「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(744ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a long and wide flexible metal foil laminate improved in appearance, adhesive strength and the durability of adhesive strength using a laminated polyimide film of a heat-resistant polyimide resin and a thermocompression bonding polyimide resin being a substrate layer and a metal foil.例文帳に追加

本発明の目的は、基体層としての耐熱性ポリイミと熱圧着性ポリイミド系樹脂との積層ポリイミドフィルムおよび金属箔を使用し、外観、接着強度および接着強度の耐久性が良好で長尺で幅広のフレキシブル金属箔積層体を提供すること。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor thin film having excellent carrier transportation characteristics and a field effect transistor having excellent high frequency operation characteristics by enhancing the planarity of an InAlAs buffer layer formed on a GaAs substrate while utilizing the characteristics of InGaAs having high electron mobility.例文帳に追加

高い電子移動度を有するＩｎＧａＡｓの特質を活かしつつ、ＧａＡｓ基板上に形成されるＩｎＡｌＡｓバッファ層の表面の平坦度を高めて、キャリア輸送特性にすぐれた化合物半導体薄膜及び高周波動作特性にすぐれた電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can ensure the flatness of the surface of an upper layer formed on a semiconductor substrate on at least on an element formation area, as well as reduce the quantity of pattern data necessary to form a pattern for ensuring the flatness.例文帳に追加

少なくとも素子形成領域上において、半導体基板上に形成される上層の表面の平坦性を確保することができながら、その平坦性の確保のためのパターンの形成に必要なパターンデータの量の低減を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a copper film capable of forming a desired copper wiring layer or the like by selectively depositing a copper on a necessary region of a substrate made of a conductive material or a semiconductor material and reducing a raw material cost.例文帳に追加

導電性材料または半導体材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して所望の銅配線層等を形成することが可能で、原料コストの低減等を図ることができる銅被膜の選択形成方法を提供しようとものである。 - 特許庁

A photosensitive layer, which contains an IR absorbent and bridges between hydrophilic polymers that are cut off by an IR irradiation to enhance solubility in water or alkaline aqueous solution, is formed on a substrate having hydrophobic surface.例文帳に追加

疎水性表面を有する支持体上に、赤外線吸収剤を含有し、親水性高分子間を架橋することによって形成され、赤外線照射によって該架橋が切断して水またはアルカリ水に対する溶解性が増大する感光層を設けることを特徴とする。 - 特許庁

After copper atoms composing the copper layer 14 are diffused into the aluminium film 11 by annealing the silicon substrate 10, the other region of the aluminium film 11 except for the wiring formation region is removed and wiring composed of the residual aluminium film 11 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０に対してアニールを行なって、銅層１４を構成する銅原子をアルミニウム膜１１の内部に拡散させた後、アルミニウム膜１１における配線形成領域以外の他の領域を除去して、残存するアルミニウム膜１１からなる配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for vapor growth which is capable of growing well-reproductively an epitaxial layer of a compound semiconductor such as InGaAsP on a semiconductor substrate such as InP in a desired element composition and of manufacturing stably a semiconductor element with a definite PL wavelength.例文帳に追加

ＩｎＰ等の半導体基板上にＩｎＧａＡｓＰ等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を所望の元素組成で再現性よく成長させ、一定のＰＬ波長を有する半導体素子を安定して製造することのできる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor with a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, a specified phthalocyanine composition and one or more electric charge generating materials selected from specified bisazo pigments, perylene pigments and polycyclic quinone pigments are contained.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、特定のフタロシアニン組成物と少なくとも一種以上の特定のビスアゾ顔料、ペリレン顔料及び多環キノン系顔料の何れかの電荷発生物質を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

A substrate is obtained by spraying powders on a supported body at high temperature and at a high speed, and the powders include AlN particles covered by a layer of an oxide precursor selected from oxide precursors to generate oxides to form liquid phase around the AlN particles during the spraying.例文帳に追加

基板は、高温、高速で支持体上に粉末をスプレーすることにより得られ、前記粉末は、スプレー中ＡｌＮ粒子の回りに液相を形成する酸化物を生じる酸化物前駆体から選択される酸化物前駆体の層で被覆されたＡｌＮ粒子を含む。 - 特許庁

A top face and a side face of a light semitransmitting film 2 comprising a material containing at least silicon atoms and nitrogen atoms deposited on a transparent substrate 3 is subjected to a contact process with silylation agent and a subsequent oxidation process to form a modified layer 5 in the manufacturing process of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクの製造過程において、透明基板３上に設けられた珪素原子と窒素原子を少なくとも含む材料からなる光半透過膜２の上面や側断面に対し、シリル化剤による接触処理およびそれに続く酸化処理を施して変質層５を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus which can be prevented from being broken by the leakage or the splashing of an etchant caused by abnormal decomposition of hydrogen peroxide in the etchant when etching a substrate having a metallic layer containing copper by the etchant containing hydrogen peroxide solution.例文帳に追加

過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

The nickel positive electrode is made by filling an active material made of mainly nickel hydroxide in the porous nickel sinter substrate and further by forming on its surface a manganese compound layer containing manganese having more than two valences, and an alkaline battery is constructed by using this nickel positive electrode.例文帳に追加

ニッケル正極を、多孔性ニッケル焼結基板にニッケル水酸化物を主体とする活物質を充填し、さらにその表面に２以上の価数を有するマンガンを含むマンガン化合物層を形成して作製し、このニッケル正極を用いてアルカリ蓄電池を構成する。 - 特許庁

In addition, it is preferable that the melt viscosity of the resin included in the layer nearest to the substrate at the fixing temperature is larger than the melt viscosity of the resin included in the other layers at the fixing temperature and the fixing temperature gets into the range of 90∼120°C.例文帳に追加

受像層において、支持体に最も近い層に含まれる樹脂の定着温度における溶融粘度が、他の層に含まれる樹脂の、該定着温度における溶融粘度以上である態様、定着温度が９０〜１２０℃のいずれかである態様等が好ましい。 - 特許庁

To provide a process for producing a pressure-sensitive adhesive sheet which prevents the photopolymerization failure of a photopolymerizable composition due to monomer contamination in a light irradiation section, the lowering in the releasbility of a substrate, and the lowering in the cohesive force of a pressure-sensitive adhesive layer, and can render the releasing treatment of an optically transmitting film unnecessary.例文帳に追加

光照射部のモノマー汚染による光重合性組成物層の光重合不良と、支持体の剥離性低下と、感圧性接着剤層の凝集力低下とを防止でき、光透過性フィルムの離型処理を不要にできる感圧性接着シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The external electrodes 14-1 and 14-2 and pads 24-1 and 24-2 are connected to each other, the end 13a of the ground electrode 13 is connected to the ground electrode layer 21, and the coil component 1 is mounted on the surface 2a of the substrate 2 in a state wherein solder 3 is stuck on a connection part.例文帳に追加

外部電極１４−１，１４−２とパッド２４−１，２４−２とが接続され、グランド用電極１３の端部１３ａがグランド電極層２１に接合され、半田３が接合部位に付着された状態で、コイル部品１が基板２の表面２ａに実装されている。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 and a wiring substrate 2 are secured on the heat spreader 3 with a fastening method such as thermo compression bonding, and the recess is eliminated by an adhesive layer 12 formed on the main surface of the heat spreader 3, and all these components including the semiconductor chip 1 and the thin metal wire 4 are encapsulated with the encapsulating resin 5.例文帳に追加

ヒートスプレッダー３の主表面に形成した接着層１２により、半導体チップ１と配線基板２をヒートスプレッダー３に熱圧着などの方法で固定して引っ込み部を無くし、半導体チップ１と金属細線４を含めて封止樹脂５で封止した。 - 特許庁

To provide an etching method for a metal film wherein a connection hole is formed at an inter-layer insulating film of a semiconductor substrate and a metal film comprising at least two layers is formed, and then a metal film other than the connection hole is removed by etching with no seam at the center of the connection hole widened.例文帳に追加

半導体基板の層間絶縁膜に接続孔を形成し、少なくとも２層からなる金属膜を形成した後、接続孔以外の金属膜を接続孔中心部の合わせ目の拡大がないようにエッチング除去する金属膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

An adhesive tape for cutting processing that is used for manufacturing a semiconductor chip, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device, a functional glass substrate, and a semiconductor package and the like from a plate-like to-be-cut object, has a base material 1 and an adhesive layer 2 arranged on the base material 1.例文帳に追加

切削加工用粘着テープは、板状の被切削物から半導体チップ、ＭＥＭＳデバイス、機能性ガラス基板、および半導体パッケージ等を製造するために使用される切削加工用粘着テープであり、基材１と、基材１上に配された粘着層２と、を備える。 - 特許庁

An opening of a nozzle channel 4 connected to the nozzle 3, provided at a bottom of the nozzle 3 side of the pressurizing chamber 2 is formed so as to be superposed with a center of gravity CG of a region corresponding to the pressurizing chamber 2 of a piezoelectric actuator AC including a piezoelectric ceramic layer 8 in the planar direction of the substrate 1.例文帳に追加

また加圧室２の、ノズル部３側の底面に設けた、ノズル部３に繋がるノズル流路４の開口を、圧電セラミック層８を含む圧電アクチュエータＡＣの、加圧室２に対応する領域の重心ＣＧと、基板１の面方向において重なるように形成する。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p body 21, an n^+source region 22, a p^+region 23, a gate oxide film 30, a gate electrode 40, an interlayer insulating film 50, a contact electrode 80, a source electrode 60, and a drain electrode 70.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐボディ２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、ｐ^＋領域２３と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０と、層間絶縁膜５０と、コンタクト電極８０と、ソース電極６０と、ドレイン電極７０とを備えている。 - 特許庁

A dyestuff recording layer, the thickness of which is 30-120 nm and on which information can be recorded by incorporating an organic dyestuff selected to have 0.05-0.15 fading coefficient k when irradiated with the laser beam having recording laser wavelength, is formed on a transparent substrate where a pre-groove of 200-350 nm depth is formed.例文帳に追加

溝深さが２００〜３５０ｎｍのプレグルーブが形成された透明基板上に、厚さが３０〜１２０ｎｍであり、且つ記録レーザ波長での消衰係数ｋが０．０５〜０．１５となるように選択された有機色素を含有することにより情報の記録が可能な色素記録層を形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing at least an electron transport agent, a charge generating agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein the electron transport agent is a compound represented by general formula (1), wherein X represents a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom.例文帳に追加

導電性基体上に、少なくとも電子輸送剤、電荷発生剤およびバインダ樹脂を含有した感光層が設けられた電子写真感光体であって、前記電子輸送剤が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする電子写真感光体である。 - 特許庁

In the processes shown in (f) to (g) in selected figures, the Ga_2O_3 thin film 4 and part of the GaAs substrate 1 are closely fixed by the electronic beams irradiated onto the surface of the three-layer inorganic resist oxidation film 10 in vacuum, thus to form a heat-resistant modified mask portion 17.例文帳に追加

選択図の（ｆ）から（ｇ）に示す工程では、真空中で３層無機レジスト酸化膜１０の表面に照射した電子ビームによって、Ｇａ_2Ｏ_3薄膜４とＧａＡｓ基板１の表面の一部が密着し、熱耐性を有する改質マスク部１７が形成される。 - 特許庁

In this thermal infrared solid-state image sensor provided with a detection part and a signal processing part for processing a signal transmitted from the detection part, which are provided on the same silicon substrate, the thickness of the insulating film of the detection part is set smaller than that of the interlayer separation layer of the signal processing part.例文帳に追加

検出部と検出部から送られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。 - 特許庁

A magneto-optical head 25 is equipped with lenses 41, 42 to make light irradiating on a magneto-optical recording layer 2a of a magneto- optical disk 2 to converge and with a coil part 46 which is a magnetic field generating element arranged on the side opposite to the magneto-optical disk 2 on a coil-supporting substrate 44a on the lense 41.例文帳に追加

光磁気ヘッド２５は、光磁気ディスク２の光磁気記録層２ａに照射する光を収束させるレンズ４１，４２と、レンズ４１上のコイル支持基板４４ａ上の光磁気ディスク２に対向する側に配置されている磁界発生素子であるコイル部４６とを備えている。 - 特許庁

A photosetting polymer coated film 4 formed on a substrate 5 is irradiated with an outgoing light from a light source 1, after the light has converged on a straight line shape by means of a exposure mask 3 and the like, and the film is successively cured by successively scanning the irradiated position of the film, to form the liquid crystal alignment layer.例文帳に追加

基板５上に形成された光硬化性のポリマー塗布膜４に対して、光源１の出射光を露光マスク３等により、線状に絞った上で照射するとともに、その照射位置を順次走査することにより、順に硬化させることで液晶配向膜を形成する。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

On an Al_2O_3-MC based (M is at least one kind selected out of Ti, Nb, Si) ceramic substrate, an insulation layer comprising an almina film of crystalline substance with not less than 60% by volume is arranged, wherein the thermal conductivity for the alumina film is not less than 5W/mK.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＣ系（Ｍは、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｓｉから選択される少なくとも１種）セラミックス基板上に６０体積％以上結晶質であるアルミナ膜からなる絶縁層を備え、該アルミナ膜の熱伝導率が５Ｗ／ｍｋ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed with a separation trench 2 buried with an insulation member 2a and an element 3, and is thinned until a bottom part of the insulation member 2a is projected from a side of a reverse face 1b, and next the reverse face 1b is joined to a support body 6 via an insulation layer 4.例文帳に追加

絶縁部材２ａで埋設された分離溝２と素子３とが形成された半導体基板１を、裏面１ｂ側から絶縁部材２ａの底部が突出するまで半導体基板１を薄厚化した後、絶縁層４を介して裏面１ｂを支持体６と接合する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises source regions S1, S2, S3, and the like having source region extended parts S11, S12, S13, and the like extended to parts to become void spaces formed in a layout, by maintaining a depth not reaching an embedded insulating layer of an SOI substrate without obstructing the manufacturing process.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層に到達しない深さを維持すると共に製造プロセス上の支障にならず且つレイアウト上の空所になる部分に延在するソース領域延在部Ｓ_11、Ｓ_12、Ｓ_13などをもつソース領域Ｓ_1 、Ｓ_2 、Ｓ_3 などが形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

This sheet 1 for manufacturing an optical disk, which is provided with a curable adhesive layer 11 whose storage elastic modulus before curing is 10^3 to 10^6 Pa and whose storage storage elastic modulus after curing is 10^7 to 10^11 Pa and a protective sheet 12, is laminated on a reflection film 3 formed on an optical disk substrate 2.例文帳に追加

硬化前の貯蔵弾性率が１０^３〜１０^６Ｐａであり、硬化後の貯蔵弾性率が１０^７〜１０^１１Ｐａである硬化性の接着剤層１１と、保護シート１２とを備えた光ディスク製造用シート１を、光ディスク基板２に形成された反射膜３上に積層する。 - 特許庁

To provide a floor material which is formed by laminating a decorative sheet on a woody substrate via a thermoplastic resin intermediate layer, ensures its sufficient water resistance even if grooving is carried out from the side of the decorative surface, and is so improved in cutting performance that defective cutting such as burrs, bleeding, and whitening, rarely occurs at the time of grooving.例文帳に追加

木質基材上に熱可塑性樹脂中間層を介して化粧シートが積層され、化粧面から溝加工を施しても十分な耐水性を維持できると共に、該溝加工時にバリやヒゲ、白化等の切削不良を発生しにくい、切削性が向上された床材を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition having a low dielectric constant, excellent in patterning precision and adhesion to a substrate, developable with water or a diluted alkali solution, and suitable for forming a solder resist for a printed wiring board or an IC package, or an interlayer insulating layer or the like, and to provide a photosensitive film using this resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

Otherwise, enclosing pressure of discharge gas was set at 8×104 Pa or higher and together shape of the fluorescent layer 31 was set up so that a thickness d of the part painted on the side of partitions 30 became larger than a thickness c of the part painted on a rear glass substrate 21.例文帳に追加

或は、封入ガスの圧力を８×１０^4Ｐａ以上に設定すると共に、蛍光体層３１の形状を、背面ガラス基板２１上に塗布されている部分の厚みｃよりも隔壁３０の側面上に塗布されている部分の厚みｄが大きくなるよう設定した。 - 特許庁

To provide a single wafer epitaxial growth method which can laminate an epitaxial layer on a single crystal substrate without collapsing the film thickness profile, while bringing about such an effect as enhancement in quality or productivity of an epitaxial wafer by the degree of flow rate of the carrier gas.例文帳に追加

例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

Documents, designs, voices, videos, etc., are recorded within the CD 10 by ruggedness for recording the digital data formed atop the substrate 17 and the metallic film layer 17 and are read by casting a laser beam thereto by a general CD reader and reading the contents by the reflection thereof.例文帳に追加

そして、前記基板１７の上面に成形されたディジタルデータを記録する凹凸及び前記金属膜層１７とにより、前記ＣＤ１０内に文書、図案、音声及び映像等を記録し、一般のＣＤ読み取り装置によりレーザ光線を当て、その反射により読み取る。 - 特許庁

First wiring 212 is formed on the element forming region Rlogic of a first liner insulating film 201 deposited on a semiconductor substrate, a first interlayer insulating film 202, and a first cap insulating layer 203 while a first column 214 is formed in a seal ring forming region Rseal.例文帳に追加

半導体基板上に堆積された第１のライナー絶縁膜２０１、第１の層間絶縁膜２０２、第１のキャップ絶縁膜２０３の素子形成領域Ｒｌｏｇｉｃに第１の配線２１２を形成し、シールリング形成領域Ｒｓｅａｌに第１の支柱２１４を形成する。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a transparent conductive layer, having high dispersion stability for noble-metal-containing fine particles, and superior coatability and storage stability; and further provide a transparent conductive substrate formed by using the coating liquid, having proper electrical conductivity.例文帳に追加

貴金属含有微粒子の高い分散安定性を有し、塗布性と貯蔵安定性に優れた透明導電層形成用塗布液、及びその透明導電層形成用塗布液を用いて形成した良好な導電性を有する透明導電性基材を提供する。 - 特許庁

The head of an ink jet printer comprises a substrate 100 provided with a heater for heating ink in an ink chamber 220, and a nozzle plate 200 having a nozzle 210 communicating with the ink chamber 220 bonded by electrostatic force through an intermediate bonding layer 300 of a vitreous thin film.例文帳に追加

インクジェットプリンタのヘッドは，インク室２２０内のインクを加熱するヒーター１１０が備えられた基板１００と，インク室２２０と連通するノズル２１０を有するノズルプレート２００とがガラス質の薄膜からなる中間接合層３００を介在して静電力により接合されてなる。 - 特許庁

On one substrate 1, a plurality of picture electrodes 4 and switching elements TFT for driving the electrodes are formed, and at least a part of the area, where each picture electrode 4 is formed, is provided with a diffuse reflection layer 5 having a rugged pattern for scatteringly reflecting the light.例文帳に追加

一方の基板１は、複数の画素電極４とこれを駆動するスイッチング素子ＴＦＴとが形成されているとともに、各画素電極４が形成される領域の少くとも一部には光を散乱反射するために凹凸パタンを有した拡散反射層５が配されている。 - 特許庁

A gap is formed between the inter-layer insulating film 22 and the second dummy gate electrode 26, by selectively removing the dummy side spacer 24, and then by implanting N-type impurity ions into the Si substrate 12 through the gap almost vertically, a second pocket region 27 is formed.例文帳に追加

選択的にダミーサイドスペーサー２４を除去することにより層間絶縁膜２２と第２ダミーゲート電極２６との間隙を形成した後、ほぼ垂直方向からこの間隙を通じてＳｉ基板１１内にＮ型不純物イオンを注入することにより、第２ポケット領域２７を形成する。 - 特許庁

The image carrier has at least a photosensitive layer on the electrically conductive substrate and is mounted on the process cartridge for the color image forming apparatus of a tandem system having an image forming means for forming a toner image on the surface of the image carrier and an optical sensor for detecting the toner density of the toner image.例文帳に追加

導電性基体上に少なくとも感光層を備え、像担持体の表面上にトナー像を形成する像形成手段と、トナー像のトナー濃度を検出する光学センサーとを有するタンデム方式のカラー画像形成装置用プロセスカートリッジに搭載される像担持体である。 - 特許庁

In the transmission mode, the liquid crystal is longitudinally driven by an electric field generated between the pixel electrode 31 (a first pixel electrode part 31A) and a counter electrode (an electrode opposed to the first pixel electrode part 31A via a liquid crystal layer) provided on a counter substrate side.例文帳に追加

一方、透過モードにおいては、画素電極３１（第１画素電極部３１Ａ）と、対向基板側に設けた対向電極（すなわち液晶層を介して第１画素電極部３１Ａと対向する電極）との間に生じる縦電界によって、液晶を縦電界駆動する。 - 特許庁

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁