「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate washing method for well washing a substrate in a shorter time by using an inexpensively furnished washing agent having no fear exerting adverse effect on the environment.例文帳に追加

環境に悪影響を与える恐れのない安価に調達できる洗浄剤を用いて、より短時間、且つ良好に基板の洗浄を行うための基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing a short channel effect by reducing or eliminating substrate digging caused in a substrate around a gate electrode due to etching.例文帳に追加

ゲート電極周辺の基板に生じるエッチングによる基板掘れを低減又は解消し、短チャネル効果を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A power substrate 49 mounted with a field effect transistor as a motor driving element and a control substrate 50 that controls the motor driving element are disposed to face each other at a predetermined interval.例文帳に追加

モータ駆動素子としての電解効果トランジスタを実装したパワー基板４９と、モータ駆動素子を制御する制御基板５０とを、所定間隔離隔して対向するように配置する。 - 特許庁

To provide an organic polymer substrate for a composite material useful as a bioaffinity material, filter material, etc., by an organic polymer and inorganic compound-laminating method hardly having an effect of the substrate.例文帳に追加

基材の影響を受けにくい有機ポリマー無機化合物積層法により、生体親和性材料、フィルター材料などに有用な複合材料の有機ポリマー基材を提供する。 - 特許庁

A water content in the substrate is turned into a mist by a synergistic effect due to a centrifugal force, a blowing-off due to the inert gas and a reduced pressure to enable to efficiently remove the water content and the substrate can be completely dried.例文帳に追加

遠心力と、不活性ガスによる吹き飛ばしと、減圧とによる相乗効果で、水分をミスト化して効率良く除去することができ、基板の完全乾燥ができる。 - 特許庁

To obtain a pest-controlling ink for substrate treatment causing no deterioration in its printability, adhesive performance to substrate and coating film hardness without lowering its pest-repelling effect.例文帳に追加

害虫忌避効果を低減させることなく、しかも印刷適性の低下、基板への密着性能の低下、塗膜硬度の低下を生じない基板処理用害虫防除インキを提供する。 - 特許庁

The radiation sensing parts 130 are formed on the semiconductor substrate 102 opposite to the first and the second electric field effect transistors 110 and 120 formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１０２上に形成した第１及び第２の電界効果トランジスタ１１０，１２０に対して上記半導体基板上に輻射線感受部１３０を形成した。 - 特許庁

The substrate surface of the present invention further may include a conductive layer selectively between the substrate and the DLC thin film, in order to enhance an electron emission effect in the present invention.例文帳に追加

また、本発明の電子放出効果を高めるために、本発明の基板表面はさらに、基板とＤＬＣ薄膜の間に選択的に導電層を包括する事ができる。 - 特許庁

The semiconductor device 10a includes a semiconductor substrate 11 having a main surface 12, and a semiconductor element having an insulated gate type field effect part formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１０ａは、主表面１２を有する半導体基板１１と、半導体基板１１に形成された絶縁ゲート型電解効果部を有する半導体素子とを備える。 - 特許庁

In this case, the metal impurity is removed from the relevant substrate because the surface area of the substrate is etched and thereby the metal impurity is captured with the chelate effect of the CyDTA.例文帳に追加

この場合、基板の表面部がエッチングされることにより金属不純物が当該基板から除去され、そして金属不純物はＣｙＤＴＡのキレート作用により捕獲される。 - 特許庁

The semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate SB having a main surface 12, and a semiconductor element having an insulating gate type electric field effect part formed on the semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体装置２００は、主表面１２を有する半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢに形成された絶縁ゲート型電界効果部を有する半導体素子とを備える。 - 特許庁

To reduce the harmful effect of phosphorous atoms in an InP substrate being emitted from a grid site, and going into an epitaxial layer formed on the substrate when it is heated to a growth temperature.例文帳に追加

成長温度に加熱されたときに、ＩｎＰ基板中のＰ原子が格子サイトから放出され、基板上に形成されたエピタキシャル層に入る有害な効果を減少させる。 - 特許庁

To provide a periphery of a drain on a roof floor and a construction method thereof, which eliminates need of drilling a hole in a substrate and achieves excellent construction effect without damaging the substrate.例文帳に追加

下地の穴あけ加工を不要として、下地の損傷のない、良好な施工効果を実現することができる、屋上におけるドレン周辺部およびその施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate structure capable of controlling the threshold voltage of a MOS transistor, without depending on the substrate concentration and readily suppressing short-channel effect caused by reducing the channel length.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値電圧を基板濃度に依ることなく制御でき、チャネル長が極微細化した場合のショートチャネル効果の抑制が容易となる基板構造を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate transporting apparatus capable of transporting a substrate such as a semiconductor wafer with high precision for a long period of time, while reducing a thermal effect from a deposition treatment device to a minimum.例文帳に追加

成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる基板搬送装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plastic substrate of arbitrary size with super water- repellent effect and a reflection preventive structure, and to provide a method for mass-producing the plastic substrate and reflection preventive structure at low cost.例文帳に追加

任意のサイズの超撥水効果を有するプラスチック基板や反射防止構造体及びそのプラスチック基板や反射防止構造体を安価に大量生産する方法を提供する。 - 特許庁

The selective heating of polysilicon under the metal halide lamp combines heating of the whole TFT substrate under the halogen lamp, so that the mismatching of cooling gradient or bimetal effect of the substrate and a thin film can be removed, and bending or deformation of the substrate can be prevented.例文帳に追加

メタルハライドランプによるポリシリコンの選択的加熱とハロゲンランプによるＴＦＴ基板全体の加熱とを組み合わせることにより、冷却勾配の不整合性、基板と薄膜のバイメタル効果を排除し、反り、変形を防止する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a silicon semiconductor substrate capable of depositing a minute defect of a level allowing an IG effect to be expected in the substrate in a short time after forming a silicon epitaxial layer on the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン半導体基板上にシリコンエピタキシャル層を形成した後、短時間で基板内部にＩＧ効果の期待できる程度の微小欠陥を析出させることが可能なシリコン半導体基板の熱処理方法の提供。 - 特許庁

Thereby, since the recovered glass substrate can be reused as a sheet glass as it is, as a glass substrate for a comparatively small sized liquid crystal panel one size smaller than the original substrate or the like, larger economical effect is obtained.例文帳に追加

これにより、回収したガラス基板をそのまま板ガラスとして、つまり、一回り小さい比較的小型の液晶パネルのガラス基板等として再使用することができるので、より大きな経済的効果を得ることができる。 - 特許庁

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板１に、酸素濃度が３．０×１０^１６／ｃｍ^３以下の基板を用いる。 - 特許庁

The optical element comprises a pair of substrates 11, 12 interposing a substance having an optical effect, in which one or a plurality of substrate end faces of at least one substrate in one or a plurality of substrates are covered with a sealing material 14 that seals the substance having the optical effect.例文帳に追加

一対の基板間１１，１２に光学効果を有する物質を狭持した光学素子であり、１乃至複数の基板の少なくとも１枚の基板の１乃至複数の基板端面を、光学効果を有する物質をシールするシール材１４により覆う。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type head of which the insulating layer is not stripped off from the surface of the substrate even when the sliding surface of the magnetoresistive effect type head is pressurized when reproducing a magnetic tape.例文帳に追加

磁気テープの再生時に磁気抵抗効果型ヘッドの摺動面に圧力が加わった場合でも、絶縁層が基板上から剥離することがない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

The epitaxial wafer for the field effect transistor comprises an InGaN low-temperature deposit layer 5 provided on the sapphire substrate 6, and GaN field effect transistor structures 1 to 3 provided on the layer 5 via a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設ける。 - 特許庁

In the case of forming forty reflection layers on a glass substrate, layers up to the 20th layer are formed by a condition having a large flattening effect and layers from the 21st layer up to the 40th layers are formed by a condition having no flattening effect.例文帳に追加

ガラス基板上に４０層の反射層を形成する場合、２０層までは、平坦化効果が大きい条件で成膜し、２１層以上は、平坦化効果がない条件で成膜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package substrate, where the effect from a mechanical stress to an easiest-to-break signal trace is reduced and the effect to the other metal layer is reduced, as small as possible simultaneously.例文帳に追加

最も壊れやすい信号トレースに対する機械的応力の影響を少なくして、同時に他の金属層への影響はできるだけ少なくした半導体パッケージ基板を提供すること。 - 特許庁

In the case of forming a reflective layer of forty layers on a glass substrate, twenty layers are formed under the condition that planarization effect is large, and layers after the twentieth layer are formed under the condition that no planarization effect is exerted.例文帳に追加

ガラス基板上に４０層の反射層を形成する場合、２０層までは、平坦化効果が大きい条件で成膜し、２１層以上は、平坦化効果がない条件で成膜する。 - 特許庁

To provide a spin valve type magneto-resistance effect reproducing head capable of suppressing the occurrence of short-circuit between a spin valve type magneto-resistance effect film and the magnetic field layer of a substrate side, and exhibiting good magnetic characteristics.例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果膜と基体側の磁気シールド層との間の短絡の発生を抑制可能であり、良好な磁気特性を発揮するスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insolation insulating film 4 formed on a main surface of a semiconductor substrate 1 including a first conductive region 2, and a first field-effect transistor 38a and a second field-effect transistor 38b.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型領域２を含む半導体基板１の主表面に形成された分離絶縁膜４と、第１および第２の電界効果型トランジスタ３８ａ、３８ｂとを備える。 - 特許庁

To enhance a clarification effect (an air bubble reduction effect) with an alkali metal oxide in producing a glass plate containing a minute amount of the alkali metal oxide as a glass substrate for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用ガラス基板として、微量のアルカリ金属酸化物を含むガラス板を製造するに際し、アルカリ金属酸化物による清澄効果（気泡低減効果）を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a strained Si layer, a method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor in which a strained Si layer of good quality can be formed thicker than a conventional one.例文帳に追加

歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタにおいて、良質な歪みＳｉ層を従来より厚く成膜すること。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting device which prevents damages of a protection member formed between a substrate and a sealing substrate when the substrate and the sealing substrate are jointed by frit glass and the organic light-emitting device is sealed, and which is improved in durability and sealing effect, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板と封止基板とをフリットガラスで接合し有機発光素子を封止する際に、基板と封止基板との間に形成される保護部材の損傷を防止すると共に、耐久性及び封止効果が向上されている有機発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a holding member such as a chuck pin for holding the substrate W by butting against the end face thereof can be eliminated and the substrate W can be processed under such a state as it is positioned precisely while preventing adverse effect on the substrate W caused by holding of the substrate.例文帳に追加

したがって、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材を不要とすることができ、基板保持に起因する基板への悪影響を防止しながら精度良く位置決めされた状態で基板Ｗを処理することができる。 - 特許庁

In this way, the mirror substrate 1900 and the electrode substrate 2000 are separated from each other by the gap auxiliary layer 2101 and the rib structure 2010, and the excellent effect of being able to widen the gap between the mirror substrate 1900 and the electrode substrate 2000 more easily can be obtained.例文帳に追加

これにより、ミラー基板１９００と電極基板２０００とが、ギャップ補助層２１０１とリブ構造体２０１０とにより離間しているようになり、ミラー基板１９００と電極基板２０００との間隔が、より容易に大きくできるようになるという優れた効果が得られる。 - 特許庁

By using the polarizing plate substrate of this constitution, plane precision is more easily obtained than using a sapphire substrate with high hardness while the same cooling effect with the use of a conventional sapphire substrate is held to lower the cost compared with the case when an expensive sapphire substrate is used.例文帳に追加

該構成の偏光板基板を用いることにより、従来のサファイヤ基板を用いる場合と同等の冷却効果を保持した状態で、硬度の高いサファイヤ基板に比べて平面精度が確保しやすく、高価なサファイヤ基板に比べてコスト低減が実現できる。 - 特許庁

The electrooptical crystal element for the terahertz electromagnetic wave detector is constituted by joining the 1st crystal substrate (terahertz electromagnetic wave incidence side) made of ZnTe-based compound semiconductor single crystal having electrooptical effect and the 2nd crystal substrate which has lower resistance and smaller electrooptical effect than the 1st crystal substrate and has the same component composition with the 1st crystal substrate.例文帳に追加

テラヘルツ電磁波検出器用の電気光学結晶素子を、電気光学効果を有するＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶からなる第１結晶基板（テラヘルツ電磁波入射側）と、前記第１結晶基板よりも低抵抗でかつ電気光学効果が小さく、前記第１結晶基板と同じ成分組成を有する第２結晶基板とを接合して構成するようにした。 - 特許庁

To prevent the deterioration of the driving power of a transistor and suppress a short channel effect as to an MOSFET formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳＦＥＴについて、トランジスタの駆動力の低下を防ぐとともに短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To remarkably improve the washing effect of a substrate by efficiently using a small amount of washing liq. to perform highly clear washing.例文帳に追加

少量の洗浄液を極めて効率よく使用し、高清浄な洗浄を可能として、基板洗浄効果を格段に向上させる。 - 特許庁

To provide an SRAM memory cell in which a floating effect occurring when an SOI substrate is used and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を使用する場合に発生する浮動体効果を除去するＳＲＡＭセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is a method to effect heat treatment of a sheet-form substrate in a radiation heating type heat treatment furnace provided at an upper part in the furnace with a heating means.例文帳に追加

炉内上部に加熱手段を備えた輻射加熱式の熱処理炉にて薄板状基板を熱処理する方法である。 - 特許庁

Then, the reflective mask is used to form a pattern on a substrate corresponding to the oblique incidence effect measuring pattern.例文帳に追加

そして、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する。 - 特許庁

To reduce the burdens on the processing of a main control substrate and to output fine SE(sound effect) corresponding to images.例文帳に追加

主制御基板の処理の負担を軽減化すると共に、画像に対応したきめ細かな効果音を出力することを目的とする。 - 特許庁

The method further comprises depositing a film with the thickness which does not generate a shadowing effect by each target, while moving the three-dimensional substrate along the moving route.例文帳に追加

各ターゲットによりシャドウイング効果を発生しない厚さで該立体基板を該移動経路に沿って移動させながら成膜する。 - 特許庁

Through anchor effect of the projections, the resin layer is securely restrained by the support base, so the warpage of the circuit substrate is suppressed.例文帳に追加

突起物のアンカー効果により、樹脂層が支持台に確実に拘束されるため、回路基板が反るのを抑制することができる。 - 特許庁

To simultaneously suppress a reverse narrow channel effect and junction leak current between a source/drain region and the substrate of a MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおいて、逆狭チャネル効果と、ソース／ドレイン領域と基板との間での接合リーク電流と、を同時に抑制する。 - 特許庁

The field effect transistor 1 has a substrate 10 with a first cavity 51, a gate electrode 40, and a diffusion layer 60.例文帳に追加

本発明による電界効果トランジスタ１は、第１の空洞５１を有する基板１０と、ゲート電極４０と、拡散層６０とを備える。 - 特許庁