「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(745ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the liquid crystal display is constituted by inserting the liquid crystal layer 10 between a pair of the substrates 2, 6, forming the reflection part 3 and the transmission part 4, the phase difference layers 7 are formed on at least one substrate and lagging phase axes of the phase difference layers 7 are different at the reflection part 3 and the transmission part 4.例文帳に追加

また、一対の基板２，６に液晶層１０が挟持され、反射部３及び透過部４が形成されてなり、少なくとも一方の基板に位相差層７が形成され、当該位相差層７は、上記反射部３と透過部４とで遅相軸が異なる。 - 特許庁

In the decorative material 10 having, on a substrate 1, a luster adjusting resin layer 2 composed of a cross-linked cured substance of an ionizing radiation-curable resin composition which contains a matte silica, a matte silica subjected to a surface treatment with a fatty acid-based wax such as stearic acid or the like is used as the matte silica.例文帳に追加

基材１上に、艶消しシリカを含有する電離放射線硬化性樹脂組成物の架橋硬化物からなる艶調整樹脂層２を設けた化粧材１０にて、艶消しシリカとして、ステアリン酸等の脂肪酸系ワックスで表面処理された艶消しシリカを用いる。 - 特許庁

The method for producing the magnetic recording medium includes a step for forming at least a magnetic recording layer and a protective film on a nonmagnetic substrate, a step for applying a lubricant to the surface of the protective film after plasma treatment and a step for subjecting the lubricant to irradiation with UV and/or heat treatment.例文帳に追加

非磁性基板上に少なくとも磁気記録層及び保護膜を積層形成する工程と、該保護膜の表面をプラズマ処理してから潤滑剤を塗布する工程と、潤滑剤に紫外線照射処理或いは熱処理或いはそれ等両方の処理を加える工程とが含まれる。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

When an apparatus or material with the film resistant to high-temperature corrosion formed thereon is used in a high-temperature corrosion environment, e.g. in a power generation plant using waste, the contact of combustion ash with the substrate layer 4 is prevented and an excellent resistance to dew-point corrosion during operation stopping is exhibited.例文帳に追加

この高温耐食性皮膜を形成した機材を、廃棄物発電設備などの高温腐食環境下で使用したときに、燃焼灰などが下地層４に接触することが防止され、また、運転停止時における露点腐食に対しても優れた耐食性を発揮することができる。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20.例文帳に追加

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands.例文帳に追加

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。 - 特許庁

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

A process to remove projected type exposure portions 51 of a columnar semiconductor defective portion is performed prior to a laminating process after a substrate removing process, wherein the semiconductor defective portion remains on a second main surface of a layer 50 subject to device forming, without being dissolved by selective chemical etching.例文帳に追加

基板除去工程後において素子化対象層５０の第二主表面に、選択化学エッチングにより溶解されずに残留した柱状半導体欠陥部の突起状露出部分１１を除去する突起除去工程を、貼り合わせ工程に先立って実施する。 - 特許庁

To provide an acrylic resin release agent composition bearing a long chain alkyl group which exhibits excellent solvent resistance, heat resistance and adhesion to a substrate without exerting bad influences on electronic parts and the like and is capable of controlling peel strength, and a release liner having a release layer comprised of the composition.例文帳に追加

電子部品などへの悪影響を与えることなく、耐溶剤性、耐熱性および基材密着性に優れるとともに、剥離力の調整が可能な長鎖アルキル基を含有するアクリル樹脂系剥離剤組成物、および該組成物からなる剥離層を有する剥離材を提供すること。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device 10, driving circuits 50a, 50b preliminarily fabricated on a temporary substrate are transferred onto the surface of a flexible board 20, and then, an organic semiconductor layer is formed by a liquid phase process to fabricate an organic TFT 10a.例文帳に追加

半導体装置１０の製造に際して、予め暫定基板に形成した駆動回路５０ａ、５０ｂをフレキシブル基板２０の表面に転写し、その後に、有機半導体層を液相プロセスで形成して有機ＴＦＴ１０ａを形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

Furthermore, a notch reaching the bonding layer 5 from the rear side of the semiconductor substrate is made, such that the support material 4 is not notched, and then dicing is performed from the notched side, to separate each of the semiconductor elements as a manufacturing step.例文帳に追加

そして、前記半導体基板の裏面から前記接着層５に到達し、かつ前記支持体４に切り込みが入らないように切り込みを入れた後、この切り込みを入れた面から、ダイシングを行い、各々の前記半導体素子を分離する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide ruthenium precursors solving such a problem that: the conventional ruthenium film has poor adhesion to a substrate; impurities increasing the resistivity of the film remains in the film; the ruthenium precursor has low vapor pressure; an underlying layer is partially oxidized when oxygen is used as a co-reactant; and so on.例文帳に追加

従来のルテニウム膜は基板への接着性が低い、抵抗値を増大させる不純物が膜中に残る、ルテニウム前駆体は蒸気圧が低い、共反応物として酸素を使用した場合に下地層が部分酸化してしまう等の問題があり、これらを解決するルテニウム前駆体を提供する。 - 特許庁

As the organic low molecular compound, a compound, which has at least a functional group forming a network of a hydrogen-bonding type and a functional group forming a bond with an electrode layer substrate in the molecule, is preferably used and in particular, thiomalic acid or 3- mercaptopropionic acid is preferably used.例文帳に追加

その有機低分子化合物としては、分子中に、少なくとも水素結合的なネットワークを形成する官能基と、電極層基板との結合を形成する官能基とを有するものであることが好ましく、特に、チオリンゴ酸または３−メルカプトプロピオン酸を用いることが好ましい。 - 特許庁

To prevent the leakage current occurring between a substrate and a semiconductor layer in a semiconductor device made of a III-V nitride semiconductor and having a via hole structure; and to allow the semiconductor device to have high frequency characteristics, high output characteristics, and high power characteristics by facilitating via hole formation of the semiconductor device.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。 - 特許庁

(1) The leader tape wherein a coating layer including powder and a binder is provided on at least one surface on a substrate has 10 to 60 nm center line average surface roughness (Ra) and 0 to 1 mm/ 1/2 inch width cupping of at least one surface thereof.例文帳に追加

１）支持体上の少なくとも一方の面に粉体と結合剤を含む塗布層を設けてなるリーダーテープにおいて、前記リーダーテープの少なくとも一方の面の中心線平均粗さ（Ra）が１０〜６０ｎｍであり、かつカッピングが１／２インチ幅あたり０〜１ｍｍであることを特徴とするリーダーテープ。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having on a principal surface of an SOI substrate a high breakdown voltage element formed on an island-shaped semiconductor layer surrounded by a dielectric, which prevents decrease in a breakdown voltage of the high breakdown voltage element due to influence on potential from a surrounding region thereby improving an output current density.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の主面に、誘電体によって囲まれた島状の半導体層に形成された高耐圧素子を有する半導体集積回路装置において、周辺領域の電位の影響による高耐圧素子の耐圧の低下を防いで、出力電流密度を向上する。 - 特許庁

The manufacturing method of a color filter comprises a protective film forming process of forming a protective film on a semiconductor substrate; a recessed part forming process of forming a recessed part by dry-etching the formed protective film; and a filter forming process of forming a color filter layer on the formed recessed part.例文帳に追加

半導体基板上に保護膜を形成する保護膜形成工程、形成された保護膜をドライエッチングにより加工して凹部を形成する凹部形成工程、及び形成された凹部にカラーフィルタ層を形成するフィルタ形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁

During this thermocompression bonding, slight vibration by ultrasonic waves from the sound wave generating section 42 is applied to the substrate 17 and the photosensitive material 18, and thermocompression bonding is carried out while extruding bubbles and wrinkles which occur in the photosensitive layer 20, consequently these bubbles and wrinkles are controlled.例文帳に追加

この熱圧着中には、基板１７および感光材料１８に対して、音波発生部４２からの超音波による微小な振動が加わり、感光層２０に発生する気泡やしわが押し出されながら熱圧着されるから、これら気泡やしわが抑えられる。 - 特許庁

A region just under a charge holding part, of the bottom surface of both sides of the projection of a semiconductor substrate having a projection step in the cross-section in the direction perpendicular to the gate electrode is formed as a part of the diffusion layer region completely working as the source/drain on the active region.例文帳に追加

ゲート電極に垂直な方向の断面において、凸部の段差を有する半導体基板の凸部両側底面であって電荷保持部の直下である領域が、活性領域上では、全てソース／ドレインである拡散層領域の一部である構造にした。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device has (a) a process of forming the impurity diffused layers 5, 8 on the surface of the silicon substrate 1, and (b) a process of forming a metal film 9 consisting of nickel on a second impurity diffused layer 8 in the impurity diffused layers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）シリコン基板１表面に不純物拡散層５，８を形成する工程と、（ｂ）不純物拡散層のうち第２の不純物拡散層８上に、ニッケルからなる金属膜９を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a substrate with a high density and high reliability, by forming a resist pattern through coating of a photosensitive material on an electroless copper plating layer, exposure to light and development, and then preparing a bump pad by pulse plating and direct current plating of the resist pattern.例文帳に追加

無電解銅鍍金層に感光材を塗布した後に露光現像してレジストパターンを形成してパルス鍍金と直流鍍金をしてバンプパッドを形成させることにより高密度で高信頼性の基板を製造するフリップチップバンプパッド形成方法及びその構造に関する。 - 特許庁

Thereafter, the suspension substrate 1 is soaked in a dopant aqueous solution under soaking conditions of 100-200°C, 2-15 MPa and 30 minutes to 24 hours so that a dopant impregnates into the semiconductor layer 10 from its surface to a depth of at least 0.2 μm.例文帳に追加

その後、この半導電性層１０に、ドーピング剤が、半導電性層１０の表面から少なくとも０．２μｍの深さまで浸透されるように、回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤水溶液に、１００〜２００℃、２〜１５ＭＰａ、３０分〜２４時間の浸漬条件で、浸漬する。 - 特許庁

For the optical recording medium 1, the optical recording layer 3, made of a thin film of a pasty mixed liquid which is made by dispersing at least one kind of fine metal particles chose from gold or silver in alcohol with low boiling point and soluble polymer, is formed on the polycarbonate substrate 2.例文帳に追加

この光記録媒体１は、金そして銀から選ばれた少なくとも１種の金属微粒子を低沸点アルコールとこれに可溶な高分子中に分散させたペースト状混合液の薄膜からなる光記録層３をポリカーボネート基板２上に形成したものである。 - 特許庁

The printed wiring board is formed by layering copper-clad layered boards 120 and 122 on the top and on the underside of a substrate 20 on which an inner-layer copper pattern 28 is formed and an integrated circuit chip 100 is housed in an opening 10A formed in the multilayer printed wiring board 10.例文帳に追加

プリント配線板は、内層銅パターン２８を形成した基板２０の上面と下面に銅張り積層板１２０、１２２を積層することにより形成され、該多層プリント配線板１０に形成された開口部１０Ａに集積回路チップ１００を収容する。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁

An original printing plate for the water printing plate for newspaper offset printing by CTP which is mechanically roughened, chemically or electrically etched, anodized, and furthermore formed with an alkali-soluble resin layer on a hydrophilic-treated aluminum substrate, and a method for manufacturing the water printing plate using it, are provided.例文帳に追加

機械的に粗面化され、化学的または電気的にエッチングされ、陽極酸化され、さらに、親水化処理されたアルミニウム支持体上に、アルカリ可溶性樹脂層を形成してなる、ＣＴＰによる新聞オフセット印刷用の水版用原版およびそれを用いて水版を製造する方法。 - 特許庁

The organic TFT 10 is provided with a block layer 14, a gate electrode 16, a gate insulation film 18, and an organic semiconductor 20 that are formed in sequence on the plastic substrate 12, and it is also provided with a source electrode 22 and a drain electrode 24 that are apart from and opposite to each other on the organic semiconductor 20.例文帳に追加

有機ＴＦＴ１０は、プラスチック基板１２の上に、順次、ブロック層１４、ゲート電極１６、ゲート絶縁膜１８および有機半導体２０を有し、さらに、有機半導体２０の上に対向、離間してソース電極２２およびドレイン電極２４を有する。 - 特許庁

To provide a marking film whose coating film layer has excellent adhesion with the passage of time, which can ensure a good appearance, even when the coating film is thin, can be treated with a simple incineration facility, after used, and is excellent in followability to a curved surface, when a specific soft olefin resin is disposed as a substrate.例文帳に追加

経時での塗膜層の密着性に優れ、薄い塗膜であっても外観が良好に確保でき、使用後は簡単な焼却設備で処理可能であるとともに、特定の軟質オレフィン樹脂を基材に配合する場合には曲面追従性にも優れるマーキングフィルムを提供する。 - 特許庁

An opening 7a for allowing video image light from the luminous function layer 6 to pass through is formed in one portion of the second electrode 7, a first luminous region L1 is formed on the side of the glass substrate 2, and a second luminous region L2 is formed on the side of the sealing member 8.例文帳に追加

第二電極７の一部には発光機能層６からの映像光を通過させる開口７ａが形成されており、前記ガラス基板２側において第一発光領域Ｌ１ が形成され、封止部材８側において第二発光領域Ｌ２ が形成される。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable screen ink composition which forms a thermal transfer-printed recorded layer on an optical information storage medium substrate, has good transferability and does not cause sticking of the discs with each other, even when they are left stacked.例文帳に追加

本発明は、光情報記録媒体の基材上に熱転写印刷の被記録層を形成することのできるインキ組成物であって、転写性が良好で、重ねておいてもディスク同士の貼りつきが無い活性エネルギー線硬化型スクリーンインキ組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁

The heat developable photosensitive material contains a compound of the formula in a photosensitive layer containing photosensitive silver halide grains or at least one of nonphotosensitive layers on at least one side of the substrate.例文帳に追加

支持体の一方の側に、感光性ハロゲン化銀粒子を含有する感光性層及び非感光性層を有する熱現像感光材料において、感光性層又は非感光性層から選ばれる１層に、下記一般式（１）で表される化合物又は（２）で表される化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The optical disk is so constituted that the information signal part 2 which is so constituted that the information signal can be recorded and/or reproduced by irradiating the laser beam, and the protective layer 3 covering at least the information signal part 2 are successively laminated on a principal surface of a substrate 1 having a center hole 1a.例文帳に追加

光ディスクは、センターホール１ａを有する基板１の一主面に、レーザ光を照射することにより情報信号を記録可能および／または再生可能に構成された情報信号部２と、情報信号部２を少なくとも覆う保護層３とが順次積層されて構成される。 - 特許庁

The method for burying the recess having a high aspect ratio such as a separated trench of a semiconductor substrate includes processes for depositing a fluid layer in the recess to decrease a high aspect ratio while preventing a fluid material from existing on a flat portion around a recess opening, and burying the recess with the other material.例文帳に追加

半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比の凹部埋設方法において、流動性の層を凹部に堆積させて凹部のアスペクト比を低下させ、かつ凹部口の平坦部に前記流動性材料を存在させないようにし、続いて当該凹部に他の材料を埋設する。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

A structural body obtained by forming a coating layer composed of the fluoride of at least one metal selected from the group consisting of alkaline-earth metals, rare earth metals, aluminum and iron-group metals on the surface of a substrate composed of metal essentially consisting of copper is used as a corrosion resistant member such as a chamber-constituting member.例文帳に追加

銅を主体とする金属からなる基体の表面にアルカリ土類金属、希土類金属、アルミニウムおよび鉄属金属の群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物からなる被覆層を形成した構造体をチャンバ構成部材等の耐食性部材として使用する。 - 特許庁

A solder bump 16 is formed on each post electrode 15, a support plate 17 having an opening larger than the diameter of the solder bump 16 is disposed at the position aligned with the solder bump 16, and an insulating resin layer 20 is formed between the support plate 17 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

各ポスト電極１５の上に半田バンプ１６が形成され、半田バンプ１６と整合する位置にこの半田バンプ１６の直径よりも大きな穴が形成されたサポート板１７が設けられており、サポート板１７と半導体基板１との間に絶縁性樹脂層２０が形成されている。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

In the method for producing the flexible substrate, after a polyimide film 1 is vacuum-dried at a temperature of 60-450°C, a silane coupling agent 11 is applied on at least one side of the polyimide film, and then metal layers 12, 13, and 14 are formed on the surface of the silane coupling agent coating layer 11.例文帳に追加

ポリイミドフィルム１を６０℃以上、４５０℃以下の温度条件下にて真空乾燥させた後に、ポリイミドフィルムの少なくとも片面にシランカップリング剤11を塗布し、次いで、このシランカップリング剤の塗布層１１表面に金属層１２、１３、１４を形成するフレキシブル基材の製造方法とした。 - 特許庁

The light-receiving region 12 is attached to the top surface of the semiconductor substrate 13, the light-receiving region 12 is formed so that the shape thereof is the same as the radiation surface of the light emitted from the laser diode 1, and the integrally formed laser diode package, containing a metal layer 11 formed adjacent thereto, is provided.例文帳に追加

本発明は、受光領域１２が半導体基板１３上面に付着され、前記レーザーダイオード１の出射光の放射面と同じ形状に前記受光領域１２が形成され、それに隣接するよう形成される金属層１１を含む一体型レーザーダイオードパッケージを提供する。 - 特許庁

In the film 30 for the touch panel, an internal ITO film 35 whose geometric film thickness is 20nm, a SiO2 film 36 whose film thickness is 70nm and a surface layer ITO film 37 whose film thickness is 10nm are laminated under a substrate film 31 made of PET.例文帳に追加

タッチパネル用フィルム３０は、ＰＥＴ製の基材フィルム３１の下面に、幾何学的膜厚が２０ｎｍである内層ＩＴＯ膜３５と、膜厚が７０ｎｍのＳｉＯ２膜３６と、膜厚が１０ｎｍある表面層ＩＴＯ膜３７とが積層してある構成である。 - 特許庁

The curable composition is applied onto a substrate and cured to obtain the hard-coated article having a hard-coated layer whose film thickness is ≥15 μm and ≤200 μm.例文帳に追加

同一分子内に３個以上のエチレン性不飽和基及び１個以上のイソシアヌレート環を有する化合物を含む硬化性組成物を基材上に塗設して硬化させた、硬化後のハードコート層の膜厚が１５μｍ以上２００μｍ以下であるハードコート処理物品及びそれを用いた画像表示装置。 - 特許庁

To provide a wiring substrate that can excellently form a solder layer on a conductive projection connection pad connected in a flip-chip way and can prevent the generation of an electric short circuit between adjoining conductive projections and the connection pad which adjoin with each other by solder, and its manufacturing method.例文帳に追加

フリップチップ接続される導電突起・接続パッド上に半田層を良好に形成することができ、互いに隣接する導電突起・接続パッドの間に半田による電気的な短絡が発生するのを抑制することができる配線基板およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁