「sub-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A first heating resistor 13a, a second heating resistor 13b, and a third heating resistor 13c are divided in the sub-scanning direction of the thermal head and are arranged in parallel to the main scanning direction on a glaze layer 12 on a substrate 11.例文帳に追加

支持基板１１上のグレーズ層１２に第１の発熱抵抗体１３ａ、第２の発熱抵抗体１３ｂ、第３の発熱抵抗体１３ｃがサーマルヘッドの副走査方向に分割され、その主走査方向に並行に配設される。 - 特許庁

In a particular embodiment, oxygen (O_2), nitrogen (N_2), and carbon monoxide (CO) are utilized to etch the amorphous carbon layer to form a mask capable of producing sub-100 nm features on a substrate film having a reduced line edge roughness value.例文帳に追加

特定の実施形態において、酸素（Ｏ_２）、窒素（Ｎ_２）及び一酸化炭素（ＣＯ）を利用して、アモルファスカーボン層をエッチングし、ラインエッジ粗さ値の減じた基板フィルムにサブ１００ｎｍのフィーチャーを製造できるマスクを形成する。 - 特許庁

To provide an optical pickup which provides a servo signal which is stable without interference of the stray light by a main light beam reflected in an adjacent layer different from a target signal recording surface and a sub-light beam, and also to provide an optical disk device.例文帳に追加

対象となる信号記録面とは異なる隣接層で反射した主光ビームによる迷光と副光ビームとの干渉のない安定したサーボ信号が得られる光ピックアップおよび光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

A data packet received by the LAC sub layer is transferred to the QoS data plane according to specific QoS information included therein and processed according to the specific QoS condition and LAC frames of various sizes are generated.例文帳に追加

ＬＡＣ副層で受信されたデータパケットは、それらが含まれる特定のＱｏＳ情報に従ってＱｏＳデータプレーンに転送され、特定のＱｏＳ要件に従って処理されて様々なサイズのＬＡＣフレームを生成する。 - 特許庁

As secondary fabrication of the high-polymer elastic body layer 3, the two surfaces 3b and 3c holding the ride line part 3 a in-between are sub-jected to grinding, by which the surface roughness thereof is finished to ≤3 μm in ten point average roughness.例文帳に追加

高分子弾性体層３の二次加工として稜線部３ａをはさんだ二つの面３ｂ，３ｃに研削加工を施すことにより、その表面粗さが十点平均粗さで３μｍ以下に仕上げられている。 - 特許庁

The part of each heat-storage layer which is located in the part just above the heating element 16a is defined as the first representative points Pg1, Pc1, Pa1, and the part separated from the first representative points in the direction of sub scanning is defined as the second representative points Pg2, Pc2.例文帳に追加

発熱素子１６ａの直上部分に位置する各蓄熱層の部分を、第１代表点Ｐｇ１，Ｐｃ１，Ｐａ１とし、この第１代表点から副走査方向に離れた部分を第２代表点Ｐｇ２，Ｐｃ２とする。 - 特許庁

When non-enlargement is selected by a zoom operating switch 18, an image processing circuit 49 extracts a sub-sensitivity region component (a capillary component of the mucous membrane surface layer) b' from a G pixel value g by correlative operation to an R pixel value r.例文帳に追加

画像処理回路４９は、ズーム操作スイッチ１８で非拡大が選択されたときに、Ｒ画素値ｒとの相関演算により、Ｇ画素値ｇから副感度領域の成分（粘膜表層の毛細血管の成分）ｂ’を抽出する。 - 特許庁

Alternately, the high voltage power source 202 is turned on/off in accordance with the length in the sub-scanning direction in an image forming region, and the ink receiving particle layer 16A may be formed by charging the intermediate transferring body 12 only in the image range L2.例文帳に追加

或いは、画像が形成される領域の副走査方向の長さに対応して、高電圧電源２０２をオン・オフし、画像範囲Ｌ２のみ中間転写体１２を帯電してインク受容性粒子層１６Ａを形成しても良い。 - 特許庁

The sub seal lip 94 is composed of a plurality of rubber layers 94x, 94y which are laminated in the radial direction, and either of the rubber layer 94x, 94y which is located more inside in the radial direction is constituted of a rubber material which is low in linear expansion coefficient.例文帳に追加

この副シールリップ９４がラジアル方向に積層された複数のゴム層９４ｘ，９４ｙからなり、かつラジアル方向内側に位置するゴム層９４ｘ，９４ｙほど線膨張係数の小さいゴム材料にて構成する。 - 特許庁

This method according to the invention, which comprises a step of heat-treating the epitaxial wafer W, having an epitaxial layer EP formed by epitaxially growing silicon single crystals on the surface of a silicon substrate SUB, in a gas atmosphere, is characterized in that the gas atmosphere of the step includes nitride gas.例文帳に追加

シリコン基板ＳＵＢの表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層ＥＰを有するエピタキシャルウェーハＷを雰囲気ガス中で熱処理する工程を有し、該工程の前記雰囲気ガスは、窒化ガスを含む。 - 特許庁

The reduction in unnecessary noise given to a filter 40 from power supply plain 41 is carried out by arranging separately a main power source plain 39, and a sub-power source plain 41 in the vicinity of the filter 40 arranged in the adjacent layer so as not to generate cross talk.例文帳に追加

隣接層に配設したフイルタ４０の近傍に主電源プレーン３９とサブ電源プレーン４１をクロストークしない様に離間して配設することによりフイルタ４０に電源プレーン４１から与える不要ノイズを低減する。 - 特許庁

When the multilayered resin lump 1 is compression-molded in a mold 6 composed of a female mold 7 and a male mold 8, the sub-resins 3 and 4 stacked in a compression direction and compressed are spread as parallel intermediate layers within the layer formed from the the main resin 2 and a container 9 is molded as a multilayered resin molded product formed of the main resin 2 and the sub-resins 3 and 4.例文帳に追加

多層樹脂塊１は、雌型７と雄型８とから成る成形型６で圧縮成形すると、圧縮方向に重ねて圧縮される副樹脂３，４は、主樹脂２から形成される層の内部に平行な中間層として広がり、容器９は、主樹脂２及び副樹脂３，４から形成される多層となった樹脂成形品として成形される。 - 特許庁

The LCD device includes a first substrate with an array of a plurality of pixel regions thereon, a second substrate parallel and opposed to the first substrate with a gap therebetween and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate, wherein the array is divided into the plurality of sub-regions, and each sub-region comprises the plurality of pixel regions.例文帳に追加

複数の画素領域のアレイを当該基板上に有する第１基板と、前記第１基板と平行に対向し、第１基板との間に間隙を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配された液晶層とを含み、前記アレイが、複数のサブ領域に分けられ、各サブ領域が、複数の画素領域を含む液晶ディスプレイデバイスを提供する。 - 特許庁

The electrooptical device has a pair of substrates 7a and 8a holding a liquid crystal layer 12 between them, a plurality of sub pixels D provided on the pair of substrates 7a and 8a, a light reflection film 32 provided on the substrate 8a and an inter-pixel coloring film 37 of a blue color provided along a boundary between the sub pixels D adjacent to each other.例文帳に追加

液晶層１２を挟持する一対の基板７ａ及び８ａと、一対の基板７ａ及び８ａ上に設けられた複数のサブ画素Ｄと、基板８ａ上に設けられた光反射膜３２と、基板８ａ上であって、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の境界に沿って設けられた青色の画素間着色膜３７とを有する電気光学装置である。 - 特許庁

After a surface scale and a sub scale on the Fe-Ni based alloy hot rolled sheet are removed, a treating liquid containing ferric chloride is sprayed on a hot rolled sheet surface to execute finish treatment in which a surface layer part is dissolved and removed by ≥2 g/cm2.例文帳に追加

Fe−Ni系合金熱延板の表層スケールとサブスケールを除去した後、さらにその熱延板表面に塩化第二鉄を含有する処理液を、スプレーすることにより、表層部を２ｇ／ｍ^２以上溶解除去する仕上げ処理を行う。 - 特許庁

This vehicular steering device has a main power source 21 and a sub-power source 22 composed of an electric double layer capacitor chargeable by the main power source 21 in a state of being connected in parallel to the main power source 21, as an electric power supply source to the electric motor 14 for assisting steering.例文帳に追加

操舵補助用の電動モータ１４への電力供給源として、主電源２１と、主電源２１とは並列に接続された状態で主電源２１により充電可能な電気二重層キャパシタからなる副電源２２を備える。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process by optimizing a multi-layer metal structure of a wiring pattern and by forming the wiring pattern of main metal and sub-metal by liquid processing such as ink-jet coating.例文帳に追加

配線パターンを有する基板及びそれを用いた液晶表示装置において、配線パターンの多層金属構造を最適化し、インクジェット塗布等の液体プロセスにより主金属と副金属の配線パターンを形成することで、生産工程を簡素化する。 - 特許庁

The liquid crystal device 100 includes a thin film transistor (TFT) substrate 5 and a color filter (CF) substrate 20 provided facing each other by holding a liquid crystal layer 30, and a main columnar spacer 14 and a sub-pillar spacer 25, having different functions.例文帳に追加

この液晶表示装置１００は、液晶層３０を挟んで互いに対向するように配置されるＴＦＴ基板５およびＣＦ基板２０と、互いに異なる機能を有するメイン柱状スペーサー１４およびサブ柱状スペーサー２５とを備える。 - 特許庁

To provide a method for charging raw materials into a bell-type blast furnace by which segregation in the circular direction and the radius direction in the furnace of little quantity of ore-layer raw material, such as a little quantity of brand of bulky ore and sub-raw material, can remarkably be reduced.例文帳に追加

少量の銘柄の塊鉱石や副原料といった少量鉱石層原料の炉内円周方向および半径方向での偏析を著しく低減することができるベル式高炉の原料装入方法を提供する。 - 特許庁

Liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 120 in the sub-pixel region axisymmetrically align around an axis perpendicular to the surface of the first substrate 110a as a center when a specified voltage is applied between the first electrode 111 and the second electrode 131.例文帳に追加

サブ画素領域における液晶層１２０中の液晶分子は、第１電極１１１と第２電極１３１との間に所定の電圧を印加したとき、第１基板１１０ａの表面に垂直な軸を中心に軸対称配向する。 - 特許庁

A sub-mount substrate 12 includes an upper surface and a lower surface opposite to a substrate 11, and it includes a first light reflection surface 12r being open in the upper surface and a first translucent material layer 12t surrounded by the first light reflection surface 12r.例文帳に追加

サブマウント基板１２は、上面と基体１１に対向する下面とを有しており、上面に開口された第１の光反射面１２ｒと第１の光反射面１２ｒによって囲まれた第１の透光性材料層１２ｔとを含んでいる。 - 特許庁

Between non-standard protocol communication parts 22, 23 of the respective sub-gateways 11, 12, data is transferred using non-standard protocols whose specifications are not disclosed and data is transferred between the non-standard side and the standard side only for an application layer.例文帳に追加

各サブゲートウェイ１１，１２の非標準プロトコル通信部２２，２３間では、仕様が公開されていない非標準プロトコルを用いてデータ授受を行い、非標準側と標準側の間におけるデータ授受は、アプリケーション層のみで行う。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on one main surface of a sapphire board 1, and a p-side electrode 3 and an n-side electrode 4 are formed thereon to form a laser chip, wherein the p-side electrode 3 and the n-side electrode 4 are bonded on a sub-mount 5.例文帳に追加

サファイア基板１の一方の主面上にＧａＮ系半導体層２を形成し、その上にｐ側電極３およびｎ側電極４を形成したレーザチップのｐ側電極３およびｎ側電極４側をサブマウント５上に接着する。 - 特許庁

Consequently, a ridge-support distance is short enough compared with 70 μm in prior art, and it is possible to dissipate produced heat at the active layer 14 to the outside via the ridge 1 and the supports 2, 2 (for example to a holder via a sub mount).例文帳に追加

これにより、リッジ−サポート間距離が、従来の７０μｍに比べて十分に短くなり、活性層１４にて発生した熱を、リッジ１およびサポート２・２を介して外部（例えばサブマウントを介して保持体）に放散することができる。 - 特許庁

The three steps are the step of keeping a mold half storing the golf ball sub-assembly to which the cover layer is applied at a first temperature, the step of heating the mold half to a second temperature, and the step of keeping the mold half to a third temperature.例文帳に追加

斯かる３段階は、前記カバー層を付与したゴルフボールサブアセンブリを収容したモールドハーフを第１の温度に維持する段階と、前記モールドハーフを第２温度まで加熱する段階と、前記モールドハーフを第３の温度に維持する段階とを含む。 - 特許庁

Between non-standard protocol communication parts 22, 23 of the respective sub-gateways 11, 12, data transfer is performed using non-standard protocols whose specifications are not opened and data transfer between the non-standard side and the standard side is performed only by an application layer.例文帳に追加

各サブゲートウェイ１１，１２の非標準プロトコル通信部２２，２３間では、仕様が公開されていない非標準プロトコルを用いてデータ授受を行い、非標準側と標準側の間におけるデータ授受は、アプリケーション層のみで行う。 - 特許庁

To acquire a multilayer circuit board which reduces the mixed noise in the case of cross talk considered to be generated by the voltage of a main power source plain, and a sub-power source plain of the multilayer circuit board in the vicinity of a filter arranged in an adjacent layer, and to acquire a patterning method of the multilayer circuit board.例文帳に追加

多層回路基板の主電源プレーンとサブ電源プレーンの電圧が隣接層に配したフイルタ近傍でクロストークとする場合に混入するノイズを低減する多層回路基板及び多層回路基板のパターニング方法を得る。 - 特許庁

A 2-division wavelength plate 20 is inserted into an optical path of a reflected light from an optical disk containing a stray light from an adjacent layer, and an area where no interference with the stray light occurs is detected by a 4-division detector to form a push-pull signal by sub-rays.例文帳に追加

隣接層からの迷光を含む光ディスクからの反射光の光路に二分割波長板２０を挿入し、迷光との干渉が起こらない領域を四分割検出器で検出して副光線によるプッシュプル信号を形成する。 - 特許庁

A color area CL where a colorant layer 22 of a color filter exists and a non-colored area NC where the colorant layer 22 doesn't exist are provided in a sub-pixel 40, and the non-colored area NC is provided with a lower substrate height adjustment film 120 and a reflecting film 21 on the surface of the adjustment film 120.例文帳に追加

サブ画素４０内に、カラーフィルタの色材層２２が存在する着色領域ＣＬと、色材層２２が存在しない非着色領域ＮＣとが設けられ、非着色領域ＮＣには、下基板の高さの調整膜１２０が設けられるとともに、調整膜１２０の表面に反射膜２１が設けられている構成とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose pattern layout is optimized so that the yield of flattening by CMP is not influenced owing to increase of the integration degree of the semiconductor device having a well contact diffusion layer and a sub-contact diffusion layer disposed between both P- and N-channel transistor arrays arranged facing each other.例文帳に追加

Ｐｃｈトランジスタ列とＮｃｈトランジスタ列とが向かい合って配置された半導体集積回路において、両トランジスタ列間にウェルコン拡散層及びサブコン拡散層が配置された装置の集積度を高めても、ＣＭＰによる平坦化を行う際に歩留まりに悪影響のないパターンにレイアウトを最適化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light emitting tube array type display sub-module includes a plurality of light emitting tubes arranged in parallel, wherein on the surface opposite to the surface on which the display electrodes of the display electrode film layer with the display electrode formed on one surface are formed, an electro-magnetic wave shielding layer extending beyond an effective display electrode area in which the plurality of light emitting tubes exist is formed.例文帳に追加

複数の発光管を並列に配置してある発光管アレイ型表示サブモジュールにおいて、一方の面に表示電極が形成してある表示電極フィルム層の表示電極が形成されている面の反対側の表面に、複数の発光管が存在する有効表示電極領域を超えて延伸する電磁波シールド層を形成する。 - 特許庁

The organic EL display device comprises a transparent first electrode AD which is formed on a first insulating film BNK that is formed for every pixel on the inner face of an insulating substrate SUB with its cross-section of right trapezoid, an organic light-emitting layer LML formed on the first electrode AD, and a second electrode ED of reflective performance formed on the organic light-emitting layer LML.例文帳に追加

絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜ＢＮＫの上に形成された透明性の第１電極ＡＤと、第１電極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層ＬＭＬの上に形成された反射性の第２電極ＥＤとを有する。 - 特許庁

In preferred embodiments, the pressure in the dissolving step is equal to or higher than the critical pressure (7.38 MPa) of carbon dioxide, and the carbon dioxide in a liquid state is changed into carbon dioxide in a supercritical or sub-critical state in the coating layer forming step.例文帳に追加

該溶解工程における圧力が、二酸化炭素の臨界圧力（７．３８ＭＰａ）以上である態様、該被覆層形成工程において、液体状態の二酸化炭素を、超臨界乃至亜臨界状態の二酸化炭素に変える態様などが好ましい。 - 特許庁

Main block selection lines MBS0 and MBS1 connecting a main row decoder MRD and a sub row decoder SRD are composed by using memory cells in a cell block, a metal line CI used between the memory cells and the distribution layer that is the same as plate lines PL, /PL.例文帳に追加

セルブロック内のメモリセル、メモリセル間に使用する金属配線ＣＩや、プレート線ＰＬ，／ＰＬと同じ配線層を用いて、メインローデコーダＭＲＤとサブローデコーダＳＲＤを接続するメインブロック選択線ＭＢＳ０，ＭＢＳ１を構成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-temperature single electron pair tunnel element using a layered oxide superconducting material which is provided with a tunnel junction layer of sub-micron square order or smaller and can operate at a temperature equal to that of liquid helium (4.2 K) or higher.例文帳に追加

サブミクロン平方オーダー以下のトンネル接合層を備え、その接合数を可変にすることにより液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以上で動作可能な層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal device has a liquid crystal layer interposed between a color filter substrate provided with a unit pixel constituted of a plurality of sub pixels and having colored layers of G, R and B and an element substrate having an interlayer insulating film forming a multi gap structure.例文帳に追加

半透過反射型の液晶装置は、複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、Ｇ、Ｒ、Ｂの各着色層を有するカラーフィルタ基板と、マルチギャップ構造を形成する層間絶縁膜を有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

A first pulley 8 for driving alternator 7 which is a sub flywheel system is divided into an inner peripheral part 9 directly fixed to a crankshaft 2 and an outer peripheral part 10 receiving a belt 6, and the inner peripheral part 9 and the outer peripheral part 10 are connected by a rubber layer 12 serving as a spring element.例文帳に追加

副フライホイール系となるオルタネータ７を駆動する第１のプーリ８は、クランクシャフト２に直接固定された内周部９と、ベルト６を受ける外周部１０と、に二分割されており、ばね要素となるゴム層１２によって結合されている。 - 特許庁

A light shielding layer 23 for light-shielding the gap between sub pixels 7 is formed by laminating at least a dark color part 221B of a blue color filter 22B, a dark color part 221R of a red color filter 22R and a dark color part 221G of a green color filter 22G.例文帳に追加

各サブ画素７の間隙を遮光するための遮光層２２は、少なくとも、青色のカラーフィルタ２２Ｂの濃色部２２１Ｂと、赤色のカラーフィルタ２２Ｒの濃色部２２１Ｒと、緑色のカラーフィルタ２２Ｇの濃色部２２１Ｇとが積層されたものである。 - 特許庁

The light shielding layer 22 which shields a gap of each sub-pixel 7 from light is formed by laminating at least a deep color part 221B of a color filter 22B of blue, a deep color part 221R of a color filter 22R of red, and a deep color part 221G of a color filter 22G of green.例文帳に追加

各サブ画素７の間隙を遮光するための遮光層２２は、少なくとも、青色のカラーフィルタ２２Ｂの濃色部２２１Ｂと、赤色のカラーフィルタ２２Ｒの濃色部２２１Ｒと、緑色のカラーフィルタ２２Ｇの濃色部２２１Ｇとが積層されたものである。 - 特許庁

A light shield layer 22 which shields a gap between sub-pixels 7 is formed by laminating at least a deep color part 221B of a blue color filter 22B, a deep color part 221R of a red color filter 22R, and a deep color part 221G of a green color filter 22G.例文帳に追加

各サブ画素７の間隙を遮光するための遮光層２２は、少なくとも、青色のカラーフィルタ２２Ｂの濃色部２２１Ｂと、赤色のカラーフィルタ２２Ｒの濃色部２２１Ｒと、緑色のカラーフィルタ２２Ｇの濃色部２２１Ｇとが積層されたものである。 - 特許庁

In a belt 7 layer, an outer belt ply 7C arranged outside a belt ply 7B with maximum width is provided with a sub part 7C2 extending to be gradually separated from the belt ply 7C with maximum width from an outer end Pc of a main part 7C1 overlaid with the belt ply 7B with maximum width.例文帳に追加

前記ベルト７層は、最大巾のベルトプライ７Ｂの外側に配される外のベルトプライ７Ｃは、最大巾のベルトプライ７Ｂと重置する主部７C1の外端Ｐｃから、前記最大巾のベルトプライ７Ｃとは徐々に離間してのびる副部７C2を具える。 - 特許庁

The blue light emitted from 72G along the organic EL among magenta light M emitted from the organic EL layer 50 is changed to green light Lg by a fluorescence changing film 30, and the green light G is emitted from a sub pixel 72G through a color filter 22G.例文帳に追加

有機ＥＬ層５０から出射されたマゼンダ光Ｍのうち有機ＥＬ沿い７２Ｇから出射された青色光は、蛍光変換膜３０によって緑色光Ｌｇに変換され、カラーフィルタ２２Ｇを介して緑色光Ｇがサブ画素部７２Ｇから出射される。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by providing a coating layer comprising a sub-micron pigment and a crosslinked polyvinyl alcohol on a substrate, and processing it by a re-wet cast method using a re-wet liquid comprising a polyvalent metal salt of a higher fatty acid and an oxidized paraffin wax.例文帳に追加

基材上に、サブミクロン顔料、架橋されたポリビニルアルコールを含有する塗工層を設け、高級脂肪酸の多価金属塩および酸化パラフィンワックスを含む再湿潤液を用いたリウエットキャスト法により処理してインクジェット記録媒体を製造する。 - 特許庁

A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加

第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層４５におけるＧａ欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ１を製造することができる。 - 特許庁