| 例文 |
source sideの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7054件
The low-side switching element, installed between the other end of the first inductor and a low potential side power source, performs an on/off operation by a control signal.例文帳に追加
ローサイドスイッチング素子は、第一のインダクタの他端と低電位側電源の間に設けられ、制御信号によりオン・オフ動作する。 - 特許庁
A third voltage which is a predetermined value lower than the first voltage is applied to a drain-side selection gate line and a source-side selection gate line.例文帳に追加
ドレイン側選択ゲート線、及びソース側選択ゲート線には、第1電圧よりも所定の値だけ低い第3電圧を印加する。 - 特許庁
A constant current is injected into the light gain region 3 from a first current source 11 through a p-side electrode 9 and an n-side common electrode 7.例文帳に追加
光利得領域には、p側電極9とn側共通電極7とを介して第1電流源11から定電流が注入される。 - 特許庁
A collimating lens 30 is formed by a concave lens 30a disposed on the side of a light source and a convex lens 30b disposed on the side of an objective lens.例文帳に追加
コリメータレンズ30は、光源側に配置される凹レンズ30aと、対物レンズ側に配置される凸レンズ30bとで構成される。 - 特許庁
A source electrode and a drain electrode are placed side by side with an insulator interposed therebetween, at the top of which is disposed another ion conductor such as Ta_2O_5 or like.例文帳に追加
絶縁体を介してソース電極とドレイン電極を並置し、その上部にTa_2O_5などのイオン伝導体を配置する。 - 特許庁
At a tip-side lower part of a power source side contact arm 18a constituting a movable contactor, a concave-shaped notched part 18a1 is formed.例文帳に追加
可動接触子を構成する電源側接点アーム18aの先端側下部に、凹形状の切欠き部18a1を形成した。 - 特許庁
A power source is supported by the housing on one side, and at the presser foot on the other side, thus preloading the presser foot against the support plate.例文帳に追加
力源は、一方ではハウジングに支持され、他方では押さえ脚に支持され、それにより、支持プレートに対して押さえ脚を予荷重する。 - 特許庁
The light reception side light guide 30 is provided with a blaze face for reflecting a light from the light source side light guide 10 to the thickness direction of the sheets 3.例文帳に追加
受光側ライトガイド30は、光源側ライトガイド10からの光を紙3の厚さ方向に反射させるブレーズ面を有する。 - 特許庁
A light source 3 is placed at one side 15 of a scale 9, while a reflective section 5 is placed at the other side 17 of the scale 9.例文帳に追加
スケール9の一方の側部15側に光源3が、スケール9の他方の側部17側に反射部5が、それぞれ配置されている。 - 特許庁
In the heating and defrosting state, the delivered refrigerant is distributed to the user side heat exchanger 171 and the heat source side heat exchanger 112.例文帳に追加
また、暖房兼デフロスト状態では、吐出冷媒が利用側熱交換器171と熱源側熱交換器112とに分配される。 - 特許庁
A second reflection plate 2, arranged at the lower side of a light transmission plate 3, is provided with an extended part 2b extending from an edge surface to the light source side.例文帳に追加
導光板3の下側に配された第2の反射板2は、エッジ面から光源側へ延びる延長部2bを有している。 - 特許庁
A light source is fitted to one face side of a substrate 17, a base 20 is fitted to the other face side of the substrate 17, and a lighting circuit 21 is arranged inside the base 20.例文帳に追加
基体17の一面側に光源を取り付け、基体17の他面側に口金20を取り付け、口金20内に点灯回路21を配置する。 - 特許庁
One end of the second upper side conductor is coupled to another end of the first lower side conductor, and receives a signal from the first signal source.例文帳に追加
第2の上側導体の一方の端が第1の下側導体の別の端に結合され、第1の信号源からの信号を受け取る。 - 特許庁
The control gate 512' has a spacer shape, and the spacer 528 on a source side is located on the side wall of the charge save area and the control gate 512'.例文帳に追加
制御ゲート512′はスペーサ形状を有し、ソース側スペーサ528は電荷保存領域と制御ゲート512′の側壁に位置する。 - 特許庁
The source side semiconductor is made of a high-mobility semiconductor material, and the drain side semiconductor is made of a low-leakage semiconductor material.例文帳に追加
ソース側半導体は高移動度半導体材料で作製され、ドレイン側半導体は低リーク半導体材料で作製される。 - 特許庁
A reverse bias voltage is applied to the light modulation region 2 by a voltage source 12 through the p-side electrode 8 and the n-side common electrode 7.例文帳に追加
光変調領域2にはp側電極8とn側共通電極とを介して電圧源12によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁
The abnormalities of the laser beam are detected based on the abnormalities of the signals detected by the light source side sensors 31 and the panel side sensors 32, 33, 34.例文帳に追加
光源側センサ31とパネル側センサ32、33、34からの検出信号の異常に基づきレーザ光の異常を検出する。 - 特許庁
In a laser diode 6, a variable voltage source 14 is connected to an anode-side and laser diode driving IC13 is connected to a cathode-side.例文帳に追加
レーザダイオード6は、そのアノード側に可変電圧源14が接続され、そのカソード側にレーザダイオード駆動IC13が接続される。 - 特許庁
To previously prevent damage or the like of a low voltage power source caused by a short circuit between a low pressure side feeder circuit and a high pressure side feeder circuit.例文帳に追加
低圧側給電回路と高圧側給電回路との短絡に起因する低電圧電源の破損等を未然に防止する。 - 特許庁
From the other end side of the roller, a power source line of the induction heat generating mechanism and a lead wire of the stator side of the rotating transformer are taken out.例文帳に追加
ローラの他方の端部側から、誘導発熱機構の電源線と、回転トランスのステータ側のリード線とを外部に引き出す。 - 特許庁
The electrode 24 is connected to the positive side of a DC power source 26, while the grounding electrode 25 is connected to the negative side of the DC power supply 26.例文帳に追加
電極24は直流電源26の正極側に接続し、アース電極25は直流電源26の負極側に接続する。 - 特許庁
The LSI 20 generates a phase- matched system clock on the receiving side by matching the phase of the system clock on the receiving side with that of the source clock.例文帳に追加
受け側LSI20 では、受け側システムクロックの位相をソースクロックの位相に合わせた位相合わせ済み受け側システムクロックを生成する。 - 特許庁
Further, an LED light source 15 may be arranged on a side surface of the viewing-side panel substrate 11a formed with the fixed pattern portion 13.例文帳に追加
また、固定図柄部13が形成されている視認側のパネル基板11aの側面にLED光源15を配設してもよい。 - 特許庁
In the black matrix layer, the reflectivity on the side of aluminum alloy film 211 as high reflectivity layer arranged on the light source side is high and the reflectivity on the side of Cr film 212 arranged on the liquid crystal layer side of the opposite side thereof is sharply lower than that on the side of aluminum alloy film 211.例文帳に追加
このブラックマトリックス層では、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜211側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるCr膜212側の反射率がそれよりも大幅に低くなっている。 - 特許庁
To provide an optical sheet integrated with a lens sheet and a diffusion sheet, in which the surface on a light source side of at least either of the lens sheet on the side nearest the light source and the sheet on a counter light source side of the lens sheet and thereby the front luminance can rise by more than 4%, a light source device, and a display device.例文帳に追加
レンズシートと、拡散シートとを一体化してなり、最も光源側に近いレンズシート及び該レンズシートより反光源側のシートの少なくともいずれかにおける光源側の面が光拡散機能を有さないことにより、正面輝度が4%を超えて上昇することができる光学シート並びに光源装置及び表示装置の提供。 - 特許庁
To enhance utilization efficiency of luminous flux of a light source, to simplify the structure of a lamp, and thereafter to properly control its irradiating light, in a vehicular headlamp for reflecting, toward the front side by a first reflector disposed on the lower side of the light source, light from the light source reflected by second reflectors installed on the upper side of the light source.例文帳に追加
光源の上方側に設けられた第2のリフレクタで反射した光源からの光を、光源の下方側に配置された第1のリフレクタで前方へ向けて反射させる車両用前照灯において、光源光束の利用効率を高めるとともに灯具構成を簡素化した上で、その照射光制御を適切に行えるようにする。 - 特許庁
And the core side decoder driver and the reference side decoder driver drive a core side word line and a reference side word line to power source voltage at the first time after variation of input address, further, they drive a core side word line and a reference side word line to a boosted voltage level being higher than power source voltage at the second time the prescribed time after the first time.例文帳に追加
そして,コア側デコーダ・ドライバとレファレンス側デコーダ・ドライバが,入力アドレスの変化後の第1の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧まで駆動し,更に,第1の時間後所定時間後の第2の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧より高い昇圧レベルまで駆動する。 - 特許庁
More specifically, each floating gate 5, 6 of each memory cell 1 has a profile descending gently from the select gate electrode 11 side (channel region 4 side) toward the source-drain region 3, where the select gate electrode 11 side (channel region 4 side) is higher than the source/ drain region 3 side.例文帳に追加
つまり、当該各メモリセル1の各浮遊ゲート電極5,6の形状は、選択ゲート電極11側(チャネル領域4側)からソース・ドレイン領域3側に向けて緩やかに傾斜下降し、選択ゲート電極11側(チャネル領域4側)の高さの方がソース・ドレイン領域3側よりも高くなっている。 - 特許庁
When pressure in a water supply destination side partitioned chamber connected to a plurality of water supply destinations is changed from a desired numerical value, a main valve is moved and the supply of pressurized water from a water supply source side partitioned chamber to the water supply destination side partitioned chamber is controlled for conducting or cutting off the water supply source side partitioned chamber and the water supply destination side partitioned chamber.例文帳に追加
複数の送水先に接続されている送水先側隔室の圧力が所望の数値から変化した場合、送水元側隔室と送水先側隔室の間を導通或いは遮断すべく、主弁を移動させて送水元側隔室から送水先側隔室への圧力水の供給を制御する。 - 特許庁
A sidewall 26 formed on a sidewall of a gate electrode 27 is different in thickness in a horizontal direction (along an upper surface of a semiconductor layer 2) between a drain side and a source side differently from a side wall 8 of a CMOS transistor 1, and a sidewall 26B on the drain side is thicker than a sidewall 26A on the source side.例文帳に追加
ゲート電極27の側壁に形成されるサイドウォール26は、CMOSトランジスタ1のサイドウォール8とは異なり、ドレイン側とソース側とで、水平方向(半導体層2の表面に沿った方向)の厚さが異なっており、ドレイン側のサイドウォール26Bは、ソース側のサイドウォール26Aよりも厚い。 - 特許庁
A utilization side plug socket (appearance side connector) 6 for electrically connecting the electric instrument (for example, illumination unit or the like) using the commercial source as the power source feed source or the electronic instrument (for example, a notebook type personal computer or the like) is mounted in the cabin 5 of the automobile 2.例文帳に追加
自動車2の車内5には、商用電源を電源供給源とする電気機器(例えば、照明器具等)や電子機器(例えば、ノート型パソコン等)を電気的に接続する利用側コンセント(出側接続具)6が取り付けられる。 - 特許庁
The integrator lens 4 is so designed that the image of the light source projected to the lens on a light exit side is made into the largest area in the ratio of the area of the light source projected into the exit side lens relative to the projection area over the entire part of the light source.例文帳に追加
インテグレータレンズ4は、光出射側のレンズに投影される光源の像が、光源全体の投影面積に対し出射側レンズ内に投影される光源の面積の割合が最も大きな面積となるように設計する。 - 特許庁
Moreover, a P channel type power MOSFET 10 and an N channel type power MOSFET 11 are respectively connected between the plus side terminal (+) of a power source for drive 9 and the power source terminal 5b of the IC 5 and between the minus side terminal (-) of the power source 9 and the terminal 5c of the IC 5.例文帳に追加
駆動用電源9のプラス側端子(+)及びマイナス側端子(−)とドライバIC5の電源端子5a及び5bとの各間には、Pチャネル型パワーMOSFET10及びNチャネル型パワーMOSFET11が接続される。 - 特許庁
When the main switch 12 is turned on, the main power circuit 30 supplies a power supply voltage to a light source driver 33 and a light source side CPU 36 of the light source part 28 and a power circuit 39 for an imaging part and a processor side CPU 40 of the processor part 29.例文帳に追加
主電源回路30は、メインスイッチ12がオンされると、光源部28の光源ドライバ33及び光源側CPU36、プロセッサ部29の撮像部用電源回路39及びプロセッサ側CPU40に、電源電圧を供給する。 - 特許庁
When patterns 9d, 9e, 9f represent source disconnection bypass relieving wiring patterns from the outer side of the right side of them, only one line per each block of the bypass wiring patterns intersects a source input wiring group 4 coming out from source drivers 7a, 7b, 7c, 7d, 7e, 7f.例文帳に追加
ソース断線救済バイパス配線右側外側より9d、9e、9fとした場合、各ソースドライバー7a、7b、7c、7d、7e、7fから出るソース入力配線群4と交差するものは各ブロックにつき1本のみとなっている。 - 特許庁
The backlight unit 121 has a light source 1 and a light guide plate 2, with a side face as a light incident surface arranged adjacent to the light source 1 to emit the light incident from the light source 1 to the side from the light-emitting surface 7.例文帳に追加
本発明にかかるバックライトユニット121は、光源1と、光入射面となる側面が光源1と隣接して配置され、側面に入射した光源1からの光を発光面7から出射させる導光板2とを有するものである。 - 特許庁
The main power source 22 includes an overheat protecting function part 22a (power source supply side overheat protecting means) for stopping the power source supply function of the main power source 22, when the temperature of the main power source 22 reaches a temperature Tmain (second protection temperature) which has been set higher than the temperature Tsub1.例文帳に追加
メイン電源22には、メイン電源22の温度が温度Tsub1に比して高く設定された温度Tmain(第2保護温度)に達したとき、メイン電源22の電源供給機能を停止する過熱保護機能部22a(電源供給側過熱保護手段)を備える。 - 特許庁
The induction heating cooker is provided with a switching power source circuit 62 for generating a controlling power source, a ground of the controlling power source is connected with a cooker body 3, and a common mode coil 60 is inserted into power source lines 61a, 61b which are on an output side of the switching power source circuit 62.例文帳に追加
誘導加熱調理器に、制御用電源を生成するスイッチング電源回路62を備え、制御用電源のグランドを調理器本体3に接続すると共に、スイッチング電源回路62の出力側となる電源線61a,61bにコモンモードコイル60を挿入する。 - 特許庁
The film thickness of the gate electrode 9 is formed large on a source side and is formed thin on a drain side due to the film formation from the oblique direction, a platinum diffusion 10 is made deep in the source side of the thick film thickness and the platinum diffusion 10 is made shallow on the drain side of the thin film thickness.例文帳に追加
ゲート電極9は、斜め方向からの成膜に起因してソース側で膜厚が厚く、ドレイン側で膜厚が薄くなっており、膜厚の厚いソース側では白金拡散10が深くされ、膜厚の薄いドレイン側では白金拡散10が浅くされている。 - 特許庁
A sink-side wireless transfer device 301 generates multiple physical addresses by adding a different value to a physical address obtained from a sink unit 101, for each source-side wireless transfer device, and the sink-side wireless transfer device wirelessly transmits the generated physical addresses to the respective source-side wireless transfer devices.例文帳に追加
シンク側無線転送装置301は、シンク機器101から取得される物理アドレスにソース側無線転送装置毎に異なる値を付加することによって複数の物理アドレスを生成し、生成された物理アドレスそれぞれをソース側無線転送装置それぞれに無線送信する。 - 特許庁
Or non-symmetrical LDD structure forming low density dopant areas 27 is also available on both the source area 24 side and drain area 25 side, so that the low density dopant area 27 of the drain area 25 side is longer than the low density dopant area 27 of the source area 24 side.例文帳に追加
または、ソース領域24側とドレイン領域25側の両方に低濃度ドーパント領域27を形成し、ソース領域24側の低濃度ドーパント領域27よりも、ドレイン領域25側の低濃度ドーパント領域の方を長くした非対称LDD構造としてもよい。 - 特許庁
Two selection gate lines SGD1, SGD2 of bit line side selection transistors, and two selection gate lines SGS1, SGS2 of source line side selection transistors are separately short-circuited every 64 lines of the bit lines to form bit line side selection gate lines SGD and source line side selection gate lines SGS.例文帳に追加
ビット線側選択トランジスタの2本の選択ゲート線SGD1、SGD2、ソース線側選択トランジスタの2本の選択ゲート線SGS1、SGS2は、それぞれビット線64本おきに短絡され、ビット線側選択ゲート線SGD、ソース線側選択ゲート線SGSとなっている。 - 特許庁
The movable contactor has a power-source side contact arm 8a and a load-side contact arm 8b extended in the same direction from either end of a bridging part 8e, with each of the pair of movable contacts firmly fixed to the tips of the power-source side contact arm and the load-side contact arm.例文帳に追加
可動接触子は、橋絡部8eの両端部から電源側接点アーム8a及び負荷側接点アーム8bが同一方向に延在し、これら電源側接点アーム及び負荷側接点アームの先端に前記一対の可動接点がそれぞれ固着されている。 - 特許庁
The cooler 28 is connected between the heat source side heat exchanger 24 and the service side heat exchanger 52 for cooling cooling medium liquid down to a temperature at least 15°C lower than a saturation temperature when feeding the cooling medium liquid condensed in the heat source side heat exchanger 24 to the service side heat exchanger 52.例文帳に追加
冷却器28は、熱源側熱交換器24と利用側熱交換器52との間に接続され、熱源側熱交換器24において凝縮された冷媒液を利用側熱交換器52に送る際に、冷媒液を飽和温度よりも15℃以上低い温度まで冷却する。 - 特許庁
Then a left side plate 5C of the left side frame 5 has mounted thereon the side surface connector 34 connected to an external power source 35 from which power is fed via a power source cable 36, the side surface connector 34, a current collector 30, etc. to an electric motor 22 on an upper revolving body 15.例文帳に追加
また、左サイドフレーム5の左側板5Cには、外部電源35と接続される側面コネクタ34を設け、この電源35から電源ケーブル36、側面コネクタ34、集電装置30等を経由して上部旋回体15側の電動機22に給電を行う。 - 特許庁
By making the spacing between a plurality of ribs 31 arranged on a power source plug side larger than that of a plurality of rids 31 arranged on a receptacle strip main body 10 side, pliability of a code protecting portion 30 can be easily increased on the power source plug side more than on the receptacle strip main body 10 side.例文帳に追加
電源プラグ側に配列された複数のリブ31の間隔を、テーブルタップ本体10側に配列された複数のリブ31の間隔よりも広くすることによって、簡単にコード保護部30の電源プラグ側を、テーブルタップ本体10側よりも柔軟性を増すことができる。 - 特許庁
A distance Lr between the source contact 172 and the drain contact 182 of a reception terminal side transistor 50a connected on a reception terminal side is larger than a distance Lt between the source contact 172 and the drain contact 182 of a transmission terminal side transistor 50c connected on a transmission terminal side.例文帳に追加
受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ50aのソースコンタクト172およびドレインコンタクト182間の距離Lrは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ50cのソースコンタクト172およびドレインコンタクト182間の距離Ltよりも長い。 - 特許庁
When the distance of the side 50 of the source region 20 of a first metal silicide layer 30 and the side 52 of the source region 20 of the drain region 22 is set to L1, and the distance of the side 54 of the first metal silicide layer 30 and the side 56 of the drain region 22 is set to L2, it is made L2≥L1.例文帳に追加
第1金属シリサイド層30のソース領域20側の辺50とドレイン領域22のソース領域20側の辺52との距離をL1、第1金属シリサイド層30の辺54とドレイン領域22の辺56との距離をL2とした場合に、L2≧L1にする。 - 特許庁
Synchronization detecting units 37A and 37B detect synchronization signals by receiving the light beam deflected to one side of a light source 32a on one side of an optical deflector 31 used in common and receiving the light beam deflected to an opposite side of an optical axis of a scanning optical system from the light source on the other side of the optical deflector.例文帳に追加
同期検知手段37A、37Bは、共用される1つの光偏向器31を挟んで一方側では光源32a側に偏向される光ビームで、他方側では走査光学系の光軸を挟み反光源側に偏向される光ビームで同期信号を検知する。 - 特許庁
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