「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(751ページ目) - Weblio英語例文検索

On an SOI substrate 64, elements such as MISFETs are provided in the element-forming region R1, and a trench element isolation 68 is formed reaching the insulation layer 62 penetrating the main-surface silicon layers 63 in the element isolation region R2.例文帳に追加

ＳＯＩ基板６４のうちで、素子形成領域Ｒ１に位置する部分にはＭＩＳＦＥＴなどの素子が設けられており、素子分離領域Ｒ２に位置する部分には主面側シリコン層６３を貫通して絶縁層６２に到達するトレンチ素子分離６８が設けられている。 - 特許庁

In the platemaking method for the lithographic printing plate, an image is formed by a process that a composition containing a crosslinking agent for a primary amine polymer is printed on a lithographic printing original plate having at least one layer containing the primary amine polymer on a substrate, by using an inkjet method.例文帳に追加

支持体上に少なくとも１層の１級アミンポリマーを含有する層を有する平版印刷原版上にインクジェット方式を用いて１級アミンポリマーに対する架橋剤を含む組成物を印字して像を形成させることを特徴とする平版印刷版の製版方法。 - 特許庁

A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された下側金属膜２と、下側金属膜２の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属２から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜５と、バリア層５の上に形成された上側金属膜６とを含む。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタ１３は、半導体基板１１上に第２導電型のソース領域１３Ｓおよびドレイン領域１３Ｄを形成し、ソース領域１３Ｓとドレイン領域１３Ｄの間の領域上に絶縁層１２ａを介してゲート電極１３Ｇを形成して構成する。 - 特許庁

The active matrix substrate 61 has: a reflection electrode 30 having a flattened surface; a second insulating film 32 arranged on the reflection electrode 30 and having a flattened surface; and an alignment layer 33 arranged on the second insulating film 32 and composed of an oblique vapor deposition film.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板６１は、表面が平坦化された反射電極３０と、反射電極３０上に配置され且つ表面が平坦化された第２の絶縁膜３２と、第２の絶縁膜３２上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜３３とを有する。 - 特許庁

On the substrate, a plurality of electrodes 401 opposing the conductive layer of the planar member 104 are installed and arranged such that the working direction of line of electric force generated by a voltage applied to the plurality of electrodes becomes nearly the same as the displaced face direction of the planar member.例文帳に追加

板状部材１０４の導電体層と対向して複数の電極４０１を基板上に設け、複数の電極に印加される電圧により発生する電気力線の作用方向が、板状部材の変位面方向とほぼ同等となるように、複数の電極を配置する。 - 特許庁

In the transmission type liquid crystal device, a pixel electrode 9 consisting of a structural birefringent body provided with a light reflection body 9a arranged in a stripe-shape with a pitch shorter than the wavelength of light made incident to a liquid crystal layer 50 is formed at a TFT array substrate 10 of a visual confirmation side.例文帳に追加

本発明の透過型液晶装置は、視認側のＴＦＴアレイ基板１０に、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された光反射体９ａを具備する構造複屈折体からなる画素電極９が形成されている。 - 特許庁

The light controlling layer may be formed almost all over the back face of the substrate from the side where a light source 6 such as a cold cathode tube or the like is disposed to the other side, in particular, may be continuously formed almost all over the region where the display part is formed, or may be formed only in the region corresponding to the display part.例文帳に追加

調光層は、冷陰極管等の光源６のある側から他の側へと基板の裏面の略全面、特に、表示部が形成されている領域の略全域に渡って連続的に形成されていてもよいし、表示部に対応する部分のみに形成されていてもよい。 - 特許庁

In the manufacturing method for the magnetic disk wherein a metal thin film type magnetic layer and a hard protective film are formed on a disk substrate 1, a transfer body coated with a lubricant is brought into contact with the hard protective film just after the hard protective film is deposited in a vacuum to transfer the lubricant to the surface of the hard protective film.例文帳に追加

ディスク基体１上に金属薄膜型磁性層、硬質保護膜を形成した磁気ディスクの製造方法において、潤滑剤を塗布した転写体を成膜直後の硬質保護膜と真空中で接触させて、硬質保護膜表面に潤滑剤を転写させる。 - 特許庁

A solution of a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound having a degree of polymerization of <20 is coated on a substrate layer and then the polyvalent metal salt of the unsaturated carboxylic acid compound is irradiated with electron beams in the presence of a solvent to manufacture the gas barrier film.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩に溶媒の存在下で電子線を照射することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法に関する。 - 特許庁

The pressure sensitive adhesive layer is obtained by coating the pressure sensitive adhesive composition comprising a radiation curable acrylic compound and a carboxyl group-containing acrylic compound which is an ester form having a structure obtained by bonding an epoxide (meth)acrylate having a hydroxy group to a polycarboxylic acid through an ester on a substrate and curing the composition.例文帳に追加

放射線硬化性アクリル化合物と、ヒドロキシ基を有するエポキシド（メタ）アクリレートと多価カルボン酸とがエステルにより結合された構造を有するエステル体であるカルボキシル基含有アクリル化合物とを含む感圧接着剤組成物を基体に塗布し硬化する。 - 特許庁

The thermal type element having a structure of forming a bridge of a thin layer on a cavity 30 provided in a substrate 20, includes: a function member whose size is changed with a temperature; and a size increase and decrease member 60 whose size is changed with a temperature so as to absorb the size change of the function member.例文帳に追加

基板２０に設けた空洞３０上に薄層を架橋する構造の熱型素子は、温度によって寸法が変化する機能部材と、機能部材の寸法の変化を吸収するように、温度によって寸法が変化する寸法増減部材６０と、を備えている。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

To allow sure electrical and physical connection with an anisotropic conductive adhesive layer (ACF) by effectively absorbing the variance in level or the like of a substrate in a thermo-compression bonding step and to prevent the reduction in efficiency of heat transmission from a jig for thermo-compression bonding to the ACF.例文帳に追加

熱圧着工程における基板の平面性のバラツキ等を効果的に吸収して、異方性導電接着層（ＡＣＦ）による電気的及び物理的な接続を確実に行えるようにし、しかも熱圧着用冶具からＡＣＦへの熱伝達効率が低下しないようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium, with which a yield of the perpendicular magnetic recording medium is improved by efficiently removing deposition in a chamber used for a step of depositing a protective layer so as to reduce mixing of particles in layers on the substrate.例文帳に追加

保護層成膜工程に用いたチャンバー内部における堆積物を効率的に除去することで、基体上の層へのパーティクルの混入を低減し、垂直磁気記録媒体の歩留まりを向上することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film head section 1b formed on an alumina-titanium carbide substrate 1a of a magnetic head slider 1 comprises a recording element 2, a reproducing element 3, a heater 4, an alumina insulator layer 50 separating them, electrical wiring film to each element, and protective alumina insulator layers 52 protecting the whole film, and so forth.例文帳に追加

磁気ヘッドスライダ１のアルチック基板１ａ上に形成された薄膜ヘッド部分１ｂは、記録素子２、再生素子３、ヒータ４、それらを隔てるアルミナ絶縁膜５０、それぞれの素子への電気配線膜、成膜全体を保護するアルミナ保護絶縁膜５２などから構成される。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A conductive pattern layer 4 is formed on the upper surface 1b of a part 1a dented like a dish plate shape on the top of the substrate 1, and a light emitting chip 2 is mounted on it by an adhesion of a silver paste 5 in the light emitting side of a device on which the light emitting chip 2 is mounted.例文帳に追加

発光チップ２が搭載されたデバイスの発光側は、基板１の上部に形成された皿の形状に窪んでいる部分１ａの上面１ｂ上に導電パターン層４が形成され、その上に発光チップ２が銀ペースト５接着によって搭載されている。 - 特許庁

Ni-P alloy plating 16 in which a P content is 6.80-8.50 mass%, a surface roughness Rz is ≤4.6 μm, and preferably a thickness of an oxide layer on a surface thereof is ≤10 nm, is formed on a surface of a metal plate 12 joined to a ceramic substrate 10.例文帳に追加

セラミックス基板１０に接合した金属板１２の表面に、Ｐ含有量が６．８０〜８．５０質量％であるとともに表面粗さＲｚが４．６μｍ以下であり、好ましくは表面の酸化物層の厚さが１０ｎｍ以下のＮｉ−Ｐ合金めっき１６を形成する。 - 特許庁

The optical element 7, mounted on the silicon substrate 1 with the insulation layer 5 therebetween, and the periphery of a part or all of electric wiring for driving the optical element are covered with the transparent (in the wavelength of the optical element) resin 8, and further it is covered with the resin 9 of a higher coefficient of heat conductivity by applying, etc.例文帳に追加

また、絶縁層５を介してシリコン基板１上に搭載された光素子７、および光素子を駆動するための電気配線の一部若しくは全部の周囲を透明（光素子の波長で）樹脂８で覆い、さらにその上に熱伝導率の高い樹脂９で塗布等により覆う。 - 特許庁

A detecting part 2 having an X-ray converting layer and an active matrix substrate inside, a gate circuit part 5 and a reading circuit part 6 are controlled by a control circuit part 44, a pixel signal of the detecting part 2 is read out to the reading circuit part 6, and data is sent through the sliding electrode 4 to the outside.例文帳に追加

内部にＸ線変換層とアクティブマトリックス基板を有する検出部２と、ゲート回路部５と読取回路部６を制御回路部４４が制御して、検出部２の画素信号を読取回路部６に読出し、滑り電極４を介して外部にデータを送る。 - 特許庁

To provide an optical disk which has excellent wear resistance and flawing resistance, can well prevent the occurrence of crack particularly with the lapse of time, and has the high strength not possible heretofore and excellent preservation reliability by improving a hard coating layer to be disposed on a light incident surface side of a substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板の光入射面側に設けるハードコート層を改良することにより、耐摩耗性や耐傷性に優れ、特に経時によるクラックの発生を良好に防止することのできる、従来になく高強度で保存信頼性に優れた光ディスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor (TFT) capable of being actuated at a low voltage using a highly-performing n-type organic semiconductor material in a semiconductor layer on a substrate with an electron-absorbing group induced therein at both ends of an organic compound with an advanced high-planarity molecular frame of a π-electron system.例文帳に追加

π電子系の発達した平面性の高い分子骨格をもつ有機化合物の両端に、電子吸引基を導入した高性能のｎ型有機半導体材料を基板上の半導体層に用いた低電圧駆動の有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

The optical filter circuit is provided with: an input-side optical fiber 11 and an output-side optical fiber 12 which face each other across a groove 13; and a band-pass type or band elimination type optical filter element 100 which is arranged in the groove 13 and includes a substrate 101 and a filter layer 102 provided on its surface.例文帳に追加

溝１３を介して対向する入力側光ファイバ１１及び出力側光ファイバ１２と、溝１３に配置され、基板１０１及びその表面に設けられたフィルタ層１０２を含むバンドパス型又はバンドエリミネーション型の光フィルタ素子１００とを備える。 - 特許庁

A silicon substrate for epitaxial growth is subjected to RTA (rapid heating-rapid cooling heat treatment) at 1,200 to 1,350°C for 1 to 120 s and further subjected to heat treatment at 900 to 1,050°C for 2 to 20 h, and thereafter an epitaxial layer is formed on the surface of the silicon wafer mentioned above.例文帳に追加

エピタキシャル成長用のシリコン基板に対し、１２００℃〜１３５０℃の温度で１〜１２０秒のＲＴＡ（急速加熱・急速冷却熱処理）を行い、さらに９００℃〜１０５０℃の温度で２〜２０時間の熱処理を行った後、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成するようにした。 - 特許庁

The solar battery module comprises a photovoltaic layer in which two or more photovoltaic elements, each of which made of a transparent conductive film 11, photoelectric conversion layers 12 and 13, and a back electrode 14 laminated on a transparent substrate 10 in order, are serially connected and a filler 15 arranged in order.例文帳に追加

太陽電池モジュールは、透明基板１０上に、透明導電膜１１と光電変換層１２、１３と裏面電極１４とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層と、充填材１５とが順に配置される。 - 特許庁

A polyethylene resin composition layer, consisting of a polyethylene resin composition, containing a polyethylene resin and a compound having 0.5 pieces or more of intermolecular unsaturated linkages per 103 carbons, is provided on at least one side of a substrate.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に、（Ａ）ポリエチレン系樹脂と（Ｂ）分子内不飽和結合を有する化合物とを含有するポリエチレン系樹脂組成物であって、該ポリエチレン系樹脂組成物中における分子内不飽和結合を１０^3炭素当たり０.５個以上有するポリエチレン系樹脂組成物層が設けられている。 - 特許庁

An organic electroluminescence layer L having organic an electroluminescence element W for recording and an organic electroluminescence element E for erasing is formed as a light source atop a substrate 1 and a photochromic sheet F reversibly changed in absorption spectra by light absorption is placed atop the same.例文帳に追加

基板１の上面に、光源として、記録用有機エレクトロルミネッセンス素子Ｗと消去用有機エレクトロルミネッセンス素子Ｅとを備えた有機エレクトロルミネッセンス層Ｌを形成し、その上面に、光吸収によって吸収スペクトルが可逆的に変化するフォトクロミックシートＦを載置する。 - 特許庁

A cell including a photoanode composed of at least one polycrystalline titanium dioxide layer on a conductive substrate, a counter-electrode and an electrolyte positioned between these electrodes, at least one of the electrodes being transparent or translucent is provided.例文帳に追加

本発明は、導電性基材上の少なくとも１層の多結晶質二酸化チタン層を含んでなるフォトアノード、対電極、及びこれらの電極間に配置された電解質を含んでなり、前記電極の少なくとも一つが透明又は半透明である電池と提供するものである。 - 特許庁

The slurry compositions include one or more non-ionic polymeric surfactants that will selectively form a passivation layer on an exposed polysilicon surface in order to suppress the polysilicon removal rate relative to silicon oxide and silicon nitride and improve the planarity of the polished substrate.例文帳に追加

シリコン酸化物及びシリコン窒化物に対してポリシリコン除去速度を低め、研磨された表面の平坦度を改善するために露出されたポリシリコン表面上にパッシベーション層を選択的に形成できる一つまたはそれ以上の非イオン性ポリマー界面活性剤を含むスラリー組成物。 - 特許庁

This biosensor comprises a substrate to whose surface a hydrophilic compound is bonded directly or via an inter-layer and on which at least two compounds each comprising amino groups and carboxyl groups are continuously bonded to the hydrophilic compound to form two or more amide bonds.例文帳に追加

表面に直接又は中間層を介して親水性化合物が結合しており、該親水性化合物にアミノ基とカルボキシル基を有する化合物が少なくとも２個以上連続的に結合して２個以上のアミド結合が形成されている基板から成るバイオセンサー。 - 特許庁

In the photosensitive element having a plastic film A, a photosensitive resin layer and a plastic film B in this order for forming a photosensitive resin pattern on a substrate, each of the plastic film A and the plastic film B is a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film.例文帳に追加

基板上に感光性樹脂パターンを形成するための、プラスチックフィルムＡ、感光性樹脂層、プラスチックフィルムＢをこの順で有する感光性エレメントにおいて、前記プラスチックフィルムＡ及びプラスチックフィルムＢがそれぞれポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリプロピレンフィルムである感光性エレメント。 - 特許庁

Infrared ray excitation printed layer having the fluorescent substance fine powder of oxygenated oxyacid chloride expressed by the following general expression and wax enabling infrared ray to be passed therethrough, and ethylene-vinyl acetate polymer or carbonate or a binder formed of the mixture thereof is formed on a substrate.例文帳に追加

下記の一般式で表せる含酸素酸塩化合物の蛍光体微粉末と、赤外線を透過するワックス、エチレン−酢酸ビニル共重合体またはカーボネートもしくはこれらの混合物よりなるバインダとからなる赤外線励起性印刷層を基板上に形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。 - 特許庁

The original plate for the lithographic printing plate with an image forming layer comprising resin fine particles on a substrate with a hydrophilic surface is characterized by the resin fine particles being a latex synthesized by emulsion polymerization using an emulsifying agent with an ethylene oxide chain.例文帳に追加

親水性表面を有する支持体上に、樹脂微粒子を含有する画像形成層を有する平版印刷版用原版であって、該樹脂微粒子がエチレンオキシド鎖を有する乳化剤を用いた乳化重合により合成されたラテックスであることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This plasma display panel is provided with transparent electrodes 11, bus electrodes 12 and a dielectric layer 14 covering them on at least one substrate out of a pair of substrates 10, 20 facing to each other through a discharge space 25.例文帳に追加

放電空間を介して対向する一対の基板の内の少なくとも一方の基板上に、透明電極とバス電極とそれを覆う誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、バス電極１２の主成分が誘電体層１４に含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the electrophotographic organic photoreceptor having a photosensitive layer containing a charge generating substance, electron transfer substance, hole transfer substance and binder resin on a conductive substrate, the electron transfer substance contains quinone compounds and phenol compounds prepared by reducing the quinone compounds.例文帳に追加

導電性支持体上に、電荷発生物質、電子輸送物質、正孔輸送物質、結着樹脂を含有する感光層を具備する電子写真用有機感光体において、電子輸送物質がキノン化合物と、このキノン化合物を還元したフェノール化合物とを含むものとする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

A high frequency package 8 having the microstrip terminal and a high frequency package (not shown) having a coplanar terminal are mounted on the wiring layer 4 and the microstrip terminals and coplanar terminals of the laminated substrate and the high frequency packages are respectively electrically and physically connected.例文帳に追加

そして、配線層４上にマイクロストリップ端子を有する高周波パッケージ８及びコプレーナ端子を有する高周波パッケージ（不図示）が実装され、積層基板と高周波パッケージ各々とのマイクロストリップ端子同士及びコプレーナ端子同士がそれぞれ電気的及び物理的に接続される。 - 特許庁

The slurry comprises an aqueous solution, a supply source of a rare earth oxide and one or plural transient liquid additives, and the aqueous solution comprises a fluid having the affinity to the supply source of hafnium oxide, the transient fluid additive, the substrate and a deposited layer thereof.例文帳に追加

上記スラリは、水溶液と、希土類元素の酸化物の供給源と、１つまたは複数の一過性の流体状の添加物と、を含み、上記水溶液は、ハフニウム酸化物の供給源や一過性の流体状の添加物や基体およびその堆積層に対して親和性のある流体を含む。 - 特許庁

By composing this photoelectric conversion element by using such an electrode substrate 1, the wiring layer 12 is surely shielded from an electrolyte solution or the like to effectively restrain its corrosion and leakage current, so that the photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency can be provided.例文帳に追加

このような電極基板１を用いて光電変換素子を構成することにより、金属配線層１２が電解質溶液などから確実に遮蔽され、その腐食や漏れ電流を効果的に抑制し、光電変換効率の高い光電変換素子を得ることができる。 - 特許庁

In an ink jet recording medium provided with an ink receptor layer comprising an alumina hydrate and a cationic resin obtained by a reaction between amine and epihalohydrin, at least on one side of a substrate, the amine consists of different kinds of at least two kinds or more.例文帳に追加

アルミナ水和物と、アミンとエピハロヒドリンとの反応により得られたカチオン性樹脂とを含むインク受容層を、基紙の少なくとも一方に設けたインクジェット用記録媒体において、該アミンが少なくとも２種類以上の異なる種類のものからなる、インクジェット用記録媒体。 - 特許庁

The electrophtographic photoreceptor has a photosensitive layer containing a pigment comprising crystallites which consist of molecules of a titanyl phthalocyanine backbone and having ≥20 nm crystallite diameter and ≤500 nm primary particle diameter on an electrically conductive substrate.例文帳に追加

導電性基体上に、チタニルフタロシアニン骨格を有する分子で構成される結晶子からなる顔料であって、この顔料の結晶子径が２０ｎｍ以上であり、かつ、一次粒子径が５００ｎｍ以下である顔料を含有する感光層を備えた電子写真用感光体とする。 - 特許庁