「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(748ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, since a light shielding film 1g is formed at the lower side of a photosensitive resin layer 12, a risk that light transmitted through the TFT-arrayed substrate 10 is reflected by the vacuum chuck 500 and thereby transfers marks and the like of suction holes 501, etc., to the photosensitive resin 13 can be avoided.例文帳に追加

この際、感光性樹脂層１２の下層側に遮光膜１ｇが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０を透過した光が吸着チャック５００で反射して吸引孔５０１の痕などが感光性樹脂１３に転写されてしまうなどの不具合を回避することができる。 - 特許庁

To avoid a deficiency in bonding force during mounting with respect to a semiconductor device such that the top surface of an upper-layer insulator film on a high-frequency integrated circuit provided at a top-surface center of a silicon substrate is defined as a wiring formation inhibition region for avoiding crosstalk with the high-frequency integrated circuit.例文帳に追加

シリコン基板の上面中央部に設けられた高周波集積回路上の上層絶縁膜の上面を高周波集積回路とのクロストークを避けるための配線形成禁止領域とした半導体装置において、実装時の接合力が不足しないようにする。 - 特許庁

The insulator ink for printing an insulating coating layer on a substrate on which a circuit is formed includes: an insulating resin composition containing thermosetting resin and a high-molecular-weight component; and a solvent of which the vapor pressure at 25°C is ≥4.0×10^2 Pa and <1.34×10^3 Pa.例文帳に追加

回路加工した基板に印刷する絶縁体インクにおいて、熱硬化性樹脂及び高分子量成分を含む絶縁樹脂組成物と、２５℃における蒸気圧が４．０×１０^２Ｐａ以上、１．３４×１０^３Ｐａ未満の溶剤と、を含有する絶縁体インク。 - 特許庁

A trench channel 5 is formed whose cross-sectional shape is tapered, in the normal order of a bottom getting narrower against an upper part, by combination of a wet-etching with an insulating film 3 and a dry-etching using an isotropic gas with an i-layer 2 and an n-type high concentration substrate 1.例文帳に追加

ウエットエッチング法による絶縁膜３のエッチングと、等方性ガスを用いたドライエッチング法によるｉ層２およびｎ型高濃度基板１のエッチングとを組み合わせることにより、その断面形状が、底部が上部に比べて細い順テーパー形状となるトレンチ溝５を形成する。 - 特許庁

A via hole 114 is formed in a core substrate 111 whose surface is provided with conductive layers 112 and 113, and then a base conductive layer 121 is formed on almost the overall face, and an area where conductive materials 140 should not be formed is masked by dry films 131 and 132.例文帳に追加

表面に導電層１１２，１１３が設けられたコア基板１１１にビアホール１１４を形成した後、下地導電層１２１をほぼ全面に形成し、さらに、導電性材料１４０を形成すべきでない領域をドライフィルム１３１，１３２によってマスクする。 - 特許庁

This magnetic recording medium is obtained by forming a magnetic film on a nonmagnetic substrate while introducing oxygen by an oblique deposition method so that the ratio of the oxygen concentration A in the middle layer of the magnetic film to the oxygen concentration B on the surface satisfies the expression: 0.55<A/B<0.85.例文帳に追加

斜方蒸着法により酸素を導入しながら非磁性基板上に磁性膜を膜付けした磁気記録媒体において、前記磁性膜の中層酸素濃度Ａと、表面酸素濃度Ｂとの比率が、０．５５＜Ａ／Ｂ＜０．８５の関係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

A base region 3 consisting of a p-type region is formed in an n-type semiconductor layer 2 which is epitaxially grown on an n+-type semiconductor substrate 1 e.g. made into a collector region, and an emitter region 4 consisting of an n-type region is formed in the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域とするたとえばｎ^＋形半導体基板１上にエピタキシャル成長されたｎ形半導体層２にｐ形領域からなるベース領域３が設けられ、そのベース領域３内にｎ形領域からなるエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

A circularly polarized wave antenna 11 is so constituted that, on an upper layer print substrate 51 in a cylindrical radome 50, a radiant element 11A and a radiant element 11B are arranged on the same axial line in the longitudinal direction of the cylindrical radome 50 with an interval of roughly half-way length of the used frequency.例文帳に追加

円筒レドーム５０内の上層プリント基板５１上に、放射素子１１Ａ及び放射素子１１Ｂを円筒レドーム５０の長手軸線方向と同一の軸線上に使用周波数の略半波長の間隔をおいて配置し、円偏波アンテナ１１を構成する。 - 特許庁

A heat dissipation substrate 11 is provided with a terminal 12 formed of a lead frame 19, wherein the terminal is made locally high in performance (for higher heat dissipation and high tensile strength) by: providing a recess 20 in part of the terminal 12, protruding portions of the recess 20 from the terminal 12 to the right and the left; and burying them in a heat transfer layer 14.例文帳に追加

リードフレーム１９からなる端子１２の一部に凹部２０を設け、更に、凹部２０の一部を、端子１２から左右に張り出すようにして、伝熱層１４に埋め込むことで、端子１２を局所的に高性能化（高放熱化、高引張り強度化）できる放熱基板１１を提供する。 - 特許庁

A gas constituting a main raw material, a gas constituting an auxiliary raw material, a gas constituting a carrying medium, etc., are allowed to flow into a reaction chamber 10 from a raw material feeder 23, and the chemical reaction is generated between the gases in the reaction chamber 10 to form a film (a metal copper layer) on a surface of a substrate W.例文帳に追加

反応室１０内に原料供給装置２３から主原料となる気体、補助原料となる気体、搬送媒体となる気体等を流入し、反応室１０内で気体間に化学反応を起こし、基板Ｗ表面に膜（金属銅層）を形成する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive transcribing tape having not only advantageous adhesive cutting properties at the terminal of a transcription, but also advantageous adhesive transcribing properties at the initiation of a transcription while retaining satisfactory adhesion force in which an occupied area of an adhesive layer relative to a substrate is enhanced.例文帳に追加

基材に対する粘着剤層の占有面積が上げられ、十分な接着力を保持しつつ、転写終わりの良好な粘着剤切れ性を有し、かつ、転写始めの良好な粘着剤転写性も有する感圧転写テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

A photocurrent multiplying layer 2 is formed of a coevaporation film (a film thickness of 500 nm) of Me-PTC and PhEt-PTC, its both sides are nipped in a sandwich form between an ITO electrode 4 and an Au electrode 6 with a film thickness of 20 nm to constitute a cell, and the cell is supported by a glass substrate.例文帳に追加

光電流増倍層２はＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの共蒸着薄膜（膜厚５００ｎｍ）からなリ、その両側をＩＴＯ電極４と膜厚２０ｎｍのＡｕ電極６とでサンドイッチ状に挟んでセルを構成しており、ガラス基板１０により支持している。 - 特許庁

Since the phase difference plate 2 is separated from the polarizing plate and disposed in the liquid crystal cell, the distance between the liquid crystal layer 9 and the phase difference plate 2 is reduced, which decreases deviation of rays by the thickness of the glass substrate 1 and significantly improves the viewing angle characteristics.例文帳に追加

これにより、位相差板２は偏光板から分離されており、液晶セル内に位相差板２が設けられているので、液晶層９と位相差板２の距離が近づき、ガラス基板１の厚みによる光線のずれが軽減されるので、視角特性が著しく改善する。 - 特許庁

A plurality of the light emitting units 1 are formed by electrically isolating a semiconductor laminate 17 laminated on a substrate 1 such that a light emitting layer is formed into a plurality of divisions, and the plurality of the light emitting units 1 are respectively connected in series and in parallel by a wire film 3.例文帳に追加

基板１上に発光層を形成するように積層された半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部１が形成され、この複数個の発光部１が、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続されている。 - 特許庁

The nonreversible circuit element 1 roughly consists of a metal case (a metal upper case 4 and a metal lower case 8), a permanent magnet 9, a center electrode assembly 13 and a multi-layer substrate 30 having a resistive element and a capacitor element for matching built-in and from which terminal electrodes 14, 15, 16 project.例文帳に追加

非可逆回路素子１は、概略、金属ケース（金属製上側ケース４及び金属製下側ケース８）と、永久磁石９と、中心電極組立体１３と、抵抗素子と整合用コンデンサ素子を内蔵し、端子電極１４，１５，１６が突出している多層基板３０からなる。 - 特許庁

A first and second buildup layers 13, 14 made of soft resins each having a modulus of elasticity of 5000 MPa or less are formed on one surface of a hard core substrate 12, and an electrode 30 connected to a via 29 is formed on the outer surface of the second buildup layer 14.例文帳に追加

硬質のコア基板１２の一方の面に弾性係数が５０００ＭＰａ以下の柔軟な樹脂から成る第１ビルドアップ層１３および第２ビルドアップ層１４を形成し、しかも第２ビルドアップ層１４の外表面にビア２９と接続された電極３０を形成する。 - 特許庁

A p-type MOS transistor 21 is formed to provide, as a channel region 21c, a region including a plane (111) as the facet plane where hole mobility is larger as the carrier mobility than the plane (100) as the principal plane of the semiconductor substrate 11 in an epitaxial growth film layer 112.例文帳に追加

エピタキシャル成膜層１１２において半導体基板１１の主面である（１００）面よりも、キャリア移動度として正孔移動度が大きいファセット面である（１１１）面を含む領域が、チャネル領域２１ｃになるように、ｐ型ＭＯＳトランジスタ２１を形成する。 - 特許庁

In an SOI layer 99 of an SOI substrate 100 having a buried oxide film 102, a first insulating isolation trench 109 is formed deep enough to reach the buried oxide film 102, and the IGBT is formed in an element region 103 insulated and isolated while enclosed with the first insulating isolation trench 109.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２を有するＳＯＩ基板１００のＳＯＩ層９９に、埋め込み酸化膜１０２に達する深さまで第１絶縁分離トレンチ１０９を形成し、第１絶縁分離トレンチ１０９に取り囲まれて絶縁分離された素子領域１０３にＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

When the diffraction angle is at a certain value or above, the angle formed against the normal line of the solar cell increases and the light is totally reflected on the above surface of a silicon thin-film layer (solar cell element 10) or the surface of a transparent plastic film substrate 13 and returns the solar cell element 10.例文帳に追加

この回折角度がある値以上に大きいときには、太陽電池の法線に対する角度が増大し、シリコン薄膜層（太陽電池素子１０）の上面あるいは透明プラスチックフィルム基板１３の表面において全反射されて太陽電池素子１０に戻る。 - 特許庁

The method of making a circuitized substrate has at least a step of providing an optical core 33 on a first cladding layer 14 having at least one end portion contiguous at least one upstanding member 15', and is applied to provide an optical pathway for optical signals passing through the optical core 33.例文帳に追加

少なくとも１つの直立部材１５'に近接する少なくとも１つの端部部分を有する第１のクラッディング層１４の上に光学コア３３を設ける工程を少なくとも有して、この光学コア３３を通過する光信号用の光学経路を提供するように適合されること。 - 特許庁

The capacitor 15 for signal storage is constituted in such a manner that high density semiconductor regions 15D, 15S of the first conductivity type are formed on the semiconductor substrate 11 and an electrode 15G is formed via an insulation layer 12b on the region between the semiconductor regions 15D, 15S.例文帳に追加

信号蓄積用キャパシタ１５は、半導体基板１１上に第１導電型の高濃度の半導体領域１５Ｄおよび１５Ｓを形成し、半導体領域１５Ｄ，１５Ｓ間の領域上に絶縁層１２ｂを介して電極１５Ｇを形成して構成する。 - 特許庁

This organic EL display 20 is provided with stripe-like first electrodes 22, an insulating layer 23 formed with multiple opening sections 24 with a nearly rectangular shape in the plan view on the first electrodes 22, organic layers 25a-25c, and stripe-like second electrodes 26 on a transparent substrate 21.例文帳に追加

透明基板２１上に、ストライプ状の第１の電極２２…と、第１の電極２２上に平面視略矩形状の開口部２４を複数形成した絶縁層２３と、有機層２５と、ストライプ状の第２の電極２６…とが形成された有機ＥＬディスプレイ２０である。 - 特許庁

A quantum well layer 22 in the quantum well structure has an intersection region 22a intersecting a virtual plane approximately perpendicular to the arrangement direction of the quantum well structure with respect to the semiconductor substrate 10, and the real part of the dielectric constant of the quantum well structure is negative to THz waves at a predetermined wavelength.例文帳に追加

量子井戸構造内の量子井戸層２２は、半導体基板１０に対する量子井戸構造の配列方向に略直交する仮想平面と交差している交差領域２２ａを有し、量子井戸構造の誘電率の実数部は所定波長のＴＨｚ波に対して負である。 - 特許庁

After growing an epitaxial layer, a substrate 5 is slid while applying downward force to material solutions La and Lb by weighting blocks 9a and 9b from the upper sides of the material solution reservoirs 4a and 4b to drop the material solutions La and Lb through a melt drop hole 7.例文帳に追加

エピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板５をスライドさせ、メルト落下穴７を通じて原料溶液Ｌａ，Ｌｂを落下させるようにした。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

To provide a fixture and a construction method of a siding material allowing a lay main to easily fix the siding material, easy forming of a venting layer in a space between a substrate, and constructing of the exterior wall of the siding material superior in and waterproofness.例文帳に追加

素人でもきわめて容易にサイディング材を取り付けることができ、しかも、下地材との間に空気流通層を容易に形成し、通気性や防水性に優れたサイディング材の外壁を施工することができるサイディング材の取付具およびその施工方法を提供すること。 - 特許庁

The motor stator 1 includes a stator assembly 10 having a stator core 3 constituted by annularly connecting a split core 2 on which a coil winding 6 is wound through a bobbin 11 and a wiring substrate 4 attached in a coaxial state, and an insulating coating layer 7 covering the front surface.例文帳に追加

モータステータ１は、ボビン１１を介してコイル巻線６が巻き付けられた分割コア２を円環状に連結して構成したステータコア３および同軸状態に取り付けた結線基板４からなるステータアセンブリ１０と、その表面を覆う絶縁被覆層７とを有している。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 1 comprises a nitride semiconductor substrate 101 which has a dislocation concentrated region 102 and a wide-area low dislocation region and has its front surface inclined at an angle ranging between 0.3 and 0.7°with recpect to the c-surface, and a nitride semiconductor layer 104 laminated thereon.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１は、転位集中領域１０２と広い低転位領域とを有し、その表面をｃ面に対して０．３〜０．７°の範囲で傾斜させた窒化物半導体基板１０１とその上に積層された窒化物半導体層１０４より成る。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2 formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, surrounding the lower region of the anode electrode and with the same potential as that of the anode electrode.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

This battery pack has two or more batteries each comprising a current collector 40, a positive electrode 50, an electrolyte layer 60 and a negative electrode 70 formed on a substrate by using an ink jet system and a conductor 20 electrically connecting the batteries formed by using the ink jet system.例文帳に追加

インクジェット方式を用いて基板上に形成された、集電体４０、正極５０、電解質層６０、負極７０からなる２以上の電池と、インクジェット方式を用いて形成された、前記電池を電気的に接続する導体部２０とを有する組電池である。 - 特許庁

Pixel electrodes 17 are formed by arranging grooved parts 29 on a color filter layer 13 on an array substrate 20 and forming slits 16 or the like on the surface including these grooved parts 29, and thereby a strong electric field area and a weak area are alternately formed by applying voltage to this pixel electrode.例文帳に追加

アレイ基板２０上のカラーフィルタ層１３上に凹部２９を設けて、この凹部２９を含む面上にスリット１６等を設けた画素電極１７を形成し、この画素電極に電圧を印加することによって電場の強い領域と弱い領域とを交互に形成するようにする。 - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

To accurately control a heating temperature in a flow passage and to make a utilization efficiency of energy better by reducing a loss of thermal energy in a chemical reactor in which the thermal energy is fed to a reaction catalyst layer provided in a fine flow passage formed on one surface of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた反応触媒層に熱エネルギーを供給する化学反応装置において、流路内の加熱温度を精密に制御するとともに、熱エネルギーの損失を低減してエネルギーの利用効率を良くする。 - 特許庁

The bamboo charcoal yarn is produced by the micro-slitting of a bamboo charcoal coated film produced by coating both surfaces of a plastic film substrate with a bamboo charcoal coating layer composed of a bamboo charcoal coating agent obtained by mixing at least a bamboo charcoal obtained by baking bamboo at a high temperature with a binder resin.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の両面に、少なくとも、竹材を高温で焼き上げて得られる竹炭と、バインダー樹脂と、を混合して得られる竹炭コーティング剤により形成される竹炭コーティング層を積層してなる竹炭コーティングフィルム、をマイクロスリットした構成を有する竹炭ヤーンとした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁

A multi-layer film wherein a silicon nitride film 5 which is formed by plasma chemical vapor-phase method in an atmosphere comprising hydrogen-contained gas molecules and silicon nitride-oxide films 4 and 6 having a refractive index lower than the silicon nitride film are laminated is formed as a protective film 20 for supplying a silicon substrate with hydrogen.例文帳に追加

水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜５と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜４，６とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜２０として形成する。 - 特許庁

Tartialbutylarsene is used as a group V raw material in a manufacturing method of the group III family compound semiconductor epitaxial wafer for thermally decomposing a group V raw material and a group V raw material for performing the crystal growth of a p-type AlGAAs layer on a semiconductor substrate by an MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により、 III族原料とＶ族原料とを熱分解させて半導体基板上にｐ型ＡｌＧａＡｓ層を結晶成長させるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記Ｖ族原料として、ターシャルブチルアルシンを用いる。 - 特許庁

An insulating material having a chemical structure in which Si and O are used as main elements and one part of bond is substituted by any one kind of a hydrogen atom, a fluorine atom and hydroxy group (OH) for an insulating layer 21 formed from a piezoelectric substrate 12 to an interdigital transducer.例文帳に追加

圧電性基板１２上から、くし歯状電極部上にかけて形成される絶縁層２１には、ＳｉとＯとを主体とし、一部の結合が水素原子、フッ素原子、あるいは水酸化基（ＯＨ）のいずれか１種以上により置換されてなる化学構造を有する絶縁材料を使用する。 - 特許庁

To provide an adhesive optical film having an adhesive layer for sticking an optical film to a glass substrate of a liquid crystal panel and excellent in both reworkability and durability, and to provide an adhesive for an optical film used in the adhesive optical film.例文帳に追加

光学フィルムを液晶パネルのガラス基板に貼着するための粘着層が設けられた粘着型光学フィルムであって、リワーク性と耐久性の両者に優れたものを提供すること、さらには当該粘着型光学フィルムに用いられる光学フィルム用粘着剤を提供すること。 - 特許庁

Its manufacturing method comprises arranging, in an injection molding die or a press molding die, a transfer film formed by coating a release film with a coating liquid having the ultrafine conductive fibers dispersed therein and heating the film, and transferring the conductive layer simultaneously with the molding of the resin substrate to make the ultrafine conductive fibers embedded and fixed.例文帳に追加

その製造方法は極細導電繊維を分散させた塗液を剥離フィルムに塗布、乾燥して形成した転写フィルムを射出成形金型又はプレス成形金型に配置し、樹脂基体の成形と同時に導電層を転写して極細導電繊維を埋設、固定する。 - 特許庁

To provide an insulating substrate containing a glass-cloth which can be given stiffness to a slightly piled, low-density multilayered wiring board, and can manufacture a multilayered wiring board which is free from deformation like a camber under severe conditions like inside engine room and good in inter-layer adhesion.例文帳に追加

低多層、低密度の多層配線基板に、剛性を付与することができ、また、エンジンルーム等の厳しい環境下においても、反り等の変形を生じることがなく、層間接着性が良好な多層配線基板を製造することができる、ガラスクロス含有絶縁基材を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of efficiently forming a transistor, preferably, provided with tensile strain and a transistor preferably given compression strain on the same substrate, when inparting strain on a semiconductor layer for improving the mobilities of the transistors, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体装置において、トランジスタの移動度を向上するために半導体層に歪を与える際、引っ張り歪を与えるのが好ましいトランジスタと、圧縮歪を与えるのが好ましいトランジスタとを同一基板上で効率良く形成するための構成および作製方法を提供する。 - 特許庁

After forming a pattern of a lower electrode made of metal on the surface of a substrate, an etching stop layer made of material different from that of the lower electrode is formed on the surface of the pattern of the lower electrode, which is an area including an area that is not covered by a piezoelectric thin film.例文帳に追加

前記基板の表面に金属からなる下部電極のパターンを形成した後、この下部電極のパターンの表面であって、前記圧電体薄膜により被覆されない領域を含む領域に前記下部電極とは異なる材質のエッチングストップ層を形成する。 - 特許庁

The unit 1 for a biochemical analysis is formed by a material having a property for attenuating radiation energy and/or light energy, has a substrate 2 where a plurality of holes 3 are formed separated one another and an attraction layer 4 is formed on an inner surface 3a of the plurality of holes.例文帳に追加

放射線エネルギーおよび／または光エネルギーを減衰させる性質を有する材料によって形成され、複数の孔３が互いに離間して形成された基板２を備え、複数の孔の内表面３ａに吸着層４が形成されたことを特徴とする生化学解析用ユニット１。 - 特許庁

On a surface of the substrate for an electrophotographic photoreceptor molded using an electrically conductive resin material prepared by dispersing an electrically conductive powder such as a carbon black in a resin, an intermediate layer obtained by dispersing an inorganic electrically conductive powder comprising a metal oxide in a binder resin is formed.例文帳に追加

カーボンブラックなどの導電性粉体を樹脂中に分散させた導電性樹脂材料を用いて成型した電子写真感光体様基体の表面に、バインダー樹脂中に金属酸化物よりなる無機導電性粉体を分散させてなる中間層を形成する。 - 特許庁