「surface and interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, a part of the gas-liquid interface of the bubble 6 and the ink 3, i.e., the rear end part of the ink liquid column 7, touches the upper surface of the heater 2 and then the bubble 6 communicates with the outer air in the liquid channel.例文帳に追加

気泡６が潰れてくると、気泡６とインク３との気液界面の一部であるインク液柱７の後端部は、ヒータ２の上面（点Ｎ）に部分的に接触し、その後、気泡６が液流路内で外気と連通する。 - 特許庁

A mixed solution of sulfuric acid and nitric acid is adopted to an electrolyte on the liquid side in which the electric double-layer is formed at an interface between the solid and the liquid, while the function due to nitric acid of improving activated carbon surface on the solid side is utilized.例文帳に追加

固体と液体の界面に形成する電気二重層を構成する液体側の電解液に硫酸と硝酸の混合溶液を採用し、硝酸による固体側の活性炭表面を改質する作用を利用する。 - 特許庁

Thereby, the junction surface area in the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b can be increased as compared with a flat structure like a conventional one, and carriers are made easy to pass therethrough by that amount.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。 - 特許庁

Even if a plating liquid permeates the inside of the first insulation layer 21 along the interface between the resin material and the fibers 23 in forming the via 16 and the conductive land 15, the plating liquid can be prevented from reaching the surface of the second insulation layer 22.例文帳に追加

ビア１６および導電ランド１５の形成時、たとえ樹脂材料および繊維２３の界面に沿って第１絶縁層２１内にめっき液が染み込んでも、第２絶縁層２２の表面にめっき液の到達は回避される。 - 特許庁

To provide a process for effectively removing moisture and hydroxy groups (OH) present at an interface or preventing foreign matters from attaching to the surface when manufacturing an optical fiber preform having at least one interface between neighboring soot inside a mode field, wherein the neighboring silica glass bodies are individually prepared through different processes.例文帳に追加

モードフィールド内に隣接するスートの間に界面を少なくとも１つ有し、上記隣接する石英ガラス体を異なる工程で製造する光ファイバ母材（プリフォーム）の製造に際し、界面に存在する水分や水酸基（ＯＨ）の除去、あるいは、表面に異物が付着することを効果的に防止する方法を提供する。 - 特許庁

The element for optical modulation has a metal thin film or metal microstructure exciting a surface plasmon, a dielectric thin film which selects an optical frequency coupled to the surface plasmon, and a micropulse light source having a frequency spread in a region where near field light leaks, and is characterized in using buffer effect of the surface plasmon on the interface between metal and a dielectric.例文帳に追加

本光変調素子は、表面プラズモンを励起する金属薄膜または金属微細構造体と、表面プラズモンと結合する光周波数を選択する誘電体薄膜と、周波数広がりをもった微小パルス光源を近接場光のしみ出す領域に有し、金属と誘電体の界面における表面プラズモンの緩衝効果を利用することを特徴としている。 - 特許庁

The first and second shims 316 and 318 has a liquid passage 320, formed through which the liquid 312 is metered and delivered, and the first and second rolls 302 and 306 are rotatable to meter and deliver the liquid 312 via the interface 314 to the fusing imaging surface 332 of the fusing member 330.例文帳に追加

第１および第２シム３１６，３１８は、液体３１２が調節供給される液体流路３２０を形成し、第１および第２ロール３０２，３０６は、液体３１２を境界面３１４を介して定着部材３３０の定着作像面３３２へ調節供給するように回転可能である。 - 特許庁

This portable display operating device is provided with an interface to perform communications with an external device 3 and an image display main body part 1 to perform a prescribed display corresponding to an operating state of the external device 3 via the interface and provided with a touch panel 1b to operate the external device 3 on a display surface 11 of the image display main body part 1.例文帳に追加

外部装置３と通信を行う為のインターフェイスと、該インターフェイスを介して外部装置３の動作状態に対応した所定の表示を行う画像表示本体部１とを備え、画像表示本体部１の表示面１１に外部装置３の操作を行う為のタッチパネル１ｂを設けた携帯可能な表示操作装置に関する。 - 特許庁

The laminate is composed of an insulating substrate, the insulating resin layer formed on the insulating substrate and the metal lamellar formed on the insulating resin layer and a metal oxide is provided to the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella and the surface roughness of the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella is below 100 nm.例文帳に追加

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在し、かつ、絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする積層体。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

The copper foil with the carrier foil has the copper foil layer on the surface of the carrier foil through a bonding interface layer and is characterized in that the bonding interface layer is a composite layer composed of an independent carbon layer formed by a physical vapor deposition method or a metal layer and the carbon layer and the copper foil layer is formed by the physical vapor deposition method.例文帳に追加

前記課題を解決するために、キャリア箔の表面に接合界面層を介して銅箔層を有するキャリア箔付銅箔であって、当該接合界面層は物理蒸着法で形成した単独の炭素層又は金属層と炭素層とからなる複合層であり、当該銅箔層は物理蒸着法で形成したことを特徴とするキャリア箔付銅箔を採用する。 - 特許庁

In this chromatic dispersion element, only an optical path of a part A is needed, but the light is reflected by the crystal structure and the projection surface 4 as a usual medium interface actually as shown by a broken line to become stray light.例文帳に追加

この波長分散素子においては、Ａ部の光路のみが必要とされるが、実際には破線で示すように結晶構造と通常媒質界面である出射面４で反射が生じ、これが迷光となる。 - 特許庁

When a liquid surface LS is lowered, as the interface BS increases the flow resistance of the ink toward the region 27 to be detected, the ink hardly flows to the region 27 to be detected and the erroneous detection of the running-out of the ink is suppressed.例文帳に追加

界面ＢＳは、液面ＬＳが低下したときに、被検知領域２７へ向かうインクの流動抵抗を大きくするので、被検知領域２７へインクが流れにくくなり、インク切れの誤検出が抑制される。 - 特許庁

This is the plasma display panel of which a barrier rib 13 is a laminated structure of at least two layers 13a, 13b, and surface coarseness of the top part 13c is smaller than that of the interface 13d of the laminated layers.例文帳に追加

隔壁１３が、少なくとも２層１３ａ、１３ｂの積層構造であり、頂部１３ｃの表面粗さが、積層した層の界面１３ｄでの粗さより小さいことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument that can reduce the influence of thermal radiation light reflecting the temperature near the surface of a permeable resin member, and can improve temperature measurement accuracy of the resin interface.例文帳に追加

透過性樹脂部材の表面近傍の温度を反映した熱輻射光の影響を軽減することができ、樹脂界面の温度測定精度の向上を図ることができる温度測定装置を提供する。 - 特許庁

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。 - 特許庁

For example, a film with a reflective index lower than that of the light emitting layer is provided, and light toward the lower side of the light emitting layer is reflected at an interface of the stack where the refractive index has a gap, whereby light emission efficiency to the top surface can be improved.例文帳に追加

例えば、発光層よりも屈折率の低い膜を設け、屈折率に差がある積層の界面で発光層の下方への発光を反射し、上面への発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

In the semiconductor testing device including a test head having the pin card inside it and an interface device above it, the pin card can be inserted or removed from a side surface of the test head.例文帳に追加

内部にピンカードが収納され上部にインターフェース装置が設けられているテストヘッドを含む半導体試験装置において、前記ピンカードの挿抜を前記テストヘッドの側面から行えるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a conductor connecting pipe which can keep the surface pressure of interface between the pipe and a cable conductor in good condition in case of compression connection of the cable conductor using the pipe, even after compression.例文帳に追加

導体接続管を用いてケーブル導体を圧縮接続する場合において、導体接続管とケーブル導体間の界面の面圧を、圧縮後にあっても良好に保つことができる導体接続管を提供すること。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

In the solid oxide fuel cell 1, the gas permeability from the inner surface of a fuel electrode 5 up to an interface between the fuel electrode 5 and a solid electrolyte layer 7 is 1×10^-4 ml/cm^2 secPa or more.例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池１は、燃料極５の内表面から、燃料極５と固体電解質層７の界面までのガス透過率が、１×１０^-4ｍｌ／ｃｍ^2ｓｅｃＰａ以上な構成とする。 - 特許庁

The sensor for determining the surface or interface level of a material comprises a transceiver (12) and an inner conductor (21) of a coaxial cable (16) for electrically coupling a guide wire (14) partially immersed in the material to the transceiver (12).例文帳に追加

物質の表面レベルまたは境界面レベルを測定するセンサは、トランシーバ (12)と、部分的に物質内に浸漬されたガイドワイヤ(14)をトランシーバ (12)に電気的に結合するための同軸ケーブル(16)の内部導線(21)を備える。 - 特許庁

The variable resistance element 1 is constructed, in a manner such that a first barrier film 15 (15a) is formed, in a direction orthogonal to a substrate surface of a semiconductor substrate 11 on an interface between a sidewall insulating film 16 and first insulating film 13.例文帳に追加

可変抵抗素子１は、サイドウォール絶縁膜１６と第１絶縁膜１３の境界において、半導体基板１１の基板面と直交する方向に第１バリア膜１５（１５ａ）が成膜されている。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

Then, another active substance material layer 23 is laminated on the active substance material layer 22 with an uneven surface, and ion-transmitting holes 22c are formed along an interface of the both active substance material layers.例文帳に追加

次に、不均一な表面を有する活物質材料層２２の上に別の活物質材料層２３を積層し、これら両活物質材料層の境界面に沿ってイオン通過性の孔２２ｃを形成する。 - 特許庁

Water received by the water receiving lip 12 by going along the interface surfaces 14 and 19 does not spill down to the vehicle inside from the water receiving lip 12 end, since the water receiving surface 17 forms an upward up-grade toward the tip.例文帳に追加

接合面１４、１９を伝い、水受けリップ１２に受け止められた水は、水受け面１７が先端に向かい上向きの登り勾配をなしているため、水受けリップ１２端より車内側にこぼれ落ちることがない。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

If the structure of the sample 12, such as film thickness, density, the roughness of a surface or interface, and crystal orientation, is nonuniform, the distribution of the scattering intensities detected becomes a speckle that reflects the nonuniformity.例文帳に追加

この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

To provide an electrode having a large specific surface area, high heat resistance, and many three-phase interfaces, which is also capable of suppressing reaction on the interface with a solid electrolyte body while having excellent performance.例文帳に追加

比表面積が大きく、耐熱性が高く、三相界面が多く、固体電解質体との界面における反応を抑えることもでき、優れた性能を有する電極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.例文帳に追加

その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁

A heat source 43 that radiates heat toward the center of the lower surface of an ingot 25 in the silicon melt 12 below the solid/liquid interface 26 between the ingot 25 pulled up from the melt 12 and the silicon melt 12 is provided.例文帳に追加

シリコン融液１２から引上げられるインゴット２５とシリコン融液１２との固液界面２６より下方のシリコン融液１２中でインゴット２５下面の中心に向って放熱する熱源４３が設けられる。 - 特許庁

To provide a simulation method and a simulation program more accurately calculating a form near an interface when taking a large time-step or reducing the number of surface growing rate calculating steps.例文帳に追加

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法およびシミュレーションプログラムを提供する。 - 特許庁

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface emitting semiconductor laser element capable of fully removing impurities on a re-growth interface, in a hybrid method which uses both an MOCVD device and an MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置とＭＢＥ装置をともに用いるハイブリッド法において、再成長界面の不純物を十分に取り除くことができる面発光半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The source interface 24a sends a message of an unacceptable rate to a source fax machine 18a until the surface fax transmission rate is less than or equal to a data channel rate and a destination fax transmission rate.例文帳に追加

発信元インターフェイス２４ａは発信元ファックス送信レートがデータチャネルレートおよび宛先ファックス送信レートより小さいかまたは等しくなるまで発信元ファックス機器１８ａに受け入れられないレートのメッセージを送る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing an organic polymer film, having high adhesiveness on the interface with other semiconductor material which comes into contact with the lower surface or higher surface of the film when utilized as an interlaminar insulating film constituting a semiconductor device and enabling further reduction of effective permittivity of the whole film.例文帳に追加

半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、その下面、上面と接する他の半導体材料との界面においては、高い密着性を有し、また、膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供。 - 特許庁

In the flow meter provided with a liquid contact surface to be in contact with a fluid to be measured, the liquid contact surface has an interface electrolytically polished by a first step for buffing; a second step for electrolytic polishing; and a third step for oxidization in the atmosphere.例文帳に追加

測定流体に接液する接液面を備えた流量計において、前記接液面は、バフ研磨を行う第１ステップ、電解研磨を行う第２ステップ、大気中で酸化させる第３ステップにより、電解研磨された界面を有するものとして形成されることを特徴とする。 - 特許庁

When applying thermocompression bonding onto a glass substrate 11 and a metal wiring material 12, Si on the surface of the glass substrate 11 and alkoxyl group (OR) of disulfide silane terminal modified with hydrophobic silica 14 are reacted each other on an interface between a glass substrate 11 and an anisotropic conductive material 13, and they are chemically bonded to each other.例文帳に追加

ガラス基板１１と金属配線材１２とを熱圧着させると、ガラス基板１１と異方性導電材料１３との界面において、ガラス基板１１表面のＳｉと疎水シリカ１４に修飾されたジスルフィドシラン末端のアルコキシル基（ＯＲ）とが反応し、化学結合する。 - 特許庁

To provide a cuff member and a cuff member unit having a flange part which is layered on the outer surface of a living body and into which a living-body inserted tube is inserted, and hardly generating stress on the interface between the living tissue and the flange part even if force is applied to the flange part from the living-body inserted tube.例文帳に追加

生体の外面に重なるフランジ部を有し、このフランジ部に生体刺入管が挿通されるカフ部材において、生体刺入管からフランジ部に力が加えられても生体組織とフランジ部との界面に応力が殆ど生じないカフ部材及びカフ部材ユニットを提供する。 - 特許庁

Foundation films 2 and 3 and a conductive film 4 are formed in this order on a glass substrate 1, a chloride fine particle 5 is mixed into the foundation film or onto the interface between the foundation and conductive films, and a projection 9 is formed at the upper section of the chloride fine particles on the surface of the conductive film.例文帳に追加

ガラス板１上に下地膜２，３と導電膜４とをこの順に形成し、下地膜内または下地膜と前記導電膜との界面に、塩化物微粒子５を混入させ、導電膜の表面において、塩化物微粒子の上方に凸部９を形成する。 - 特許庁

The second members 3, 3 and the viscoelastic bodies 4, 4 are adhered with an adhesive agent and, at an interface of the first member 2 and the viscoelastic bodies 4, 4, the viscoelastic bodies 4, 4 are adhered to a surface of the first member 2 by self adhesion.例文帳に追加

そして、第二部材３，３と粘弾性体４，４とが接着剤によって接着されているとともに、第一部材２と粘弾性体４，４との界面においては、粘弾性体４，４が自己粘着力によって第一部材２の表面に粘着している。 - 特許庁

The first light guide layer has a first refractive index n_1 and a first critical angle (θ_C1), the second light guide layer has a second refractive index n_2, and a boundary surface between the first light guide layer and the second light guide layer has a critical angle (θ_C12) of a first interface.例文帳に追加

前記第１導光層は第１屈折率n_１と第１臨界角(θ_Ｃ１)を持っており、前記第２導光層は第２屈折率n_２を持っており、第１導光層と第２導光層との境界面は第１界面の臨界角(θ_Ｃ１２)を持っている。 - 特許庁