearranges the converted pixel data for 2n+1 rows so as to match the two-dimensional array.例文帳に追加

２次元配列された光電変換部を備える固体撮像素子１０１が、光電変換部から読み出した信号電荷を２次元配列と異なる順序で出力し、信号変換部１３が画素データに変換し、前記変換された２ｎ＋１行分の前記画素データを前記２次元配列に合うように再配列部１５が再配列する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light reception sections 5 formed on a semiconductor substrate 4; a color filter layer 11; and a lens 9 for condensing light at the light reception section 5 having the center 9a of the lens that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 11, and is displaced to the center of the light reception section 5 by specified distance for arrangement.例文帳に追加

この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された複数の受光部５と、カラーフィルタ層１１と、半導体基板４とカラーフィルタ層１１との間に形成され、受光部５の中心に対して所定の距離ずらして配置されたレンズ中心９ａを有する受光部５に光を集光するためのレンズ９とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging device is configured with an NMOS TR (switching TR) 121 which is inversely in operation to an ON/OFF operation of NMOS TRs (reset TRs) 103p and 103q in each pixel cell and placed at a position just before an input node to especially a correlated double sampling circuit 111 on a common read line 109 shared by a plurality of the pixel cells.例文帳に追加

複数の画素セル間において共有される共通読み出し線１０９上の特に相関二重サンプリング回路１１１への入力ノードの直前の位置に、各画素セル内のＮＭＯＳトランジスタ（リセットトランジスタ）１０３ｐおよび１０３ｑのオン／オフ動作と逆に動作するＮＭＯＳトランジスタ（スイッチトランジスタ）１２１を設けて固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes: a plurality of pixels which are two-dimensionally arranged to photoelectrically convert incident light; a plurality of vertical signal lines 4 each of which is formed in association with each column of the plurality of pixels and to which output signals of the pixels of the corresponding column are supplied; a plurality of comparison parts 11; and a plurality of reference signal supply parts 14.例文帳に追加

固体撮像素子は、２次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、各々が前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される複数の垂直信号線４と、複数の比較部１１と、複数の参照信号供給部１４とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

To provide a liquefaction apparatus that recovers an oil component having a certain composition and stable qualities in a high recovery ratio without causing bad conditions following admixture of solid dust and occurrence of nitrogen oxides and liquefaction apparatus that forcedly cools the inside of a pyrolysis furnace and recovers residue in a dry state without deteriorating qualities and reuses the residue.例文帳に追加

固形ダスト分の混入や窒素酸化物の発生に伴う不具合を生じることなく、組成が一定で品質の安定した油分を、高い回収率でもって回収することができる油化設備、並びに、熱分解炉内を強制的に冷却できる上、残渣を、品質を劣化させることなく、乾燥状態で回収して再利用できる油化設備を提供する。 - 特許庁

Since a buffer agent is disposed on the electrode in a solid state together with the respective enzymes, that is, creatininase, creatinase, and sarcosine oxidase, a measurement specimen can be used as it is without preparing a buffer solution for stabilizing the enzymes in measurement, and this creatinine biosensor takes excellent effect that creatinine can be measured without requiring complicated operation.例文帳に追加

このクレアチニンバイオセンサは、クレアチニナーゼ、クレアチナーゼ、ザルコシンオキシダーゼの各酵素とともに、緩衝剤が固形状態で電極上に配置されているため、測定時において酵素を安定化させるための緩衝液を調製することなく、測定試料をそのまま用いることができ、また煩雑な操作を必要とすることなくクレアチニンの測定を行うことが可能となるといった優れた効果を奏する。 - 特許庁

A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第１導電型半導体領域１２の表面に第２導電型半導体領域１３が形成されたセンサ部２を有し、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内に、第２導電型半導体領域１３より小さい面積の第２導電型半導体層６が形成されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus 1 includes: a semiconductor layer 13 having a first region and a second region; a pixel part provided in the first region; a plurality of electrodes 22 which are provided in the second region and penetrate the semiconductor layer 13; and a guard ring 20 which is provided in the second region, penetrates the semiconductor layer 13, and electrically isolates the pixel part from the plurality of electrodes 22.例文帳に追加

固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。 - 特許庁

In a preamplifier portion (column region portion) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.例文帳に追加

固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁

In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).例文帳に追加

増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁

In the endoscope having a bent portion 3 to be bent continuous to a tip structure portion 2 having a CCD camera (solid-state image picking-up device) 7, a portion from the bent portion to the tip structure portion is covered with a covering material excellent in heat conductivity, for example, a covering material 17 in which pure copper or copper alloy small wires are formed into a mesh.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ（固体撮像装置）７を有する先端構成部２に続いて湾曲可能な湾曲部３を有する内視鏡１において、上記湾曲部から先端構成部にかけての部分を熱伝導性が良好な被覆材、例えば、純銅又は銅系合金の細線をメッシュ状に編成して成る被覆材１７によって被覆したものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 includes: a silicon layer 2 where a positive charge accumulation region 13 is formed on the surface of a photodiode PD; and an optical waveguide 21 formed above the photodiode PD to guide incident light to the photodiode PD, wherein an insulating layer 22 is formed in the optical waveguide 21, and the insulating layer 22 has a dielectric constant of 5 or greater and negative fixed charge.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁