「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(753ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive double coating member 9 comprises an insulating material functioning as a substrate 10 and a pressure sensitive adhesive 11 arranged on both sides of the insulating material, and interposed between two current collectors 2 together with the unit cell layer 6, and stuck to two current collectors 2 with the pressure sensitive adhesive 11.例文帳に追加

両面粘着部材９は、基材１０の役割を果たす絶縁材と、該絶縁材の両面に設けられた粘着剤１１とからなり、単電池層６と共に２つの集電体２に挟まれて粘着剤１１により該２つの集電体２に接着されてなる。 - 特許庁

To provide an antenna module in which, a structure of an antenna where efficiency and a gain of the antenna is enhanced and a band of the antenna is increased by suppressing an advance of a surface wave and by re-radiating surface wave type signals, is embodied on a multi-layer substrate having high permittivity such as Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC).例文帳に追加

表面波の進行を抑制して表面波形態の信号を再放射することにより、アンテナの効率と利得を高め、アンテナの帯域を広げることができるアンテナ構造がＬＴＣＣのような誘電率の高い多層基板上に具現されたアンテナモジュールを提供する。 - 特許庁

In an element substrate of a liquid crystal device, when a second electrode layer 7a and a pixel electrode 9a are to be electrically connected with each other, a second insulating film 47 is formed on a side wall 45a2 and on the outside of a contact hole 45a and is not formed on a bottom part 45a1 of the contact hole 45a.例文帳に追加

液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを導通させるにあたって、コンタクトホール４５ａの底部４５ａ1を避けて、コンタクトホール４５ａの側壁４５ａ2およびコンタクトホール４５ａの外部に第２絶縁膜４７を設ける。 - 特許庁

In the positive electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery, an active material layer composed of an active material consisting of LiMPO_4(M is Fe or Mn or a mixture thereof), a conductive material and a binder and having a bulk density of 1.2 g/cm^3 or higher is laminated on a collector substrate.例文帳に追加

集電基材上にＬｉＭＰＯ_４（ＭはＦｅまたはＭｎまたはこの混合物）からなる活物質と導電材と結着材からなり嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上である活物質層が積層している非水電解液二次電池用正極等を提供する。 - 特許庁

At a stage of manufacturing the contact pin 32a, a hollow is formed on a base metal layer as a substrate in the plating operation, the contact pin 32a is formed on it by the plating operation, and the contact pin 32a comprising the protrusion part 44 to which the inside shape of the hollow has been transferred is obtained.例文帳に追加

このコンタクトピン３２ａを製造する段階で、めっきの際の下地となるベースメタル層にくぼみを設け、この上にめっきによってコンタクトピン３２ａを形成することで、くぼみの内面形状が転写された突起部４４を有するコンタクトピン３２ａを得る。 - 特許庁

Metallic tone of ring parts 30 are provided in outer circumferences of the scales 21 and a pointer 8 out of the the dial 2, and the metallic tone of ring parts 30 are constituted of a protrusion provided in the substrate 20 itself, and a metallic glossy tone of half mirror layer provided on a surface of the protrusion, as same as the scale 21.例文帳に追加

また、文字板２のうち、目盛２１および指針８の外周に金属調リング部３０を設け、金属調リング部３０を目盛２１と同様に、基板２０自身に設けた凸部と、その凸部の表面に設けた金属光沢調ハーフミラー層とにより構成することもできる。 - 特許庁

To provide a method of coating without a fault such as paint coming-off to the rear side of a current collector, thickness unevenness or the disconnection of the current collector, etc. at the coating time of the paint containing an active substance to form an electrode layer on the current collector (porous substrate) having holes passing front and rear surfaces.例文帳に追加

表裏面を貫通する孔を有した集電体（多孔質基材）上に電極層を形成するために活物質を含む塗料の塗工時に、集電体の裏側への塗料抜け、厚みむらや集電体が切れ等の不具合のない塗工方法を提供する。 - 特許庁

To raise the characteristics of both thin film transistors simultaneously by making the amount of hydrogen injected in a semiconductor layer independently enable to be controlled by an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor in the case of hydrogenation in the n-type thin film transistor and the p-type thin film transistor formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成されるｎ型薄膜トランジスタとｐ型薄膜トランジスタにおいて、水素化の際に半導体層に注入される水素量をｎ型薄膜トランジスタとｐ型薄膜トランジスタとで独立に制御可能とし、両薄膜トランジスタの特性を同時に高める。 - 特許庁

As for the hard magnetic particles 17, mean particulate diameter is ≥2 nm to ≤10 nm, standard deviation of particulate diameter is ≤10% of the mean diameter and mean interval of the particles is ≥0.2 to ≤5nm and an easy magnetization axis of the recording layer 14 is made perpendicular to a substrate surface.例文帳に追加

硬質磁性微粒子１７は、平均粒径が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下、粒径の標準偏差が前記平均粒径の１０％以下、粒子の平均間隙が０．２以上５ｎｍ以下であり、記録層１４の磁化容易軸が基板面に対して垂直となっている。 - 特許庁

A recording sheet comprises a coating layer mainly composed of a pigment and a binder formed on at least one surface of the substrate, wherein the pigment comprises satin white and an engineered kaolin having an aspect ratio of 15 to 60 and an average particle diameter of 0.2 to 0.8 μm.例文帳に追加

支持体上の少なくとも片面に、顔料とバインダーを主成分とする塗工層を有する記録シートにおいて、前記顔料が、サチンホワイトと、アスペクト比が１５〜６０であり、平均粒子径が０．２〜０．８μｍであるエンジニアードカオリンを含有することを特徴とする記録シートである。 - 特許庁

Moreover, the second substrate 2 has data electrodes 19 which are arranged so as to face the pixel electrodes 16 across the liquid crystal layer 3 and which extend in the second direction and second light shielding parts 18c each of which shields the gap of data electrodes 19a, 19b being adjacent with each other in the first direction.例文帳に追加

第２基板２は、液晶層３を介して画素電極１６と対向するように配列された第２方向に延びるデータ電極１９と、第１方向に沿って互いに隣接するデータ電極１９ａ、１９ｂの間隙を遮光する第２遮光部１８ｃを有する。 - 特許庁

Based on the manufacturing instruction data from the manufacturing instruction preparing device 70a and design data of the print plate from a print data input device 70b, a print controlling device group 70c prints the design data on a surface of a transparent substrate in an on-demand printing machine group 70d as a print layer.例文帳に追加

印刷制御装置群７０ｃは、製造指示作成装置７０ａからの製造指示データ及び印刷データ入力装置７０ｂからの表示板のデザインデータに基づき、オンデマンド印刷機群７０ｄに、当該デザインデータを、透明基板の表面に印刷層として印刷させる。 - 特許庁

The optical film is manufactured by forming the hard coat layer 1 by the steps including a step of applying coating liquid including the light transmitting particulate 3 on the substrate 2, then removing a solvent in the coating liquid, and next applying a coating liquid including the transparent resin 4.例文帳に追加

また、透光性微粒子３を含有する塗工液を基材２に塗布した後、前記塗工液中の溶媒を除去し、次いで透明樹脂４を含有する塗工液を塗布する工程を有する工程によりハードコート層１を形成して光学フィルムを製造する。 - 特許庁

To manufacture a transistor having desired high field effect mobility by forming an oxide semiconductor layer with improved characteristics while using a larger substrate, and to achieve practical application of a large-sized display device, a semiconductor device with high performance, and the like.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

A first aluminum film 12 with large thickness is formed on a substrate 11, and adsorbing molecules such as oxygen or nitrogen is made to adsorb in the surface of the first aluminum film 12, and a thin oxide or nitride film is formed as an etching relaxation layer 13 that relaxes the grain- boundary etching of aluminum.例文帳に追加

基板１１上に厚い膜厚の第１のアルミニウム膜１２を成膜し、第１のアルミニウム膜１２の表面に酸素や窒素等の吸着分子１５を吸着させ、薄いＡｌの酸化物や窒化物の膜をＡｌの粒界エッチングを緩和するエッチング緩和層１３として形成する。 - 特許庁

In the silicon nitride wiring board 1, a wiring circuit pattern 13 consisting of a metal is joined to a surface of a silicon nitride substrate 11 formed of a silicon nitride sintered body by a brazing material, and a plating layer is formed in the surface of the wiring circuit pattern 13.例文帳に追加

開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus 101 for the particulate material of which a surface is coated with a ferrite layer, the manufacturing apparatus 101 comprises mechanisms 6, 7 for bringing an oxidation medium containing a reactive solution containing at least ferrous ions, at least an oxidizing agent or at least oxygen into contact with a substrate.例文帳に追加

表面がフェライト層で被覆された粒子状物の製造装置１０１であって、前記製造装置は少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、少なくとも酸化剤もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる機構６，７を備えている。 - 特許庁

An image is formed on an image receiving layer 2 on a substrate 1 of an intermediate body, and then a bonding agent 6a is applied on a desired section or/and a non-bonding agent is applied to an undesired section, and transfer is carried out only to the desired section of a body 9 to be printed having a magnetic stripe 10.例文帳に追加

中間体の支持体１上の受像層２に画像を形成した後、所望の部分に接着剤６ａを適用するか、または／および所望でない部分に非接着剤を適用し、磁気ストライプ１０を有する被印刷体９の所望の部分にのみ転写を行なうことができた。 - 特許庁

A compression stress layer with a depth of ≥50 μm is formed by chemical strengthening treatment on the surface of a glass substrate formed of a glass material which contains, by weight, 40 to 70% SiO_2, 0.1 to 20% Al_2O_3 and 3 to 20% Na_2O, and does not contain Li_2O.例文帳に追加

ＳｉＯ_2を４０〜７０重量％、Ａｌ_2Ｏ_3を０．１〜２０重量％、Ｎａ_2Ｏを３〜２０重量％含有し、Ｌｉ_2Ｏを含有しないガラス材料で形成されたガラス基板の表面に化学強化処理により深さ５０μｍ以上の圧縮応力層を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with an alignment film ORI1 on the surface on a liquid crystal side of at least one substrate SUB2 of respective substrates facing each other across the liquid crystal and an insulating film INS under the alignment layer and an ion adsorbing film IAF is made to intervene between the alignment film and the insulating film.例文帳に追加

液晶を介して対向する各基板のうち少なくともその一方の基板SUB2の液晶側の基板の表面に配向膜ORI1とこの配向膜の下に絶縁膜INSを備えるものであって、配向膜と絶縁膜との間にイオン吸着膜IAFを介在させる。 - 特許庁

To fully remove damage caused by recess-etching without deteriorating a worked shape of a device, thereby allowing an SiGe layer with good crystalline conditions to epitaxially grow sufficiently on an etched surface where a silicon substrate has been recess-etched.例文帳に追加

デバイスの加工形状を悪化させることなくリセスエッチングによるダメージを十分に取り除くことが可能で、これによりシリコン基板をリセスエッチングしたエッチング面上に結晶状態の良好なＳｉＧｅ層を十分にエピタキシャル成長させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the plurality of convex-shaped external connection terminals are arranged, the contact area with a connection member is increased, between the convex-shaped external connection terminals on the semiconductor element and the conductive layer formed on the support substrate, and thereby stress generated due to temperature rise/fall is scattered over a wider range.例文帳に追加

凸状外部接続端子を複数個配設することにより、半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との間に介在される接続部材との接触面積が増加することから、前記昇温・降温の際に生じるストレスはより広い範囲に分散される。 - 特許庁

The anode terminal 13 is provided with an outer connecting part 13b connected with a terminal from an outer device outside the main substrate 11, and the cathode terminal 14 is provided with a outer connecting part 14b connected with the above terminal and a cathode contact part 14a connected with a cathode coating conductive layer 19.例文帳に追加

陽極端子１３は主基板１１外の外部装置からの端子が接続される外部接続部１３ｂを有し、陰極端子１４は上記端子が接続される外部接続部１４ｂと陰極被覆導電層１９に接する陰極コンタクト部１４ａとを有する。 - 特許庁

To provide a method for producing a ceramic multilayer printed wiring board in which occurrence of dimensional shift of a wiring circuit layer due to deformation of a substrate in the vicinity of side end face is prevented at the time of producing a multilayer printed wiring board using a restriction sheet, and a ceramic multilayer printed wiring board having excellent dimensional accuracy.例文帳に追加

拘束シートを用いて多層配線基板を作製する場合、基板の側端面付近の変形による配線回路層の寸法ズレの発生を防止したセラミック多層配線基板の製造方法と、寸法精度に優れたセラミック多層配線基板を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the contacted area of a pad 21-1 with a conductor layer 27 becomes the same as the aperture diameter ϕ2 of an opening part 26 provided on a silicon substrate 20, so that the contacted area becomes larger than that in the related-art and thus, and the reliability of connection can be enhanced.例文帳に追加

パッド２１−１と導体層２７との接触面積は、シリコン基板２０に設けられた開口部２６の孔の口径φ２と同じになるので、従来の技術と比べて接触面積を大きくすることが可能となり、これにより、接続の信頼性を向上できる。 - 特許庁

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板５上に、ボディ領域１２、ドリフト領域１３およびソース領域１４を有するｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層８を形成し、ソース領域１４およびボディ領域１２を貫通し、ドリフト領域１３に達するゲートトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

By carrying out pressure reduction and heating under predetermined pressure reduction conditions (such as a reduced pressure value and retention time of the reduced pressure) and predetermined temperature conditions (such as a substrate temperature, heating temperature and heating time), generation of defects and abnormal film thickness in a color layer can be suppressed to improve the yield.例文帳に追加

また、所定の減圧条件（減圧圧力や減圧保持時間）及び所定の温度条件（基板温度、加熱温度や加熱時間）の下で減圧及び加熱を行うことにより、着色層における欠陥や膜厚異常の発生を抑制して、歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

To provide a base material having a negative photoresist layer for an optical disk, which has superior contrast obtained in a developing stage, using dry process and superior mask performance also in a substrate etching stage in subsequent developing stages, and to provide a method for manufacturing a stamper for the optical disk, using the base material.例文帳に追加

ドライプロセスを用いた現像工程で優れたコントラストが得られ、その後の基板エッチング工程においても優れたマスク性能を有する、光ディスク用ネガ型レジスト層付き基材、上記基材を使用して光ディスク用スタンパを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

A pattern of a silicidation block layer is formed on a silicon substrate in which an active region and a field region are defined to cover the field region and a region that is partially extended out of the field region, thereby a first region that is a residual active-region is exposed.例文帳に追加

アクティブ領域及びフィールド領域が定義されたシリコン基板上にシリサイデーション阻止層パターンを形成して前記フィールド領域及び前記フィールド領域の外部へ一部拡張された領域をカバーし、残りのアクティブ領域である第１領域を露出させる。 - 特許庁

In this thermal transfer recording medium, at least the thermal transfer ink layers with the plurality of colors and/or the plurality of patterns are pattern-printed on the substrate, and spherical particulates with a relationship between a layer thickness and a specific particle diameter are contained in at least each of the thermal transfer ink layers.例文帳に追加

支持体上に少なくとも複数色および／または複数パターンの熱転写インク層をパターン印刷した熱転写記録媒体において、少なくとも各熱転写インク層中に層厚と特定の粒径の関係を有する球状微粒子を含有した熱転写記録媒体。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition which ensures small warpage after molding and in soldering, excels in soldering resistance and excels also in productivity, when used in a semiconductor device in which low warping property and smoothness are required, particularly an area mounting type semiconductor device or the like in which a resin layer is formed on one side of a substrate.例文帳に追加

低反り性や平滑性が要求される半導体装置、特に基板の片側に樹脂層が形成されたエリア実装型半導体装置等に用いた場合、成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田性に優れ、かつ生産性にも優れたエポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The positive electrode 121 (the positive electrode for the battery) is equipped with resin skeleton 121f made of resin fibers 121b; a metal covering layer 121c covering the resin skeleton 121f; and the positive electrode substrate 121k having voids K in which two or more holes are three-dimensionally connected.例文帳に追加

本発明の正極１２１（電池用正極）は、樹脂繊維１２１ｂからなる樹脂骨格１２１ｆと、樹脂骨格１２１ｆを被覆する金属被覆層１２１ｃとを備え、複数の孔が三次元に連結した空隙部Ｋを有する正極基板１２１ｋを有している。 - 特許庁

The fraying out of the fibers of a fiber layer embedded in the substrate 2 from the opening end faces of the through-holes 10 can be prevented, by making the waves of the opened peripheral end faces of the holes 10 intersect each other in the longitudinal and transverse directions of the fibers.例文帳に追加

また、コア足挿通用貫通孔１０の開口周端面の波形を、電子部品搭載用基板２に埋設されている繊維層の縦と横の繊維方向に交差する波形状とすることにより、コア足挿通用貫通孔１０の開口周端面から繊維がほつれ出ることを防止できる。 - 特許庁

Metallized patterns 15 for making melted excess solder escape are continuously connected with a solder sealing metallized pattern 14 which is formed on an upper aperture part of the ceramic package main body 1, and formed on four corners of the side surface of the ceramic package main body 1, in a range not reaching the ceramic substrate 11 of a first layer.例文帳に追加

溶融した余分な半田を逃がすためのメタライズパターン１５は、セラミックパッケージ本体１の上部開口部に形成される半田封止用のメタライズパターン１４と連接し、セラミックパッケージ本体１の側面４角に第一層のセラミック基板１１に到達しない範囲で形成される。 - 特許庁

The upper surface of the mask substrate of the photomask 1 involving quantum dots is irradiated with light from a flash lamp of a light source 20, and near field light oozes out to a neighbourhood of an opening of a light shielding film 2 formed on the photomask 1 to expose a resist layer 11 on the surface of the workpiece located just under the opening.例文帳に追加

光源２０のフラッシュランプからの光が、量子ドットを含むフォトマスク１のマスク基板の上面照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having a wide visual field angle without generating an accidental image by using a liquid crystal alignment layer by which a liquid crystal alignment tilt angle at a surface of a substrate is nearly 0 and strong anchoring is achieved and to provide a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

基板表面での液晶配向チルト角がほぼ０で、かつ強いアンカリングを実現する液晶配向層を用いることにより、残像を発生することなく、広い視野角を有した液晶表示素子およびそれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A first insulating film 16a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 16b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 16c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 15 thus forming a gate insulating film 16 of three layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板１５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜１６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜１６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜１６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜１６が形成される。 - 特許庁

The double-sided adhesive tape comprises a substrate formed with self-adhesive layers on both sides thereof, where the self-adhesive layer on at least one surface is constituted of a self-adhesive mainly composed of a polyurethane-based polymer obtained by crosslinking a polyol polyurethane compound with a polyfunctional isocyanate compound.例文帳に追加

両面接着テープは、基材の両面に粘着剤層を有する両面接着テープであって、少なくとも片面の粘着剤層が、ポリオールポリウレタン化合物を多官能イソシアネート化合物で架橋したポリウレタン系ポリマーを主成分とする粘着剤で構成されている。 - 特許庁

A protective film having an excellent wear resistance, an increased hardness and reduced surface energy is formed by adding atoms 5 which increases film hardness into layers near to a substrate 1 and atoms 7 which decreases surface energy into top surface layer 6, or changing the adding rate in the direction of film thickness.例文帳に追加

基板１に近い層は膜硬度を高める原子５を添加し、最表面層６には表面エネルギーを下げる原子７を添加する、或いは添加割合を膜厚方向で変化させることにより、硬度が高く、かつ表面エネルギーの低い耐摩耗性に優れた保護膜を形成する。 - 特許庁

In the composite solar cell constituted by arranging an anode of the dye-sensitized solar cell on a cathode of a PN junction silicon solar cell formed by a semiconductor substrate to laminate, a silicide layer is formed between the cathode of the silicon solar cell and the anode of the dye-sensitized solar cell.例文帳に追加

半導体基板で形成したＰＮ接合型のシリコン太陽電池の陰極上に、色素増感太陽電池の陽極を配置して積層した複合型太陽電池の、シリコン太陽電池の陰極と、色素増感太陽電池の陽極との間にシリサイド層を形成する。 - 特許庁

A worksheet 100 includes insulating layers 21, 31 on one surface of an approximately rectangular substrate 11, and electronic components 41 and chip-like dummy components 51 primarily made from the same material as the primary material of the electronic component 41 are embedded into the insulating layer 21.例文帳に追加

ワークシート１００は、略矩形状の基体１１の一方面に絶縁層２１，３１を備え、絶縁層２１の内部に、電子部品４１、及びその電子部品４１の主材料と同等の材料を主材料とするチップ状ダミー部品５１が埋設されたものである。 - 特許庁

On the other face of the insulation substrate 11, a sliding layer 18 consisting of heat-resistant glass patterns 161, 162 and resin patterns 171 to 173 with high heat resistance and slidability, for instance, of a polyimide system, is formed in a state pinching the glass patterns 161, 162.例文帳に追加

発熱抵抗体１２が形成された絶縁基板１１の他方面上に、耐熱性のガラスパターン１６１，１６２と、このガラスパターン１６１，１６２を挟む格好で、耐熱性、摺動性の高い例えばポリイミド系の樹脂パターン１７１〜１７３とからなる摺動層１８を形成する。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

In some embodiments, the reaction between V-group precursor and the substrate is reduced by starting with relatively lower molar ratio of V-group precursor to III-group precursor, and then reducing the ratio during the growth of the first layer or using a nitrogen gas as an ambient gas.例文帳に追加

幾つかの実施形態においては、ＩＩＩ族前駆体に対するＶ族前駆体の低いモル比で開始し、次に、第１層の成長においてこの比を増加させ、又は窒素を雰囲気ガスとして用いることによりＶ族前駆体と基板との間の反応が減らされる。 - 特許庁